電性連接；
第三導(dǎo)電柱233，與第一線路層21中的第三線路213和第二線路層22中的第五線路222電性連接；
第四導(dǎo)電柱234，與第二線路層22中的第四線路221電性連接。
[0029]通過(guò)上述芯片排布、線路層及導(dǎo)電柱的設(shè)置，即可實(shí)現(xiàn)保護(hù)型橋式整流電路，第一導(dǎo)電柱231和第二導(dǎo)電柱232作為交流輸入端，相當(dāng)于圖6中的輸入交流正極a和輸入交流負(fù)極b，第三導(dǎo)電柱233和第四導(dǎo)電柱234作為直流輸出端，相當(dāng)于圖6中的輸出直流正極c和輸出直流負(fù)極d。
[0030]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施方式中芯片單元10以4個(gè)整流二極管和2個(gè)雙向瞬態(tài)抑制管的橋式整流電路為例進(jìn)行說(shuō)明，在其他實(shí)施方式中也可以為其他形式的整流電路，其排列方式并不限于本實(shí)施方式中的排列方式。同時(shí)，線路層和導(dǎo)電柱并不限于本實(shí)施方式中的第一線路層、第二線路層和導(dǎo)電柱的結(jié)構(gòu)，也可以采用其他結(jié)構(gòu)的等效線路層及導(dǎo)電柱。只需通過(guò)設(shè)計(jì)，將封裝結(jié)構(gòu)的等效電路等效于圖6中的橋式整流模塊，均可以達(dá)到本實(shí)施方式中的目的。
[0031]進(jìn)一步地，在其他實(shí)施方式中，整流模塊并不限于圖6中橋式整流模塊，還可以為其他整流模塊，可采用其他數(shù)量的整流二極管及其他芯片，同時(shí)設(shè)置相應(yīng)的線路層和/或?qū)щ娭?，以形成其他結(jié)構(gòu)的整流模塊，此處不再一一舉例進(jìn)行說(shuō)明。
[0032]本實(shí)施方式中的絕緣單元30包括包覆第一線路層21的第一絕緣層31、包覆第二線路層22的第二絕緣層32、以及填充于第一絕緣層31和第二絕緣層32之間未被芯片單元10和導(dǎo)體單元20占據(jù)的第三絕緣層33，以下結(jié)合圖4、圖5，對(duì)第一絕緣層31、第二絕緣層32和第三絕緣層33作詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]第一絕緣層31，設(shè)置于第一線路層21的下方，其上表面形成有第一收容槽311，第一收容槽311的形狀與第一線路層21對(duì)應(yīng)設(shè)置，以收容第一線路層31，本實(shí)施方式中的第一收容槽311包括3個(gè)相互隔離的收容槽，分別對(duì)應(yīng)收容第一線路211、第二線路212和第三線路 213;
第二絕緣層32，設(shè)置于第二線路層22的上方，其下表面形成有第二收容槽321，第二收容槽321的形狀與第二線路層22對(duì)應(yīng)設(shè)置，以收容第二線路層32，本實(shí)施方式中的第二收容槽321包括3個(gè)相互隔離的收容槽，分別對(duì)應(yīng)收容第四線路221、第五線路222和第六線路223；
第三絕緣層33，設(shè)置于第一線路層21和第二線路層22之間，第三絕緣層33中設(shè)有若干相互隔離的收容空間331，以收容芯片單元10，本實(shí)施方式中的第三絕緣層33中設(shè)有6個(gè)陣列排布的收容空間331，分別對(duì)應(yīng)收容第一整流芯片11、第二整流芯片12、第三整流芯片13、第四整流芯片14、第一保護(hù)芯片15及第二保護(hù)芯片16。
[0034]當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中也可以僅設(shè)置其他數(shù)量的收容槽，分別對(duì)應(yīng)收容第一線路層和第二線路層，收容第一線路層的收容槽可以設(shè)置在第一絕緣層的上表面和/或第三絕緣層的下表面，收容第二線路層的收容槽可以設(shè)置在第二絕緣層的下表面和/或第三絕緣層的上表面。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)芯片單元中的芯片數(shù)量、芯片排布改變或第一線路層、第二線路層改變時(shí)，對(duì)應(yīng)的第一收容槽、第二收容槽及收容空間也分別對(duì)應(yīng)改變，并不限于本實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)，第一收容槽、第二收容槽及收容空間的具體形狀此處不再進(jìn)行贅述。
[0036]本實(shí)施方式中，為了便于封裝結(jié)構(gòu)的輸入和輸出，在第一絕緣層31的下表面上對(duì)應(yīng)設(shè)置有四個(gè)焊接部24(如焊盤等)，分別為第一焊接部241、第二焊接部242、第三焊接部243和第四焊接部244，四個(gè)焊接部分別與第一導(dǎo)電柱231、第二導(dǎo)電柱232、第三導(dǎo)電柱233和第四導(dǎo)電柱234電性連接，第一焊接部241和第二焊接部242作為交流輸入端，第三焊接部243和第四焊接部244作為直流輸出端。
[0037]當(dāng)然，在其他實(shí)施方式中，焊接部也可以設(shè)置于第二絕緣層32的上表面，焊接部的數(shù)量及位置與本實(shí)施方式中類似，此處不再進(jìn)行贅述。
[0038]相應(yīng)地，上述實(shí)施方式中半導(dǎo)體整流元件的封裝方法，包括以下步驟:
提供第一導(dǎo)電層(如銅箔等)，在第一導(dǎo)電層上焊接芯片單元，并在芯片單元上點(diǎn)焊料(如錫膏等)，焊接第二導(dǎo)電層(如銅箔等)；
在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間灌注黑膠，形成第三絕緣層33;
對(duì)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別進(jìn)行蝕刻，形成第一線路層21和第二線路層22;在第一線路層21和第二線路層22表面分別封裝形成第一絕緣層31和第二絕緣層32;制作貫穿第一絕緣層31和第二絕緣層32的通孔，并在通孔內(nèi)形成電性導(dǎo)通第一線路層21和第二線路層22的導(dǎo)電柱23;
最后在第一絕緣層31的下表面制作與導(dǎo)電柱23電性連接的焊接部24。
[0039]其中，第一線路層21、第二線路層22、導(dǎo)電柱23、焊接部24、第一絕緣層31、第二絕緣層32、第三絕緣層33的形狀及位置參上述實(shí)施方式，此處不再進(jìn)行贅述。
