面的幾何形狀及其尺寸的選擇的水平上。
[0035]此外，本發(fā)明還導(dǎo)致好的電性能，特別是關(guān)于設(shè)備的帶寬，同時具有相對緊湊的尺寸的結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0036]本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將從下面的純說明性的和非限制性的描述顯現(xiàn)，這必須參照附圖理解，其中:
[0037]-圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的過渡裝置的透視圖；
[0038]-圖2a、2b、2c和2d分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的過渡裝置的波導(dǎo)的底視圖、前視圖、側(cè)視圖和頂視圖；
[0039]-圖3a、3b和3c分別示出了圖2d的截面AA’、截面BB ’和截面CC ’的視圖；
[0040]-圖4a、4b、4c、4d和4e示出了與本發(fā)明相符的連接裝置的空腔的入口輪廓的幾個變化；
[0041]-圖5a，5b，5c和5d示出了與本發(fā)明相符的連接裝置的空腔的加寬輪廓的幾個變化；
[0042]-圖6a、6b、6c和6d示出了與本發(fā)明相符的連接裝置的空腔的側(cè)面輪廓的幾個變化；
[0043]-圖7a和7b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖；
[0044]-圖8a和8b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖；
[0045]-圖9a和9b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖；
[0046]-圖1Oa和1b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖；
[0047]-圖11示出了模擬的和生產(chǎn)的原型的透射和反射系數(shù)，這一個包括“頭-尾”安裝的兩個根據(jù)第一實施方式的過渡裝置。
[0048]在所有附圖中相同的元件具有相同的附圖標(biāo)記。
【具體實施方式】
[0049]圖1說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的在介電基片20上的印刷傳輸線10和矩形波導(dǎo)30之間的過渡裝置。
[0050]介電基片20包括前表面21和平行于該前表面的后表面22，所述前表面包括形成接地平面的導(dǎo)電沉積物210，所述后表面上印有傳輸線10。
[0051]介電波導(dǎo)30為矩形，并且包括形成波導(dǎo)入口的前表面31、平行于該前表面并形成波導(dǎo)出口的后表面32、下表面33，平行于該下表面的上表面34，下表面33和上表面34在前表面31和后表面32之間延伸。
[0052]另外，該矩形波導(dǎo)包括彼此平行的分別在上表面34和下表面33之間延伸的兩個側(cè)面35、36。
[0053]該波導(dǎo)由介電材料制成且為實心平行六面體塊。該波導(dǎo)的材料優(yōu)選為具有電特性的塑料或塑料泡沫，以使相對介電常數(shù)k盡可能接近于I且介電損耗tgS非常接近于零。
[0054]波導(dǎo)在除了其前表面和后表面以外的所有表面上進(jìn)一步金屬化。因而下列是金屬化的:下表面33、上表面34和兩個側(cè)面35、36。該過渡裝置進(jìn)一步包括在波導(dǎo)的入口 31和后表面32之間在波導(dǎo)30的容積中形成的沿著波導(dǎo)30的縱向軸線(未示出)加寬的三維空腔或“錐” 40，所述入口進(jìn)一步形成了空腔的入口。
[0055 ]三維空腔40可以通過機(jī)械加工或模塑在波導(dǎo)30的容積中產(chǎn)生。
[0056]有利地，為了耦合傳輸線10和波導(dǎo)30，該裝置包括沿波導(dǎo)前表面從傳輸線10延伸到三維空腔40的入口 31的電連接50。
[0057]此外，介電基片包括配置用來給空腔40的入口帶來電連接50的凹口23。
[0058]如將被理解的，連接裝置是SMC(表面安裝部件)類型，所以它可以容易地轉(zhuǎn)移到介電基片(即集成電路)或金屬支撐件上。
