液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示面板，且特別是有關(guān)于一種液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]近來環(huán)保意識抬頭，具有低邏輯功率(logicpower)、無福射、廣視角、高畫質(zhì)等優(yōu)越特性的顯示面板已成為市場主流。針對廣視角的要求，邊際場切換式(Fringe FieldSwitching，F(xiàn)FS)液晶顯示面板為目前普遍使用的顯示面板之一。
[0003]在邊際場切換式液晶顯示面板中，為了避免數(shù)據(jù)線上方的液晶分子受數(shù)據(jù)電壓的影響而產(chǎn)生非預期的扭轉(zhuǎn)，進而導致漏光問題，通常會以共用電極遮蔽數(shù)據(jù)線。而共用電壓擺動(Com-Swing)的驅(qū)動方式為普遍用于降低顯示面板的邏輯功率的技術(shù)之一。然而，當為了達到降低邏輯功率及省電的目的，而使用共同電壓擺動的驅(qū)動方式時，邊際場切換式液晶顯示面板卻無法避免用以遮蔽數(shù)據(jù)線的共用電極使其上方的液晶分子產(chǎn)生非預期的扭轉(zhuǎn)，因而仍存在漏光問題。
[0004]因此，如何開發(fā)出邏輯功率低且不存在漏光問題的邊際場切換式液晶顯示面板，實為研發(fā)者所欲達成的目標之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其為邏輯功率低、響應(yīng)速度快且不存在漏光問題的邊際場切換式液晶顯示面板。
[0006]本發(fā)明的液晶顯示面板包括多個像素單元，至少其中一像素單元包括第一基板、掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線、第三數(shù)據(jù)線、第一像素結(jié)構(gòu)、第二像素結(jié)構(gòu)、遮蔽電極層、第二基板以及負型液晶層。掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線以及第三數(shù)據(jù)線配置在第一基板上。第一像素結(jié)構(gòu)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間，與掃描線以及第一數(shù)據(jù)線電性連接，且包括第一主動元件、第一像素電極以及第一共用電極，其中第一像素電極與第一主動元件電性連接，以及第一共用電極與第一像素電極結(jié)構(gòu)上分離。第二像素結(jié)構(gòu)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間，與掃描線以及第二數(shù)據(jù)線電性連接，且包括第二主動元件、第二像素電極以及第二共用電極，其中第二像素結(jié)構(gòu)與第一像素結(jié)構(gòu)用以配置為極性不相同，第二像素電極與第二主動元件電性連接，第二共用電極與第二像素電極結(jié)構(gòu)上分離，以及第一共用電極與第二共用電極用以電性連接于不同的電壓。第一像素電極與第一共用電極中的一者以及第二像素電極與第二共用電極中的一者包括外框以及兩個條狀電極。外框具有沿著第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線的延伸方向設(shè)置的兩個側(cè)邊，以及每一條狀電極的兩端分別連接于所述兩個側(cè)邊。遮蔽電極層對應(yīng)第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線及第三數(shù)據(jù)線配置，且與第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線及第三數(shù)據(jù)線重疊。第二基板位于第一基板的對向。負型液晶層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。
[0007]基于上述，在本發(fā)明的液晶顯示面板中，第二像素結(jié)構(gòu)與第一像素結(jié)構(gòu)用以配置為極性不相同、第一共用電極與第二共用電極用以電性連接于不同的電壓、第一像素電極與第一共用電極中的一者以及第二像素電極與第二共用電極中的一者包括外框及兩個條狀電極，其中每一條狀電極的兩端分別連接于外框的沿數(shù)據(jù)線的延伸方向設(shè)置的兩個側(cè)邊、遮蔽電極層對應(yīng)數(shù)據(jù)線配置且與數(shù)據(jù)線重疊以及第一基板與第二基板之間設(shè)置有負型液晶層，藉此液晶顯示面板能夠同時具有邏輯功率低、響應(yīng)速度快且不存在漏光問題的優(yōu)勢。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0009]圖1是依照本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0010]圖2是沿圖1中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0011]圖3A及圖3B分別是電極構(gòu)型的變化實施方式的上視示意圖。
