中，對于與本發(fā)明的第一實施例重復(fù)之處省略說明。
[0039]第三實施例中的傳感器件I使用PNP雙極型晶體管(此后稱為PNP晶體管)15、PNP晶體管17代替第一實施例的傳感器件I中的PM0S12和PM0S13。將PNP晶體管15的發(fā)射極與電源端子2連接，將PNP晶體管15的集電極與信號處理電路11連接，將PNP晶體管15的基極與PNP晶體管17的發(fā)射極連接。PNP晶體管17的集電極和基極與GND連接。通常時，基極電流Ibl、Ib2流過PNP晶體管15和PNP晶體管17，所以成為導(dǎo)通狀態(tài)，供給電壓Vs低于PNP晶體管17的閾值電壓Vth時，PNP晶體管17成為截止?fàn)顟B(tài)，同時，PNP晶體管15的基極電壓和集電極電壓成為相同電位。因此，即使PNP晶體管15的發(fā)射極電壓相對于集電極電壓向負(fù)側(cè)變動，PNP晶體管15也不會導(dǎo)通，信號處理電路11中蓄積的電荷被維持。因此，能夠使供給電壓Vs維持在PNP晶體管17的閾值電壓Vth附近。本實施例的傳感器件能夠得到與第一實施例中的傳感器件同樣的效果。進(jìn)而，因為雙極型晶體管能夠流動比MOSFET更大的電流，所以適于耗電大的傳感器件。
[0040]用圖4說明本發(fā)明的第四實施例的傳感器件。圖4表示第四實施例的傳感器件的結(jié)構(gòu)。其中，對于與本發(fā)明的第一實施例重復(fù)之處省略說明。
[0041]第四實施例中的傳感器件I使用PN結(jié)二極管18代替第一實施例的傳感器件I中的PMOS13。將電阻14與PMOS12的柵極的連接點與PN結(jié)二極管18的陽極連接，PN結(jié)二極管18的陰極與GND連接。通常時，正向電流I d流過PN結(jié)二極管18，所以PMOS12導(dǎo)通。供給電壓Vs低于PN結(jié)二極管18的正向電壓Vd時，正向電流Id被PN結(jié)二極管18限制，PM0S12的柵極與漏極成為相同電位。因此，即使PM0S12的源極電壓相對于漏極電壓向負(fù)側(cè)變動，PM0S12也不會導(dǎo)通，信號處理電路11中蓄積的電荷被維持。因此，能夠使供給電壓Vs維持在PN結(jié)二極管18的正向電壓Vd附近。本實施例的傳感器件能夠得到與第一實施例的傳感器件同樣的效果。
[0042]用圖5說明本發(fā)明的第五實施例的傳感器件。圖5表示第五實施例的傳感器件的結(jié)構(gòu)。其中，對于與本發(fā)明的第一實施例重復(fù)之處省略說明。
[0043]第五實施例中的傳感器件I是對于第四實施例的傳感器件I中的PN結(jié)二極管18串聯(lián)連接了 PN結(jié)二極管18b的結(jié)構(gòu)。由此，在供給電壓Vs降低而不足PN結(jié)二極管18、18b的正向電壓Vd的2倍值時，正向電流Id被限制，PMOS12的柵極與漏極成為相同電位。因此，即使PM0S12的源極電壓相對于漏極電壓向負(fù)側(cè)變動，PM0S12也不會導(dǎo)通，信號處理電路11中蓄積的電荷被維持。因此，能夠使供給電壓Vs維持在PN結(jié)二極管18、18b的正向電壓Vd的2倍值附近。本實施例的傳感器件在第一實施例中的傳感器件的效果之外還具有以下效果。即，能夠與PN結(jié)二極管的串聯(lián)數(shù)相應(yīng)地調(diào)整供給電壓Vs的保持電壓這一點。
[0044]另外，上述調(diào)整保持電壓的技術(shù)也能夠使用P型場效應(yīng)晶體管或PNP雙極型晶體管來實現(xiàn)。例如，如圖9所示，有在第一實施例中的傳感器件I的PMOSl3的漏極與GND之間還追加PM0S13b，將PM0S13的柵極和漏極與PM0S13b的源極連接，將PM0S13b的柵極和漏極與GND連接的方法。另外，如圖10所示，有在第三實施例中的傳感器件I的PNP晶體管17的集電極與GND之間還追加PNP晶體管17b，將PNP晶體管17的基極和集電極與PNP晶體管17b的發(fā)射極連接，將PNP晶體管17b的基極和集電極與GND連接的方法。使用上述各結(jié)構(gòu)的情況下也能夠調(diào)整供給電壓Vs的保持電壓。
[0045]符號說明
[0046]I:傳感器件，2:電源端子，3:GND端子，10:傳感器電路，11:信號處理電路，12:MOSFET，13 =MOSFET，14:電阻，15:晶體管，16:電容器，17:晶體管，18: 二極管，19: 二極管，20:傳感元件。
【主權(quán)項】
1.一種傳感器件，其特征在于，包括: 電特性與物理量相應(yīng)地變化的傳感元件； 對所述傳感元件的輸出信號進(jìn)行處理的信號處理電路； 位于電源端子與所述信號處理電路之間的晶體管元件； 將所述晶體管元件的漏極與柵極連接或者將所述晶體管元件的集電極與基極連接的電阻體;和 將所述晶體管元件的柵極或基極與GND連接的、具有閾值電壓的元件， 所述元件在向所述信號處理電路供給的供給電壓低于所述閾值電壓的情況下，限制從所述電阻體向GND的方向流動的電流。2.如權(quán)利要求1所述的傳感器件，其特征在于: 所述晶體管元件是第一場效應(yīng)晶體管， 將所述第一場效應(yīng)晶體管的源極與所述電源端子連接，將所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極與所述信號處理電路連接，所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極經(jīng)所述元件與所述GND連接。