的噴淋狀態(tài)不正常。
[0032]其中，當(dāng)?shù)诙赡拥暮穸葹?0μπι，水平線下噴嘴對測試基板噴淋的預(yù)設(shè)時(shí)間為15S，此時(shí)測試基板上所顯示出的標(biāo)記最為明顯，對水平線下噴嘴噴淋狀態(tài)的檢測效果最佳。如果第二干膜層厚度偏厚或偏薄，或者預(yù)設(shè)時(shí)間過長或過短，在測試基板上的標(biāo)記將不明顯，則對水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)檢測容易發(fā)生誤判。
[0033]實(shí)施例三
[0034]噴淋設(shè)備主要用于對線路板表面銅層進(jìn)行蝕刻處理，其缸體配設(shè)的藥液為蝕刻藥液。其水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，包括如下步驟:
[0035]提供測試基板，并在測試基板表面上設(shè)置能與蝕刻藥液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)層，該反應(yīng)層為鍍在測試基板上第一銅層。其中，第一銅層的厚度在不同測試試驗(yàn)中可選為:10μηι、13μηι、15μηι、18μηι、23μηι、26μηι、30μπι5.35μη?ο
[0036]將測試基板送入到缸體的上傳送滾輪與下傳送滾輪之間，并使得第一銅層與水平線下噴嘴相對設(shè)置。并根據(jù)缸體的長度與測試基板的長度確定測試基板的數(shù)量。例如:當(dāng)缸體長度為測試基板長度的5倍時(shí)，則選擇5個(gè)測試基板，并將5個(gè)測試基板首尾相連送入到上水平線傳送滾輪與下水平線傳送滾輪之間。
[0037]然后開啟噴淋設(shè)備使得水平線下噴嘴噴淋預(yù)設(shè)時(shí)間，然后將測試基板取出。其中，對于噴淋的預(yù)設(shè)時(shí)間，在不同測試試驗(yàn)中可選為:103、203、303、403及503。
[0038]觀察第一銅層的表面形狀，并判斷第一銅層表面上與水平線下噴嘴位置相對應(yīng)的地方是否有標(biāo)記，如果有標(biāo)記，則表明與該標(biāo)記位置對應(yīng)的水平線下噴嘴是正常的。如果測試基板上與水平線下噴嘴位置相應(yīng)的地方?jīng)]有標(biāo)記，則表明水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)不正常。
[0039]其中，當(dāng)?shù)谝汇~層的厚度為18μπι，水平線下噴嘴對測試基板噴淋的預(yù)設(shè)時(shí)間為30S，此時(shí)測試基板上所顯示出的標(biāo)記最為明顯，對水平線下噴嘴噴淋狀態(tài)的檢測效果最佳。如果第一銅層厚度偏厚或偏薄，或者預(yù)設(shè)時(shí)間過長或過短，在測試基板上的標(biāo)記將不明顯，則對水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)檢測容易發(fā)生誤判。
[0040]實(shí)施例四
[0041 ]噴淋設(shè)備主要用于對線路板表面薄銅層進(jìn)行微蝕刻處理的，其缸體配設(shè)的藥液為微蝕刻藥液。其水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，包括如下步驟:
[0042]提供測試基板，并在測試基板表面上設(shè)置能與微蝕刻藥液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)層，該反應(yīng)層為鍍在測試基板上第二銅層。其中，第二銅層的厚度在不同測試試驗(yàn)中可選為:0.5μηι、Iym、2μηι、3μηι、4μηι 及 5μηι ο
[0043]將測試基板送入到缸體的上傳送滾輪與下傳送滾輪之間，并使得第二銅層與水平線下噴嘴相對設(shè)置。并根據(jù)缸體的長度與測試基板的長度確定測試基板的數(shù)量。例如:當(dāng)缸體長度為測試基板長度的5倍時(shí)，則選擇5個(gè)測試基板，并將5個(gè)測試基板首尾相連送入到上水平線傳送滾輪與下水平線傳送滾輪之間。
[0044]然后開啟噴淋設(shè)備使得水平線下噴嘴噴淋預(yù)設(shè)時(shí)間，然后將測試基板取出。其中，對于噴淋的預(yù)設(shè)時(shí)間，在不同測試試驗(yàn)中可選為:103、153、203、303及403。
[0045]觀察第二銅層的表面形狀，并判斷第二銅層表面上與水平線下噴嘴位置相對應(yīng)的地方是否有標(biāo)記，如果有標(biāo)記，則表明與該標(biāo)記位置對應(yīng)的水平線下噴嘴是正常的。如果測試基板上與水平線下噴嘴位置相應(yīng)的地方?jīng)]有標(biāo)記，則表明水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)不正常。
[0046]其中，當(dāng)?shù)诙~層的厚度為2μπι，水平線下噴嘴對測試基板噴淋的預(yù)設(shè)時(shí)間為20S，此時(shí)測試基板上所顯示出的標(biāo)記最為明顯，對水平線下噴嘴噴淋狀態(tài)的檢測效果最佳。如果第二銅層厚度偏厚或偏薄，或者預(yù)設(shè)時(shí)間過長或過短，在測試基板上的標(biāo)記將不明顯，則對水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)檢測容易發(fā)生誤判。
[0047]以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。
