半導(dǎo)體裝置封裝和其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包含襯底、第一電組件、第二電組件和設(shè)置于所述襯底的頂部表面上的導(dǎo)電框架。所述導(dǎo)電框架具有頂部部分和大體上垂直于所述頂部部分的邊沿。所述導(dǎo)電框架覆蓋所述第一電組件，且包含所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分中的至少一個開口，所述開口中的一者暴露所述第二電組件。所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的頂部表面大體上與所述第二電組件的頂部表面共面。所述半導(dǎo)體裝置封裝進(jìn)一步包含與所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的所述頂部表面、所述導(dǎo)電框架的所述邊沿的外部側(cè)向表面和所述第二電組件的所述頂部表面接觸的電磁干擾屏蔽體。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置封裝和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置封裝和其制造方法，且更特定來說，涉及具有屏蔽罩蓋的半導(dǎo)體裝置封裝和其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在至少部分地由針對增強(qiáng)處理速度和較小大小的需求的驅(qū)動下，半導(dǎo)體裝置已變得越來越復(fù)雜。增強(qiáng)的處理速度往往會涉及較高時鐘速度，其可涉及信號電平之間更頻繁的轉(zhuǎn)換，此又可導(dǎo)致以較高頻率或較短波長的較高電平的電磁發(fā)射。電磁發(fā)射可從源半導(dǎo)體裝置輻射，且可入射于鄰近半導(dǎo)體裝置上。如果鄰近半導(dǎo)體裝置處的電磁發(fā)射的電平充分高，那么這些發(fā)射可不利地影響所述鄰近半導(dǎo)體裝置的操作。此現(xiàn)象有時被稱作電磁干擾(EMI)。較小設(shè)定大小的半導(dǎo)體裝置可通過在總電子系統(tǒng)內(nèi)提供較高密度的半導(dǎo)體裝置而使EMI加劇，且因此使鄰近半導(dǎo)體裝置處較高電平的非所要電磁發(fā)射加劇。
[0003]減少EMI的一個方式為屏蔽半導(dǎo)體裝置封裝內(nèi)的一組半導(dǎo)體裝置。特定來說，屏蔽可通過包含電接地并固定到封裝外部的導(dǎo)電殼體或外殼而實(shí)現(xiàn)。當(dāng)來自封裝內(nèi)部的電磁發(fā)射撞擊殼體的內(nèi)部表面時，這些發(fā)射的至少一部分可經(jīng)電短接，由此減小可通過殼體并不利地影響鄰近半導(dǎo)體裝置的發(fā)射的電平。類似地，當(dāng)來自鄰近半導(dǎo)體裝置的電磁發(fā)射撞擊殼體的外部表面時，類似電短接可發(fā)生以減少封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裝置的EMI。
[0004]然而，EMI屏蔽增大半導(dǎo)體裝置封裝的總大小，且因此可能不滿足由高密度集成電路的發(fā)展所引起的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置封裝包含襯底、第一電組件、第二電組件、導(dǎo)電框架和電磁干擾屏蔽體。襯底具有頂部表面。第一電組件設(shè)置于所述襯底的頂部表面上。第二電組件設(shè)置于所述襯底的頂部表面上。第二電組件具有頂部表面。所述導(dǎo)電框架具有頂部部分和大體上垂直于所述頂部部分的邊沿。所述頂部部分具有頂部表面。導(dǎo)電框架設(shè)置于所述襯底的頂部表面上以覆蓋第一電組件。導(dǎo)電框架界定導(dǎo)電框架的頂部部分中的至少一個開口。至少一個開口暴露第二電組件。所述導(dǎo)電框架的頂部部分的頂部表面大體上與所述第二電組件的頂部表面共面。所述電磁干擾屏蔽體與導(dǎo)電框架的頂部部分的頂部表面、導(dǎo)電框架的邊沿的外部側(cè)向表面和第二電組件的頂部表面接觸。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法包括:(a)提供具有頂部表面的襯底；(b)將第一電組件和第二電組件附接在襯底的頂部表面上，所述第二電組件具有頂部部分；(C)將導(dǎo)電框架放置在襯底的頂部表面上以覆蓋第一電組件，所述導(dǎo)電框架包含頂部部分和大體上垂直于所述頂部部分的邊沿，所述頂部部分具有頂部表面，所述導(dǎo)電框架界定導(dǎo)電框架的頂部部分中的至少一個開口，至少一個開口暴露所述第二電組件，且導(dǎo)電框架的頂部部分的頂部表面大體上與第二電組件的頂部表面共面；(d)將電磁干擾屏蔽體放置在導(dǎo)電框架上以與導(dǎo)電框架的頂部部分的頂部表面、導(dǎo)電框架的邊沿的外部側(cè)向表面和第二電組件的頂部表面接觸。
