空間電荷轉(zhuǎn)移化合物和使用其的有機發(fā)光二極管和顯示裝置的制造方法
【專利說明】空間電荷轉(zhuǎn)移化合物和使用其的有機發(fā)光二極管和顯示裝置 巧001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2014年12月5日提交的大韓民國專利申請10-2014-0173911號和2015 年10月15日提交的大韓民國專利申請10-2015-0144199號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，在此通過援引 分別將其全部完整并入。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明的實施方式設(shè)及有機發(fā)光二極管(OLED)，更具體而言，設(shè)及具有優(yōu)異的發(fā) 光效率的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物和使用該空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的OL邸和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0004] 對于大尺寸顯示裝置的需求促進了平板顯示裝置作為圖像顯示裝置的發(fā)展。在平 板顯示裝置中，OL邸得到快速發(fā)展。
[000引在化抓中，當(dāng)來自陰極(作為電子注入電極）的電子和來自陽極(作為空穴注入電 極)的空穴注入發(fā)光材料層時，電子和空穴復(fù)合并變消失，使得從化邸發(fā)光。柔性基板，例如 塑料基板，可W用作化ED的基體基板，并且化抓具有優(yōu)異的驅(qū)動電壓、能耗和色純度的特 性。
[0006] OLm)包含位于基板上作為陽極的第一電極、與第一電極相對的作為陰極的第二電 極和位于其間的有機發(fā)光層。
[0007] 為了改善發(fā)光效率，有機發(fā)光層可W包含依次層疊在第一電極上的空穴注入層 化IL)、空穴傳輸層化TL)、發(fā)光材料層化ML)、電子傳輸層化TL)和電子注入層化IL)。
[000引空穴由第一電極經(jīng)HIL和OTL轉(zhuǎn)移到EML中，電子由第二電極經(jīng)EIL和El^轉(zhuǎn)移到EML 中。
[0009]電子和空穴在EML中復(fù)合產(chǎn)生激子，激子由激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)從而發(fā)光。
[0010 ] EML的發(fā)光材料的外量子效率(IW)可W表示為：
[001 1 ] Hext -化nt X 廠 X O X n〇ut-coupling
[0012] 在上式中，"runt"為內(nèi)量子效率，"r"為電荷平衡系數(shù)，"巫"為福射量子效率， 、out-co叩ling"為取出效率。
[0013] 電荷平衡系數(shù)V'指的是產(chǎn)生激子時空穴和電子之間的平衡。通常，假定空穴和電 子1:1匹配，則電荷平衡系數(shù)的值為"1"。福射量子效率"為與發(fā)光材料的有效發(fā)光效率 有關(guān)的值。在主體-滲雜劑體系中，福射量子效率取決于滲雜劑的巧光量子效率。
[0014] 內(nèi)量子效率"runt"是產(chǎn)生光的激子與由空穴和電子復(fù)合產(chǎn)生的激子之比。在巧光 化合物中，內(nèi)量子效率的最大值為0.25。當(dāng)空穴和電子復(fù)合產(chǎn)生激子時，單重態(tài)激子與=重 態(tài)激子之比根據(jù)自旋結(jié)構(gòu)為1:3。不過，在巧光化合物中，僅有單重態(tài)激子而非=重態(tài)激子 參與發(fā)光。
[001引取出效率"rw-coupi W'是顯示裝置發(fā)出的光與EML發(fā)出的光之比。當(dāng)在熱蒸鍛方法 中沉積各向同性化合物形成薄膜時，發(fā)光材料隨機取向。在此情況下，顯示裝置的取出效率 可W假定為0.2。
[0016] 因此，包含巧光化合物作為發(fā)光材料的OL邸的最大發(fā)光效率小于約5%。
[0017] 為了克服巧光化合物的發(fā)光效率的缺點，對于化邸已開發(fā)出單重態(tài)激子和S重態(tài) 激子二者都參與發(fā)光的憐光化合物。
