像元件IlC可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。此外，在固態(tài)成像元件IlC中，不需要諸如在構(gòu)造物35的形成過程中挖掘元件形成單元24時設(shè)置間隔d等控制，如同在圖3的固態(tài)成像元件11中那樣；因此，構(gòu)造物35C可以容易地形成。
[0111]接著，固態(tài)成像元件11的第一實施方案中的第四變形例示于圖8。
[0112]如圖8所示，在固態(tài)成像元件IlD中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的構(gòu)造物35D-1和35D-2具有不同于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlD的構(gòu)成類似于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0113]S卩，盡管在圖3的固態(tài)成像元件11中一個構(gòu)造物35形成在元件形成單元24中，但是在固態(tài)成像元件IlD中，兩個構(gòu)造物35D-1和35D-2形成在元件形成單元24中。構(gòu)造物35D-1和35D-2由折射或吸收光的材料形成，并且具有其中構(gòu)造物35D-1和35D-2的前端與元件形成單元24的前面之間的間隙的間隔d為短波長(例如，約400nm)以下的構(gòu)成，類似于構(gòu)造物35。盡管其中兩個構(gòu)造物35D-1和35D-2配置在有源元件34和光接收元件31之間的構(gòu)成例示于圖8，但是也可以是其中兩個以上的構(gòu)造物3f5D配置在從有源元件34到光接收元件31的空間中。
[0114]因此，在固態(tài)成像元件IlD中，由熱載流子發(fā)光產(chǎn)生的光在構(gòu)造物35D-1和35D-2處散射或被吸收，并且可以防止通過前端側(cè)的間隙，如同在圖3的固態(tài)成像元件11中那樣。特別地，在固態(tài)成像元件IID中，通過配置多個構(gòu)造物35D，光每次透過構(gòu)造物35D時散射或被吸收；由此，與其中配置一個構(gòu)造物35的構(gòu)成相比，可以更大地改善抑制透過光的效果。由此，固態(tài)成像元件IlD可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。
[0115]接著，固態(tài)成像元件11的第一實施方案中的第五變形例示于圖9。
[0116]如圖9所示，在固態(tài)成像元件IlE中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的構(gòu)造物35E具有不同于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlE的構(gòu)成類似于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0117]S卩，盡管在圖3的固態(tài)成像元件11中構(gòu)造物35形成為具有平行于元件形成單元24的厚度方向(基本上垂直于前面和背面的方向)的側(cè)壁，但是在固態(tài)成像元件IlE中，構(gòu)造物35E形成為使得朝向元件形成單元24的厚度方向的側(cè)壁相對于厚度方向是傾斜的。例如，如圖9所示，在固態(tài)成像元件IlE中，構(gòu)造物35E形成為具有傾斜的側(cè)壁，使得其寬度從元件形成單元24的前面朝向背面過渡變窄。構(gòu)造物35E由折射或吸收光的材料形成，并且具有其中構(gòu)造物35E的前端與元件形成單元24的前面之間的間隙的間隔d為短波長(例如，約400nm)以下的構(gòu)成，類似于構(gòu)造物35。
[0118]因此，在固態(tài)成像元件IlE中，由熱載流子發(fā)光產(chǎn)生的光在構(gòu)造物35E中散射或被吸收，并且可以防止通過前端側(cè)的間隙，如同在圖3的固態(tài)成像元件11中那樣。特別地，在固態(tài)成像元件IlE中，過形成構(gòu)造物35使得側(cè)壁是傾斜的可以改善構(gòu)造物35E的折射效果。例如，當(dāng)在元件形成單元24內(nèi)朝向光接收元件31傳播的光入射在構(gòu)造物35E上時，光相對于其行進方向可以大大彎曲。因此，通過由構(gòu)造物35E改善光散射效果，固態(tài)成像元件IlE可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。
[0119]接著，構(gòu)造物35的第二平面配置例示于圖10。
[0120]如圖10所示，在固態(tài)成像元件IlF中，構(gòu)造物35F配置成通過像素區(qū)域12和周邊電路19之間并且在平面圖中包圍周邊電路19。通過這樣配置構(gòu)造物35F，可以防止在周邊電路19的有源元件34中產(chǎn)生的光從任何方向漏出，并且可以防止光進入像素區(qū)域12。因此，在固態(tài)成像元件IlF中，可以可靠地抑制由于由熱載流子產(chǎn)生的光造成的不利影響。作為構(gòu)造物35F的截面構(gòu)成，可以采用圖3和圖5?9中所示的任何構(gòu)造物35的結(jié)構(gòu)。