【附圖說明】
[0007]圖1A說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的橫截面圖。
[0008]圖1B說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的俯視圖。
[0009 ]圖2A、圖2B和圖2C說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造程序。
[0010]貫穿圖式和詳細(xì)描述使用共享參考數(shù)字以指示相同或類似組件。根據(jù)結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明將更為顯而易見。
【具體實(shí)施方式】
[0011]由于呈外殼或殼體形式的EMI屏蔽增大半導(dǎo)體封裝的大小，因此相反地指示此類屏蔽用于小半導(dǎo)體裝置內(nèi)的實(shí)施方案。本發(fā)明描述適用于較小半導(dǎo)體裝置封裝的EMI屏蔽技術(shù)，此另外減少制造成本。
[0012]圖1A說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝I的橫截面圖。半導(dǎo)體裝置封裝I包含襯底10，多個有源電組件12、12’，多個其它電組件13、23、33，導(dǎo)電框架14和EMI屏蔽體16。
[0013]襯底10具有頂部表面101、與頂部表面101相反的底部表面102，和側(cè)向表面103。側(cè)向表面103在襯底10的外圍邊緣處，且在頂部表面101與底部表面102之間延伸。舉例來說，襯底10可為印刷電路板，例如紙基銅箔層合物、復(fù)合物銅箔層合物或浸漬聚合物的基于玻璃纖維的銅箔層合物。襯底10可包含互連結(jié)構(gòu)(圖1A中未繪示)，例如，重布層(RDL)，以用于設(shè)置在襯底10的頂部表面101上的電組件13、23、33和/或有源電組件12、12’之間的電連接。
[0014]有源電組件12設(shè)置在襯底10的頂部表面101上。有源電組件12可為覆晶類型的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，有源電組件12可為線接合類型的半導(dǎo)體裝置。舉例來說，有源電組件12可為集成芯片(IC)或裸片。
[0015]有源電組件12的電接點(diǎn)12a由用于保護(hù)電接點(diǎn)12a的底膠11包覆。舉例來說，底膠11可為環(huán)氧樹脂或其它合適的材料。
[0016]電組件13、23、33設(shè)置在襯底10的頂部表面101上。舉例來說，電組件13、23、33可為電容器、電阻器、電感器或其組合。電組件13具有兩個電接點(diǎn)(電極)13a和13b，其各自分別具有表面13al、13bl。
[0017]導(dǎo)電框架14具有頂部部分141、邊沿(柵欄)142和至少一個隔室143。頂部部分141具有頂部表面1411。邊沿142和隔室143大體上垂直于頂部部分141。導(dǎo)電框架14設(shè)置在襯底10的頂部表面101上以覆蓋有源電組件12、12’和電組件33。導(dǎo)電框架14的頂部部分141具有至少一個開口 14h以暴露電組件13、23。導(dǎo)電框架14的頂部部分141的頂部表面1411大體上與第一電組件13的表面13al、13bl共面，所述第一電組件為在半導(dǎo)體裝置封裝I中垂直延伸之最高組件，其中術(shù)語“垂直地”指圖1A中所繪示的定向。導(dǎo)電框架14可包含一或多種金屬，或其混合物、合金，或其它組合。
[0018]導(dǎo)電框架14經(jīng)由連接部件17設(shè)置在襯底10的頂部表面101上。即，導(dǎo)電框架14經(jīng)由連接部件17電連接到襯底1的接地平面。舉例來說，連接部件17可為導(dǎo)電接合材料。連接部件17通過等于或小于約0.2毫米(mm)的距離D而與有源電組件12分離，所述距離D例如小于或等于約0.19mm、約0.18mm、約0.17mm、約0.16mm、約0.15mm、約0.14mm、約0.13mm、約0.12mm、約0.1lmm或約0.1mnin
