含磷腈的聚酯、預(yù)浸板、復(fù)合金屬基板以及線路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于低介電材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及含磷腈的聚酯、預(yù)浸板、復(fù)合金屬基板以及 線路板。
【背景技術(shù)】
[0002] 以手機(jī)、電腦、攝像機(jī)、電子游戲機(jī)為代表的電子產(chǎn)品、以空調(diào)、冰箱、電視影像、音 響用品等為代表的家用、辦公電器產(chǎn)品以及其他領(lǐng)域使用的各種產(chǎn)品，為了安全，很大部分 的產(chǎn)品都要求其具備低介電性和耐熱性。
[0003] 就電氣性質(zhì)而言，主要需考慮的因素還包括材料的介電常數(shù)以及介電損耗。一般 而言，由于基板的訊號傳送速度與基板材料的介電常數(shù)的平方根成反比，故基板材料的介 電常數(shù)通常越小越好;另一方面，由于介電損耗越小代表訊號傳遞的損失越少，故介電損耗 較小的材料所能提供的傳輸質(zhì)量也較為良好。
[0004] 因此，如何開發(fā)出具有低介電常數(shù)以及低介電損耗的材料，并將其應(yīng)用于高頻印 刷電路板的制造，乃是現(xiàn)階段印刷電路板材料領(lǐng)域亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明一方面提供一種含磷腈的聚酯，該聚酯具有良好的耐熱性、機(jī)械 性能、電性能、耐候性、抗疲勞性、低吸水率以及低介電常數(shù)和低介電損耗。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：
[0007] -種含磷腈的聚酯，其具有如式(I)所示的重復(fù)單元：
[0008]
式（I );
[0009] 式（I)中，Μ為環(huán)三磷腈基Mi、環(huán)四以上磷腈基M2或非環(huán)狀聚磷腈基M3中的任意一種 或其至少兩種的組合；
[0010] C為大于或等于4的整數(shù)，例如5、6、7，d為大于等于4的整數(shù)，例如5、6、7;
[0011] 丫1、丫2、￥3、￥4、(：1^和8均連接1的磷原子上。
[0012] 均獨(dú)立地為不存在或如下基團(tuán)中的任意一種或者至少兩種的組合：
[0013] -0-R2-、-00C-R3-互
[0014] 其中，R2、R3和R4均獨(dú)立地選自取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取 代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的 任意一種或者至少兩種的組合；
[0015] Y4為如下基團(tuán)中的任意一種或者至少兩種的組合：
[0016] -0-R2-、-00C-R3-或
[0017] 其中，R2、R3和R4均獨(dú)立地為不存在或取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代 或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳 基中的任意一種或者至少兩種的組合；
[0018] A或B均獨(dú)立為由親核試劑提供的惰性封端基團(tuán)，η為2 1的整數(shù)，η例如為2、3、4、5、 6、2~10、5~15、8~19或10~20等。
[0019] c和d不為零時，表示該磷腈分別被Α和Β取代。在本發(fā)明中，所述親核試劑即指，可 以與鹵代磷腈發(fā)生親核取代反應(yīng)的親核試劑。在親核取代反應(yīng)過程中，親核試劑脫去離去 基團(tuán)，親核基團(tuán)進(jìn)攻鹵代磷腈中的鹵素原子，親核基團(tuán)和Μ相連。例如，當(dāng)采用甲醇CH 30H作 為親核試劑與鹵代磷腈發(fā)生親核取代反應(yīng)時，CH30H脫去H+，甲氧基CH3〇-取代鹵代磷腈中的 鹵素原子，與磷腈中的-P相連，此時A或B即為CH 3〇-。
[0020] 在本發(fā)明中，所述A和B為惰性封端基團(tuán)。所述"惰性封端基團(tuán)"是指，一種官能團(tuán)， 其不帶有活性基團(tuán)，它不容易地或以一個實(shí)際的速度在常規(guī)的有機(jī)合成的條件下進(jìn)行反 應(yīng)，其為親核試劑與氯代磷腈化合物親核取代反應(yīng)后剩下的不含一般常識性反應(yīng)的官能 團(tuán)。

取代或未取代的雜芳基中的任意一種，R26和R27均獨(dú)立地為取代或未取代的直鏈烷基或支 鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或 未取代的烷基硫基、取代或未取代的環(huán)烷氧基、取代或未取代的芳烷氧基、取代或未取代的 烷基芳氧基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的任意一種，R 27為取代或未 取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取 代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的任意一種。
