模制基板填充通過半蝕刻引線框架的兩側(cè)形成的腔在模制基板中形成定義的圖案。
[0030]引線框架320進(jìn)一步包括第一多個(gè)電接觸表面328和第二多個(gè)電接觸表面329，如在圖3D和3E中所示的。圖3D和3E分別為麥克風(fēng)封裝300第一側(cè)302和第二側(cè)304的側(cè)視圖。第一多個(gè)電接觸表面328提供在引線框架320和第一多個(gè)柱凸塊340之間的連接點(diǎn)。這允許引線框架320和嵌入式管芯330之間的多個(gè)電連接。第二多個(gè)電接觸表面329提供電接觸點(diǎn)以將金屬蓋(未示出)連接到模制基板310。
[0031]組裝后的麥克風(fēng)封裝400包括，除其他組件外，圖3A-3E的麥克風(fēng)封裝300、MEMS管芯410、金屬蓋420、后體積430、第一多個(gè)導(dǎo)線440，以及第二多個(gè)導(dǎo)線445，如在圖4的橫截面?zhèn)伞鰣D示出的。MEMS管芯410包括，除其他組件外，第一側(cè)412、第二側(cè)414和多個(gè)暴露的電接觸表面416 JEMS管芯410的第二側(cè)414與MEMS管芯410的第一側(cè)412相對(duì)。多個(gè)暴露的電接觸表面416被定位在MEMS管芯410的第一側(cè)412上。MEMS管芯410的第二側(cè)414結(jié)合到引線框架320的第一側(cè)321。金屬蓋420被結(jié)合到引線框架320的第二多個(gè)接觸表面328。在一些實(shí)施方式中，接地的手指沿著麥克風(fēng)封裝400的邊緣暴露，以形成模制基板310和金屬蓋420之間的電磁干擾法拉第籠。這個(gè)籠完成組裝后的麥克風(fēng)封裝400的后體積430。在一些實(shí)施方式中，金屬蓋420到模制基板310的連接是用導(dǎo)電材料(例如銀填充的環(huán)氧樹脂)制成，用于金屬蓋420和模制基板310之間的適當(dāng)電接地。
[0032]第一多個(gè)導(dǎo)線440提供了第一多個(gè)柱凸塊340和引線框架320之間的電連接。這允許嵌入式管芯330和引線框架320之間的電連接。第二多個(gè)導(dǎo)線445提供第二多個(gè)柱凸塊345和MEMS管芯416的暴露的電接觸表面416之間的電連接。這允許嵌入式管芯330和MEMS管芯410之間的電連接。
[0033]在一些實(shí)施方式中，嵌入式管芯330被直接結(jié)合到引線框架320，如在圖5的橫截面?zhèn)纫晥D中所示。直接結(jié)合嵌入式管芯330到引線框架320(即，倒裝芯片結(jié)合)創(chuàng)建了更加機(jī)械剛性的但仍具有與上文討論的其他實(shí)施方式相同的電氣質(zhì)量的結(jié)構(gòu)。
[0034]為清楚起見，各個(gè)圖沒有示出填充不足或過模制的應(yīng)用。然而，之一或二者可以與上面討論的實(shí)施方式結(jié)合使用，以便提供對(duì)安裝在模制基板的第一側(cè)上的組件的環(huán)境或機(jī)械保護(hù)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 第一側(cè)； 與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)； 豐吳制基板； 嵌入到所述模制基板中的管芯，所述管芯包括被定位在所述管芯的第一側(cè)上的第一電接觸表面；以及 引線框架，其被嵌入所述模制基板中，并且被定位在所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間，以提供所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間的第一電連接。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述管芯還包括選自包括專用集成電路和硅管芯的組的至少一個(gè)組件。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述引線框架包括半蝕刻的第一側(cè)，所述半蝕刻的第一側(cè)基本上與所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平行。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一電接觸表面直接耦合到所述引線框架的所述半蝕刻的第一側(cè)。5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，還包括第一柱凸塊，所述第一柱凸塊 被嵌入所述模制基板中， 被定位在所述第一電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間，以提供在所述第一電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的第二電連接，并且與所述引線框架間隔開。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，還包括 第二管芯，所述第二管芯包括被定位在所述第二管芯的第一側(cè)上的第二電接觸表面和被定位在所述第二管芯的第一側(cè)上的第三電接觸表面； 第二柱凸塊，其被定位在所述第二電接觸表面和所述第一柱凸塊之間以提供在所述第二電接觸表面和所述第一柱凸塊之間的第三電連接;以及 第三柱凸塊，其被定位在所述第三電接觸表面和所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)之間以提供在所述第三電接觸表面和所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)之間的第四電連接。7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述管芯還包括被定位在所述管芯的第一側(cè)上并且平行于所述第一電接觸表面的第二電接觸表面，并且其中所述半導(dǎo)體封裝還包括 第二柱凸塊，所述第二柱凸塊 被嵌入所述模制基板中， 被定位在所述第二電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間，以提供在所述第二電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的第三電連接， 與所述引線框架間隔開；以及 第一導(dǎo)線，其耦合到所述第二柱凸塊和所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)。