曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。曝光基臺(tái)包括：基臺(tái)本體、氣流控制系統(tǒng)和氣體噴嘴系統(tǒng)；氣體噴嘴系統(tǒng)設(shè)置在基臺(tái)本體上，且氣體噴嘴系統(tǒng)與氣流控制系統(tǒng)連接，氣流控制系統(tǒng)用于控制從氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。本實(shí)用新型解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在顯示基板的制造過(guò)程中，通常需要在基板上形成薄膜，然后在薄膜上涂覆光刻膠，并采用曝光設(shè)備，通過(guò)具有一定圖形的掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，之后依次采用顯影、 刻蝕和光刻膠剝離工藝對(duì)基板進(jìn)行處理，得到相應(yīng)的圖形。
[0003]曝光設(shè)備可以包括曝光基臺(tái)，可以將涂覆有光刻膠的基板設(shè)置在曝光基臺(tái)上對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。相關(guān)技術(shù)中，曝光基臺(tái)包括:基臺(tái)本體和設(shè)置在基臺(tái)本體上的真空吸附裝置，該真空吸附裝置可以為真空吸嘴、吸盤(pán)等，可以通過(guò)真空吸附裝置將涂覆有光刻膠的基板吸附在基臺(tái)本體上對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0005]相關(guān)技術(shù)中的曝光基臺(tái)采用真空吸附裝置將基板設(shè)置在曝光本體上，由于真空吸附裝置的吸附作用，基板上與真空吸附裝置對(duì)應(yīng)的區(qū)域容易出現(xiàn)凹陷，導(dǎo)致基板的表面凹凸不平，基板不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同，因此，曝光的均一性較差?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0006]為了解決相關(guān)技術(shù)中的曝光基臺(tái)曝光的均一性較差的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備。所述技術(shù)方案如下:
[0007]第一方面，提供一種曝光基臺(tái)，所述曝光基臺(tái)包括:
[0008]基臺(tái)本體、氣流控制系統(tǒng)和氣體噴嘴系統(tǒng)；[〇〇〇9]所述氣體噴嘴系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體上，且所述氣體噴嘴系統(tǒng)與所述氣流控制系統(tǒng)連接，所述氣流控制系統(tǒng)用于控制從所述氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體的流量，使從所述氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。[〇〇1〇]可選地，所述氣體噴嘴系統(tǒng)包括:多個(gè)氣體噴嘴裝置，所述基臺(tái)本體的承載面上設(shè)置有均勻分布的多個(gè)開(kāi)口，每個(gè)所述氣體噴嘴裝置通過(guò)一個(gè)所述開(kāi)口設(shè)置在所述基臺(tái)本體上，每個(gè)所述氣體噴嘴裝置包括:氣體噴嘴和與所述氣體噴嘴連接的噴嘴控制器；[〇〇11]其中，每個(gè)所述氣體噴嘴分別與氣體源連接，所述氣流控制系統(tǒng)與每個(gè)所述噴嘴控制器電連接，所述氣流控制系統(tǒng)用于通過(guò)任一噴嘴控制器控制與所述任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向。
[0012]可選地，所述曝光基臺(tái)還包括:
[0013]平坦度獲取系統(tǒng)；
[0014]所述平坦度獲取系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體的四周，且與所述氣流控制系統(tǒng)電連接；
[0015]所述平坦度獲取系統(tǒng)用于獲取所述待曝光器件的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并向所述氣流控制系統(tǒng)發(fā)送所述各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)；
[0016]所述氣流控制系統(tǒng)用于根據(jù)所述各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，確定所述待曝光表面上的凹凸不平的位置點(diǎn)的目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)確定所述凹凸不平的位置點(diǎn)在所述基臺(tái)本體的承載面上的正投影點(diǎn)，并通過(guò)控制以所述正投影點(diǎn)為圓心，預(yù)設(shè)距離為半徑的區(qū)域內(nèi)的噴嘴控制器，控制與所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)對(duì)所述待曝光表面的平坦度進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0017]可選地，所述曝光基臺(tái)還包括:
[0018]應(yīng)力獲取系統(tǒng)；
[0019]所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體的承載面上，且與所述氣流控制系統(tǒng)電連接，
[0020]所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)用于獲取所述待曝光器件與所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)接觸時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力的大小，并向所述氣流控制系統(tǒng)發(fā)送所述應(yīng)力的大?。?br>[0021]所述氣流控制系統(tǒng)用于判斷所述應(yīng)力的大小是否位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)，當(dāng)所述應(yīng)力的大小不位于預(yù)設(shè)應(yīng)力范圍內(nèi)，通過(guò)控制每個(gè)所述噴嘴控制器，控制與每個(gè)所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)對(duì)所述應(yīng)力的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0022]可選地，所述待曝光器件上設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記，所述氣流控制系統(tǒng)還與掩膜版對(duì)位系統(tǒng)電連接，