[0012]圖4是依照本發(fā)明的第二實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0013]圖5是沿圖4中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0014]圖6是依照本發(fā)明的第三實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0015]圖7是沿圖6中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0016]圖8是依照本發(fā)明的第四實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0017]圖9是沿圖8中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0018]圖10是依照本發(fā)明的第五實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0019]圖11是沿圖10中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0020]圖12是依照本發(fā)明的第六實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0021 ]圖13是沿圖12中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0022]圖14是依照本發(fā)明的第七實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。
[0023]圖15是沿圖14中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0024]其中，附圖標記:
[0025]100:第一基板
[0026]110、210、310、410、510、610、710:遮蔽電極層
[0027]120:第二基板
[0028]130:負型液晶層
[0029]140a:第一配向膜
[0030]140b:第二配向膜
[0031]3LE、6LE、7LE:遮蔽電極
[0032]BM:遮光層
[0033]BP:保護層
[0034]C:外框
[0035]CS:側(cè)邊
[0036]CH1、CH2:通道層
[0037]CLl、CL2、2CL1、2CL2、4CL1、4CL2、5CL1、5CL2、7CL:共用電極線
[0038]CM1、4CM1、7CM1:第一共用電極
[0039]CM2、4CM2:第二共用電極
[0040]Dl:第一方向
[0041]D2:第二方向
[0042]D3:第三方向
[0043]DE1、DE2:漏極
[0044]DLl:第一數(shù)據(jù)線
[0045]DL2:第二數(shù)據(jù)線
[0046]DL3:第三數(shù)據(jù)線
[0047]E:條狀電極
[0048]El:第一條狀電極
[0049]E2:第二條狀電極
[0050]F:電場
[0051 ]GE1、GE2:柵極
[0052]G1:柵絕緣層
[0053]H1、H2:接觸窗
[0054]IL、3IL、6IL:層間絕緣層
[0055]LEl、2LE1、4LE1、5LE1:第一遮蔽電極
[0056]LE2、2LE2、4LE2、5LE2:第二遮蔽電極
[0057]LE3、4LE3:第三遮蔽電極
[0058]PE1、4PE1、7PE1:第一像素電極
[0059]PE2、4PE2:第二像素電極
[0060]PSl:第一像素結(jié)構(gòu)[0061 ]PS2:第二像素結(jié)構(gòu)
[0062]SE1、SE2:源極
[0063]SL:掃描線
[0064]ST:狹縫
[0065]Tl:第一主動元件
[0066]T2:第二主動元件
[0067]U:像素單元
[0068]Vcoml、Vcom2:交流共用電壓
[0069]Vcom3:直流共用電壓
[0070]Θ:夾角
【具體實施方式】
[0071]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
[0072]圖1是依照本發(fā)明的第一實施方式的液晶顯示面板的上視示意圖。圖2是沿圖1中的剖線Ι-Γ的剖面示意圖。
[0073]請同時參照圖1及圖2，本實施方式的液晶顯示面板包括多個像素單元U。詳細而言，像素單元U包括第一基板100、掃描線SL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第三數(shù)據(jù)線DL3、第一像素結(jié)構(gòu)PSl、第二像素結(jié)構(gòu)PS2、遮蔽電極層110、第二基板120、以及負型液晶層130。為了方便說明起見，圖1中省略繪示第一基板100、第二基板120、以及負型液晶層130等部分的構(gòu)件，以及圖1中僅繪示出一個像素單元U。值得一提的是，在本實施方式中，圖1中的第三數(shù)據(jù)線DL3即為另一像素單元U(未繪示)中的第一數(shù)據(jù)線DL1。
[0074]第一基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英或有機聚合物。第二基板120位于第一基板100的對向。第二基板200的材質(zhì)可為玻璃、石英或有機聚合物。
[0075]負型液晶層130設(shè)置于第一基板100與第二基板120之間。負型液晶層130包括多個負型液晶分子(未繪示)。