[0019]隔室143從導(dǎo)電框架14的頂部部分141延伸以使有源電組件12與設(shè)置于襯底10的頂部表面101上的有源電組件12’分離。隔室143減小由有源電組件12’(例如，EMI或串音)所產(chǎn)生的電磁發(fā)射對有源電組件12的影響，且反之亦然。隔室143可進(jìn)一步使第一組電組件
13、33與設(shè)置于襯底10的頂部表面101上的第二組電組件23分離，從而減小由電組件13、33所產(chǎn)生的電磁發(fā)射對電組件23的影響，且反之亦然。
[0020]舉例來說，第一圖案15可為條形碼或其它辨識碼(例如，快速響應(yīng)(QR)碼)，其表示對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置封裝I的信息，例如半導(dǎo)體裝置封裝I的序號和襯底10的單元數(shù)目。在一實(shí)施例中，第一圖案15可從頂部表面1411形成到導(dǎo)電框架14的頂部部分141中。換句話說，導(dǎo)電框架14的頂部部分141大體上與第一圖案15的頂部表面共面且EMI屏蔽體16直接接觸第一圖案15。舉例來說，第一圖案15可通過激光技術(shù)或其它合適的技術(shù)形成。
[0021]EMI屏蔽體16設(shè)置于導(dǎo)電框架14的外表面上。EMI屏蔽體16與導(dǎo)電框架14的頂部部分141的頂部表面1411、導(dǎo)電框架14的邊沿142的外部側(cè)向表面1421和第一電組件13的表面13al、13bl接觸。EMI屏蔽體16可為導(dǎo)電薄膜，且可包含(例如)鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、錫(Sn)、金(Au) JI(Ag)、鎳(Ni)或不銹鋼，或其混合物、合金或其它組合。因此，EMI屏蔽體16和導(dǎo)電框架14可減小由半導(dǎo)體封裝I外部的半導(dǎo)體裝置所產(chǎn)生的電磁發(fā)射對設(shè)置于半導(dǎo)體裝置封裝I中的有源電組件12、12’和電組件13、23、33的影響。由于導(dǎo)電框架14經(jīng)由連接部件17接地，且EMI屏蔽體16直接接觸導(dǎo)電框架14，因此EMI屏蔽體16經(jīng)由導(dǎo)電框架14接地。
[0022]EMI屏蔽體16具有頂部表面161、與頂部表面161相反的底部表面162，和側(cè)向表面163。在一實(shí)施例中，如圖1A中所說明，在半導(dǎo)體封裝I的一側(cè)或兩側(cè)上，襯底10的側(cè)向表面103水平地延伸超出EMI屏蔽體16的側(cè)向表面163，其中術(shù)語“水平地”是相對于由圖1A所說明的半導(dǎo)體封裝I的定向。在另一實(shí)施例中，在半導(dǎo)體封裝I的一側(cè)或兩側(cè)上，EMI屏蔽體16的側(cè)向表面163大體上與襯底10的側(cè)向表面103共面。在一實(shí)施例中，至少一個絕緣墊173形成在EMI屏蔽體16的底部表面162上且接觸電組件13的表面13al、13bl以使EMI屏蔽體16與電組件13的表面13al、13bl電隔離。在另一實(shí)施例中，電組件13的表面13al、13bl可為分別定位于接點(diǎn)13a、13b上的電絕緣體的表面，且因此EMI屏蔽體16可與電組件13的表面13a 1、13b I直接接觸，且可去除絕緣墊173。
[0023]EMI屏蔽體16可包含單個導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，EMI屏蔽體16可包含由相同材料或不同材料形成的若干導(dǎo)電層。在一些實(shí)施例中，每一導(dǎo)電層可具有(例如)高達(dá)約200μηι、高達(dá)約150μηι、高達(dá)約ΙΟΟμπι、高達(dá)約50μηι、高達(dá)約ΙΟμπι、高達(dá)約5μηι、高達(dá)約Iym或高達(dá)約500nm;和低到約I OOnm或10nm以下、低到約50nm或50nm以下或低到約I Onm或I Onm以下的厚度。
[0024]舉例來說，第二圖案18可為條形碼或其它辨識碼，其表示對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置封裝I的信息，例如，半導(dǎo)體封裝I的裝運(yùn)數(shù)目。在一實(shí)施例中，第二圖案18可從頂部表面161形成至IjEMI屏蔽體16中。即，第二圖案18的頂部表面與EMI屏蔽體16的頂部表面161共面。舉例來說，第二圖案18可通過激光技術(shù)或其它合適的技術(shù)形成。
