一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法，該陣列基板上顯示區(qū)域采用金屬氧化物制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)態(tài)電流較低，且經(jīng)過(guò)工藝處理的金屬氧化物可以由非晶態(tài)變?yōu)槲⒕B(tài)，有利于提高開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性；同時(shí)周邊區(qū)域采用多晶硅材料制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管具有較高的電子遷移率，使其具有較高的驅(qū)動(dòng)能力，適用于搭建驅(qū)動(dòng)電路，滿足陣列基板周邊區(qū)域的集成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的需求。綜上，陣列基板的顯示區(qū)域與周邊區(qū)域分別采用金屬氧化物和多晶硅制作開(kāi)關(guān)晶體管的有源層，從而優(yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證顯示產(chǎn)品的顯示效果及提高產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，顯示技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)以及公共信息的顯示。其中用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置進(jìn)行顯示的陣列基板的結(jié)構(gòu)，如圖1所示，主要包括:位于襯底基板上的遮光層1、緩沖層2、有源層3、柵絕緣層4、層間介質(zhì)層5、柵極6、源極7和漏極8、公共電極9、像素電極10;其中，有源層采用多晶硅材料，遮光層用于遮擋外界光線對(duì)多晶硅材料的影響，防止有源層產(chǎn)生光生載流子，進(jìn)而影響開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)特性。然而采用多晶硅材料作為有源層材料的開(kāi)關(guān)晶體管，其關(guān)態(tài)電流較大，造成開(kāi)關(guān)晶體管具有較大的漏電流，進(jìn)而使得顯示區(qū)域的像素開(kāi)關(guān)特性不穩(wěn)定，影響了顯示裝置的顯示效果，降低了顯示產(chǎn)品的良率;但其電子迀移率較高，使其具有較高驅(qū)動(dòng)能力，因此采用多晶硅材料制作有源層的開(kāi)關(guān)晶體管，適用于搭建陣列基板周邊的驅(qū)動(dòng)電路。
[0003]因此，如何優(yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而提高顯示產(chǎn)品的顯示效果及產(chǎn)品良率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法，用以?xún)?yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而提高顯示產(chǎn)品的顯示效果及產(chǎn)品良率。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在襯底基板上形成位于周邊區(qū)域的第一有源層的圖形;其中所述第一有源層的材料為多晶娃；
[0007]在所述襯底基板上形成位于顯示區(qū)域的第二有源層的圖形;其中所述第二有源層的材料為金屬氧化物；
[0008]對(duì)形成有所述第一有源層的圖形和所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)。
[0009]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，對(duì)形成有所述第一有源層的圖形和所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)，具體包括:
[0010]對(duì)形成有所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài);其中，所述高溫活化處理的溫度為400-700°C。
[0011]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述第一有源層的圖形之后，在形成所述第二有源層的圖形之前，還包括:
[0012]在形成有所述第一有源層的圖形的襯底基板上，形成柵絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層的圖形;其中，
[0013]所述柵極的圖形包括位于所述顯示區(qū)域的柵極的圖形和位于所述周邊區(qū)域的柵極的圖形；
[0014]所述層間介質(zhì)層的圖形包括位于所述周邊區(qū)域且貫穿所述柵絕緣層和所述層間介質(zhì)層的過(guò)孔的圖形。
[0015]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述層間介質(zhì)層的圖形之后，在形成所述第二有源層的圖形之前，還包括:
[0016]采用緩沖蝕刻液對(duì)形成有所述層間介質(zhì)層的圖形的襯底基板進(jìn)行清洗。
[0017]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，形成所述第二有源層的圖形的過(guò)程，具體包括:
[0018]在采用緩沖蝕刻液進(jìn)行清洗后的襯底基板上，沉積金屬氧化物薄膜；
[0019]采用灰度掩模板進(jìn)行曝光，形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域;其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述第二有源層的圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述層間介質(zhì)層上的過(guò)孔區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?yàn)槌c所述第二有源層和所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域外的其他區(qū)域；
