作用因素撤銷或改變時(shí)，該可控變形材料部的形變可以恢復(fù)，所述外場(chǎng)可針對(duì)所述可控變形材料部的形變特性選擇作用于其上的相應(yīng)控制外場(chǎng)，例如所述外場(chǎng)包括但不限于外部電場(chǎng)、磁場(chǎng)、光場(chǎng)等等。圖像傳感器像素可包括但不限于至少一光電轉(zhuǎn)換單元。各圖像傳感器像素與可控變形材料部之間可采用但不限于粘接等方式進(jìn)行緊密連接，這樣，當(dāng)所述可控變形材料部發(fā)生形變，就會(huì)相應(yīng)調(diào)整各圖像傳感器像素之間的間距，由此改變圖像傳感器像素的密度分布，達(dá)到可根據(jù)實(shí)際需要賦予圖像傳感器不同區(qū)域以差異化像素密度分布的效果。
[0078]實(shí)際應(yīng)用中，可將不均勻分布的外場(chǎng)作用在所述可控變形材料部的不同區(qū)域，使得所述可控變形材料部不同部分區(qū)域發(fā)生不同程度的變形，由此調(diào)整圖像傳感器像素的整體密度分布。可選的，可將所述外場(chǎng)作用在所述可控變形材料部與多個(gè)所述圖像傳感器像素不重疊的區(qū)域，這樣可使得所述可控變形材料部與所述圖像傳感器像素重疊的區(qū)域不發(fā)生形變，而是通過(guò)所述可控變形材料部的其他部分的形變來(lái)改變圖像傳感器像素的密度分布，該方案有利于避免因可控變形材料部的形變對(duì)所述圖像傳感器像素造成的損壞。
[0079]實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)需要選擇合適的至少一種可控變形材料來(lái)制備所述可控變形材料部，以使所述可控變形材料部具有可變形且變形可恢復(fù)的特性。可選的，所述可控變形材料部至少由以下一種或多種可控變形材料制備而成:壓電材料、電活性聚合物、光致形變材料、磁致伸縮材料。
[0080]所述壓電材料可以因電場(chǎng)作用產(chǎn)生機(jī)械變形。采用所述壓電材料制備的可控變形材料部以下稱為壓電材料部。利用所述壓電材料的這一物理特性，本申請(qǐng)實(shí)施例可根據(jù)但不限于所述目標(biāo)像素密度分布信息確定用于使壓電材料部發(fā)生相應(yīng)機(jī)械形變所需的電場(chǎng)控制信息，根據(jù)所述電場(chǎng)控制信息控制作用在壓電材料部的電場(chǎng)，使得所述壓電材料部發(fā)生相應(yīng)的機(jī)械形變，通過(guò)所述壓電材料部的機(jī)械形變相應(yīng)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布，由此達(dá)到根據(jù)所述目標(biāo)像素密度分布信息調(diào)整所述圖像傳感器的像素密度分布的目的。所述壓電材料可包括但不限于以下至少之一:壓電陶瓷、壓電晶體。該方案可充分利用壓電材料的物理特性來(lái)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布。
[0081]所述電活性聚合物(Electroactive Polymers,簡(jiǎn)稱ΕΑΡ)是一類能夠在電場(chǎng)作用下改變其形狀或大小的聚合物材料。采用所述電活性聚合物制備的可控變形材料部以下稱為電活性聚合物部。利用所述電活性聚合物的這一物理特性，本申請(qǐng)實(shí)施例可根據(jù)但不限于所述目標(biāo)像素密度分布信息確定用于使電活性聚合物部發(fā)生相應(yīng)形變所需的電場(chǎng)控制信息，根據(jù)所述電場(chǎng)控制信息控制作用在電活性聚合物層的電場(chǎng)，使得所述電活性聚合物層發(fā)生相應(yīng)的形變，通過(guò)所述電活性聚合物層的形變相應(yīng)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布，由此達(dá)到根據(jù)所述目標(biāo)像素密度分布信息調(diào)整所述圖像傳感器的像素密度分布的目的。所述電活性聚合物可包括但不限于以下至少之一:電子型電活性聚合物、離子型電活性聚合物；所述電子型電活性聚合物包括以下至少之一:鐵電體聚合物(如聚偏氟乙烯等)、電致伸縮接枝彈性體、液晶彈性體；所述離子型電活性聚合物包括以下至少之一:電流變液、離子聚合物-金屬?gòu)?fù)合材料等。該方案可充分利用電活性聚合物的物理特性來(lái)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布。
