低損耗同軸射頻電纜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低損耗同軸射頻電纜及其制備方法，該制備方法包括：1)將聚四氟乙烯薄膜繞包于導(dǎo)線的外部以形成繞包層；2)將鍍銀芳綸絲編織于繞包層的外部以形成編織層；3)將聚氨酯組合物熔融、于編織層的外部成型以形成聚氨酯護(hù)套；其中，導(dǎo)線為鍍銀銅絞線，聚氨酯組合物含有聚氨酯、聚乙二醇、聚丙烯酰胺、油頁(yè)巖灰、硼酸鋅、氧化鑭、硫酸鈣晶須、二茂鐵和杯[6]芳烴。該低損耗同軸射頻電纜及其制備方法具有優(yōu)異的耐高溫性能、力學(xué)性能和抗輻射的性能。
【專利說明】
低損耗同軸射頻電纜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及射頻電纜，具體地，設(shè)及一種低損耗同軸射頻電纜及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 射頻電纜是傳輸射頻范圍內(nèi)電磁能量的電纜，射頻電纜是各種無線電通信系統(tǒng)及 電子設(shè)備中不可缺少的元件，在無線通信與廣播、電視、雷達(dá)、導(dǎo)航、計(jì)算機(jī)及儀表等方面廣 泛的應(yīng)用。射頻電纜一般具有W下特點(diǎn)：可W傳輸較寬的頻帶、對(duì)外界干擾的防衛(wèi)度高、天 線效應(yīng)小，福射損耗小和結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安裝便利，比較經(jīng)濟(jì)。其中，同軸射頻電纜是最常用的結(jié) 構(gòu)型式，由于其內(nèi)外導(dǎo)體處于同屯、位置，電磁能量局限在內(nèi)外導(dǎo)體之間的介質(zhì)內(nèi)傳播，因此 具有衰減小，屏蔽性能高，使用頻帶寬及性能穩(wěn)定等顯著優(yōu)點(diǎn)；通常用來傳輸500千赫到18 千兆赫的射頻能量。
[0003] 雖然，同軸射頻電纜具有上述的特點(diǎn)，但是在高溫的條件下進(jìn)行作業(yè)，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線 外的保護(hù)層老化，進(jìn)而影響了同軸射頻電纜的信號(hào)的傳送。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供一種低損耗同軸射頻電纜及其制備方法，該低損耗同軸射頻 電纜及其制備方法具有優(yōu)異的耐高溫性能、力學(xué)性能和抗福射的性能。
[0005] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種低損耗同軸射頻電纜的制備方法，該制備 方法包括：
[0006] 1)將聚四氣乙締薄膜繞包于導(dǎo)線的外部W形成繞包層；
[0007] 2)將鍛銀芳絕絲編織于繞包層的外部W形成編織層；
[000引3)將聚氨醋組合物烙融、于編織層的外部成型W形成聚氨醋護(hù)套；
[0009] 其中，導(dǎo)線為鍛銀銅絞線，聚氨醋組合物含有聚氨醋、聚乙二醇、聚丙締酷胺、油頁(yè) 巖灰、棚酸鋒、氧化銅、硫酸巧晶須、二茂鐵和杯[6 ]芳控。
[0010] 本發(fā)明還提供了一種低損耗同軸射頻電纜，該低損耗同軸射頻電纜通過上述的方 法制備而得。
[0011] 通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明提供的低損耗同軸射頻電纜的制備方法首先將聚四氣 乙締薄膜繞包于導(dǎo)線的外部W形成繞包層;接著，將鍛銀芳絕絲編織于繞包層的外部W形 成編織層;最后，將聚氨醋組合物烙融、于編織層的外部成型形成聚氨醋護(hù)套W制得低損耗 同軸射頻電纜。通過繞包層、編織層和聚氨醋護(hù)套的協(xié)同作用，使得該低損耗同軸射頻電纜 具有優(yōu)異的耐高溫性能、力學(xué)性能和抗福射的性能。同時(shí)，該方法工序簡(jiǎn)單，原料易得，便于 推廣。
[0012] 本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的【具體實(shí)施方式】部分予W詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0013] 附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具 體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0014]圖1是本發(fā)明提供的低損耗同軸射頻電纜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[001引附圖標(biāo)記