[0020]對(duì)所述光刻膠完全去除區(qū)域進(jìn)行刻蝕，去除所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬氧化物薄膜；
[0021]對(duì)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化，所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠被完全去除；
[0022]對(duì)未被光刻膠覆蓋的所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行等離子體表面處理，使所述金屬氧化物薄膜變成導(dǎo)體；
[0023]剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，形成所述第二有源層的圖形。
[0024]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。
[0025]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，對(duì)形成有所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)之后，還包括:
[0026]對(duì)高溫活化處理后的所述襯底基板進(jìn)行氫化處理；
[0027]在氫化處理后的襯底基板上形成源極、漏極、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極的圖形。
[0028]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在所述襯底基板上形成位于所述周邊區(qū)域的第一有源層的圖形，具體包括:
[0029]在所述襯底基板上沉積非晶硅，通過(guò)去氫工藝和結(jié)晶化工藝，使非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層的圖形。
[0030]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成所述柵絕緣層和所述柵極的圖形之后，還包括:
[0031]采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，對(duì)所述第一有源層進(jìn)行摻雜，形成重?fù)诫s區(qū)域和輕摻雜區(qū)域。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板的制作方法，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的的上述陣列基板的制作方法。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，分為顯示區(qū)域和周邊區(qū)域，所述陣列基板包括:形成于襯底基板上的位于所述周邊區(qū)域的第一有源層和位于所述顯示區(qū)域的第二有源層;其中，
[0034]所述第一有源層的材料為多晶硅；
[0035]所述第二有源層的材料為至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物。
[0036]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述金屬氧化物經(jīng)過(guò)高溫活化處理形成至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物，其中，所述高溫活化處理的溫度為400-700 °C。
[0037]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括:層間介質(zhì)層、源極和漏極;其中，
[0038]所述周邊區(qū)域的層間介質(zhì)層具有多個(gè)過(guò)孔，所述過(guò)孔內(nèi)具有金屬氧化物薄膜;所述源極和所述漏極分別位于所述層間介質(zhì)層之上，且分別通過(guò)所述過(guò)孔內(nèi)的經(jīng)過(guò)等離子體表面處理的金屬氧化物薄膜與所述第一有源層電性相連；
[0039]所述顯示區(qū)域的所述源極和所述漏極位于所述第二有源層之上。
[0040]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。
[0041]在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括:
[0042]柵絕緣層、柵極、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極;其中，
[0043]所述第二有源層位于所述顯示區(qū)域的柵極之上，所述第一有源層位于所述周邊區(qū)域的柵極之下。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0046]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法，該陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成位于周邊區(qū)域的第一有源層的圖形;其中第一有源層的材料為多晶硅;在襯底基板上形成位于顯示區(qū)域的第二有源層的圖形;其中第二有源層的材料為金屬氧化物;對(duì)形成有第一有源層的圖形第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)。這樣陣列基板上顯示區(qū)域采用金屬氧化物制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)態(tài)電流較低，且經(jīng)過(guò)工藝處理的金屬氧化物可以由非晶態(tài)變?yōu)槲⒕B(tài)，有利于提尚開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性；同時(shí)周邊區(qū)域米用多晶娃材料制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管具有較高的電子迀移率，使其具有較高的驅(qū)動(dòng)能力，適用于搭建驅(qū)動(dòng)電路，滿足陣列基板周邊區(qū)域的集成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的需求。綜上，陣列基板的顯示區(qū)域與周邊區(qū)域分別采用金屬氧化物和多晶硅制作開(kāi)關(guān)晶體管的有源層，從而優(yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證顯不廣品的顯不效果及提尚廣品良率。