[0023]所述氣流控制系統(tǒng)還用于接收所述掩膜版對(duì)位系統(tǒng)發(fā)送的對(duì)位信息，所述對(duì)位信息是所述掩膜版對(duì)位系統(tǒng)根據(jù)掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記，對(duì)所述掩膜版和所述待曝光器件對(duì)位后，根據(jù)對(duì)位結(jié)果生成的；
[0024]所述氣流控制系統(tǒng)還用于根據(jù)所述對(duì)位信息判斷所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記是否對(duì)準(zhǔn)，在所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記未對(duì)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)控制每個(gè)所述噴嘴控制器，控制與每個(gè)所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)使所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
[0025]可選地，所述基臺(tái)本體為設(shè)置有空腔的立方體結(jié)構(gòu)，所述氣流控制系統(tǒng)包括:氣流控制器，所述氣流控制器設(shè)置在所述空腔內(nèi)；
[0026]所述平坦度獲取系統(tǒng)包括:至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器，所述至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器均勻分布在所述基臺(tái)本體的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)；[〇〇27] 所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)包括:至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器，所述至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器靠近所述基臺(tái)本體的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊設(shè)置，且均勻分布。
[0028]可選地，所述平坦度獲取系統(tǒng)還包括:至少兩個(gè)感應(yīng)器支架；
[0029]所述至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器通過(guò)所述至少兩個(gè)感應(yīng)器支架設(shè)置在所述基臺(tái)本體的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)。
[0030]可選地，每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器與所述基臺(tái)本體的側(cè)面中，靠近每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器的側(cè)面所在平面之間的距離的取值范圍為:〇.1厘米?10厘米；
[0031]每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器與所述基臺(tái)本體的承載面所在平面之間的距離的取值范圍為〇.1厘米?10厘米。
[0032]可選地，每個(gè)所述氣體噴嘴通過(guò)管線分別與所述氣體源連接；
[0033]所述氣流控制器分別與每個(gè)所述噴嘴控制器、每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器以及每個(gè)所述應(yīng)力感應(yīng)器電連接。
[0034]第二方面，提供一種曝光設(shè)備，所述曝光設(shè)備包括:第一方面所述的曝光基臺(tái)。
[0035]本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0036]本實(shí)用新型提供的曝光基臺(tái)及曝光設(shè)備，曝光基臺(tái)包括基臺(tái)本體、氣流控制系統(tǒng)和氣體噴嘴系統(tǒng)，氣體噴嘴系統(tǒng)設(shè)置在基臺(tái)本體上且與氣流控制系統(tǒng)連接，氣流控制系統(tǒng)用于控制從氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。由于曝光基臺(tái)形成氣墊層來(lái)支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置， 本實(shí)用新型提供的曝光基臺(tái)無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
[0037]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本實(shí)用新型?！靖綀D說(shuō)明】
[0038]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種曝光基臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2是圖1所示實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)的剖面圖；
[0041]圖3是圖1所示實(shí)施例提供的一種氣體噴嘴裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種曝光基臺(tái)的使用場(chǎng)景圖；
[0043]圖5是圖4所示實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)和基板的剖面圖。
[0044]此處的附圖被并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出了符合本實(shí)用新型的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本實(shí)用新型的原理?！揪唧w實(shí)施方式】