[0016] 1、導(dǎo)線 2、繞包層
[0017] 3、第一編織層 4、第二編織層 [001引5、聚氨醋護(hù)套
【具體實(shí)施方式】
[0019] W下對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體 實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0020] 本發(fā)明提供了一種低損耗同軸射頻電纜的制備方法，該制備方法包括：
[0021] 1)將聚四氣乙締薄膜繞包于導(dǎo)線1的外部W形成繞包層2;
[0022] 2)將鍛銀芳絕絲編織于繞包層2的外部W形成編織層；
[0023] 3)將聚氨醋組合物烙融、于編織層的外部成型W形成聚氨醋護(hù)套5;
[0024] 其中，導(dǎo)線1為鍛銀銅絞線，聚氨醋組合物含有聚氨醋、聚乙二醇、聚丙締酷胺、油 頁(yè)巖灰、棚酸鋒、氧化銅、硫酸巧晶須、二茂鐵和杯[6]芳控。
[0025] 優(yōu)選地，在步驟1)中，聚四氣乙締薄膜的密度為1.6-1.8g/cm2。
[0026] 優(yōu)選地，在步驟1)中，繞包層2的厚度為0.25-0.35mm;。
[0027] 優(yōu)選地，在步驟2)中，編織層由內(nèi)而外依次由第一編織層3和第二編織層4組成，并 且，第一編織層3和第二編織層4的厚度各自獨(dú)立為0.0 l-0.03mm;
[0028] 優(yōu)選地，鍛銀芳絕絲的表面的鍛銀層的厚度為1-2皿；
[0029] 更優(yōu)選地，聚氨醋護(hù)套5的厚度為0.4-0.7mm。
[0030] 優(yōu)選地，在步驟3)中，相對(duì)于100重量份的聚氨醋，聚乙二醇的含量為55-64重量 份，聚丙締酷胺的含量為22-34重量份，油頁(yè)巖灰的含量為15-27重量份，棚酸鋒的含量為7- 9重量份，氧化銅的含量為1.5-3重量份，硫酸巧晶須的含量為22-27重量份，二茂鐵的含量 為3-8重量份，杯[6]芳控的含量為14-19重量份。
[0031] 優(yōu)選地，在步驟3)中，烙融至少要滿足W下條件:烙融溫度為215-220°C，烙融時(shí)間 為3-化。
[0032] 優(yōu)選地，在步驟2)之前，制備方法還包括:將芳絕絲置于酸液中進(jìn)行酸洗，然后進(jìn) 行鍛銀處理W制得鍛銀芳絕絲。
[0033] 優(yōu)選地，電鍛液由硝酸銀、巧樣酸氨二錠、棚酸、氨水、次憐酸鋼、巧樣酸、乙酸鋼、 棚氨化鋼和水組成;其中，相對(duì)于1000重量份的水，硝酸銀的含量為50-70重量份，巧樣酸氨 二錠的含量為15-24重量份，棚酸的含量為10-17重量份，氨水的含量為9-17重量份，次憐酸 鋼的含量為22-27重量份，巧樣酸的含量為14-19重量份，乙酸鋼的含量為7-11重量份，棚氨 化鋼的含量為5-10重量份。
[0034] 優(yōu)選地，酸液的抑為3-4.5;并且，酸洗至少滿足W下條件：酸洗時(shí)間為2-化，酸洗 溫度為40-50°C;
[0035] 優(yōu)選地，鍛銀處理至少滿足W下條件：電鍛時(shí)間為2-3min，電鍛溫度為35-40°C，電 流密度為0.35-0.55A/血2。
[0036] 本發(fā)明還提供了一種低損耗同軸射頻電纜，該低損耗同軸射頻電纜通過上述的方 法制備而得。
[0037] W下將通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[003引制備例1
[0039] 將芳絕絲置于45°C的酸液(抑為3.5)中進(jìn)行酸洗2.化，然后于37°C和電流密度為 0.45A/dm2的條件下進(jìn)行鍛儀處理2.5min制得厚度為0.5mm鍛儀芳絕絲Dl (鍛銀層的厚度為 1.5WI1);其中，電鍛液由硝酸銀、巧樣酸氨二錠、棚酸、氨水、次憐酸鋼、巧樣酸、乙酸鋼、棚氨 化鋼和水組成，并且重量份依次為60:18:14:12:24:17:10:8:1000。
[0040] 制備例2
[0041] 將芳絕絲置于40-50°C的酸液(pH為3)中進(jìn)行酸洗化，然后于35°C和電流密度為 0.35A/dm2的條件下進(jìn)行鍛儀處理2min制得厚度為0.4mm鍛儀芳絕絲D2(鍛銀層的厚度為化 m);其中，電鍛液由硝酸銀、巧樣酸氨二錠、棚酸、氨水、次憐酸鋼、巧樣酸、乙酸鋼、棚氨化鋼 和水組成，并且重量份依次為50:15:10:9:22:14:7:5:1000。
[0042] 制備例3
[0043] 將芳絕絲置于50°C的酸液（pH為4.5)中進(jìn)行酸洗化，然后于40°C和電流密度為 0.55A/dm2的條件下進(jìn)行鍛儀處理3min制得厚度為0.7mm鍛儀芳絕絲D3(鍛銀層的厚度為化 m);其中，電鍛液由硝酸銀、巧樣酸氨二錠、棚酸、氨水、次憐酸鋼、巧樣酸、乙酸鋼、棚氨化鋼 和水組成，并且重量份依次為70:24:17:17:27:19:11:10:1000。