【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法流程圖；
[0049]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作第二有源層的方法流程圖；
[0050]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法得【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0052]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖2所示，可以包括:
[0053]S101、在襯底基板上形成位于周邊區(qū)域的第一有源層的圖形；其中第一有源層的材料為多晶娃；
[0054]S102、在襯底基板上形成位于顯示區(qū)域的第二有源層的圖形；其中第二有源層的材料為金屬氧化物；
[0055]S103、對(duì)形成有第一有源層的圖形和第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，其顯示區(qū)域采用金屬氧化物制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)態(tài)電流較低，且經(jīng)過(guò)工藝處理的金屬氧化物可以由非晶態(tài)變?yōu)槲⒕B(tài)，有利于提高開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性；同時(shí)周邊區(qū)域采用多晶硅材料制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管具有較高的電子迀移率，使其具有較高的驅(qū)動(dòng)能力，適用于搭建驅(qū)動(dòng)電路，滿足陣列基板周邊區(qū)域的集成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的需求。綜上，陣列基板的顯示區(qū)域與周邊區(qū)域分別采用金屬氧化物和多晶硅制作開(kāi)關(guān)晶體管的有源層，從而優(yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證顯示產(chǎn)品的顯示效果及提高產(chǎn)品良率。
[0057]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，步驟S103，可以具體包括:對(duì)形成有第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)；其中，高溫活化處理的溫度為400-700°C。具體地，金屬氧化物可通過(guò)400-700°C的高溫活化處理，使其由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)，微晶態(tài)的金屬氧化物作為開(kāi)關(guān)晶體管的有源層材料，可以使得開(kāi)關(guān)晶體管的性能更穩(wěn)定。另外，高溫活化處理還可以修復(fù)陣列基板制造過(guò)程中對(duì)多晶硅造成的晶格損傷。這樣在陣列基板的顯示區(qū)域的開(kāi)關(guān)晶體管，采用金屬氧化物作為有源層的材料，可以保證其關(guān)態(tài)電流較低，且通過(guò)高溫活化后使得開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)性能更穩(wěn)定，保證了像素開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性，有助于保證顯不廣品的顯不效果，同時(shí)提尚顯不廣品的良率。
[0058]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成第一有源層的圖形之后，在形成第二有源層的圖形之前，還可以包括:在形成有第一有源層的圖形的襯底基板上，形成柵絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層的圖形；其中，柵極的圖形包括位于顯示區(qū)域的柵極的圖形和位于周邊區(qū)域的柵極的圖形;層間介質(zhì)層的圖形包括位于周邊區(qū)域且貫穿柵絕緣層和層間介質(zhì)層的過(guò)孔的圖形。具體地，在形成第一有源層的圖形之后，在形成第二有源層的圖形之前，還包括形成柵絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層的圖形，這樣顯示區(qū)域的柵極的圖形形成于第二有源層之前，因此顯示區(qū)域形成的開(kāi)關(guān)晶體管為底柵型，這樣可以省去遮光層的制作；而周邊區(qū)域的第一有源層形成在柵極的圖形之前，但周邊區(qū)域?yàn)椴煌腹獾膮^(qū)域，因此也可以省去遮光層的制作，同時(shí)在周邊區(qū)域?qū)娱g介質(zhì)層的圖形包括過(guò)孔的圖形，該過(guò)孔用于第一有源層與后期形成的源極和漏極相連。
[0059]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成層間介質(zhì)層的圖形之后，在形成第二有源層的圖形之前，還可以包括:采用緩沖蝕刻液對(duì)形成有層間介質(zhì)層的圖形的襯底基板進(jìn)行清洗。具體地，為了防止過(guò)孔內(nèi)的多晶硅表層形成的氧化層影響源極和漏極與多晶娃的接觸，可以采用BOE(buffer oxide etch)清洗去除過(guò)孔的多晶硅表層的氧化層，即采用緩沖蝕刻液對(duì)陣列基板進(jìn)行清洗，去除多晶硅表層的氧化層，且清洗工藝在形成第二有源層之前，因此可以避免清洗對(duì)第二有源層產(chǎn)生影響。
[0060]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，形成第二有源層的圖形的過(guò)程，如圖3所示，可以具體包括:
[0061 ] S201、在采用緩沖蝕刻液進(jìn)行清洗后的襯底基板上，沉積金屬氧化物薄膜；
[0062]S202、采用灰度掩模板進(jìn)行曝光，形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域;其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)第二有源層的圖形區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)層間介質(zhì)層上的過(guò)孔區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?yàn)槌c第二有源層和過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域外的其他區(qū)域；
