技術(shù)編號：10494322
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 例如，在半導(dǎo)體元件的制造中，已知可通過具有使用KrF準(zhǔn)分子激光或ArF準(zhǔn)分子 激光作為光源的曝光工序的光刻技術(shù)，在基板上形成微細(xì)的抗蝕劑圖案。抗蝕劑圖案形成 前向抗蝕劑膜入射的KrF準(zhǔn)分子激光或ArF準(zhǔn)分子激光(入射光）由于在基板表面反射，從而 在該抗蝕劑膜中產(chǎn)生駐波。已知該駐波為無法形成所期望形狀的抗蝕劑圖案的原因。為了 抑制該駐波的產(chǎn)生，還已知在抗蝕劑膜和基板之間設(shè)置用于吸收入射光的防反射膜。該防 反射膜在設(shè)置于上述抗蝕劑膜的下層時，要求具有比該抗蝕...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。