觸摸屏及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控技術領域，特別是涉及一種觸摸屏及其制備方法。
【背景技術】
[0002]ITOdndium Tin Oxide,氧化銦錫)透明導電薄膜是一種N型半導體材料,其對可見光吸收小，且具有較高的可見光透過率、中遠紅外波段優(yōu)良的紅外反射性能及微波衰減性能、高機械硬度和良好的化學穩(wěn)定性，成為了光電器件應用領域非常重要的光學元件。
[0003]傳統(tǒng)觸摸屏一般是采用透明光學膠(Optically Clear Adhesive, OCA)將蓋板玻璃和導電薄膜進行貼合，形成0CA/IT0及0CA/PET界面。但是因為各不同介質界面間存在界面反射，導致觸摸屏可視區(qū)存在較高的反射，嚴重影響了面板的顯示效果。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要針對上述問題，提供一種可以有效減少觸摸屏可視區(qū)的反射的觸摸屏及其制備方法。
[0005]一種觸摸屏，包括:
[0006]基材，包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
[0007]減反膜，包括至少一高折射率層及至少一低折射率層，所述高折射率層與所述低折射率層在所述基材的第一表面依次交替層疊；
[0008]導電層，設置于所述減反膜背向于所述第一表面的表面，使所述減反膜位于所述導電層與所述基材之間。
[0009]在其中一個實施例中，所述高折射率層的材質為五氧化二鈮、二氧化鈦、三氧化二鋁、硫化鋅、三氧化二釔或二氧化鋯，所述低折射率層的材質為二氧化硅。
[0010]在其中一個實施例中，所述減反膜包括一層五氧化二鈮層和兩層二氧化硅層，五氧化二鈮層位于兩層二氧化硅層之間。
[0011]—種觸摸屏的制備方法，包括以下步驟:
[0012]提供基材，所述基材包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
[0013]在所述基材的第一表面形成減反膜，所述減反膜包括至少一高折射率層及至少一低折射率層，所述高折射率層與所述低折射率層依次交替層疊；
[0014]在所述減反膜背向于所述第一表面的表面形成導電層，使所述減反膜位于所述導電層與所述基材之間。
[0015]在其中一個實施例中，所述高折射率層的材質為五氧化二鈮、二氧化鈦、三氧化二鋁、硫化鋅、三氧化二釔或二氧化鋯，所述低折射率層的材質為二氧化硅。
[0016]在其中一個實施例中，所述步驟“在所述基材的第一表面形成減反膜，所述減反膜包括至少一高折射率層及至少一低折射率層，所述高折射率層與所述低折射率層依次交替層疊”具體包括:
[0017]在所述基材的第一表面采用真空鍍膜的方式形成一層二氧化硅層；
[0018]在所述二氧化硅層背向于所述第一表面的一面采用真空鍍膜的方式形成一層五氧化二鈮層；
[0019]在所述五氧化二鈮層背向于所述二氧化硅層的一面采用真空鍍膜的方式形成一層二氧化硅層。
[0020]在其中一個實施例中，所述步驟“在所述基材的第一表面采用真空鍍膜的方式形成一層二氧化硅層”及步驟“在所述五氧化二鈮層背向于所述二氧化硅層的一面采用真空鍍膜的方式形成一層二氧化硅層”具體均包括:
[0021]采用二氧化硅作為靶材，純度為90.00%?99.99%，靶材直徑為1cm?12cm，濺射鍍膜時二氧化硅靶材距基材距離為4cm?6cm，鍍膜時的本底真空度為1.0X 10 3Pa?2.0X10 3Pa,濺射氣壓為0.8Pa?1.2Pa，工作氣體為氧氣和氬氣混合氣體，射頻電源功率為 0.8kff ?1.2kff0
[0022]在其中一個實施例中，所述步驟“在所述二氧化硅層背向于所述第一表面采用真空鍍膜的方式形成一層五氧化二鈮層”具體包括:
[0023]采用金屬鈮作為靶材，純度為90.00%?99.99%，靶與基材的距離為1cm?12cm，濺射功率為3.5kff?4.0kff,濺射前真空腔的氣壓為2.0 X 10 4Pa?5.0 X 10 4Pa,濺射過程中以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應氣體，真空氣壓為0.2Pa?IPa。
[0024]在其中一個實施例中，所述步驟“在所述減反膜背向于所述第一表面的表面形成導電層”具體包括:
[0025]采用真空鍍膜的方式在所述減反膜背向于所述第一表面的表面形成ITO導電層，所用的ITO靶材組成包括In2O3和SnO2, In2O3含量為80 %?90 %，純度為90.00 %?99.99 %，靶材直徑為8cm?1cm ;真空鍍膜時間為1.5min?2min，鍍膜時真空度為1.0X10 3Pa ~ 2.0X10 3Pa,氬氣壓強為 0.3Pa ?IPa，氬氣流量為 12.0cmVmin ?15cm3/min，濺射功率為120W?180W，常溫條件下實現鍍膜，鍍膜時間為1.5min?2min。
[0026]在其中一個實施例中，在所述第一表面形成導電層步驟之前還包括對基材進行清洗的步驟，具體包括:
[0027]丙酮超聲清洗,時間為5min?1min,以去除基材表面的油脂；
[0028]乙醇超聲清洗，時間為2min?5min，以去除基材表面的殘余丙酮；
[0029]第一次去離子水沖洗，時間為2min?5min，以去除基材表面的殘留乙醇；
[0030]將基材置于1#液中以110°C?130°C煮洗，直至H2O2完全揮發(fā)，溶液冒白煙，以去除基材表面的有機物，所述1#液為質量配比為硫酸:H202 = 3:1的溶液；
[0031]第二次去離子水沖洗，時間為1min?15min ；
[0032]將基材置于2#液中以75°C?85°C煮洗，時間為1min?20min，利用氨水絡合作用去除重金屬雜質，所述2#液為質量配比為氨水=H2O2:H20 = I:1:6的溶液；
[0033]第三次去離子水沖洗，時間為5min?1min ；
[0034]將基材置于3#液中以75°C?85°C煮洗，煮至H2O2完全揮發(fā)，以去除基材表面的金屬離子，所述3#液為質量配比為HCl =H2O2 =H2O = I:1:6的溶液；
[0035]第四次去離子水沖洗，時間為5min?1min ；
[0036]將基材置于10%的氫<氟酸中煮洗,時間為5s?1s,以去除基材表面氧化層；
[0037]第五次去離子水沖洗，時間為20min ；
[0038]清洗后的基材在氮氣氛圍中利用紅外燈加熱烘干，時間為Ih?2h，烘干后在氮氣氛圍中保存?zhèn)溆谩?br>[0039]上述觸摸屏，由于在基材及導電層之間設置了減反膜層結構，避免了形成0CA/IT0及0CA/PET界面，有效減少了反射；而且減反膜包括依次交替層疊的至少一高折射率層和至少一低折射率層，增大了導電層的光透過率，進一步有效減少了觸摸屏可視區(qū)的反射，消除了可視區(qū)與非可視區(qū)的色差，提升了顯示品質。
[0040]上述觸摸屏的制備方法，通過在基材及導電層之間形成減反膜，避免了形成OCA/ITO及0CA/PET界面，有效減少了反射；而且減反膜包括依次交替層疊的至少一高折射率層和至少一低折射率層，可從根本上改變導電層與基材之間的干涉條件，提高觸摸屏的光透過率，有效減少了觸摸屏可視區(qū)的反射，消除了可視區(qū)與非可視區(qū)的色差，提升了顯示品質。
【附圖說明】
[0041]圖1為一實施方式中觸摸屏的結構示意圖；
[0042]圖2為傳統(tǒng)觸摸屏的反射率(曲線I)與增設減反膜后的觸摸屏(曲線2)的反射率曲線對比圖，其中橫軸的參數表示波長，縱軸的參數表示反射率；
[0043]圖3為一實施方式中觸摸屏的制備方法的流程示意圖；
[0044]圖4為圖3中步驟S120的具體操作流程示意圖；
[0045]圖5為圖3中步驟S130的具操作流程示意圖。
【具體實施方式】
[0046]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本