[0063]S203、對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域進(jìn)行刻蝕，去除光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的金屬氧化物薄膜；
[0064]S204、對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠被完全去除；
[0065]S205、對(duì)未被光刻膠覆蓋的金屬氧化物薄膜進(jìn)行等離子體表面處理，使金屬氧化物薄膜變成導(dǎo)體；
[0066]S206、剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，形成第二有源層的圖形。
[0067]具體地，采用上述構(gòu)圖工藝步驟，可以形成第二有源層的圖形，同時(shí)保留過(guò)孔內(nèi)的金屬氧化物薄膜;還可以通過(guò)等離子體表面處理使得過(guò)孔內(nèi)的金屬氧化物薄膜導(dǎo)體化，這樣在過(guò)孔內(nèi)的多晶硅表面保留一層氧化物薄膜，可以防止暴漏在過(guò)孔內(nèi)的多晶硅再一次被氧化;還可以通過(guò)等離子體表面處理使得金屬氧化物由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體，從而可以減小源漏極金屬與多晶硅的接觸電阻。
[0068]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，金屬氧化物可以為銦鎵鋅氧化物，也可以采用其他滿足陣列基板設(shè)計(jì)需求的金屬氧化物，在此不作限定。
[0069]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，對(duì)形成有第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)之后，還可以包括:對(duì)高溫活化處理后的襯底基板進(jìn)行氫化處理;在氫化處理后的襯底基板上形成源極、漏極、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極的圖形。具體地，對(duì)高溫活化后的襯底基板進(jìn)行氫化處理，可以填補(bǔ)多晶硅的氫鍵，使其更加穩(wěn)定，在氫化處理后形成后續(xù)陣列基板上的多個(gè)功能層，保證陣列基板的功能。
[0070]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，步驟SlOl可以具體包括:在襯底基板上沉積非晶硅，通過(guò)去氫工藝和結(jié)晶化工藝，使非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一有源層的圖形。具體地，通過(guò)在襯底基板上沉積一層非晶硅材料，進(jìn)而通過(guò)去氫工藝和結(jié)晶化工藝，使非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，在通過(guò)構(gòu)圖工藝形成第一有源層的圖形，其中，構(gòu)圖工藝與現(xiàn)有技術(shù)中的構(gòu)圖工藝相同，包括光刻、刻蝕等工藝，在此不作詳述。
[0071]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在形成柵絕緣層和柵極的圖形之后，還可以包括:采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，對(duì)第一有源層進(jìn)行摻雜，形成重?fù)诫s區(qū)域和輕摻雜區(qū)域。具體地，可以采用自對(duì)準(zhǔn)工藝對(duì)第一有源層進(jìn)行摻雜工藝使其成為半導(dǎo)體。
[0072]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板的制作方法，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的的上述陣列基板的制作方法。該顯示面板的制作方法解決問(wèn)題的原理與陣列基板的制作方法相似，因此該顯示面板的制作方法的實(shí)施可以參見(jiàn)上述陣列基板的制作方法的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0073]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，分為顯示區(qū)域和周邊區(qū)域，如圖4所示，陣列基板包括:形成于襯底基板上的位于周邊區(qū)域的第一有源層01和位于顯示區(qū)域的第二有源層02;其中，第一有源層01的材料為多晶硅;第二有源層02的材料為至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，在顯示區(qū)域采用至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物制作有源層，在周邊區(qū)域采用多晶硅制作有源層。由于采用金屬氧化物作為有源層的開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)態(tài)電流較低，且微晶態(tài)的金屬氧化物有利于提高開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性，可以保證像素區(qū)域的開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性，提高顯示面板的顯示效果及產(chǎn)品良率。同時(shí)周邊區(qū)域采用多晶硅材料制作有源層的開(kāi)關(guān)晶體管具有較高的電子迀移率，使其較高的驅(qū)動(dòng)能力，適用于搭建驅(qū)動(dòng)電路，滿足周邊區(qū)域的集成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需求。