[0121 ]接著，構(gòu)造物35的第三平面配置例示于圖11。
[0122]如圖11所示，在固態(tài)成像元件IlG中，構(gòu)造物35G配置成至少通過像素區(qū)域12和周邊電路19之間并且至少遮住從周邊電路19到像素區(qū)域12以直線行進的光。通過這樣配置構(gòu)造物35G，可以防止在周邊電路19的有源元件34中產(chǎn)生的光以直線進入像素區(qū)域12。因此，在固態(tài)成像元件IlG中，可以抑制由于由熱載流子產(chǎn)生的光造成的不利影響。作為構(gòu)造物35G的截面構(gòu)成，可以采用圖3和圖5?9中所示的任何構(gòu)造物35的結(jié)構(gòu)。
[0123]接著，構(gòu)造物35的第四平面配置例示于圖12。
[0124]如圖12所示，在固態(tài)成像元件IlH中，由多個構(gòu)造物的組合形成的構(gòu)造物35H配置成通過像素區(qū)域12和周邊電路19之間，并且在平面圖中包圍像素區(qū)域12。這里，在構(gòu)造物35H中，構(gòu)造物被配置成使得任何構(gòu)造物可靠地配置在從構(gòu)造物35H的外側(cè)朝向像素區(qū)域12的直線上，即，使得光不在從構(gòu)造物35H的外側(cè)朝向像素區(qū)域12的直線滑過。
[0125]通過這樣構(gòu)成的構(gòu)造物35H中，在固態(tài)成像元件IlH中，可以防止在周邊電路19的有源元件34中產(chǎn)生的光以直線進入像素區(qū)域12。因此，可以抑制由于由熱載流子產(chǎn)生的光造成的不利影響。固態(tài)成像元件IlH例如在其中在構(gòu)造物35的形成過程中局部發(fā)生應(yīng)力集中并且不能形成相對大型形狀的構(gòu)成中是特別有效的。作為構(gòu)造物35H的截面構(gòu)成，可以采用圖3和圖5?9中所示的任何構(gòu)造物35的結(jié)構(gòu)。
[0126]接著，圖13是示出本技術(shù)適用的半導(dǎo)體裝置的一個實施方案的構(gòu)成例的圖。
[0127]如圖13所示，在半導(dǎo)體裝置中IlJ中，代替圖4所示的固態(tài)成像元件11的像素區(qū)域12，形成高感度模擬元件區(qū)域12J。即，在半導(dǎo)體裝置IlJ中，多個高感度模擬元件配置在高感度模擬元件區(qū)域12J中。在半導(dǎo)體裝置IlJ中，構(gòu)造物35被配置成穿過與高感度模擬元件區(qū)域12J附近配置的周邊電路19之間的空間，并且在平面圖中包圍高感度模擬元件區(qū)域12J。
[0128]在這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置IlJ中，可以防止在周邊電路19的有源元件34中產(chǎn)生的光進入高感度模擬元件區(qū)域12J。因此，可以抑制由于熱載流子產(chǎn)生的光造成的諸如由配置在高感度模擬元件區(qū)域12J中的高感度模擬元件保持的值的變化等不利影響。在半導(dǎo)體裝置IlJ中，作為構(gòu)造物35的截面構(gòu)成，可以采用圖3和圖5?9中所示的任何結(jié)構(gòu)，并且作為構(gòu)造物35的平面配置例，可以采用圖10?12所示的任何配置例。
[0129]例如，作為半導(dǎo)體裝置IlJ的變形例，可以是其中多個像素形成在高感度模擬元件區(qū)域12J的一部分中并且高感度模擬元件區(qū)域12J和像素區(qū)域并列的構(gòu)成。即，構(gòu)造物35被配置成包圍高感度模擬元件區(qū)域12J和像素區(qū)域；由此，可以抑制由于由熱載流子產(chǎn)生的光對高感度模擬元件和像素造成的不利影響。在這種構(gòu)成中，作為構(gòu)造物35的截面構(gòu)成，可以采用圖3和圖5?9中所示的任何結(jié)構(gòu)，并且作為構(gòu)造物35的平面配置例，可以采用圖10?12所示的任何配置例。
[0130]接著，圖14是示出本技術(shù)適用的固態(tài)成像元件的第二實施方案的截面構(gòu)成例的圖。
[0131]如圖14所示，在固態(tài)成像元件IlK中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的金屬構(gòu)造物35K和絕緣體36K具有不同于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成類似于圖3的固態(tài)成像元件11的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0132]S卩，盡管在圖3的固態(tài)成像元件11中構(gòu)造物35由折射或吸收光的材料形成，但是在固態(tài)成像元件IIK中，金屬構(gòu)造物35K由反射光的金屬形成，并且絕緣體36K形成為包圍金屬構(gòu)造物35K的周圍。通過挖掘元件形成單元24的前面(圖14中的朝下表面)形成金屬構(gòu)造物35K，并且具有其中金屬構(gòu)造物35K的前端和元件形成單元24的背面之間的間隙的間隔d為短波長(例如，約400nm)以下的構(gòu)成，類似于構(gòu)造物35。