[0082]所述光致形變材料是一類能夠在光場(chǎng)作用下改變其形狀或大小的高分子材料。采用所述光致形變材料制備的可控變形材料部以下稱為光致形變材料部。利用所述光致形變材料的這一物理特性，本申請(qǐng)實(shí)施例可根據(jù)但不限于所述目標(biāo)像素密度分布信息確定光致形變材料部發(fā)生相應(yīng)形變所需的光場(chǎng)控制信息，根據(jù)所述光場(chǎng)控制信息控制作用在所述光致形變材料部的光場(chǎng)，使得所述光致形變材料部發(fā)生相應(yīng)的形變。通過(guò)所述光致形變材料部的形變相應(yīng)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布，由此達(dá)到根據(jù)所述目標(biāo)像素密度分布信息調(diào)整所述圖像傳感器的像素密度分布的目的。所述光致形變材料可包括但不限于以下至少之一:光致伸縮鐵電陶瓷、光致形變聚合物；所述光致伸縮鐵電陶瓷包括但不限于鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)陶瓷，光致形變聚合物包括但不限于光致形變液晶彈性體)。該方案可充分利用光致形變材料的物理特性來(lái)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布。
[0083]所述磁致伸縮材料是一類能夠在磁場(chǎng)作用下改變其磁化狀態(tài)，進(jìn)而使其尺寸發(fā)生變化的磁性材料。采用所述磁致形變材料制備的可控變形材料部以下稱為磁致形變材料部。利用所述磁致伸縮材料的這一物理特性，本申請(qǐng)實(shí)施例可根據(jù)但不限于所述目標(biāo)像素密度分布信息確定磁致伸縮材料發(fā)生相應(yīng)形變所需的磁場(chǎng)控制信息，根據(jù)所述磁場(chǎng)控制信息控制作用在所述磁致形變材料部的磁場(chǎng)，使得所述磁致形變材料部發(fā)生相應(yīng)的形變。通過(guò)所述磁致形變材料部的形變相應(yīng)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布，由此達(dá)到根據(jù)所述目標(biāo)像素密度分布信息調(diào)整所述圖像傳感器的像素密度分布的目的。所述磁致形變材料可包括但不限于稀土超磁致伸縮材料，如以(Tb, Dy) Fe2化合物為基體的合金Tbc^Dyt^Fen材料等。該方案可充分利用磁致形變材料的物理特性來(lái)調(diào)整圖像傳感器的像素密度分布。
[0084]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案中，各圖像傳感器像素和可控變形材料部的具體結(jié)構(gòu)和連接方式可根據(jù)實(shí)際需要確定，實(shí)際方式非常靈活。
[0085]一種可選的實(shí)現(xiàn)方式，如圖lb所示，所述可控變形材料部12包括:一可控變形材料層121，多個(gè)所述圖像傳感器像素11陣列分布且連接在所述可控變形材料層121的一面?？蛇x的，可根據(jù)實(shí)際工藝條件選擇將多個(gè)所述圖像傳感器像素直接形成于所述可控變形材料層12上，或者，多個(gè)所述圖像傳感器像素與所述可控變形材料層12可分別制備且二者可采用但不限于粘接的方式緊密連接。該方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)。
[0086]另一種可選的實(shí)現(xiàn)方式，如圖lc所示，所述可控變形材料部12包括多個(gè)可控變形材料連接子部122，多個(gè)所述可控變形材料連接子部122陣列分布，以對(duì)應(yīng)連接陣列分布的多個(gè)所述圖像傳感器像素11，即陣列分布的多個(gè)所述圖像傳感器像素通過(guò)陣列分布的多個(gè)所述可控變形材料連接子部連接為一體。可選的，可根據(jù)實(shí)際工藝在圖像傳感器像素陣列的像素的間隔區(qū)域形成多個(gè)所述可控變形材料連接子部，多個(gè)所述可控變形材料連接子部與相應(yīng)圖像傳感器像素可以采用但不限于抵接、粘接等方式連接。通過(guò)控制多個(gè)所述可控變形材料連接子部的形變即可調(diào)整圖像傳感器像素的密度分布，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)。