[0025]在一些實(shí)施例中，可應(yīng)用包含條形碼或另一代碼的貼紙，而非形成第一圖案15和第二圖案18。舉例來說，貼紙可應(yīng)用于導(dǎo)電框架14的頂部部分141和EMI屏蔽體16的頂部表面161中的一者或兩者。然而，此貼紙可具有大約0.02mm的厚度，此可導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置封裝I的高度增大。因此，通過使用激光技術(shù)形成條形碼或另一代碼可減小半導(dǎo)體裝置封裝I的總高度。
[0026]圖1B說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝I的俯視圖。圖1B中所繪示的半導(dǎo)體裝置封裝I類似于圖1A中所繪示的半導(dǎo)體裝置封裝，除不包含EMI屏蔽體16以外。對應(yīng)于在半導(dǎo)體封裝I中垂直延伸最高的組件(例如，圖1A中的電組件13)的位置形成開口 14hl，以使得EMI屏蔽體16的底部表面162與組件的最高部分共面。以此方式，在包含EMI屏蔽體16的實(shí)施例中，沿著平面放置EMI屏蔽體16以覆蓋半導(dǎo)體裝置封裝I的頂部表面。通過包含暴露電組件13的頂部部分的開口 14hl，圖1A和IB中所描繪的半導(dǎo)體裝置封裝I的總高度可減小至少約0.25_，此又可減少制造成本。考慮到導(dǎo)電框架14上的應(yīng)力的平衡，開口 14h2形成于導(dǎo)電框架14中。
[0027]圖2A、圖2B和圖2C說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體制造程序。
[0028]參看圖2A，說明包含襯底10的部分半導(dǎo)體裝置封裝la。多個有源電組件12、12’和多個電組件13、23、33附接在襯底10的頂部表面101上。
[0029]導(dǎo)電框架14定位在襯底10的頂部表面101上方且經(jīng)由連接部件17設(shè)置在襯底10的頂部表面1I上。舉例來說，連接部件17可為導(dǎo)電接合材料。
[0030]導(dǎo)電框架14具有頂部部分141、邊沿142和至少一個隔室143。頂部部分141具有頂部表面1411。邊沿142和隔室143大體上垂直于頂部部分141。導(dǎo)電框架14覆蓋有源電組件
12、12’和電組件33。導(dǎo)電框架14的頂部部分141具有至少一個開口 14h以暴露電組件13、23。導(dǎo)電框架14的頂部部分141的頂部表面1411和第一電組件13(其為在半導(dǎo)體裝置封裝I中垂直延伸最高的組件)的表面13al、13bl大體上共面。
[0031]隔室143從導(dǎo)電框架14的頂部部分141延伸以使有源電組件12與設(shè)置于襯底10的頂部表面101上的有源電組件12’分離，從而減少到達(dá)有源電組件12’的有源電組件12的電磁發(fā)射的量，且減少到達(dá)有源電組件12的有源電組件12’的電磁發(fā)射的量。在另一實(shí)施例中，隔室143可進(jìn)一步使第一組電組件(例如，13、33)與設(shè)置于襯底10的頂部表面101上的第二組電組件(例如，23)分離。
[0032]有源電組件12、12’，電組件13、23、33和導(dǎo)電框架14通過表面粘著技術(shù)固定或設(shè)置在襯底10的頂部表面101上。接著，舉例來說，執(zhí)行回焊工藝以在凸塊下金屬化物與焊料之間形成金屬互連階段。
[0033]第一圖案15(例如，表示半導(dǎo)體裝置封裝I的信息的一或多個條形碼或其它辨識碼)可形成于導(dǎo)電框架14中或可形成于導(dǎo)電框架14上。在一實(shí)施例中，可使用(例如)激光技術(shù)或其它合適的技術(shù)從頂部表面1411將第一圖案15形成到導(dǎo)電框架14的頂部部分141中?；蛘?，可例如借助于貼紙應(yīng)用第一圖案15。可掃描第一圖案15，且經(jīng)掃描的圖案或其表示的信息可存儲于存儲裝置(圖2B中未繪示)中。在一些實(shí)施例中，可將第一圖案15的所存儲的圖像映射到半導(dǎo)體裝置封裝Ia的相關(guān)信息。
[0034]參看圖2B，經(jīng)由導(dǎo)電框架14的開口 14h注入或分配電絕緣材料以形成用以包覆有源電組件12、12’的電接點(diǎn)12a的底膠11，由此形成部分半導(dǎo)體裝置封裝lb。
[0035]可執(zhí)行單體化以將半導(dǎo)體裝置封裝Ib的帶材劃分成多個半導(dǎo)體裝置封裝lb。舉例來說，可通過使用切割機(jī)、激光或其它適當(dāng)?shù)那懈钍侄螆?zhí)行單體化。
