箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實(shí)用新型箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)涉及箔式繞組變壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的箔式繞組變壓器如圖1所示，箔類繞組導(dǎo)體I之間被絕緣薄膜2隔離，在箔類繞組導(dǎo)體兩端留有端空距離，以防止箔類繞組導(dǎo)體匝間短路和箔類繞組與鐵芯間出現(xiàn)短路。因?yàn)椴惱@組導(dǎo)體兩邊在分條時(shí)均不可避免的存在有毛刺，可能會(huì)刺破匝間絕緣造成匝間短路，同時(shí)這種較大的端空距離也會(huì)造成鐵芯窗口的利用率不高，整個(gè)產(chǎn)品的尺寸較大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]技術(shù)方案
[0004]本實(shí)用新型的目的是通過改善變壓器的繞組絕緣結(jié)構(gòu)，以克服上述【背景技術(shù)】的缺陷，避免因毛刺刺破絕緣而造成匝間短路，發(fā)生安全事故。
[0005]本實(shí)用新型箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)，包括箔類繞組導(dǎo)體以及絕緣薄膜，其特征在于繞組層絕緣薄膜與端絕緣薄膜為同一張絕緣薄膜;所述絕緣薄膜覆蓋所述箔類繞組導(dǎo)體的一面并在該箔類繞組導(dǎo)體的兩端延伸翻折覆蓋。
[0006]采用上述結(jié)構(gòu)的箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)，由于在箔類繞組導(dǎo)體的兩端緣包裹了絕緣膜，因此在箔類繞組導(dǎo)體端沿就有兩層絕緣層，有效地防止了因毛刺刺破絕緣而造成匝間短路，發(fā)生安全事故。并有效的提高了鐵芯窗口的利用率，使整個(gè)產(chǎn)品的尺寸做得更小。
【附圖說明】
[0007]圖1為現(xiàn)有技術(shù)箔式繞組變壓器繞組導(dǎo)體與絕緣薄膜之間結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為本實(shí)用新型箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步詳述:
[0010]見圖2所示，為本實(shí)用新型箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)，包括箔類繞組導(dǎo)體I，鐵芯3，絕緣薄膜2，該絕緣薄膜2由繞組層絕緣薄膜21與左端絕緣薄膜22和右端絕緣薄膜23構(gòu)成，所述繞組層絕緣薄膜21與左端絕緣薄膜22和右端絕緣薄膜23為同一張絕緣薄膜;所述絕緣薄膜2覆蓋所述箔類繞組導(dǎo)體I的一面并在該箔類繞組導(dǎo)體I的兩端延伸翻折覆蓋，也即是左端絕緣薄膜22通過翻折的方式覆蓋箔類繞組導(dǎo)體I的左端緣11，右端絕緣薄膜23通過翻折的方式覆蓋箔類繞組導(dǎo)體I的右端緣12。如此，在箔類繞組導(dǎo)體端沿就有兩層絕緣層，有效地防止了因毛刺刺破絕緣而造成匝間短路，發(fā)生安全事故。并有效的提高了鐵芯窗口的利用率，使整個(gè)產(chǎn)品的尺寸做得更小。
[0011]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)，包括箔類繞組導(dǎo)體以及絕緣薄膜，其特征在于繞組層絕緣薄膜與端絕緣薄膜為同一張絕緣薄膜;所述絕緣薄膜覆蓋所述箔類繞組導(dǎo)體的一面并在該箔類繞組導(dǎo)體的兩端延伸翻折覆蓋。
【專利摘要】本實(shí)用新型本實(shí)用新型箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)涉及箔式繞組變壓器。包括箔類繞組導(dǎo)體以及絕緣薄膜，繞組層絕緣薄膜與端絕緣薄膜為同一張絕緣薄膜；所述絕緣薄膜覆蓋所述箔類繞組導(dǎo)體的一面并在該箔類繞組導(dǎo)體的兩端延伸翻折覆蓋。采用上述結(jié)構(gòu)的箔式繞組絕緣結(jié)構(gòu)，由于在箔類繞組導(dǎo)體的兩端緣包裹了絕緣膜，因此在箔類繞組導(dǎo)體端沿就有兩層絕緣層，有效地防止了因毛刺刺破絕緣而造成匝間短路，發(fā)生安全事故。并有效的提高了鐵芯窗口的利用率，使整個(gè)產(chǎn)品的尺寸做得更小。
【IPC分類】H01F27/32
【公開號】CN205354842
【申請?zhí)枴緾N201620036799
【發(fā)明人】楊嘉祿, 雷丙成
【申請人】東莞市華昕電子有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2016年1月13日