3.如權(quán)利要求2所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是第二場效應(yīng)晶體管， 將所述第二場效應(yīng)晶體管的源極與所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極連接，將所述第二場效應(yīng)晶體管的漏極和柵極與所述GND連接。4.如權(quán)利要求3所述的傳感器件，其特征在于: 所述第一場效應(yīng)晶體管的阱與所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極連接， 所述第二場效應(yīng)晶體管的阱與所述第二場效應(yīng)晶體管的源極連接。5.如權(quán)利要求2所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是將多個場效應(yīng)型晶體管串聯(lián)連接而成的晶體管電路， 將所述晶體管電路的源極與所述第一晶體管的柵極連接，將所述晶體管電路的漏極和柵極與所述GND連接。6.如權(quán)利要求2所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是PN結(jié)二極管， 將所述二極管的陽極與所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極連接，將所述二極管的陰極與所述GND連接。7.如權(quán)利要求2所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是將多個PN結(jié)二極管串聯(lián)連接而成的二極管電路， 將所述二極管電路的陽極與所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極連接，將所述二極管電路的陰極與所述GND連接。8.如權(quán)利要求1所述的傳感器件，其特征在于: 所述晶體管元件是第一 PNP晶體管， 將所述第一 PNP晶體管的發(fā)射極與所述電源端子連接，將所述第一 PNP晶體管的集電極與所述信號處理電路連接，所述第一 PNP晶體管的基極經(jīng)所述元件與所述GND連接。9.如權(quán)利要求8所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是第二 PNP晶體管， 將所述第二 PNP晶體管的發(fā)射極與所述第一 PNP晶體管的基極連接， 將所述第二 PNP晶體管的集電極和基極與所述GND連接。10.如權(quán)利要求8所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是將多個PNP晶體管串聯(lián)連接而成的晶體管電路， 將所述晶體管電路的發(fā)射極與所述第一 PNP晶體管的基極連接， 將所述晶體管電路的集電極和基極與所述GND連接。11.如權(quán)利要求8所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是PN結(jié)二極管， 將所述二極管的陽極與所述第一 PNP晶體管的基極連接，將所述二極管的陰極與所述GND連接。12.如權(quán)利要求8所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件是將多個PN結(jié)二極管串聯(lián)連接而成的二極管電路， 將所述二極管電路的陽極與所述第一 PNP晶體管的基極連接，將所述二極管電路的陰極與所述GND連接。13.如權(quán)利要求1所述的傳感器件，其特征在于: 包括與所述信號處理電路并聯(lián)連接的電容器。14.如權(quán)利要求1所述的傳感器件，其特征在于: 所述元件的閾值電壓是所述處理電路的存儲器中存儲的信息以上的電壓值。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抑制了由負(fù)浪涌或電壓降低導(dǎo)致的誤動作的傳感器件。該傳感器件的特征在于，包括：電特性與物理量相應(yīng)地變化的傳感元件；對上述傳感元件的輸出信號進(jìn)行處理的信號處理電路；位于電源端子與上述信號處理電路之間的晶體管元件；將上述晶體管元件的漏極與柵極連接或者將上述晶體管元件的集電極與基極連接的電阻體；和將上述晶體管元件的柵極或基極與GND連接的、具有閾值電壓的元件，上述元件在向上述信號處理電路供給的供給電壓低于上述閾值電壓的情況下，限制從上述電阻體向GND的方向流動的電流。
【IPC分類】H03K17/16, H03K17/56, H02J1/00, H01L21/822, H01L27/04
【公開號】CN105659498
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】淺野哲, 松本昌大, 中野洋, 田代忍
【申請人】日立汽車系統(tǒng)株式會社
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年10月3日