[0036]參看圖2C，EMI屏蔽體16形成在導(dǎo)電框架14的外表面上以便與導(dǎo)電框架14的頂部部分141的頂部表面1411，導(dǎo)電框架14的邊沿142的外部側(cè)向表面1421和電組件13的表面13al、13bl 接觸。
[0037]EMI屏蔽體16具有頂部表面161和與頂部表面161相反的底部表面162。在一實(shí)施例中，至少一個絕緣墊173形成在EMI屏蔽體16的底部表面162上且與電組件13的表面13al、13bl接觸以使EMI屏蔽體16與電組件13的表面13al、13bl電隔離。在另一實(shí)施例中，電組件13的表面13a 1、13b I可為電絕緣體材料的表面，且因此EMI屏蔽體16可與電組件13的表面13al、13b I直接接觸，且去除絕緣墊173。
[0038]EMI屏蔽體16可沉積為導(dǎo)電薄膜，且可包含(例如)鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、錫(Sn)、金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)或不銹鋼，或其混合物、合金或其它組合。EMI屏蔽體16可包含單個導(dǎo)電層。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，EMI屏蔽體16可包含由相同材料或不同材料形成的若干導(dǎo)電層。
[0039]第二圖案18(例如，對應(yīng)于與半導(dǎo)體裝置封裝I相關(guān)的信息的條形碼或其它代碼)形成或置于EMI屏蔽體16的頂部表面161上。在一實(shí)施例中，第二圖案18可從頂部表面161形成到EMI屏蔽體16中以形成如參看圖1A所描述和說明的半導(dǎo)體裝置封裝I。舉例來說，第二圖案18可使用激光技術(shù)或其它合適的技術(shù)形成。
[0040]如關(guān)于圖2B所描述，經(jīng)由導(dǎo)電框架14的開口 14h引入電絕緣材料以形成底膠11。因此，可通過單一表面粘著程序，繼而回焊而將導(dǎo)電框架14，有源電組件12、12’，電組件13、23、33和導(dǎo)電框架14放置和設(shè)置在襯底10的頂部表面101上。借助于對比，如果導(dǎo)電框架14不具有開口 14h，那么底膠11將必須在放置導(dǎo)電框架14之前引入，且將包含后續(xù)第二表面粘著程序和回焊以將導(dǎo)電框架14放置在襯底10上。因此，使用導(dǎo)電框架14中的開口 14h可減小制造成本。
[0041]另外，由于在連接導(dǎo)電框架14和連接部件17之后形成底膠11，因此連接部件17可充當(dāng)?shù)啄z11的擋板。借助于對比，如果導(dǎo)電框架14不具有開口 14h，那么將在將導(dǎo)電框架14設(shè)置到襯底10之前引入底膠11。圖2A、圖2B和圖2C中所展示的半導(dǎo)體制造程序允許有源電組件12的邊緣與連接部件17之間的距離D小于約0.2mm。相比之下，如果導(dǎo)電框架14不具有開口 14h，使得在設(shè)置導(dǎo)電框架14之前應(yīng)用底膠11，那么可保留距有源電組件12的邊緣大于約0.55mm的距離以允許底膠11的水平膨脹。換句話說，為了防止底膠11膨脹占據(jù)隨后將形成連接部件17的空間，將保留約0.55mm或0.55mm以上的空間。因此，圖2A、圖2B和圖2C中所繪示的半導(dǎo)體制造程序可減小一側(cè)上半導(dǎo)體裝置封裝I的總寬度至少約0.35mm，此又可減少制造成本。
[0042]如本文中所使用，術(shù)語“大體上”、“大致”、“大約”和“約”用于指小變化。舉例來說，所述術(shù)語可指小于或等于±10%，例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于± I%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%或小于或等于±0.05%。術(shù)語“大體上共面”可指位于沿著相同平面的在數(shù)微米(μπι)內(nèi)的兩個表面，例如，位于沿著相同平面的在ΙΟΟμπ?內(nèi)、在80μπ?內(nèi)、在60μπ?內(nèi)、在40μπ?內(nèi)、在30μπ?內(nèi)、在20μm內(nèi)、在ΙΟμπι內(nèi)或在Ιμπι內(nèi)。如果兩個表面或組件之間的角為(例如)90° 土 10° (例如，±5°、土4°、±3°、±2°、± 1°、±0.5°、±0.1°或±0.05° )，那么兩個表面或組件可被認(rèn)為“大體上垂直”。當(dāng)結(jié)合事件或情形使用時，術(shù)語“大體上”、“大致”、“大約”和“約”可指事件或情形精確發(fā)生的情況以及事件或情形近似發(fā)生的情況。