[0075]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，金屬氧化物經(jīng)過(guò)高溫活化處理形成至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物，其中，高溫活化處理的溫度為400-700°C。具體地，金屬氧化物可通過(guò)400-700°C的高溫活化處理，使其由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)，微晶態(tài)的金屬氧化物作為開(kāi)關(guān)晶體管的有源層材料，可以使得開(kāi)關(guān)晶體管的性能更穩(wěn)定。這樣在陣列基板的顯示區(qū)域的開(kāi)關(guān)晶體管，采用金屬氧化物作為有源層的材料，可以保證其關(guān)態(tài)電流較低，且通過(guò)高溫活化后使得開(kāi)關(guān)晶體管的開(kāi)關(guān)性能更穩(wěn)定，保證了像素開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性，有助于保證顯不廣品的顯不效果，同時(shí)提尚顯不廣品的良率。
[0076]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，陣列基板還可以包括:層間介質(zhì)層03、源極04和漏極05;其中，周邊區(qū)域的層間介質(zhì)層03具有多個(gè)過(guò)孔，過(guò)孔內(nèi)具有金屬氧化物薄膜06;源極04和漏極05分別位于層間介質(zhì)層03之上，且分別通過(guò)過(guò)孔內(nèi)的經(jīng)過(guò)等離子體表面處理的金屬氧化物薄膜06與第一有源層01電性相連;顯示區(qū)域的源極04和漏極05位于第二有源層02之上。具體地，在周邊區(qū)域的過(guò)孔內(nèi)的多晶硅表面保留一層金屬氧化物薄膜，可以防止暴露在過(guò)孔內(nèi)的多晶硅再一次被氧化;還可以通過(guò)等離子體表面處理使得金屬氧化物由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體，從而可以減小源漏極金屬與多晶硅的接觸電阻。
[0077]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，金屬氧化物可以為銦鎵鋅氧化物，也可以采用其他滿足陣列基板設(shè)計(jì)需求的金屬氧化物，在此不作限定。
[0078]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖4所示，陣列基板還可以包括:柵絕緣層07、柵極08、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極(圖4中未示出樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極)；其中，第二有源層02位于顯示區(qū)域的柵極08之上，第一有源層01位于周邊區(qū)域的柵極08之下。具體地，顯示區(qū)域的柵極位于第二有源層之下，形成的開(kāi)關(guān)晶體管為底柵型，這樣可以省去遮光層的制作;而周邊區(qū)域的第一有源層位于柵極之下，形成的開(kāi)關(guān)晶體管為頂柵型，但周邊區(qū)域?yàn)椴煌腹獾膮^(qū)域，因此也可以省去遮光層的制作。
[0079]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。該顯示面板可以應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示面板解決問(wèn)題的原理與陣列基板相似，因此該顯示面板的實(shí)施可以參見(jiàn)上述陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及其制作方法，該陣列基板的制作方法，包括:在襯底基板上形成位于周邊區(qū)域的第一有源層的圖形;其中第一有源層的材料為多晶硅;在襯底基板上形成位于顯示區(qū)域的第二有源層的圖形;其中第二有源層的材料為金屬氧化物;對(duì)形成有第一有源層的圖形和第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)。這樣陣列基板上顯示區(qū)域采用金屬氧化物制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管的關(guān)態(tài)電流較低，且經(jīng)過(guò)工藝處理的金屬氧化物可以由非晶態(tài)變?yōu)槲⒕B(tài)，有利于提高開(kāi)關(guān)晶體管的穩(wěn)定性；同時(shí)周邊區(qū)域采用多晶硅材料制作有源層，使得形成的開(kāi)關(guān)晶體管具有較高的電子迀移率，使其具有較高的驅(qū)動(dòng)能力，適用于搭建驅(qū)動(dòng)電路，滿足陣列基板周邊區(qū)域的集成驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的需求。綜上，陣列基板的顯示區(qū)域與周邊區(qū)域分別采用金屬氧化物和多晶硅制作開(kāi)關(guān)晶體管的有源層，從而優(yōu)化陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證顯示產(chǎn)品的顯示效果及提高產(chǎn)品良率。
[0081]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成位于周邊區(qū)域的第一有源層的圖形;其中所述第一有源層的材料為多晶娃； 在所述襯底基板上形成位于顯示區(qū)域的第二有源層的圖形;其中所述第二有源層的材料為金屬氧化物； 對(duì)形成有所述第一有源層的圖形和所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)。2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，對(duì)形成有所述第一有源層的圖形和所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行工藝處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)，具體包括: 對(duì)形成有所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài);其中，所述高溫活化處理的溫度為400-700Γ。