[0040]由以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果:
使用線路層替代傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)線架，封裝結(jié)構(gòu)可靠性高、成本低，且封裝方法簡(jiǎn)單，易于生廣制造；
封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了器件功能模塊化，且能夠?qū)崿F(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的微型化。
[0041]本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法能夠廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備如PC及移動(dòng)電話等的電源模塊、公用或家用電器設(shè)施的電源模塊、車用設(shè)備電源模塊、信號(hào)處理領(lǐng)域的相關(guān)模塊等。
[0042]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0043]上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本發(fā)明的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括: 芯片單元，包括若干用于進(jìn)行整流的整流芯片； 導(dǎo)體單元，包括位于芯片單元下方且與芯片單元電性連接的第一線路層、位于芯片單元上方且與芯片單元電性連接的第二線路層、以及電性連接第一線路層和第二線路層的導(dǎo)電柱； 絕緣單元，包括包覆第一線路層的第一絕緣層、包覆第二線路層的第二絕緣層、以及填充于第一絕緣層和第二絕緣層之間未被芯片單元和導(dǎo)體單元占據(jù)的第三絕緣層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述整流芯片為整流二極管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片單元還包括若干用于保護(hù)整流芯片的保護(hù)芯片。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)芯片包括輸入端雙向瞬態(tài)抑制管和/或輸出端雙向瞬態(tài)抑制管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括多個(gè)陣列排布的導(dǎo)電柱，至少部分導(dǎo)電柱電性與第一線路層和第二線路層電性連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一線路層包括若干分離設(shè)置的第一線路，第二線路層包括若干分離設(shè)置的第二線路，每個(gè)第一線路與且僅與一個(gè)導(dǎo)電柱電性連接，每個(gè)第二線路與且僅與一個(gè)導(dǎo)電柱電性連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電柱貫穿第一絕緣層和第二絕緣層設(shè)置，所述導(dǎo)體單元還包括設(shè)于第一絕緣層或第二絕緣層的表面且與導(dǎo)電柱電性連接的焊接部。8.一種半導(dǎo)體整流元件的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括: 提供第一導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電層上焊接芯片單元，并在芯片單元上焊接第二導(dǎo)電層； 在第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間灌膠，形成第三絕緣層； 對(duì)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別進(jìn)行蝕刻，形成第一線路層和第二線路層； 在第一線路層和第二線路層表面分別封裝形成第一絕緣層和第二絕緣層； 制作貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的通孔，并在通孔內(nèi)形成電性導(dǎo)通第一線路層和第二線路層的導(dǎo)電柱。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法還包括: 在第一絕緣層或第二絕緣層表面制作與導(dǎo)電柱電性連接的焊接部。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體整流元件的封裝方法，其特征在于，所述第一線路層和第二線路層為銅箔，芯片單元與第一線路層或第二線路層通過(guò)焊料進(jìn)行焊接。
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種半導(dǎo)體整流元件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：芯片單元，包括若干用于進(jìn)行整流的整流芯片；導(dǎo)體單元，包括位于芯片單元下方且與芯片單元電性連接的第一線路層、位于芯片單元上方且與芯片單元電性連接的第二線路層、以及電性連接第一線路層和第二線路層的導(dǎo)電柱；絕緣單元，包括包覆第一線路層的第一絕緣層、包覆第二線路層的第二絕緣層、以及填充于第一絕緣層和第二絕緣層之間未被芯片單元和導(dǎo)體單元占據(jù)的第三絕緣層。本發(fā)明使用線路層替代傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)線架，封裝結(jié)構(gòu)可靠性高、成本低，且封裝方法簡(jiǎn)單，易于生產(chǎn)制造；封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了器件功能模塊化，且能夠?qū)崿F(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的微型化。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/498, H01L21/56
【公開號(hào)】CN105655262
【申請(qǐng)?zhí)枴?br>【發(fā)明人】馬抗震, 哈鳴, 劉欣倫, 谷春壘
【申請(qǐng)人】禾邦電子（中國(guó)）有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請(qǐng)日】2016年4月7日