[0043]另外，有時在本文中按范圍格式呈現(xiàn)量、比率和其它數(shù)值。可理解，此類范圍格式用于便利和簡潔起見，且應(yīng)靈活地理解為不僅包含明確地指定為范圍限制的數(shù)值，而且包含涵蓋于所述范圍內(nèi)的所有個別數(shù)值或子范圍，如同明確地指定每一數(shù)值和子范圍一般。
[0044]盡管已參看本發(fā)明的特定實(shí)施例描述并說明本發(fā)明，但這些描述和說明并不限制本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可清楚地理解，可進(jìn)行各種改變，且可在實(shí)施例內(nèi)替代等效元件而不會脫離如由所附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明的真實(shí)精神和范圍。說明可不必按比例繪制。歸因于制造程序的類中的變量，本發(fā)明中的技術(shù)再現(xiàn)與實(shí)際設(shè)備之間可存在區(qū)別。可存在并未特定說明的本發(fā)明的其它實(shí)施例。應(yīng)將本說明書和圖式視為說明性而非限制性的?？勺龀鲂薷?，以使特定情形、材料、物質(zhì)組成、方法或程序適應(yīng)于本發(fā)明的目標(biāo)、精神和范圍。所有這些修改希望在此處所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。盡管已參看按特定次序執(zhí)行的特定操作描述本文中所揭示的方法，但可理解，在不脫離本發(fā)明的教示的情況下，可組合、細(xì)分或重新定序這些操作以形成等效方法。因此，除非在本文中特定指示，否則操作的次序和分組并非本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置封裝，其包括: 襯底，其具有頂部表面； 第一電組件，其設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上； 第二電組件，其設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上，所述第二電組件具有頂部表面； 導(dǎo)電框架，其界定頂部部分和大體上垂直于所述頂部部分的邊沿，所述頂部部分具有頂部表面，所述導(dǎo)電框架設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上以覆蓋所述第一電組件，所述導(dǎo)電框架包含所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分中的至少一個開口，所述至少一個開口暴露所述第二電組件，且所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的所述頂部表面大體上與所述第二電組件的所述頂部表面共面；以及 電磁干擾屏蔽體，其與所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的所述頂部表面、所述導(dǎo)電框架的所述邊沿的外部側(cè)向表面和所述第二電組件的所述頂部表面接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述第一電組件包含多個電接點(diǎn)，進(jìn)一步包括底膠以包覆所述多個電接點(diǎn)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述導(dǎo)電框架經(jīng)由連接部件設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述連接部件通過等于或小于0.2毫米的距離而與所述第一電組件分離。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其進(jìn)一步包括形成于所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分中的圖案。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其進(jìn)一步包括形成于所述電磁干擾屏蔽體中的圖案。