制得框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)。
[0028]上述步驟中，步驟五與步驟六第一引線框壓合第二引線框形成整體框架并使用壓板進(jìn)行回流焊，可以在步驟八第二引線框植入第二芯片后進(jìn)行實(shí)施。
[0029]上述步驟中，步驟二、步驟四和步驟九可通過(guò)不同機(jī)臺(tái)同時(shí)進(jìn)行。
[0030]參見(jiàn)圖2?圖6，本發(fā)明一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)，它包括第一引線框21、第二引線框22、第三引線框23、第一芯片24和第二芯片25，所述第二引線框22和第三引線框23呈Z形，所述Z形的第二引線框22包括第一上水平段221、第一中間連接段222和第一下水平段223，所述Z形的第三引線框23包括第二上水平段231、第二中間連接段232和第二下水平段233，所述第一芯片24夾設(shè)在第一引線框21與第一上水平段221之間，所述第一芯片24的正面和背面分別通過(guò)錫膏26與第一上水平段221和第一引線框21電性連接，所述第二芯片25夾設(shè)在第一上水平段221與第二上水平段231之間，所述第二芯片25的正面和背面分別通過(guò)錫膏26與第二上水平段231和第一上水平段221電性連接，所述第一引線框21、第二引線框22和第三引線框23外包封有塑封料27，所述第一引線框21下表面和第一下水平段223下表面齊平，所述第一引線框21下表面、第一下水平段223下表面以及第二上水平段231上表面均暴露于塑封料27之外，所述第二下水平段233下表面搭設(shè)在第一引線框21上表面上。
[0031]所述第一引線框21、第二引線框22和第三引線框23均為整體框架，其材質(zhì)可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10 -6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)。
[0032]所述第一芯片24和第二芯片25為可以與金屬錫結(jié)合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。
[0033]除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括第一引線框(21)、第二引線框(22)、第三引線框(23)、第一芯片(24)和第二芯片(25)，所述第二引線框(22)和第三引線框(23)呈Z形，所述Z形的第二引線框(22)包括第一上水平段(221)、第一中間連接段(222)和第一下水平段(223)，所述Z形的第三引線框(23)包括第二上水平段(231)、第二中間連接段(232)和第二下水平段(233)，所述第一芯片(24)夾設(shè)在第一引線框(21)與第一上水平段(221)之間，所述第一芯片(24)的正面和背面分別通過(guò)錫膏(26)與第一上水平段(221)和第一引線框(21)電性連接，所述第二芯片(25)夾設(shè)在第一上水平段(221)與第二上水平段(231)之間，所述第二芯片(25)的正面和背面分別通過(guò)錫膏(26)與第二上水平段(231)和第一上水平段(221)電性連接，所述第一引線框(21)、第二引線框(22)和第三引線框(23)外包封有塑封料(27)，所述第一引線框(21)下表面和第一下水平段(223)下表面齊平，所述第一引線框(21)下表面、第一下水平段(223)下表面以及第二上水平段(231)上表面均暴露于塑封料(27)之外，所述第二下水平段(233)下表面搭設(shè)在第一引線框(21)上表面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一引線框(21)、第二引線框(22)和第三引線框(23)均為整體框架。3.—種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于所述方法包括如下步驟: 步驟一、提供第一引線框； 步驟二、在第一引線框基島區(qū)域通過(guò)網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟三、在步驟二中第一引線框基島區(qū)域涂覆的錫膏上植入第一芯片； 步驟四、提供第二引線框，所述第二引線框?yàn)閆形，所述Z形的第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段和第一下水平段，在第二引線框的第一上水平段的下表面通過(guò)網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟五、將第二引線框的第一上水平段壓合在第一引線框上表面的第一芯片上，壓合后第一引線框和第二引線框形成整體框架，第一引線框下表面與第二引線框第一下水平段下表面齊平； 步驟六、將步驟五形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進(jìn)行回流焊； 步驟七、完成回流焊后，在第二引線框的第一上水平段的上表面通過(guò)網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟八、在步驟七中第二引線框的第一上水平段上表面涂覆的錫膏上植入第二芯片；步驟九、提供第三引線框，所述第三引線框?yàn)閆形，所述Z形的第三引線框包括第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，在第三引線框的第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通過(guò)網(wǎng)板印刷的方式涂覆錫膏； 步驟十、將第三引線框的第二上水平段壓合在第二引線框的第一上水平段上表面的第二芯片上，且第三引線框的第二下水平段下表面搭設(shè)在第一引線框上表面上，壓合后第一引線框、第二引線框和第三引線框形成整體框架； 步驟十一、將步驟十形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進(jìn)行回流焊； 步驟十二、將步驟十一經(jīng)過(guò)回流焊后的整體框架采用塑封料進(jìn)行塑封，塑封后第三引線框的第二上水平段的上表面暴露在塑封料之外； 步驟十三、將步驟十二完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體，切割或是沖切獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述第一引線框、第二引線框和第三引線框的材質(zhì)可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導(dǎo)電材質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述第一芯片和第二芯片為可以與金屬錫結(jié)合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述壓板材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE與第一引線框、第二引線框和第三引線框材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)CTE接近，其CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:所述步驟二、步驟四和步驟九可通過(guò)不同機(jī)臺(tái)同時(shí)進(jìn)行。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，其特征在于:步驟五與步驟六第一引線框壓合第二引線框形成整體框架并使用壓板進(jìn)行回流焊，可以在步驟八第二引線框植入第二芯片后進(jìn)行實(shí)施。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種框架外露多芯片單搭堆疊夾芯封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括以下步驟：步驟一、提供第一引線框；步驟二、在第一引線框上涂覆錫膏；步驟三，在第一引線框錫膏上植入第一芯片；步驟四，提供第二引線框，在第二引線框上涂覆錫膏；步驟五，將第二引線框壓合在第一芯片上；步驟六，進(jìn)行回流焊；步驟七，在第二引線框上涂覆錫膏；步驟八，在第二引線框上植入第二芯片；步驟九，提供第三引線框，在第三引線框上涂覆錫膏；步驟十，將第三引線框壓合在第二芯片上；步驟十一，進(jìn)行回流焊；步驟十二，塑封料塑封；步驟十三，切割或沖切作業(yè)。本發(fā)明的有益效果是：增加產(chǎn)品熱消散的能力，降低產(chǎn)品的封裝電阻。
【IPC分類(lèi)】H01L23/495, H01L21/60
【公開(kāi)號(hào)】CN105609482
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510995935
【發(fā)明人】梁志忠, 王亞琴, 徐賽, 朱悅
【申請(qǐng)人】江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日