Td-lte下行信號(hào)干擾器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及屏蔽器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及TD-LTE下行信號(hào)干擾器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場(chǎng)上TD-LTE信號(hào)干擾器都是VCO(壓控振蕩器)技術(shù)掃描寬帶無(wú)同步干擾，其缺點(diǎn)在于VCO掃描技術(shù)頻率偏移難以控制，為確保屏蔽效果一般增加帶寬犧牲功率保證覆蓋，沒(méi)有識(shí)別TD-LTE網(wǎng)絡(luò)載波信道和同步信號(hào)功能，這樣雖然能屏蔽手機(jī)信號(hào)，但同時(shí)也會(huì)影響到基站上行，寬帶非精準(zhǔn)發(fā)射在相同射頻功率下效果不佳，同時(shí)影響基站收信機(jī)靈敏度降低、信噪比指標(biāo)下降，直接影響移動(dòng)通信基站覆蓋半徑，給運(yùn)營(yíng)商和手機(jī)用戶帶來(lái)?yè)p失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種TD-LTE下行信號(hào)干擾器，其能精準(zhǔn)干擾下行載波信道并具同步控制干擾，且不對(duì)基站上行產(chǎn)生干擾。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]TD-LTE下行信號(hào)干擾器，包括TD-LTE基帶同步裝置、DDS信號(hào)發(fā)生器、開(kāi)關(guān)控制單元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基帶同步裝置，用于接收時(shí)隙信號(hào)和載波信號(hào)，并將時(shí)隙信號(hào)發(fā)送至開(kāi)關(guān)控制單元，將載波信號(hào)發(fā)送至DDS信號(hào)發(fā)生器，同時(shí)接收來(lái)自DDS信號(hào)發(fā)生器的頻點(diǎn)數(shù)據(jù)獲取信號(hào)從而根據(jù)數(shù)據(jù)獲取信號(hào)將載波頻點(diǎn)數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號(hào)發(fā)生器；所述DDS信號(hào)發(fā)生器，用于根據(jù)該載波頻點(diǎn)數(shù)據(jù)處理得到相應(yīng)頻點(diǎn)的輸出信號(hào)，并將該輸出信號(hào)發(fā)送至開(kāi)關(guān)控制單元；所述開(kāi)關(guān)控制單元，用于根據(jù)該時(shí)隙信號(hào)的高低電平實(shí)現(xiàn)開(kāi)閉，以使當(dāng)時(shí)隙信號(hào)為高電平時(shí)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行傳輸至TD-LTE功率放大器，當(dāng)時(shí)隙信號(hào)為低電平時(shí)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行攔截；所述TD-LTE功率放大器，用于將來(lái)自開(kāi)關(guān)控制單元的輸出信號(hào)進(jìn)行功率放大后通過(guò)天線進(jìn)行輸出。
[0006]進(jìn)一步的，所述TD-LTE基帶同步裝置包括接口模塊、電平轉(zhuǎn)換模塊、收發(fā)模塊和連接器模塊；所述接口模塊、電平轉(zhuǎn)換模塊和收發(fā)模塊依次連接，所述DDS信號(hào)發(fā)生器與收發(fā)模塊連接，所述開(kāi)關(guān)控制單元和電平轉(zhuǎn)換模塊均與連接器模塊連接。
[0007]更進(jìn)一步的，所述接口模塊采用型號(hào)為MINIPCIE 52PIN的接口芯片；所述電平轉(zhuǎn)換模塊采用型號(hào)為ADG3308的電平轉(zhuǎn)換芯片；所述收發(fā)模塊采用型號(hào)為SP3232ECA-L的收發(fā)芯片；所述連接器模塊采用型號(hào)為2.0B0X90的連接器。
[0008]進(jìn)一步的，所述DDS信號(hào)發(fā)生器包括依次連接的MCU、DDS電路模塊、變頻器、低通濾波模塊、混頻模塊、高頻濾波模塊和放大模塊；所述MCU還與TD-LTE基帶同步裝置連接；所述放大模塊還與開(kāi)關(guān)控制單元連接。
[0009]更進(jìn)一步的，所述MCU的型號(hào)為STM32F100RC ;所述DDS電路采用型號(hào)為AD9910的DDS芯片；所述變頻器的型號(hào)為ADTl-1WT ;所述放大模塊采用型號(hào)為AG50的放大芯片。
[0010]更進(jìn)一步的，所述低通濾波模塊包括電感L1、電感L2、電感L3、電容Cl、電容C2、電容C3和電容C4 ;所述電感LI的一端和電容Cl的一端均與變頻器連接；所述電感LI的另一端和電容C2的一端均與電感L2的一端連接；所述電感L2的另一端和電容C3的一端均與電感L3的一端連接；所述電感L3的另一端和電容C4的一端均與混頻模塊連接；所述電容Cl的另一端、電容C2的另一端、電容C3的另一端、電容C4的另一端均接地。
[0011]進(jìn)一步的，所述TD-LTE功率放大器包括依次連接的衰減模塊、第一放大器、第二放大器、末級(jí)放大器和隔離器；所述衰減模塊還與開(kāi)關(guān)控制單元連接。
[0012]更進(jìn)一步的，所述衰減模塊采用型號(hào)為HSMP-3866的衰減器；所述第一放大器的型號(hào)為AG50 ;所述第二放大器的型號(hào)為麗7IC2725NBR1 ；所述末級(jí)放大器的型號(hào)為BLF7G27L-140 ;所述隔離器的型號(hào)為ISOLATER。
[0013]相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于:
[0014]根據(jù)當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)信息，獲取載波信號(hào)，自動(dòng)準(zhǔn)確屏蔽與系統(tǒng)載波相同的信道，只干擾下行而不影響基站通信正常，提升干擾距離。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明的框架組成圖；