[0048]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供測試基板； 根據(jù)缸體配設(shè)的藥液相應(yīng)在所述測試基板表面上設(shè)置能與所述藥液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)層； 將所述測試基板送入到所述缸體的上傳送滾輪與下傳送滾輪之間，并使得所述反應(yīng)層與水平線下噴嘴相對設(shè)置； 開啟噴淋設(shè)備噴淋預(yù)設(shè)時(shí)間后，將測試基板取出； 觀察所述反應(yīng)層的表面形狀，并根據(jù)所述反應(yīng)層的表面形狀判斷水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)是否正常。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述藥液為顯影藥液，所述反應(yīng)層為在所述測試基板上貼設(shè)有厚度為15_50μπι干膜的第一干膜層，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5-30S。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述第一干膜層的厚度為30μπι，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為15S。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述藥液為退膜藥液，所述反應(yīng)層為在所述測試基板上貼干膜并曝光處理的、且厚度為15_50μπι的第二干膜層，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為5-30S。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述第二干膜層的厚度為30μπι，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為15S。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述藥液為蝕刻藥液，所述反應(yīng)層為在所述測試基板上鍍有厚度為10_35μπι銅厚的第一銅層，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為10-50S。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述第一銅層的厚度為18μπι，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為30S。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述藥液為微蝕刻藥液，所述反應(yīng)層為在所述測試基板上鍍有厚度為0.5-5μπι銅厚的第二銅層，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為10-40S。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，所述第二銅層的厚度為2μπι，所述預(yù)設(shè)時(shí)間為20S。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，其特征在于，送入到上傳送滾輪與下傳送滾輪之間的所述測試基板有一個(gè)以上，一個(gè)以上所述測試基板首尾相抵觸送入到上傳送滾輪與下傳送滾輪之間，且一個(gè)以上所述測試基板相連形成的區(qū)域?qū)⑺龈左w上的水平線下噴嘴的噴射區(qū)域覆蓋。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種水平線下噴嘴狀態(tài)的檢測方法，包括如下步驟：提供測試基板；根據(jù)缸體配設(shè)的藥液相應(yīng)在所述測試基板表面上設(shè)置能與所述藥液產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)層；將所述測試基板送入到所述缸體的上傳送滾輪與下傳送滾輪之間，并使得所述反應(yīng)層與水平線下噴嘴相對設(shè)置；開啟噴淋設(shè)備噴淋預(yù)設(shè)時(shí)間后，將測試基板取出；觀察所述反應(yīng)層的表面形狀，并根據(jù)所述反應(yīng)層的表面形狀判斷水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)是否正常。若水平線下噴嘴狀態(tài)是正常的，其噴出的藥液與測試基板反應(yīng)后便會在測試基板反應(yīng)層的相應(yīng)位置留下標(biāo)記。如此，本發(fā)明通過判斷測試基板反應(yīng)層與水平線下噴嘴位置相應(yīng)的地方是否留下標(biāo)記，便能夠判斷出水平線下噴嘴的噴淋狀態(tài)是否正常。
【IPC分類】G01M13/00
【公開號】CN105651501
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】盧汝烽, 邱醒亞, 李志東
【申請人】廣州興森快捷電路科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司, 廣州市興森電子有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年12月25日