[0018] 已提出并發(fā)展了具有較高效率的紅色和綠色憐光化合物。不過，尚沒有滿足發(fā)光 效率和可靠性要求的藍色憐光化合物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 因此，本發(fā)明的實施方式設(shè)及空間電荷轉(zhuǎn)移化合物和使用該空間電荷轉(zhuǎn)移化合物 的OL邸和顯示裝置，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0020] 本發(fā)明的實施方式的一個目的是提供具有高發(fā)光效率的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物。
[0021] 本發(fā)明的實施方式的另一個目的是提供具有改善的發(fā)光效率的OLED和顯示裝置。
[0022] 本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在后續(xù)的說明中闡述，部分將由該說明而明顯，或者 可通過實施本發(fā)明而領(lǐng)會。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點將由撰寫的說明書和其權(quán)利要求W及 附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和達到。
[0023] 為了實現(xiàn)運些和其他優(yōu)點W及根據(jù)本文體現(xiàn)和寬泛地說明的本發(fā)明的實施方式 的目的，本發(fā)明的實施方式設(shè)及一種空間電荷轉(zhuǎn)移化合物，其包含對環(huán)芳燒核、選自由巧挫 和二苯基胺組成的組中的電子供體部分，和選自由喀晚、二苯基=嗦和=挫組成的組中的 電子受體部分，其中，所述電子供體部分和所述電子受體部分分別經(jīng)連接基（linker)或不 經(jīng)連接基而與所述對環(huán)芳燒核間接或直接結(jié)合。
[0024] 本發(fā)巧的連施方式還徙及一種巧間由荷轉(zhuǎn)務(wù)化合物：
[0025]
[0026]
[0027] 且A選自
其中，LI和L2各自選自
且nl和n2各自為0(零)或1，并且其中，R選自由氨和Cl烷基~ClO烷基組成的組。
[0028] 本發(fā)明的實施方式還設(shè)及一種有機發(fā)光二極管，其包含:第一電極、與第一電極相 對的第二電極，和位于第一電極和第二電極之間并包含空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的有機發(fā)光 層，其中，所述空間電荷轉(zhuǎn)移化合物包含對環(huán)芳燒核、選自由巧挫和二苯基胺組成的組中的 電子供體部分、和選自由喀晚、二苯基=嗦和=挫組成的組中的電子受體部分，其中，所述 電子供體部分和所述電子受體部分分別經(jīng)連接基或不經(jīng)連接基而與所述對環(huán)芳燒核間接 或直接結(jié)合。
[0029] 本發(fā)明的實施方式還設(shè)及一種有機發(fā)光二極管，其包含:第一電極、與第一電極相 對的第二由極，和位于第一由極和第二電極之間并包含空間電荷轉(zhuǎn)移化合物
的有機發(fā)光層，其中，
[0030] D 選
[0031 ] A進 其中，Ll和L2各自選自 且nl和n2各自為0(零)或I，并且其中，R選自由氨和Cl烷基~CIO烷基組成的組。
[0032] 本發(fā)明的實施方式還設(shè)及一種顯示裝置，其包含:基板;位于基板上的有機發(fā)光二 極管，該有機發(fā)光二極管包含第一電極、與第一電極相對的第二電極和位于第一電極和第 二電極之間并包含空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的有機發(fā)光層;位于有機發(fā)光二極管上的封裝膜； 和位于封裝膜上的蓋窗，其中，所述空間電荷轉(zhuǎn)移化合物包含對環(huán)芳燒核、選自由巧挫和二 苯基胺組成的組中的電子供體部分，和選自由喀晚、二苯基=嗦和=挫組成的組中的電子 受體部分，其中，所述電子供體部分和所述電子受體部分分別經(jīng)連接基或不經(jīng)連接基而與 所述對環(huán)芳燒核間接或直接結(jié)合。
[0033] 本發(fā)明的實施方式還設(shè)及一種顯示裝置，其包含:基板;位于基板上的有機發(fā)光二 極管，該有機發(fā)光二極管包含第一電極、與第一電極相對的第二電極和位于第一電極和第 二電極之間并包含式1的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的有機發(fā)光層;位于有機發(fā)光二極管上的封 裝膜;和位于封裝膜上的蓋窗，
[0034] 試1]
- .，.