[0016]圖2為本發(fā)明的TD-LTE基帶同步裝置的框架圖；
[0017]圖3為本發(fā)明的DDS信號(hào)發(fā)生器的框架圖；
[0018]圖4為本發(fā)明的TD-LTE功率放大器的框架圖。
[0019]其中，1、TD-LTE基帶同步裝置；11、接口模塊；12、電平轉(zhuǎn)換模塊；13、收發(fā)模塊；14、連接器；2、DDS信號(hào)發(fā)生器；21、MCU ;22、DDS電路模塊；23、變頻器；24、低通濾波模塊；25、混頻模塊；26、高頻濾波模塊；27、放大模塊；3、開(kāi)關(guān)控制單元；31、衰減模塊；32、第一放大器；33、第二放大器；34、末級(jí)放大器；35、隔離器；4、TD-LTE功率放大器。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面，結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明新型做進(jìn)一步描述:
[0021]參見(jiàn)圖1至圖4，本發(fā)明提供的TD-LTE下行信號(hào)干擾器主要包括TD-LTE基帶同步裝置1、DDS信號(hào)發(fā)生器2、開(kāi)關(guān)控制單元3和TD-LTE功率放大器4 ；TD-TLE是基于OFDMA技術(shù)、由3GPP組織制定的全球通用標(biāo)準(zhǔn)，包括FDD和TDD兩種模式用于成對(duì)頻譜和非成對(duì)頻譜，TD-LTE即Time Divis1n Long Term Evolut1n (分時(shí)長(zhǎng)期演進(jìn))，是正交頻分復(fù)用。DDS信號(hào)發(fā)生器2采用直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital Synthesis，簡(jiǎn)稱DDS)技術(shù)，把信號(hào)發(fā)生器的頻率穩(wěn)定度、準(zhǔn)確度提供到與基準(zhǔn)頻率相同的水平，并且可以在很快的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行精細(xì)的頻率調(diào)節(jié)，這種信號(hào)源可工作于調(diào)節(jié)狀態(tài)，可對(duì)輸出電平進(jìn)行調(diào)節(jié)，也可輸出各種波形。
[0022]本實(shí)施例的TD-LTE基帶同步裝置1，用于接收時(shí)隙信號(hào)和載波信號(hào)，并將時(shí)隙信號(hào)發(fā)送至開(kāi)關(guān)控制單元3，將載波信號(hào)發(fā)送至DDS信號(hào)發(fā)生器2，TD-LTE基帶同步裝置I獲取時(shí)隙信號(hào)和載波信號(hào)的技術(shù)由現(xiàn)有技術(shù)可獲知，同時(shí)接收來(lái)自DDS信號(hào)發(fā)生器2的頻點(diǎn)數(shù)據(jù)信號(hào)從而根據(jù)數(shù)據(jù)獲取信號(hào)將載波頻點(diǎn)數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號(hào)發(fā)生器2 ;DDS信號(hào)發(fā)生器2，用于根據(jù)該載波頻點(diǎn)數(shù)據(jù)處理得到相應(yīng)頻點(diǎn)的上行的輸出信號(hào)，該輸出信號(hào)屏蔽了上行信號(hào)，并將該輸出信號(hào)發(fā)送至開(kāi)關(guān)控制單元3;開(kāi)關(guān)控制單元3，根據(jù)該時(shí)隙信號(hào)的高低電平實(shí)現(xiàn)開(kāi)閉，以使當(dāng)時(shí)隙信號(hào)為高電平時(shí)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行傳輸至TD-LTE功率放大器4，當(dāng)時(shí)隙信號(hào)為低電平時(shí)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行攔截；TD-LTE功率放大器4，用于將來(lái)自開(kāi)關(guān)控制單元3的輸出信號(hào)功率進(jìn)行放大后通過(guò)天線進(jìn)行輸出。本實(shí)施例的頻點(diǎn)數(shù)據(jù)為載波參數(shù)，包括物理小區(qū)地址、下行頻點(diǎn)、上行頻點(diǎn)，TD-LTE基帶同步裝置I接收到數(shù)據(jù)獲取信號(hào)后悔向DDS信號(hào)發(fā)生器2發(fā)出應(yīng)答，表示發(fā)送命令成功，并且將頻點(diǎn)數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送至DDS信號(hào)發(fā)生器2。
[0023]TD-LTE基帶同步裝置I自動(dòng)完成TD-TLE無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的小區(qū)搜索和無(wú)線信令處理，得到精確的TDD(Time Divis1n Duplexing，即時(shí)分雙工)上下行時(shí)隙信號(hào)，上下行時(shí)隙比等信息，通過(guò)接口將上下行時(shí)隙信號(hào)和載波信道信號(hào)輸出。時(shí)隙信號(hào)在高電平的情況下，可以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)控制單元3，當(dāng)時(shí)隙信號(hào)為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)控制單元3關(guān)閉。具體的，TD-LTE基帶同步裝置I包括接口模塊11、電平轉(zhuǎn)換模塊12、收發(fā)模塊13和連接器14模塊；接口模塊11、電平轉(zhuǎn)換模塊12、收發(fā)模塊13依次連接，并且DDS信號(hào)發(fā)生器2與收發(fā)模塊連接，開(kāi)關(guān)控制單元3和電平轉(zhuǎn)換模塊12均與連接器14模塊連接。TD-LTE基帶同步裝置I通過(guò)天線拾取到時(shí)隙信號(hào)，經(jīng)過(guò)接口模塊11輸出下行同步指示信號(hào)，之后送到電平轉(zhuǎn)換模塊1