[0045]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部份實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0046]請(qǐng)參考圖1，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種曝光基臺(tái)00的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1，該曝光基臺(tái)〇〇包括:基臺(tái)本體001、氣流控制系統(tǒng)002和氣體噴嘴系統(tǒng)003。
[0047]氣體噴嘴系統(tǒng)003設(shè)置在基臺(tái)本體001上，且氣體噴嘴系統(tǒng)003與氣流控制系統(tǒng)002 連接(圖1中未示出)，氣流控制系統(tǒng)002用于控制從氣體噴嘴系統(tǒng)003噴出的氣體的流量，使從氣體噴嘴系統(tǒng)003噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件(圖1中未示出)的氣墊層(圖1中未示出)。
[0048]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)，由于曝光基臺(tái)形成氣墊層來(lái)支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
[0049]進(jìn)一步地，請(qǐng)參考圖2,其示出了圖1所示實(shí)施例提供的一種曝光基臺(tái)00的剖面圖， 參見(jiàn)圖2，從氣體噴嘴系統(tǒng)003噴出的氣體形成氣墊層D，氣體噴嘴系統(tǒng)003包括:多個(gè)氣體噴嘴裝置0031，基臺(tái)本體001的承載面M上設(shè)置有均勻分布的多個(gè)開(kāi)口(圖2中未示出)，每個(gè)氣體噴嘴裝置0031通過(guò)一個(gè)開(kāi)口設(shè)置在基臺(tái)本體001上，其中，開(kāi)口的形狀和大小可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不作限定。每個(gè)氣體噴嘴裝置0031包括:氣體噴嘴(圖2 中未示出)和與氣體噴嘴連接的噴嘴控制器(圖2中未示出)，每個(gè)氣體噴嘴分別與氣體源 (圖2中未示出)連接，比如，每個(gè)氣體噴嘴通過(guò)管線分別與氣體源連接，氣流控制系統(tǒng)002與每個(gè)噴嘴控制器電連接，氣流控制系統(tǒng)002用于通過(guò)任一噴嘴控制器控制與任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向。具體地，氣流控制系統(tǒng)002可以向任一噴嘴控制器發(fā)送開(kāi)度調(diào)節(jié)信號(hào)和/或開(kāi)口方向調(diào)節(jié)信號(hào)，該任一噴嘴控制器可以根據(jù)氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送的開(kāi)度調(diào)節(jié)信號(hào)和/或開(kāi)口方向調(diào)節(jié)信號(hào)，調(diào)節(jié)與該任一噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和/或開(kāi)口方向。
[0050]可選地，請(qǐng)參考圖3,其示出了圖1所示實(shí)施例提供的一種氣體噴嘴裝置0031的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖3,氣體噴嘴裝置0031包括:氣體噴嘴00311和與氣體噴嘴00311連接的噴嘴控制器00312,噴嘴控制器00312可以控制氣體噴嘴00311的開(kāi)度大小和開(kāi)口方向，該氣體噴嘴00311可以與氣體源(圖3中未示出)連接，該噴嘴控制器00312可以與圖2所示的氣流控制系統(tǒng)002電連接。
[0051]進(jìn)一步地，請(qǐng)繼續(xù)參考圖1或圖2,該曝光基臺(tái)00還包括:平坦度獲取系統(tǒng)004。平坦度獲取系統(tǒng)004設(shè)置在基臺(tái)本體001的四周，且平坦度獲取系統(tǒng)004與氣流控制系統(tǒng)002電連接(圖1和圖2中均未示出)。[〇〇52]平坦度獲取系統(tǒng)004用于獲取待曝光器件(圖1和圖2中均未示出)的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并向氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù);氣流控制系統(tǒng)002用于根據(jù)各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，確定待曝光表面上的凹凸不平的位置點(diǎn)的目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，根據(jù)目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)確定凹凸不平的位置點(diǎn)在基臺(tái)本體001 的承載面M上的正投影點(diǎn)，并通過(guò)控制以該正投影點(diǎn)為圓心，預(yù)設(shè)距離為半徑的區(qū)域內(nèi)的噴嘴控制器，控制與噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)對(duì)待曝光器件的待曝光表面的平坦度進(jìn)行調(diào)節(jié)。其中，平坦度獲取系統(tǒng)004可以包括至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041，至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041均勻分布在基臺(tái)本體001的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)，可選地，平坦度獲取系統(tǒng)004還包括:至少兩個(gè)感應(yīng)器支架 (圖1和圖2中均未示出)，至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041通過(guò)至少兩個(gè)感應(yīng)器支架設(shè)置在基臺(tái)本體001的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)，也即是，每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器 0041由一個(gè)感應(yīng)器支架支撐。