[0133]作為金屬構(gòu)造物35K的材料，例如，可以使用在可見光區(qū)域充分反射光的的材料，如銅(Cu)、鋁(Al)、鎢(W)、鈦(Ti)或鉭(Ta)。盡管未示出，但是用于提取金屬構(gòu)造物35K的電位的電極設(shè)置在金屬構(gòu)造物35K中。
[0134]因此，在固態(tài)成像元件IlK中，由熱載流子發(fā)光產(chǎn)生的光在金屬構(gòu)造物35K中反射并且可以防止通過前端側(cè)的間隙，如同在圖3的固態(tài)成像元件11中那樣。由此，固態(tài)成像元件IlK可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。
[0135]接著，固態(tài)成像元件11的第二實施方案中的第一變形例示于圖15。
[0136]如圖15所示，在固態(tài)成像元件IlL中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的金屬構(gòu)造物35L具有不同于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlL的構(gòu)成類似于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0137]S卩，盡管在圖14的固態(tài)成像元件IlK中通過挖掘元件形成單元24的前面?zhèn)刃纬山饘贅?gòu)造物35K，但是在固態(tài)成像元件IIL中，通過挖掘元件形成單元24的背面?zhèn)刃纬山饘贅?gòu)造物35L。金屬構(gòu)造物35L由反射光的材料形成，并且具有其中金屬構(gòu)造物35L的前端和元件形成單元24的前面之間的間隙的間隔d為短波長(例如，約400nm)以下的構(gòu)成，類似于構(gòu)造物 35K。
[0138]因此，在固態(tài)成像元件IlL中，由熱載流子發(fā)光產(chǎn)生的光在構(gòu)造物35L處被反射并且可以防止通過前端側(cè)的間隙，如同在圖14的固態(tài)成像元件IIK中那樣。由此，固態(tài)成像元件IlL可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。
[0139]接著，固態(tài)成像元件11的第二實施方案中的第二變形例示于圖16。
[0140]如圖16所示，在固態(tài)成像元件IlM中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的金屬構(gòu)造物35M-1和35M-2具有不同于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlM的構(gòu)成類似于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0141]即，盡管在圖14的固態(tài)成像元件IIK中，一個金屬構(gòu)造物35K形成在元件形成單元24中，但是在固態(tài)成像元件IlM中，兩個金屬構(gòu)造物35M-1和35M-2形成在元件形成單元24中。構(gòu)造物35M-1從元件形成單元24的背面?zhèn)刃纬?，并且?gòu)造物35M-2從元件形成單元24的前面?zhèn)刃纬伞Ｒ虼?，?dāng)從有源元件34觀察光接收元件31時，構(gòu)造物35M-1和構(gòu)造物35M-2重疊，由此，構(gòu)造物35M-1和構(gòu)造物35M-2被構(gòu)造成使得光不會從各前端側(cè)的間隙以直線滑過。
[0142]通過這樣構(gòu)成構(gòu)造物35M-1和構(gòu)造物35M-2，在元件形成單元24的背面與構(gòu)造物35M-1的前端之間的間隙的間隔d以及在元件形成單元24的前面與構(gòu)造物35M-2的前端之間的間隙的間隔d不需要被抑制到大約短波長。例如，當(dāng)由于加工處理變化等原因而難以控制到前面或背面的間隙時，有效的是使用固態(tài)成像元件IlM的構(gòu)成。
[0143]因此，在固態(tài)成像元件IlM中，由熱載流子發(fā)光產(chǎn)生的光在金屬構(gòu)造物35M-1和35M-2處被反射并且可以防止通過前端側(cè)的間隙，如同在圖14的固態(tài)成像元件IlK中那樣。由此，固態(tài)成像元件IlM可以避免由熱載流子產(chǎn)生的光入射在光接收元件31上，并且可以抑制由于光造成的不利影響。
[0144]接著，固態(tài)成像元件11的第二實施方案中的第三變形例示于圖17。
[0145]如圖17所示，在固態(tài)成像元件IlN中，在有源元件34和光接收元件31之間形成的金屬構(gòu)造物35N具有不同于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成。應(yīng)當(dāng)指出的是，固態(tài)成像元件IlN的構(gòu)成類似于圖14的固態(tài)成像元件IlK的構(gòu)成，并且省略了詳細說明。
[0146]S卩，盡管在圖14的固態(tài)成像元件IlK中通過挖掘元件形成單元24的前面?zhèn)刃纬山饘贅?gòu)造物35K，但是在固態(tài)成像元件I IN中，金屬結(jié)構(gòu)物35N形成為從元件形成單元24的前面?zhèn)蓉炌ǖ奖趁鎮(zhèn)?。即，在固態(tài)成像元件IlN中，金屬結(jié)構(gòu)物35N形成為在元件形