[0035]
[0036]
[0037] 其中，Ll和L2各自選自 且nl和n2各自為0(零)或I，并且其中，R選自由氨和Cl烷基~CIO烷基組成的組。
[0038] 應(yīng)理解，前述一般說明和W下詳細(xì)說明均是示例并且是解釋性的，并意圖提供對 要求保護的發(fā)明的進一步說明。
【附圖說明】
[0039] 為了提供對本發(fā)明的進一步理解而包含附圖并將其并入構(gòu)成本說明書的一部分， 附圖圖示了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起啟起到解釋本發(fā)明原理的作用。
[0040] 圖1是說明本發(fā)明的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的發(fā)光機理的圖示。
[0041] 圖2A~2C是顯示本發(fā)明的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物的延遲巧光性質(zhì)的圖。
[0042] 圖3是本發(fā)明的有機發(fā)光二極管(OLED)的截面示意圖。
【具體實施方式】
[0043] 本說明書中記載的術(shù)語的含義應(yīng)如下理解。
[0044] 單數(shù)形式應(yīng)理解為也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確規(guī)定。術(shù)語"第一"、"第 二"等用于將任一要素與其他要素區(qū)分開，并不意圖使本發(fā)明的范圍受到運些術(shù)語的限制。 術(shù)語"包含"、"包括"等應(yīng)理解為不排除一個W上其他特征、整體、步驟、操作、要素、成分或 其組合的存在或加入。術(shù)語"至少一個"應(yīng)理解為包括由一個或多個關(guān)聯(lián)項目可W啟示的所 有組合。例如，"選自第一項目、第二項目和第S項目的至少一個"的含義不僅包括第一項 目、第二項目和第=項目的每一個，而且包括由第一項目、第二項目和第=項目的兩個W上 可W啟示的運些項目的所有組合。另外，當(dāng)任一要素被稱為在另一要素"之上"時，其可W直 接位于另一要素的上表面上或者也可能存在第=中間要素。
[004引現(xiàn)將詳細(xì)介紹示例性實施方式，其實例在附圖中進行圖示。
[0046] 本發(fā)明的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物具有電子供體部分和電子受體部分經(jīng)連接基或不 經(jīng)連接基而與對環(huán)芳燒核結(jié)合或連接的結(jié)構(gòu)。該空間電荷轉(zhuǎn)移化合物可W具有下式1。
[0047] 「古 11
[004引
[0049] 在式1中，nl和n2各自為0(零)或1。也就是，式1的空間電荷轉(zhuǎn)移化合物具有選自下 式2-1~2-4的結(jié)構(gòu)。
[0050] [式 2-1]
[00!
[001
[001
[001
[001
[00!
[00!
[0058]也就是，該空間電荷轉(zhuǎn)移化合物可W具有如式2-1那樣的電子供體部分"護和電子 受體部分"A"直接與對環(huán)芳燒核結(jié)合或連接(nl=n2 = 0)的第一結(jié)構(gòu)，或如式2-2那樣的電 子供體部分"護和電子受體部分"A"經(jīng)連接基"LI"和"L2"與對環(huán)芳燒核結(jié)合或連接(nl =n2 =1)的第二結(jié)構(gòu)。作為另選，該空間電荷轉(zhuǎn)移化合物可W具有如式2-3那樣的電子供體部分 "護經(jīng)連接基"L2"結(jié)合到對環(huán)芳燒核且電子受體部分"A"直接與對環(huán)芳燒核結(jié)