[〇〇53]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041可以發(fā)射出紅外光線，可以通過(guò)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041發(fā)出的紅外光線，來(lái)確定待曝光器件的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，該確定各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)， 本實(shí)用新型實(shí)施例在此不再贅述。[〇〇54] 可選地，為了保證平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041對(duì)待曝光器件的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)的有效獲取，每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041與基臺(tái)本體001的側(cè)面中，靠近每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041的側(cè)面所在平面之間的距離的取值范圍為:0.1厘米?10厘米，每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041與基臺(tái)本體001的承載面M所在平面之間的距離的取值范圍為0.1厘米?10厘米。
[0055]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例是以在基臺(tái)本體001的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)設(shè)置平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041為例進(jìn)行說(shuō)明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以在基臺(tái)本體001的每個(gè)側(cè)面所在側(cè)都設(shè)置平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不作限定。[〇〇56]進(jìn)一步地，請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，該曝光基臺(tái)還包括:應(yīng)力獲取系統(tǒng)005。應(yīng)力獲取系統(tǒng) 005設(shè)置在基臺(tái)本體001的承載面M上，且應(yīng)力獲取系統(tǒng)005與氣流控制系統(tǒng)002電連接(圖1 中未示出)。[〇〇57]應(yīng)力獲取系統(tǒng)005用于獲取待曝光器件與應(yīng)力獲取系統(tǒng)005接觸時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力的大小，并向氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送應(yīng)力的大小;氣流控制系統(tǒng)002用于判斷應(yīng)力的大小是否位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)，當(dāng)應(yīng)力的大小不位于預(yù)設(shè)應(yīng)力范圍內(nèi)，通過(guò)控制每個(gè)噴嘴控制器，控制與每個(gè)噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)對(duì)應(yīng)力的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)。其中，應(yīng)力獲取系統(tǒng)005可以包括至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器0051，至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器0051靠近基臺(tái)本體001的承載面M的四條邊中的任意相交的兩條邊設(shè)置，且均勻分布。 預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)應(yīng)力的大小位于該預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，待曝光器件與應(yīng)力感應(yīng)器0051之間的應(yīng)力較小，這樣可以保證待曝光器件的變形較小， 避免待曝光器件出現(xiàn)凹凸不平。
[0058]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例是以在基臺(tái)本體001的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊所在側(cè)設(shè)置應(yīng)力感應(yīng)器0051為例進(jìn)行說(shuō)明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以在基臺(tái)本體001的承載面的每條邊所在側(cè)都設(shè)置應(yīng)力感應(yīng)器0051，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0059]可選地，待曝光器件可以為基板，且該基板可以為透明基板或者形成有一定圖形的基板。當(dāng)待曝光器件為形成有一定圖形的基板時(shí)，該待曝光器件(圖1和圖2中均未示出) 上設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記，該對(duì)位標(biāo)記用于掩膜版對(duì)位系統(tǒng)對(duì)曝光用的掩膜版與該待曝光器件對(duì)位。掩膜版對(duì)位系統(tǒng)可以根據(jù)掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記，對(duì)掩膜版和待曝光器件進(jìn)行對(duì)位，并根據(jù)對(duì)位結(jié)果生成對(duì)位信息。其中，掩膜版對(duì)位系統(tǒng)以及掩膜版對(duì)位系統(tǒng)對(duì)掩膜版和待曝光器件進(jìn)行對(duì)位的過(guò)程可以參考相關(guān)技術(shù)，本實(shí)用新型實(shí)施例在此不再贅述。