[0023]在前述記載中，取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基優(yōu)選為取代或未取代的C1~ C12(例如(：1丄2、03丄4、05丄6、07丄8、09、(：10或(：11)直鏈烷基或支鏈烷基，優(yōu)選(：1~08直鏈 烷基或支鏈烷基，當(dāng)碳原子數(shù)為C1時即為甲基，碳原子數(shù)為C2時，即為乙基。
[0024] 所述取代或未取代的環(huán)烷基優(yōu)選為碳原子數(shù)為C3~C12(例如C4、C5、C6、C7、C8、 C9、C10或C11)的取代或未取代的環(huán)烷基。
[0025]取代或未取代的芳基優(yōu)選為苯基、芐基、1，2,3,4 -四氫萘基，
等。苯基的實(shí)例包括 聯(lián)苯基、二聯(lián)苯基、苯甲基、苯乙基或苯丙基等。
[0026]取代或未取代的雜芳基為五元或六元雜芳基。
[0027] 取代或未取代的芳氧基烷基為C7-C13(例如08、09、(：10、(：11或(：12)芳氧基烷基。 [0028]優(yōu)選地，所述A或B為取代或未取代的烷氧基或芳基氧基。
[0029] 烷氧基的例子包括，但不限于甲氧基、乙氧基、異丙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧 基。烷氧基團(tuán)可以被下列取代基取代，如烯基、炔基、鹵素、羥基、烷基幾氧基、芳基幾氧基、 烷氧基幾氧基、芳氧基幾氧基、駿酸酯、烷基幾基、芳基幾基、烷氧基幾基、氣基幾基、烷基氣 基幾基、^?烷基氣基幾基、燒硫基幾基、烷氧基、憐酸酯、勝酸根合、次勝酸根合、氣基(包括 烷基氣基、^烷基氣基、芳基氣基、^芳基氣基和烷基芳基氣基），醜氣基(包括烷基幾基氣 基、芳基幾基氣基、氣基甲醜基和脈基）、脈基、亞氣基、疏基、燒硫基、芳硫基、硫代駿酸醋、 硫酸酯、烷基亞磺?；?、磺酸基、氨磺?；?、磺酰氨基、硝基甲基、三氟甲基、氰基、疊氮基、雜 環(huán)基、烷基芳基或芳族或雜芳族基團(tuán)。鹵素取代的烷氧基團(tuán)的例子包括，但不限于一氟甲氧 基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基。
[0030]所述芳基氧的實(shí)例包括苯氧基、芐氧基、萘氧基或聯(lián)苯氧基，所述芳基氧可以被烷 基等取代。
[0031 ] 優(yōu)選地，和Y4均獨(dú)立地選自如下基團(tuán)中的任意一種或者至少兩種的組合：
[0032]
[0033] R4選自取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷基、取代或未 取代的芳烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的雜芳基中的任意一種或者至少兩種 的組合；
[0034] R5、R6和R9均獨(dú)立地為取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷 基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的任意一種； [0035] R7和Rs均獨(dú)立地為H、取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的環(huán)烷 基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的任意一種， 并且R?和Rs不同時為H;當(dāng)R?和Rs中都沒有Η時，則代表磷酸中的兩個羥基氫分別被R?和Rs取 代；當(dāng)R?和Rs中只有一個Η時，則代表磷酸中的只有一個羥基氫被1? 7或1?8取代；
[0036] R1Q、Rn和R12均獨(dú)立地為Η、取代或未取代的直鏈烷基或支鏈烷基、取代或未取代的 環(huán)烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的雜芳基中的任意 一種，并且Riq、Rii和Ri2中至多有兩個為H;當(dāng)RkjUPR^中均沒有Η時，代表焦磷酸的三個羥 基氫分別被Rio、Rn和Ri2取代；當(dāng)R 1Q、Rn、R12中只有一個Η時，代表焦磷酸的兩個羥基氫被R10、 Rn或R12中的兩個取代；當(dāng)Riq、Rii和R12中有兩個Η時，代表焦磷酸的一個羥基氫被R1Q、Rn或 R12中的任意一個取代。
[0037] 另外，上述的Yi、Y2、Y3和Y4結(jié)構(gòu)中，0、N與Μ的磷原子連接。
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