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其進(jìn)一步包括形成于所述電磁干擾屏蔽體的底部表面上的至少一個絕緣墊，其中所述至少一個絕緣墊中的每一者接觸所述第二電組件的所述頂部表面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其進(jìn)一步包括設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上的第三電組件，其中所述導(dǎo)電框架包含從所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分延伸的至少一個隔室以使所述第一電組件與所述第三電組件分離。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置封裝，其中所述第二電組件在所述半導(dǎo)體封裝中垂直延伸最高。10.一種制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法，其包括: (a)提供具有頂部表面的襯底； (b)將第一電組件和第二電組件附接在所述襯底的所述頂部表面上； (C)將導(dǎo)電框架放置于所述襯底的所述頂部表面上以覆蓋所述第一電組件，所述導(dǎo)電框架包含頂部部分和大體上垂直于所述頂部部分的邊沿，所述頂部部分具有頂部表面，所述導(dǎo)電框架界定所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分中的至少一個開口，所述至少一個開口暴露所述第二電組件，且所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的所述頂部表面大體上與所述第二電組件的頂部表面共面;以及 (d)將電磁干擾屏蔽體放置在所述導(dǎo)電框架上以與所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分的所述頂部表面、所述導(dǎo)電框架的所述邊沿的外部側(cè)向表面和所述第二電組件的所述頂部表面 接觸。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括形成底膠以包覆所述第一電組件的多個電接點(diǎn)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中通過經(jīng)由在所述第一電組件上方的所述導(dǎo)電框架的所述開口注入或分配電絕緣材料而形成所述底膠。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在(c)中放置所述導(dǎo)電框架之后形成所述底膠。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過回焊工藝將所述第一電組件、所述第二電組件和所述導(dǎo)電框架固定在所述襯底的所述頂部表面上。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分中形成圖案。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在(d)中放置所述EMI屏蔽體之前，掃描所述圖案以讀取對應(yīng)于所述半導(dǎo)體裝置封裝的信息。17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在(c)中放置所述導(dǎo)電框架時，將所述導(dǎo)電框架置于位于所述襯底的所述頂部表面上的連接部件上。18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述電磁干擾屏蔽體的底部表面上形成至少一個絕緣墊，所述至少一個絕緣墊經(jīng)定位以便與所述第二電組件的所述頂部表面接觸。19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括形成從所述導(dǎo)電框架的所述頂部部分延伸的至少一個隔室以使所述第一電組件與設(shè)置于所述襯底的所述頂部表面上的第三電組件分離。20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述電磁干擾屏蔽體中形成圖案。
【文檔編號】H01L21/60GK105990318SQ201610164166
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年3月22日
【發(fā)明人】楊燾境, 黃國峰, 粘為裕
【申請人】日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司