一種電子元器件封裝用塑料殼體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電子元器件封裝用塑料殼體，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有：環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占85%?90%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占10%?15%。通過上述方式，本發(fā)明采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑封料制成的，具有良好的力學(xué)性能和導(dǎo)熱性能，能確保電子元器件在正常的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
【專利說明】
一種電子元器件封裝用塑料殼體
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子元器件領(lǐng)域，特別是涉及一種電子元器件封裝用塑料殼體。
【背景技術(shù)】
[0002]封裝，就是指把硅片上的電路管腳，用導(dǎo)線接引到外部接頭處，以便與其它器件連接。芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降，封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。封裝殼體材料主要包括金屬、陶瓷和塑料，隨著芯片集成度的增加，必然導(dǎo)致發(fā)熱量提高，電路的工作溫度不斷上升，同時(shí)，電子元器件封裝成型后，由于材料線膨脹系數(shù)不同，成型固化收縮導(dǎo)致封裝器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力，將造成封裝殼體強(qiáng)度下降、耐熱沖擊差、開裂離層等缺陷，從而影響電子元器件穩(wěn)定工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種電子元器件封裝用塑料殼體，采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑封料制成的，具有良好的力學(xué)性能和導(dǎo)熱性能，能確保電子元器件在正常的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種電子元器件封裝用塑料殼體，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有:環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占85%_90%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占10%-15% ；
所述環(huán)氧樹脂混合料包括如下質(zhì)量份的成分:雙酚A環(huán)氧樹脂55-60份、酚醛樹脂8-12份、六次甲基四胺2-5份、柔性環(huán)氧樹脂10-15份、玻璃纖維9-14份、硅烷偶聯(lián)劑1-3份、乙醇2-4 份；
所述高導(dǎo)熱納米填料包括如下質(zhì)量份的成分:納米二氧化娃粉末20-40份、納米氮化招粉末60-80份。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述納米二氧化娃粉末的粒徑為20-40nm。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述納米氧化鋁粉末的粒徑為30-50nm。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料的導(dǎo)熱系數(shù)為3.8-4.0ff/(m.Κ)0
[0008]本發(fā)明的有益效果是:通過在環(huán)氧樹脂混合料中添加合理配比的高導(dǎo)熱納米填料，使獲得的高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料具有良好的力學(xué)性能和導(dǎo)熱性能，能確保電子元器件在正常的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]實(shí)施例一:
一種電子元器件封裝用塑料殼體，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有:環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占85%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占15%;
所述環(huán)氧樹脂混合料包括如下質(zhì)量份的成分:雙酚A環(huán)氧樹脂55份、酚醛樹脂10份、六次甲基四胺5份、柔性環(huán)氧樹脂12份、玻璃纖維13份、硅烷偶聯(lián)劑3份、乙醇2份；
所述高導(dǎo)熱納米填料包括如下質(zhì)量份的成分:納米二氧化硅粉末20份、納米氮化鋁粉末80份。
[00?1 ] 其中，所述納米二氧化娃粉末的粒徑為20nm，所述納米氧化招粉末的粒徑為30nm。
[0012]所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料的導(dǎo)熱系數(shù)為3.8W/(m.K)。
[0013]實(shí)施例二:
一種電子元器件封裝用塑料殼體，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有:環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占88%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占12%;
所述環(huán)氧樹脂混合料包括如下質(zhì)量份的成分:雙酚A環(huán)氧樹脂56份、酚醛樹脂12份、六次甲基四胺2份、柔性環(huán)氧樹脂10份、玻璃纖維14份、硅烷偶聯(lián)劑2份、乙醇4份；
所述高導(dǎo)熱納米填料包括如下質(zhì)量份的成分:納米二氧化娃粉末30份、納米氮化招粉末70份。
[0014]其中，所述納米二氧化娃粉末的粒徑為30nm，所述納米氧化招粉末的粒徑為40nm。
[0015]所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料的導(dǎo)熱系數(shù)為3.9W/(m.K)。
[0016]實(shí)施例三:
一種電子元器件封裝用塑料殼體，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有:環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占90%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占10%;
所述環(huán)氧樹脂混合料包括如下質(zhì)量份的成分:雙酚A環(huán)氧樹脂60份、酚醛樹脂8份、六次甲基四胺3份、柔性環(huán)氧樹脂15份、玻璃纖維9份、硅烷偶聯(lián)劑I份、乙醇4份；
所述高導(dǎo)熱納米填料包括如下質(zhì)量份的成分:納米二氧化娃粉末40份、納米氮化招粉末60份。
[0017]其中，所述納米二氧化娃粉末的粒徑為40nm，所述納米氧化招粉末的粒徑為50nm。
[0018]所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料的導(dǎo)熱系數(shù)為4W/(m.K)。
[0019]本發(fā)明揭示了一種電子元器件封裝用塑料殼體，通過在環(huán)氧樹脂混合料中添加合理配比的高導(dǎo)熱納米填料，使獲得的高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料具有良好的力學(xué)性能和導(dǎo)熱性能，能確保電子元器件在正常的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
[0020]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子元器件封裝用塑料殼體，其特征在于，所述殼體是采用高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料制成的，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料包括的原料有:環(huán)氧樹脂混合料和高導(dǎo)熱納米填料，按照質(zhì)量百分比計(jì)算，所述環(huán)氧樹脂混合料占85%-90%，所述高導(dǎo)熱納米添加劑占10%-15%； 所述環(huán)氧樹脂混合料包括如下質(zhì)量份的成分:雙酚A環(huán)氧樹脂55-60份、酚醛樹脂8-12份、六次甲基四胺2-5份、柔性環(huán)氧樹脂10-15份、玻璃纖維9-14份、硅烷偶聯(lián)劑1-3份、乙醇2-4 份； 所述高導(dǎo)熱納米填料包括如下質(zhì)量份的成分:納米二氧化娃粉末20-40份、納米氮化招粉末60-80份。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件封裝用塑料殼體，其特征在于，所述納米二氧化硅粉末的粒徑為20-40nmo3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件封裝用塑料殼體，其特征在于，所述納米氧化鋁粉末的粒徑為30-50nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件封裝用塑料殼體，其特征在于，所述高導(dǎo)熱低膨脹環(huán)氧塑料的導(dǎo)熱系數(shù)為3.8-4.0W/(m.K)。
【文檔編號(hào)】H01L23/08GK105870072SQ201610271700
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日
【發(fā)明人】龔文明
【申請(qǐng)人】太倉(cāng)市金毅電子有限公司