[0044] 實(shí)施例1
[0045] 1)將密度為1.7g/cm2的聚四氣乙締薄膜繞包于導(dǎo)線1的外部W形成厚度為0.30mm 的繞包層2;
[0046] 2)將鍛銀芳絕絲Dl由內(nèi)向外依次編織于繞包層2的外部W形成厚度為0.02mm第一 編織層3和厚度為0.02mm第二編織層4;
[0047] 3)將聚氨醋組合物于218°C下烙融4h、于第二編織層4的外部成型形成厚度為 0.5mm聚氨醋護(hù)套5W制得低損耗同軸射頻電纜Al;
[0048] 其中，導(dǎo)線1為鍛銀銅絞線；聚氨醋組合物含有聚氨醋、聚乙二醇、聚丙締酷胺、油 頁(yè)巖灰、棚酸鋒、氧化銅、硫酸巧晶須、二茂鐵和杯[6]芳控，并且，重量份依次為100:58:29: 22:8:2:24:5:17。
[0049] 實(shí)施例2
[0050] 1)將密度為1.6g/cm2的聚四氣乙締薄膜繞包于導(dǎo)線1的外部W形成厚度為0.25mm 的繞包層2;
[0051] 2)將鍛銀芳絕絲D2由內(nèi)向外依次編織于繞包層2的外部W形成厚度為0.01mm第一 編織層3和厚度為0.0 lmm第二編織層4;
[0052] 3)將聚氨醋組合物于215°C下烙融化、于第二編織層4的外部成型形成厚度為 0.4mm聚氨醋護(hù)套5 W制得低損耗同軸射頻電纜A2;
[0053] 其中，導(dǎo)線1為鍛銀銅絞線；聚氨醋組合物含有聚氨醋、聚乙二醇、聚丙締酷胺、油 頁(yè)巖灰、棚酸鋒、氧化銅、硫酸巧晶須、二茂鐵和杯[6]芳控，并且，重量份依次為100:55:22: 15:7:1.5:22:3:14。
[0054] 實(shí)施例3
[0055] I)將密度為1.8g/cm2的聚四氣乙締薄膜繞包于導(dǎo)線I的外部W形成厚度為0.35mm 的繞包層2;
[0056] 2)將鍛銀芳絕絲D3由內(nèi)向外依次編織于繞包層2的外部W形成厚度為0.03mm第一 編織層3和厚度為0.03mm第二編織層4;
[0057] 3)將聚氨醋組合物于220°C下烙融3-化、于第二編織層4的外部成型形成厚度為 0.7mm聚氨醋護(hù)套5 W制得低損耗同軸射頻電纜A3;
[0058] 其中，導(dǎo)線1為鍛銀銅絞線；聚氨醋組合物含有聚氨醋、聚乙二醇、聚丙締酷胺、油 頁(yè)巖灰、棚酸鋒、氧化銅、硫酸巧晶須、二茂鐵和杯[6]芳控，并且，重量份依次為100:64:34: 27:9:3:27:8:19。
[0059] 對(duì)比例1
[0060] 按照實(shí)施例1的方法進(jìn)行制得同軸射頻電纜BI,不同的是，聚氨醋組合物中未使用 油頁(yè)巖灰。
[0061] 對(duì)比例2
[0062] 按照實(shí)施例1的方法進(jìn)行制得同軸射頻電纜B2,不同的是，聚氨醋組合物中未使用 氧化銅。
[0063] 對(duì)比例3
[0064] 按照實(shí)施例1的方法進(jìn)行制得同軸射頻電纜B3,不同的是，聚氨醋組合物中未使用 硫酸巧晶須。
[0065] 對(duì)比例4
[0066] 按照實(shí)施例1的方法進(jìn)行制得同軸射頻電纜B4,不同的是，聚氨醋組合物中未使用 杯[6]芳控。
[0067] 對(duì)比例5
[0068] 按照實(shí)施例1的方法進(jìn)行制得同軸射頻電纜B5,不同的是，聚氨醋組合物中未使用 二茂鐵。
[0069] 檢測(cè)例1
[0070] 在25°C下檢測(cè)上述同軸射頻電纜得到抗張強(qiáng)度tsi(N ? mnf2)，接著在能量為5eV的 原子氧照射(轟擊)下，統(tǒng)計(jì)剝蝕率Eyl(%)，具體結(jié)果見表1。
[0071] 將上述同軸射頻電纜置于500°C下處理7天，然后檢測(cè)抗張強(qiáng)度ts2(N ? mnf2)和剝 蝕率Ey2 (% )，具體結(jié)果見表1。
[0072] 表 1

[0074] 其中，抗張強(qiáng)度的數(shù)值越大，表示防波套的力學(xué)性能越優(yōu)異；剝蝕率越小，表示防 波套的防福射性能越優(yōu)異。
[0075] 通過上述實(shí)施例、對(duì)比例和檢測(cè)例可知，本發(fā)明提供的同軸射頻電纜具有優(yōu)異的 耐高溫性能、力學(xué)性能和防福射性能。
[0076] W上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中 的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可W對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，運(yùn) 些簡(jiǎn)單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0077] 另外需要說明的是，在上述【具體實(shí)施方式】中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛 盾的情況下，可W通過任何合適的方式進(jìn)行組合，為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對(duì)各種可 能的組合方式不再另行說明。