3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一有源層的圖形之后，在形成所述第二有源層的圖形之前，還包括: 在形成有所述第一有源層的圖形的襯底基板上，形成柵絕緣層、柵極和層間介質(zhì)層的圖形;其中， 所述柵極的圖形包括位于所述顯示區(qū)域的柵極的圖形和位于所述周邊區(qū)域的柵極的圖形； 所述層間介質(zhì)層的圖形包括位于所述周邊區(qū)域且貫穿所述柵絕緣層和所述層間介質(zhì)層的過(guò)孔的圖形。4.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述層間介質(zhì)層的圖形之后，在形成所述第二有源層的圖形之前，還包括: 采用緩沖蝕刻液對(duì)形成有所述層間介質(zhì)層的圖形的襯底基板進(jìn)行清洗。5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二有源層的圖形的過(guò)程，具體包括: 在采用緩沖蝕刻液進(jìn)行清洗后的襯底基板上，沉積金屬氧化物薄膜； 采用灰度掩模板進(jìn)行曝光，形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域;其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述第二有源層的圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述層間介質(zhì)層上的過(guò)孔區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?yàn)槌c所述第二有源層和所述過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域外的其他區(qū)域； 對(duì)所述光刻膠完全去除區(qū)域進(jìn)行刻蝕，去除所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述金屬氧化物薄膜； 對(duì)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行灰化，所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠被完全去除； 對(duì)未被光刻膠覆蓋的所述金屬氧化物薄膜進(jìn)行等離子體表面處理，使所述金屬氧化物薄膜變成導(dǎo)體； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，形成所述第二有源層的圖形。6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。7.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，對(duì)形成有所述第二有源層的圖形的襯底基板進(jìn)行高溫活化處理，使所述金屬氧化物由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為微晶態(tài)之后，還包括: 對(duì)高溫活化處理后的所述襯底基板進(jìn)行氫化處理； 在氫化處理后的襯底基板上形成源極、漏極、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極的圖形。8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成位于所述周邊區(qū)域的第一有源層的圖形，具體包括: 在所述襯底基板上沉積非晶硅，通過(guò)去氫工藝和結(jié)晶化工藝，使非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層的圖形。9.如權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述柵絕緣層和所述柵極的圖形之后，還包括: 采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，對(duì)所述第一有源層進(jìn)行摻雜，形成重?fù)诫s區(qū)域和輕摻雜區(qū)域。10.—種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法。11.一種陣列基板，分為顯示區(qū)域和周邊區(qū)域，其特征在于，所述陣列基板包括:形成于襯底基板上的位于所述周邊區(qū)域的第一有源層和位于所述顯示區(qū)域的第二有源層;其中， 所述第一有源層的材料為多晶硅； 所述第二有源層的材料為至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物。12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物經(jīng)過(guò)高溫活化處理形成至少包含部分微晶態(tài)結(jié)構(gòu)的金屬氧化物，其中，所述高溫活化處理的溫度為400-700Γ。13.如權(quán)利要求11或12所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括:層間介質(zhì)層、源極和漏極;其中， 所述周邊區(qū)域的層間介質(zhì)層具有多個(gè)過(guò)孔，所述過(guò)孔內(nèi)具有金屬氧化物薄膜;所述源極和所述漏極分別位于所述層間介質(zhì)層之上，且分別通過(guò)所述過(guò)孔內(nèi)的經(jīng)過(guò)等離子體表面處理的金屬氧化物薄膜與所述第一有源層電性相連； 所述顯示區(qū)域的所述源極和所述漏極位于所述第二有源層之上。14.如權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物。15.如權(quán)利要求14所述的這列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 柵絕緣層、柵極、樹(shù)脂層、公共電極、鈍化層和像素電極;其中， 所述第二有源層位于所述顯示區(qū)域的柵極之上，所述第一有源層位于所述周邊區(qū)域的柵極之下。16.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求11-15任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK106098699SQ201610466499
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月23日
【發(fā)明人】孫雙, 彭寬軍
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司