[0060]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，氣流控制系統(tǒng)002還與掩膜版對(duì)位系統(tǒng)(圖1和圖2中均未示出)電連接。氣流控制系統(tǒng)002還用于接收掩膜版對(duì)位系統(tǒng)發(fā)送的對(duì)位信息，對(duì)位信息是掩膜版對(duì)位系統(tǒng)根據(jù)掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記，對(duì)掩膜版和待曝光器件對(duì)位后，根據(jù)對(duì)位結(jié)果生成的;氣流控制系統(tǒng)002還用于根據(jù)對(duì)位信息判斷掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記是否對(duì)準(zhǔn)，在掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記未對(duì)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)控制每個(gè)噴嘴控制器，控制與每個(gè)噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)使待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記與掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。 其中，待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記可以設(shè)置在待曝光器件的待曝光表面上，對(duì)位信息可以為掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記在待曝光器件上的待曝光表面上的正投影，與待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記之間的距離，本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不作限定。
[0061]可選地，如圖2所示，基臺(tái)本體001為設(shè)置有空腔(圖2中未標(biāo)出)的立方體結(jié)構(gòu)，氣流控制系統(tǒng)002可以包括氣流控制器(圖2中未示出)，氣流控制器設(shè)置在基臺(tái)本體001的空腔內(nèi)，且氣流控制器分別與每個(gè)噴嘴控制器、每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器以及每個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器電連接。
[0062]隨著薄膜晶體管液晶顯不屏(英文:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display;簡(jiǎn)稱(chēng):TFT-1XD)顯示技術(shù)不斷進(jìn)步，生產(chǎn)設(shè)備朝著精密化的方向發(fā)展，人們對(duì)于顯示面板的畫(huà)質(zhì)也有了更高的追求。在顯示面板的生產(chǎn)過(guò)程中，曝光設(shè)備的曝光精度決定了所生產(chǎn)的顯示面板的分辨率，其中，曝光過(guò)程中，對(duì)于基板的平坦度有著極高要求，而傳統(tǒng)的曝光設(shè)備的曝光基臺(tái)采用真空吸嘴，通過(guò)真空吸附的方式固定基板，且真空吸嘴之間通常設(shè)置有用于對(duì)真空氣嘴之間的氣體進(jìn)行導(dǎo)向的凹槽，這樣，基板上與真空吸嘴以及凹槽對(duì)應(yīng)的區(qū)域容易出現(xiàn)凹陷，導(dǎo)致基板的表面凹凸不平，曝光的均一性較差，最終導(dǎo)致基板的顯示區(qū)域的顯示亮度或顯示顏色不均勻，造成顯示不良。[〇〇63]中國(guó)專(zhuān)利(公開(kāi)號(hào):CN105045048A)公開(kāi)了一種曝光基臺(tái)裝置，該曝光基臺(tái)裝置包括底座以及設(shè)置在底座上的多個(gè)基臺(tái)本體和多個(gè)舉起部，相較于傳統(tǒng)的曝光基臺(tái)，入射至基臺(tái)本體與舉起部之間的間隔區(qū)域的曝光光線發(fā)生反射的光程差減小，從而使基板的曝光更加均勻。但是其依然需要真空吸附裝置，并不能從根本上解決因真空吸附所造成的顯示不良，所以依然存在基板的表面凹凸不平的問(wèn)題，曝光的均一性較差。
[0064]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)，通過(guò)形成氣墊層來(lái)支撐基板，相比于真空吸附裝置，無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致基板的表面凹凸不平，基板不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，可以提尚曝光的均一性，進(jìn)而提尚廣品的良率。
[0065]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)，由于曝光基臺(tái)形成氣墊層來(lái)支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
[0066]請(qǐng)參考圖4和圖5,其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)的使用場(chǎng)景圖，參見(jiàn)圖4或圖5,該使用場(chǎng)景以待曝光器件為基板01為例進(jìn)行說(shuō)明，可以通過(guò)機(jī)械臂(圖4和圖5 中均未示出)對(duì)基板01進(jìn)行搬運(yùn)，該機(jī)械臂可以與曝光基臺(tái)的氣流控制系統(tǒng)002電連接。該曝光基臺(tái)在使用時(shí)，可以包括幾下幾個(gè)階段:
[0067]基板載入階段:機(jī)械臂將基板01搬運(yùn)至曝光基臺(tái)上方之后，機(jī)械臂向氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送用于指示載入基板01的載入信號(hào)，氣流控制系統(tǒng)002根據(jù)該載入信號(hào)，向每個(gè)氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發(fā)送開(kāi)度調(diào)大信號(hào)，每個(gè)噴嘴控制器控制相應(yīng)的氣體噴嘴的開(kāi)度增大，使從每個(gè)氣體噴嘴噴出的氣體的流量增大。[〇〇68]基板卸載階段:機(jī)械臂帶動(dòng)基板01下降，使基板靠近01曝光基臺(tái)移動(dòng)，隨著機(jī)械臂的下降，從每個(gè)氣體噴嘴噴出的氣體形成用于支撐基板01的氣墊層D(如圖5所示)，基板01 在該氣墊層D的托舉作用下懸浮。之后，機(jī)械臂退出曝光基臺(tái)，同時(shí)機(jī)械臂向氣流控制系統(tǒng) 002發(fā)送用于指示卸載基板01的卸載信號(hào)。
