量子點發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種量子點發(fā)光器件及其制備方法及液晶顯示裝置。
【背景技術】
[0002]量子點發(fā)光器件，比如，量子點發(fā)光二極管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域廣、色純度高、穩(wěn)定性好、低功耗、低成本等優(yōu)點被譽為新一代照明器件。由于量子點發(fā)光器件的量子點膜厚較薄和量子點材料的團聚效應，量子點發(fā)光層中的量子點發(fā)光材料之間存在較大的空隙，從而導致量子點發(fā)光器件的漏電流較大，進而導致量子點發(fā)光器件的性能較差。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明提供一種量子點發(fā)光器件，所述量子點發(fā)光器件包括基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極、所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層、所述電子傳輸層及所述陰極設置在所述基板的同側，所述陽極與所述陰極相對且間隔設置，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層及所述電子傳輸層夾設在所述陽極與所述陰極之間，且所述空穴傳輸層的一面與所述陽極相連，所述發(fā)光層及所述電子傳輸層依次層疊設置在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面，且所述電子傳輸層遠離所述發(fā)光層的一面與所述陰極相連，所述陽極用于提供空穴，所述空穴傳輸層用于將所述空穴傳輸至所述發(fā)光層，所述陰極用于提供電子，所述電子傳輸層用于將所述電子傳輸至所述發(fā)光層，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復合以發(fā)光，其中，所述發(fā)光層包括量子點發(fā)光材料及有機小分子發(fā)光材料，所述有機小分子發(fā)光材料填充所述量子點發(fā)光材料之間的間隙。
[0004]其中，所述陽極遠離所述空穴傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陽極為透明電極，所述陰極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復合發(fā)出的光線自所述基板遠離所述陽極的表面出射。
[0005]其中，所述陽極包括ITO，所述陰極包括Al。
[0006]其中，所述陰極的厚度為100?150nm。
[0007]其中，所述陰極遠離所述電子傳輸層的一面設置在所述基板上，所述陰極為透明電極，所述陽極為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層中復合發(fā)出的光線自所述基板遠離所述陰極的表面出射。
[0008]其中，所述發(fā)光層包括層疊設置的第一子發(fā)光層及第二子發(fā)光層，所述第一子發(fā)光層的一面與在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一面接觸，所述第二子發(fā)光層的一面與所述電子傳輸層遠離所述陰極的一面接觸，所述第一子發(fā)光層包括量子點發(fā)光材料及有機小分子發(fā)光材料，所述第二子發(fā)光層包括有機小分子發(fā)光材料。
[0009]其中，所述空穴傳輸層包括PED0T:PSS或者P型金屬氧化物納米粒子，其中，所述P型金屬氧化物納米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一種或者多種。[00?0]其中，所述空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0011]本發(fā)明還提供了一種量子點發(fā)光器件的制備方法，所述量子點發(fā)光器件的制備方法包括:
[0012]提供基板，在所述基板的表面形成陽極；
[0013]在所述陽極遠離所述基板的表面涂布空穴傳輸材料以形成空穴傳輸層；
[0014]在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的表面沉積量子點發(fā)光材料；
[0015]在所述量子點發(fā)光材料遠離所述空穴傳輸層的表面沉積有機小分子發(fā)光材料，所述有機小分子發(fā)光材料填充所述量子點發(fā)光材料的間隙，以形成發(fā)光層；
[0016]在所述發(fā)光層遠離所述空穴傳輸層的表面涂布電子傳輸材料以形成電子傳輸層；
[0017]在所述電子傳輸層遠離所述發(fā)光層的表面形成陰極。
[0018]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括如權利要求1?8任意一項所述的量子點發(fā)光器件。
[0019]相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的量子點發(fā)光器件的發(fā)光層包括量子點發(fā)光材料及有機小分子發(fā)光材料，且有機小分子發(fā)光材料填充量子點發(fā)光材料之間的間隙。因此，減小了量子點發(fā)光材料之間的間隙，減低了所述量子點發(fā)光器件的漏電流，提高了量子點發(fā)光器件的性能。進一步地，有機小分子發(fā)光材料可以自主發(fā)光來提高所述量子點發(fā)光器件的發(fā)光亮度，且可以通過能量轉移的方式提高量子點的發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的結構示意圖。
[0022]圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的制備方法的流程圖。
[0023]圖3為本發(fā)明一較佳實施方式的液晶顯示裝置的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0025]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的量子點發(fā)光器件的結構示意圖。所述量子點發(fā)光器件100包括基板110、陽極120、空穴傳輸層130、發(fā)光層140、電子傳輸層150及陰極160。所述陽極120、所述空穴傳輸層130、所述發(fā)光層140、所述電子傳輸層150及所述陰極160設置在所述基板110的同側。所述陽極110與所述陰極160相對且間隔設置，所述空穴傳輸層130、所述發(fā)光層140及所述電子傳輸層150夾設在所述陽極120與所述陰極160之間，且所述空穴傳輸層130的一面與所述陽極120相連，所述發(fā)光層140及所述電子傳輸層150設置在所述空穴傳輸層130遠離所述陽極110的一面，且所述電子傳輸層150遠離所述發(fā)光層140的一面與所述陰極160相連。所述陽極120用于提供空穴，所述空穴傳輸層130用于將所述空穴傳輸至所述發(fā)光層140。所述陰極160用于提供電子，所述電子傳輸層150用于將所述電子傳輸至所述發(fā)光層140。所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復合以發(fā)光，其中，所述發(fā)光層140包括量子點發(fā)光材料及有機小分子發(fā)光材料，所述有機小分子發(fā)光材料填充所述量子點發(fā)光材料之間的間隙。
[0026]所述基板110為透明基板，所述基板110可以為但不僅限于為玻璃、塑料基板等。
[0027]本發(fā)明所提到的有機小分子發(fā)光材料通常指的是分子量為500?2000的有機發(fā)光材料。
[0028]在本實施方式中，所述陽極120遠離所述空穴傳輸層130的一面設置在所述基板110上，所述陽極120為透明電極，所述陰極160為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復合發(fā)出的光線自所述基板110遠離所述陽極120的表面出射。在一實施方式中，所述陽極120包括氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)所述陰極160包括但不僅限于招(Al)，所述緊急160的厚度為額00?150nmo
[0029]可以理解地，在其他實施方式中，所述陰極160遠離所述電子傳輸層150的一面設置在所述基板110上，所述陰極160為透明電極，所述陽極120為金屬電極，所述空穴和所述電子在所述發(fā)光層140中復合發(fā)出的光線自所述基板110遠離所述陰極160的表面出射。
[0030]所述發(fā)光層140包括層疊設置的第一子發(fā)光層141及第二子發(fā)光層142。所述第一子發(fā)光層141的一面與所述空穴傳輸層130遠離所述陽極120的一面接觸，所述第二發(fā)光層142的一面與所述電子傳輸層150遠