技術(shù)編號(hào)：10536886
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在集成電路制造領(lǐng)域，互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管（CMOS)普遍使用在超大 規(guī)模集成電路的制造過程中。傳統(tǒng)的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)主要包括襯 底，形成在襯底上的柵極結(jié)構(gòu)、形成在柵極結(jié)構(gòu)上方的鎢插塞以及形成在鎢插塞上方的金 屬互連層等。其中，柵極結(jié)構(gòu)主要包括位于襯底中的源漏極、位于襯底上方的柵極及位于柵 極和襯底之間的柵極介質(zhì)層等。 隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管中柵極結(jié)構(gòu)的 尺寸也越來越小，對(duì)于柵極結(jié)構(gòu)中柵極介質(zhì)層...
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