[0076]掃描線SL、第一數(shù)據(jù)線DLl、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3配置在第一基板100上。掃描線SL與第一數(shù)據(jù)線DLl、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3的延伸方向不相同，較佳的是掃描線SL的延伸方向與第一數(shù)據(jù)線DLl、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3的延伸方向垂直。詳細而言，在本實施方式中，掃描線SL的延伸方向為第一方向Dl，以及第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2與第三數(shù)據(jù)線DL3的延伸方向為第二方向D2，其中第一方向Dl與第二方向D2相垂直。
[0077]此外，掃描線SL與第一數(shù)據(jù)線DLl、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3是位于不相同的膜層，且掃描線SL與第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3之間夾有柵絕緣層GI(于后文進行詳細描述)。另外，基于導電性的考量，掃描線SL與第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3—般是使用金屬材料。然而，本發(fā)明并不限于此，根據(jù)其他實施方式，掃描線SL與第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2以及第三數(shù)據(jù)線DL3也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。
[0078]第一像素結(jié)構(gòu)PSl位于第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2之間，且與掃描線SL以及第一數(shù)據(jù)線DLl電性連接。第二像素結(jié)構(gòu)PS2位于第二數(shù)據(jù)線DL2與第三數(shù)據(jù)線DL3之間，且與掃描線SL以及第二數(shù)據(jù)線DL2電性連接，其中第二像素結(jié)構(gòu)PSl與第一像素結(jié)構(gòu)PS2用以配置為極性不相同。一般而言，各數(shù)據(jù)線會輸入對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓或信號至對應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)，以使得各像素結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)所需的顯示效果。也就是說，在本實施方式中，第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2所接收的電壓極性彼此不相同。舉例而言，在一實施方式中，當操作或驅(qū)動上述的第一像素結(jié)構(gòu)PSl及第二像素結(jié)構(gòu)PS2時，在同一時區(qū)(time per1d)內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線DLI所接收的是負極性電壓，而第二數(shù)據(jù)線DL2所接收的是正極性電壓。在本文中，負極性電壓定義為數(shù)據(jù)線的電壓實質(zhì)上小于對應(yīng)的共用電極的電壓的情形，而正極性電壓定義為數(shù)據(jù)線的電壓實質(zhì)上大于對應(yīng)的共用電極的電壓的情形。
[0079]詳細而言，在本實施方式中，第一像素結(jié)構(gòu)PSl包括第一主動元件Tl、第一像素電極PEl以及第一共用電極CMl，且第二像素結(jié)構(gòu)PS2包括第二主動元件T2、第二像素電極PE2以及第二共用電極CM2。
[0080]在本實施方式中，第一主動元件Tl可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括柵極GE1、通道層CH1、漏極DEl以及源極SEl，以及第二主動元件T2可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括柵極GE2、通道層CH2、漏極DE2以及源極SE2。
[0081]柵極GEl及柵極GE2皆與掃描線SL為一連續(xù)的導電圖案，此表示柵極GEl及柵極GE2皆與掃描線SL彼此電性連接。在本實施方式中，掃描線SL的部分區(qū)域是作為柵極GEl及柵極GE2。通道層CHl位于柵極GEl的上方，以及通道層CH2位于柵極GE2的上方。源極SEl與漏極DEl位于通道層CHl的上方，以及源極SE2與漏極DE2位于通道層CH2的上方。源極SEl與第一數(shù)據(jù)線DLl為一連續(xù)的導電圖案，此表示源極SEl與第一數(shù)據(jù)線DLl彼此電性連接，而源極SE2與第二數(shù)據(jù)線DL2為一連續(xù)的導電圖案，此表示源極SE2與第二數(shù)據(jù)線DL2彼此電性連接。從另一觀點而言，在本實施方式中，當有控制信號輸入掃描線SL時，掃描線SL與柵極GEl及柵極GE2之間會電性導通；當有控制信號輸入第一數(shù)據(jù)線DLl時，第一數(shù)據(jù)線DLl會與源極SEl電性導通;而當有控制信號輸入第二數(shù)據(jù)線DL2時，第二數(shù)據(jù)線DL2會與源極SE2電性導通。
[0082]另外，在本實施方式中，柵極GEl與通道層CHl之間及柵極GE2與通道層CH2之間更設(shè)置有柵絕緣層GI，其中柵絕緣層GI共形地形成在第一基板100上且覆蓋柵極GEl及柵極GE2，以及在第一主動元件Tl及第二主動元件T2的上方更覆蓋有保護層BP，以保護第一主動元