技術(shù)編號(hào):10248484
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。晶體硅太陽能電池片是目前光伏市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。目前的晶體硅太陽電池所使用的襯底主要是摻硼的P型硅片,在拉晶過程中石英坩禍中的氧不可避免的會(huì)融入硅晶體,因此,在一般的硅片中都會(huì)存在較大含量的氧。在光照情況下,硅片中的氧會(huì)與硼結(jié)合形成B-0復(fù)合體,該B-O復(fù)合體具有較高的復(fù)合活性,導(dǎo)致硅片少子壽命下降,從而使電池片效率大幅下降,這種由于光照引起的太陽電池效率的衰減被稱之為光致衰減(LID)。在背面鈍化很好的PERC電池上,光致衰減的問題更加嚴(yán)重。光致衰減使太陽電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。