技術(shù)編號：10533262
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 與傳統(tǒng)窄禁帶半導(dǎo)體相比，寬禁帶GaN半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高電子飽和速度和 高熱穩(wěn)定性等優(yōu)越的物理特性。尤其是存在較強的極化效應(yīng)的AlGaN/GaN或InAlN/GaN異質(zhì) 結(jié)，能在異質(zhì)界面處誘導(dǎo)高濃度的二維電子氣，是HEMT的核心結(jié)構(gòu)。但是，當(dāng)GaN基HEMT工作 在高反向柵極偏壓模式時，器件的漏電流會隨著電壓施加時間出現(xiàn)持續(xù)的增加。漏電流增 大會增加器件的功率損耗，所以該退化嚴(yán)重阻礙其大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。眾多關(guān)于退化的研 究指出當(dāng)器件工作在較高的反向柵...
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