[0059]圖2a、2b、2c和2d分別說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的過渡裝置的波導(dǎo)的底視圖、前視圖、側(cè)視圖和頂視圖。
[0060]在前視圖中，三維空腔呈現(xiàn)了入口輪廓Φ(具有在圖2b中的豎直直線邊緣)。特別地有在波導(dǎo)30中在其底部布置的寬度為W1的的槽，在所述槽下方波導(dǎo)的介電材料的厚度等于Hi。
[0061 ] 空腔在波導(dǎo)30的下表面33的入口高度出處，并在大于入口高度出的出口高度H2處距空腔入口距離L處結(jié)束。
[0062]寬度W1和高度出的值被選擇為與具有特征阻抗Z。(典型地為50Ω )的微帶傳輸線的幾何特征相匹配，這將在介電材料與波導(dǎo)所用相同且厚度為出的介電基片上產(chǎn)生，其中微帶寬度將等于W1。特征阻抗的這個選擇，以及因此的尺寸WjPH1的選擇，是用來確保與其自身具有特征阻抗Zc的印刷傳輸線的好的匹配的條件。
[0063]隨后空腔沿著加寬輪廓Φ’(在圖2d中彎曲)沿著波導(dǎo)的縱向軸線在長度L上擴(kuò)大。
[0064]如上所述，空腔的入口是在波導(dǎo)30的下表面33的入口高度出處，并在大于入口高度^的出口高度H2處距空腔入口距離L處結(jié)束，并且呈現(xiàn)出側(cè)面輪廓Φ”(在圖2c中彎曲)。
[0065]在一個優(yōu)選的方式中，空腔40距入口距離L處結(jié)束并具有橫截面，該橫截面的尺寸他和出與該空腔形成于其中的矩形波導(dǎo)的尺寸相匹配。
[0066]有利地，空腔的長度L和入口輪廓Φ、側(cè)面輪廓Φ”和加寬輪廓Φ’的外觀逐漸與空腔的入口尺寸W1、Hi及其出口尺寸W2、H2相匹配。
[0067]由此，空腔呈現(xiàn)沿波導(dǎo)30的長度L增加的高度/寬度對。
[0068]此外，為了避免在電連接50和金屬化波導(dǎo)的下表面之間的任何電接觸，圍繞該電連接的局部區(qū)域37未金屬化。
[0069]圖3a、3b和3c分別說明在圖2d中的截面AA’、截面BB’和截面CC’的視圖，其再次說明了空腔的加寬。在入口處的寬度W1小于在波導(dǎo)30的中間截面取的寬度W甚至比在空腔40的出口處取的寬度W2更小。
[0070]類似地，在入口處的高度H1小于在中間截面中沿截面BB ’取的高度H，甚至比在空腔40的出口處取的高度H2更小。因此如上所述，空腔呈現(xiàn)沿波導(dǎo)30的長度L增加的高度/寬度對。
[0071 ]入口輪廓，加寬輪廓和側(cè)面輪廓可以采取幾種形式。
[0072]入口輪廓可以具有豎直直線邊緣(圖4a)、斜直線邊緣(圖4b)、凹邊緣(圖4c)、凸邊緣(圖4d)、或波形邊緣(圖4e)。
[0073]加寬輪廓可以是直線的(圖5a)、凹的(圖5b)、凸的(圖5c)或波形的(圖5d)。
[0074]側(cè)面輪廓可以是直線的(圖6a)、凹的(圖6b)、凸的(圖6c)或波形的(圖6d)。
[0075]現(xiàn)將給出與本發(fā)明相符的過渡裝置的幾個實施方式的描述。
[0076]圖7a和7b分別說明了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖。
[0077]根據(jù)該第一實施方式，介電基片20包括前表面21和平行于該前表面的后表面22，所述前表面包括形成接地平面的導(dǎo)電沉積物210，所述后表面上印有傳輸線10。此外，波導(dǎo)30布置在接地平面210上，并且介電基片包括配置用于給空腔40的入口帶來電連接50的凹口 23。此外，該波導(dǎo)在其下表面上包括在電連接50高度處的未金屬化的局部區(qū)域37，用以防止在電連接和波導(dǎo)的下表面之間的任何電接觸。
[0078]圖8a和Sb分別說明了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的過渡裝置的側(cè)視圖和前視圖。
[0079]根據(jù)該第二實施方式，介電基片20包括前面21和平行于該前表面的后表面22，所述前表面包括形成接地平面的導(dǎo)電沉積物210，所述后表面上印有傳輸線10。此外，波導(dǎo)30布置在介電基片的后表面上。為了將波導(dǎo)的下表面連接至介