[0069]對(duì)位階段:氣流控制系統(tǒng)002根據(jù)卸載信號(hào)向每個(gè)氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發(fā)送開(kāi)度調(diào)小信號(hào)，每個(gè)噴嘴控制器控制相應(yīng)的氣體噴嘴的開(kāi)度減小，使從每個(gè)氣體噴嘴噴出的氣體的流量減小，在氣體的流量減小的過(guò)程中，基板01逐漸降低，當(dāng)基板01降低至與基臺(tái)本體001的承載面M之間的距離在預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi)時(shí)，基板01與至少一個(gè)對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器接觸產(chǎn)生應(yīng)力，該至少一個(gè)對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器可以獲取該應(yīng)力并向氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送該應(yīng)力，氣流控制系統(tǒng)002接收到該應(yīng)力時(shí)，通過(guò)每個(gè)氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器控制相應(yīng)的氣體噴嘴的開(kāi)度保持當(dāng)前開(kāi)度，同時(shí)，氣流控制系統(tǒng)002向每個(gè)氣體噴嘴裝置0031 的噴嘴控制器發(fā)送方向調(diào)節(jié)信號(hào)，每個(gè)噴嘴控制器通過(guò)控制相應(yīng)的氣體噴嘴的開(kāi)口方向?qū)饬鞣较蜻M(jìn)行調(diào)節(jié)，使氣墊層D移動(dòng)并托舉基板01移動(dòng)至與每個(gè)對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器接觸，基板 01與每個(gè)對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器擠壓產(chǎn)生應(yīng)力，每個(gè)對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器可以獲取相應(yīng)的應(yīng)力的大小，并將該應(yīng)力的大小發(fā)送給氣流控制系統(tǒng)002,氣流控制系統(tǒng)002判斷每個(gè)應(yīng)力的大小是否位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)，當(dāng)存在至少一個(gè)應(yīng)力的大小不位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)， 氣流控制系統(tǒng)002通過(guò)控制相應(yīng)的氣體噴嘴裝置0031對(duì)該應(yīng)力的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)，使該應(yīng)力的大小位于該預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)。當(dāng)所有的對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器發(fā)送的應(yīng)力的大小都位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，基板01的對(duì)位完成。
[0070]平坦度調(diào)節(jié)階段，平坦度獲取系統(tǒng)004通過(guò)每個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器0041獲取基板 01的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并向氣流控制系統(tǒng)002發(fā)送各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，氣流控制系統(tǒng)002通過(guò)對(duì)各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，確定基板 01的待曝光表面上的凹凸不平的位置點(diǎn)的目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，然后根據(jù)該目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)確定該凹凸不平的位置點(diǎn)在基臺(tái)本體001的承載面上的正投影點(diǎn)，根據(jù)該正投影點(diǎn)的坐標(biāo)數(shù)據(jù)，向以該正投影點(diǎn)為中心，預(yù)設(shè)距離為半徑的區(qū)域內(nèi)的每個(gè)氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器發(fā)送開(kāi)度調(diào)節(jié)信號(hào)，來(lái)對(duì)該待曝光表面上的凹凸不平的位置點(diǎn)的目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，使待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)的z軸數(shù)據(jù)相等，從而保證基板 01的待曝光表面的平坦度。
[0071]曝光階段:對(duì)基板01的待曝光表面的平坦度調(diào)節(jié)完成之后，就可以進(jìn)行曝光作業(yè)。 [〇〇72]需要說(shuō)明的是，以上是以基板01為不包括圖形的透明基板為例進(jìn)行說(shuō)明的當(dāng)基板 01包括圖形時(shí)，基板01還設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記(圖4和圖5中均未示出)，可以結(jié)合對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器和掩膜版對(duì)位系統(tǒng)(圖4和圖5中均未示出)對(duì)基板01進(jìn)行對(duì)位，具體地:
[0073]可以先由對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器配合氣流控制系統(tǒng)002對(duì)基板01進(jìn)行對(duì)位，使所有的對(duì)位應(yīng)力感應(yīng)器獲取的應(yīng)力的大小都位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)，之后由平坦度光學(xué)感應(yīng)器 0041和氣流控制系統(tǒng)002配合對(duì)平坦度進(jìn)行調(diào)節(jié)，接著由掩膜版對(duì)位系統(tǒng)根據(jù)掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與基板01上的對(duì)位標(biāo)記，對(duì)掩膜版和基板01進(jìn)行對(duì)位，掩膜版對(duì)位系統(tǒng)可以根據(jù)對(duì)位結(jié)果生成對(duì)位信息，并將對(duì)位信息發(fā)送給氣流控制系統(tǒng)002,氣流控制系統(tǒng)002可以根據(jù)對(duì)位信息，通過(guò)每個(gè)氣體噴嘴裝置0031的噴嘴控制器控制相應(yīng)的氣體噴嘴的開(kāi)口方向來(lái)對(duì)氣墊層D進(jìn)行移動(dòng)，使得氣墊層D帶動(dòng)基板01移動(dòng)，從而使基板01上的對(duì)位標(biāo)記與掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，基板01的對(duì)位完成。[〇〇74]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)，由于曝光基臺(tái)形成氣墊層來(lái)支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
[0075]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種曝光設(shè)備，該曝光設(shè)備包括圖1或圖2所示的曝光基臺(tái)。
[0076]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光設(shè)備包括曝光基臺(tái)，由于曝光基臺(tái)形成氣墊層來(lái)支撐待曝光器件，相比于真空吸附裝置，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的曝光基臺(tái)無(wú)需吸附，可以避免由于吸附導(dǎo)致待曝光器件的表面凹凸不平，待曝光器件不同區(qū)域的光刻膠的曝光強(qiáng)度不同的情況，因此，解決了曝光的均一性較差的問(wèn)題，達(dá)到了提高曝光的均一性的效果。
[0077]本實(shí)用新型中術(shù)語(yǔ)“和/或”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和/或B，可以表示:單獨(dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B這三種情況。另夕卜，本文中字符7”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對(duì)象是一種“或”的關(guān)系。
[0078]本實(shí)用新型中術(shù)語(yǔ)“A和B的至少一種”，僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如，A和B的至少一種，可以表示:單獨(dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B這三種情況。
[0079]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種曝光基臺(tái)，其特征在于，所述曝光基臺(tái)包括:基臺(tái)本體、氣流控制系統(tǒng)和氣體噴嘴系統(tǒng)；所述氣體噴嘴系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體上，且所述氣體噴嘴系統(tǒng)與所述氣流控制系統(tǒng) 連接，所述氣流控制系統(tǒng)用于控制從所述氣體噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體的流量，使從所述氣體 噴嘴系統(tǒng)噴出的氣體形成用于支撐待曝光器件的氣墊層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述氣體噴嘴系統(tǒng)包括:多個(gè)氣體噴嘴裝置，所述基臺(tái)本體的承載面上設(shè)置有均勻分 布的多個(gè)開(kāi)口，每個(gè)所述氣體噴嘴裝置通過(guò)一個(gè)所述開(kāi)口設(shè)置在所述基臺(tái)本體上，每個(gè)所 述氣體噴嘴裝置包括:氣體噴嘴和與所述氣體噴嘴連接的噴嘴控制器；其中，每個(gè)所述氣體噴嘴分別與氣體源連接，所述氣流控制系統(tǒng)與每個(gè)所述噴嘴控制 器電連接，所述氣流控制系統(tǒng)用于通過(guò)任一噴嘴控制器控制與所述任一噴嘴控制器連接的 氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述曝光基臺(tái)還包括:平坦度獲取系統(tǒng)；所述平坦度獲取系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體的四周，且與所述氣流控制系統(tǒng)電連接； 所述平坦度獲取系統(tǒng)用于獲取所述待曝光器件的待曝光表面上的各個(gè)位置點(diǎn)的空間 坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并向所述氣流控制系統(tǒng)發(fā)送所述各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)；所述氣流控制系統(tǒng)用于根據(jù)所述各個(gè)位置點(diǎn)的空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，確定所述待曝光表面上 的凹凸不平的位置點(diǎn)的目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述目標(biāo)空間坐標(biāo)數(shù)據(jù)確定所述凹凸不平 