8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述引線框架還包括與所述半蝕刻的第一側(cè)相對(duì)并且基本上平行于所述半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)的半蝕刻的第二側(cè)。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)和半蝕刻的第二側(cè)具有選自包括端口孔結(jié)構(gòu)和密封環(huán)結(jié)構(gòu)的組的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，還包括 MEMS管芯，所述MEMS管芯包括第一側(cè)、與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)、和被定位在所述MEMS管芯的第一側(cè)上的第三電接觸表面，并且所述MEMS管芯的第二側(cè)耦合到所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)；以及 耦合到所述第一柱凸塊和所述第三電接觸表面的第一導(dǎo)線。11.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，所述半導(dǎo)體封裝包括第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)，所述方法包括: 提供模制基板； 將管芯嵌入到所述模制基板中，所述管芯包括被定位在所述管芯的第一側(cè)上的第一電接觸表面；以及 將引線框架嵌入到所述模制基板中，所述引線框架被定位在所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間，以提供所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間的第一電連接。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述管芯還包括選自包括專用集成電路和硅管芯的組的至少一個(gè)組件。13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括半蝕刻所述引線框架的基本上與所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)平行的第一側(cè)。14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括將所述第一電接觸表面直接耦合到所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)。15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括 將第一柱凸塊嵌入所述模制基板中；以及 將所述第一柱凸塊定位在所述管芯的第一電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間，以提供在所述第一電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的第二電連接，并且將所述第一柱凸塊定位成與所述引線框架間隔開。16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括 將第二柱凸塊耦合到所述第一柱凸塊； 將所述第二柱凸塊耦合到第二電接觸表面以提供在所述第二柱凸塊與所述第二電接觸表面之間的第三電連接，所述第二電接觸表面被定位在第二管芯的第一側(cè)上； 將第三柱凸塊耦合到所述第二管芯；以及 將所述第三柱凸塊耦合到所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述管芯還包括被定位在所述管芯的第一側(cè)上并且平行于所述第一電接觸表面的第二電接觸表面，并且所述方法還包括 將第二柱凸塊嵌入所述模制基板中， 將所述第二柱凸塊定位在所述第二電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間，以提供在所述第二電接觸表面和所述半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)之間的第三電連接，并且將所述第二柱凸塊定位成與所述引線框架間隔開； 將第一導(dǎo)線耦合到所述第二柱凸塊；以及 將所述第一導(dǎo)線耦合到所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)。18.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括半蝕刻所述引線框架的與所述半蝕刻的第一側(cè)相對(duì)的并且基本上平行于所述半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)的第二側(cè)。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)和半蝕刻的第二側(cè)具有選自包括端口孔結(jié)構(gòu)和密封環(huán)結(jié)構(gòu)的組的至少一個(gè)結(jié)構(gòu)。20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括 將第一導(dǎo)線耦合到所述第一柱凸塊； 將所述第一導(dǎo)線耦合到第三電接觸表面，所述第三電接觸表面被定位在MEMS管芯的第一側(cè)上；以及 將所述MEMS管芯的第二側(cè)耦合到所述引線框架的半蝕刻的第一側(cè)，所述MEMS管芯的第二側(cè)與所述MEMS管芯的第一側(cè)相對(duì)。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝包括第一側(cè)、第二側(cè)、模制基板、管芯和引線框架。半導(dǎo)體封裝的第二側(cè)與半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)相對(duì)。管芯和引線框架被嵌入到模制基板中。引線框架也被定位在半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間，以提供半導(dǎo)體封裝的第一側(cè)和第二側(cè)之間的第一電連接。
【IPC分類】H01L23/498, H04R19/00, H04R19/04
【公開號(hào)】CN105659379
【申請(qǐng)?zhí)枴?br>【發(fā)明人】J.S.薩蒙, U.漢森
【申請(qǐng)人】羅伯特·博世有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請(qǐng)日】2014年8月29日