[0078] 此外，本發(fā)明的各種不同的實(shí)施方式之間也可W進(jìn)行任意組合，只要其不違背本 發(fā)明的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種低損耗同軸射頻電纜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 1) 將聚四氟乙烯薄膜繞包于導(dǎo)線（1)的外部以形成繞包層(2); 2) 將鍍銀芳綸絲編織于所述繞包層(2)的外部以形成編織層； 3) 將聚氨酯組合物熔融、于所述編織層的外部成型以形成聚氨酯護(hù)套(5); 其中，所述導(dǎo)線（1)為鍍銀銅絞線，所述聚氨酯組合物含有聚氨酯、聚乙二醇、聚丙烯酰 胺、油頁(yè)巖灰、硼酸鋅、氧化鑭、硫酸鈣晶須、二茂鐵和杯[6 ]芳烴。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，在步驟1)中，所述聚四氟乙烯薄膜的密度為 1·6-1·8g/cm2〇3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，在步驟1)中，所述繞包層(2)的厚度為0.25- 0.35mm；〇4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其中，在步驟2)中，所述編織層由內(nèi) 而外依次由第一編織層(3)和第二編織層(4)組成，并且，所述第一編織層(3)和第二編織層 (4)的厚度各自獨(dú)立為0.01-0.03mm; 優(yōu)選地，所述鍍銀芳綸絲的表面的鍍銀層的厚度為1_2μπι; 更優(yōu)選地，所述聚氨酯護(hù)套(5)的厚度為0.4-0.7mm。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其中，在步驟3)中，相對(duì)于100重量份的所述聚氨 酯，所述聚乙二醇的含量為55-64重量份，所述聚丙烯酰胺的含量為22-34重量份，所述油頁(yè) 巖灰的含量為15-27重量份，所述硼酸鋅的含量為7-9重量份，所述氧化鑭的含量為1.5-3重 量份，所述硫酸鈣晶須的含量為22-27重量份，所述二茂鐵的含量為3-8重量份，所述杯[6] 芳烴的含量為14-19重量份。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，在步驟3)中，所述熔融至少要滿足以下條件： 熔融溫度為215-220°C，熔融時(shí)間為3-5h。7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其中，在步驟2)之前，所述制備方法還包括:將 所述芳綸絲置于酸液中進(jìn)行酸洗，然后進(jìn)行鍍銀處理以制得鍍銀芳綸絲。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，電鍍液由硝酸銀、梓檬酸氫二銨、硼酸、氨水、 次磷酸鈉、檸檬酸、乙酸鈉、硼氫化鈉和水組成;其中，相對(duì)于1000重量份的水，所述硝酸銀 的含量為50-70重量份，所述朽 1檬酸氫二銨的含量為15-24重量份，所述硼酸的含量為10-17 重量份，所述氨水的含量為9-17重量份，所述次磷酸鈉的含量為22-27重量份，所述梓檬酸 的含量為14-19重量份，所述乙酸鈉的含量為7-11重量份，所述硼氫化鈉的含量為5-10重量 份。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其中，所述酸液的pH為3-4.5;并且，所述酸洗至少 滿足以下條件:酸洗時(shí)間為2_3h，酸洗溫度為40-50°C ; 優(yōu)選地，所述鍍銀處理至少滿足以下條件：電鍍時(shí)間為2-3min，電鍍溫度為35-40Γ，電 流密度為0.35-0.55A/dm2。10. -種低損耗同軸射頻電纜，其特征在于，所述低損耗同軸射頻電纜通過權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的方法制備而得。
【文檔編號(hào)】H01B7/17GK106098196SQ201610522206
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月6日
【發(fā)明人】米春海, 付利梅, 吳天鳳, 姜國(guó)慶, 朱文玲
【申請(qǐng)人】蕪湖航天特種電纜廠股份有限公司