的位置點(diǎn)在所述基臺(tái)本體的承載面上的正投影點(diǎn)，并通過(guò)控制以所述正投影點(diǎn)為圓心，預(yù) 設(shè)距離為半徑的區(qū)域內(nèi)的噴嘴控制器，控制與所述噴嘴控制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi) 口方向中的至少一種來(lái)對(duì)所述待曝光表面的平坦度進(jìn)行調(diào)節(jié)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述曝光基臺(tái)還包括:應(yīng)力獲取系統(tǒng)；所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)設(shè)置在所述基臺(tái)本體的承載面上，且與所述氣流控制系統(tǒng)電連接， 所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)用于獲取所述待曝光器件與所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)接觸時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力 的大小，并向所述氣流控制系統(tǒng)發(fā)送所述應(yīng)力的大??；所述氣流控制系統(tǒng)用于判斷所述應(yīng)力的大小是否位于預(yù)設(shè)應(yīng)力數(shù)值范圍內(nèi)，當(dāng)所述應(yīng) 力的大小不位于預(yù)設(shè)應(yīng)力范圍內(nèi)，通過(guò)控制每個(gè)所述噴嘴控制器，控制與每個(gè)所述噴嘴控 制器連接的氣體噴嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)對(duì)所述應(yīng)力的大小進(jìn)行調(diào)節(jié)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述待曝光器件上設(shè)置有對(duì)位標(biāo)記， 所述氣流控制系統(tǒng)還與掩膜版對(duì)位系統(tǒng)電連接，所述氣流控制系統(tǒng)還用于接收所述掩膜版對(duì)位系統(tǒng)發(fā)送的對(duì)位信息，所述對(duì)位信息是 所述掩膜版對(duì)位系統(tǒng)根據(jù)掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記，對(duì)所述掩 膜版和所述待曝光器件對(duì)位后，根據(jù)對(duì)位結(jié)果生成的；所述氣流控制系統(tǒng)還用于根據(jù)所述對(duì)位信息判斷所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待 曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記是否對(duì)準(zhǔn)，在所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記與所述待曝光器件上的對(duì)位 標(biāo)記未對(duì)準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)控制每個(gè)所述噴嘴控制器，控制與每個(gè)所述噴嘴控制器連接的氣體噴 嘴的開(kāi)度和開(kāi)口方向中的至少一種來(lái)使所述待曝光器件上的對(duì)位標(biāo)記與所述掩膜版上的對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述基臺(tái)本體為設(shè)置有空腔的立方體結(jié)構(gòu)，所述氣流控制系統(tǒng)包括:氣流控制器，所述 氣流控制器設(shè)置在所述空腔內(nèi)；所述平坦度獲取系統(tǒng)包括:至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器，所述至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感 應(yīng)器均勻分布在所述基臺(tái)本體的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)；所述應(yīng)力獲取系統(tǒng)包括:至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器，所述至少兩個(gè)應(yīng)力感應(yīng)器靠近所述基 臺(tái)本體的承載面的四條邊中的任意相交的兩條邊設(shè)置，且均勻分布。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，所述平坦度獲取系統(tǒng)還包括:至少兩個(gè)感應(yīng)器支架；所述至少兩個(gè)平坦度光學(xué)感應(yīng)器通過(guò)所述至少兩個(gè)感應(yīng)器支架設(shè)置在所述基臺(tái)本體 的四個(gè)側(cè)面中的任意相交的兩個(gè)側(cè)面所在側(cè)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器與所述基臺(tái)本體的側(cè)面中，靠近每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng) 器的側(cè)面所在平面之間的距離的取值范圍為:0.1厘米?10厘米；每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器與所述基臺(tái)本體的承載面所在平面之間的距離的取值范 圍為0.1厘米?10厘米。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光基臺(tái)，其特征在于，每個(gè)所述氣體噴嘴通過(guò)管線分別與所述氣體源連接；所述氣流控制器分別與每個(gè)所述噴嘴控制器、每個(gè)所述平坦度光學(xué)感應(yīng)器以及每個(gè)所 述應(yīng)力感應(yīng)器電連接。10.—種曝光設(shè)備，其特征在于，所述曝光設(shè)備包括:權(quán)利要求1至9任一所述的曝光基臺(tái)。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK205665511SQ201620553224
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日
【發(fā)明人】余世榮, 吳春暉, 孟慶勇, 蔣盛超
【申請(qǐng)人】合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司