技術編號：10546472
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。IGZO(氧化銦鎵鋅)作為一種薄膜電晶體材料，是在TFT-1XD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO材料用作新一代薄膜晶體管技術中的溝道層材料，是金屬氧化物面板技術的一種，適用于制造高迀移率的薄膜晶體管，具有響應時間短、迀移率高、功耗低等諸多優(yōu)點，更容易實現(xiàn)尚速驅(qū)動、尚分辨率、低功耗、3D等尚廣品性能，是未來尚端顯不廣品最主要的生產(chǎn)技術之一。采用IGZO技術，載流子迀移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速...
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