技術編號：10490776
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著半導體技術的不斷發(fā)展，集成電路性能的提高主要是通過不斷縮小集成電路器件的尺寸以提高它的速度來實現(xiàn)的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半導體工業(yè)已經進步到納米技術工藝節(jié)點，特別是當半導體器件尺寸降到20nm或以下時，半導體器件的制備受到各種物理極限的限制。減小的特征結構尺寸造成器件上的結構特征的空間尺寸減小。器件上間隙與溝槽的寬度變窄到間隙深度對寬度的深寬比高到足以導致介電材料填充間隙相當不易的程度。在FinFET制程中，一般采用流動式化學氣...
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