[0087]進(jìn)一步，如圖1d和圖le所示，所述圖像傳感器還可包括:形變控制部13，形變控制部13用于調(diào)節(jié)作用到所述可控變形材料部12的所述外場(chǎng)的分布，以控制所述可控變形材料部12發(fā)生相應(yīng)的形變，這樣，當(dāng)所述可控變形材料部12發(fā)生形變，就會(huì)相應(yīng)調(diào)整各圖像傳感器像素11之間的間距，由此改變圖像傳感器像素11的密度分布，達(dá)到可根據(jù)實(shí)際需要賦予圖像傳感器不同區(qū)域以差異化像素密度分布的效果。
[0088]可選的，如圖1d所示，所述形變控制部可包括光場(chǎng)控制部131，光場(chǎng)控制部131用于調(diào)節(jié)作用到所述可控變形材料部12的外部光場(chǎng)分布，以控制所述可控變形材料部12發(fā)生相應(yīng)的形變。該情形下，所述可控變形材料部12可包括至少由光致形變材料制備而成的光致形變材料部，如所述光致形變材料部可包括至少由所述光致形變材料制備而得的光致形變材料層，或者，所述可控變形材料部可包括至少由所述光致形變材料制備而得的多個(gè)光致形變材料連接子部。光場(chǎng)控制部131通過(guò)改變作用在所述光致形變材料部的光場(chǎng)分布(圖1d中通過(guò)箭頭疏密表示作用在所述可控變形材料部12不同強(qiáng)度分布的光場(chǎng))，來(lái)激勵(lì)所述可控變形材料部12的不同區(qū)域發(fā)生不同程度的形變，并通過(guò)所述可控變形材料部12的形變相應(yīng)各圖像傳感器像素11之間的間距，由此改變圖像傳感器像素11的密度分布，達(dá)到可根據(jù)實(shí)際需要賦予圖像傳感器不同區(qū)域以差異化像素密度分布的效果。
[0089]可選的，如圖le所示，所述形變控制部可包括電場(chǎng)控制部132，電場(chǎng)控制部132用于調(diào)節(jié)作用到所述可控變形材料部的外部電場(chǎng)分布，以控制所述可控變形材料部發(fā)生相應(yīng)的形變。該情形下，所述可控變形材料部12可包括至少由壓電材料制備而成的壓電材料部(如壓電材料層或者壓電材料連接子部，等等)，或者，所述可控變形材料部12可包括至少由電活性聚合物制備而成的電活性聚合物部(如電活性聚合物層或者電活性聚合物連接子部，等等)。如圖le所示，可通過(guò)控制線連接電場(chǎng)控制部和可控變形材料，電場(chǎng)控制部132通過(guò)改變作用在所述可控變形材料部的電場(chǎng)分布，來(lái)激勵(lì)所述可控變形材料部12的不同區(qū)域發(fā)生不同程度的形變。如果作用在所述可控變形材料部12電場(chǎng)為零電場(chǎng)，則所述可控變形材料部不發(fā)生形變(不妨稱為零電場(chǎng)激勵(lì))；如果改變作用在所述可控變形材料部12的電場(chǎng)強(qiáng)弱分布(如圖中所示的“ + ”正電場(chǎng)激勵(lì)和負(fù)電場(chǎng)激勵(lì))，使得作用在所述可控變形材料部12不同區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度有所差異，如圖1f所示，這樣，所述可控變形材料部的不同區(qū)域可發(fā)生不同程度的形變，并通過(guò)所述可控變形材料部12的形變相應(yīng)調(diào)整各圖像傳感器像素11之間的間距，由此改變圖像傳感器的整體像素密度分布，達(dá)到可根據(jù)實(shí)際需要賦予圖像傳感器不同區(qū)域以差異化像素密度分布的效果。
[0090]本申請(qǐng)實(shí)施例中所述可控變形部與形變控制部可直接連接，也可間接連接。所述形變控制部可作為所述圖像傳感器的一部分，或者，所述形變控制部也可不作為所述圖像傳感器的一部分，所述圖像傳感器也可預(yù)留管腳、接口等方式與所述形變控制部連接。作用在所述可控變形材料部上的外場(chǎng)可包括但不限于電場(chǎng)、磁場(chǎng)、光場(chǎng)等。用于產(chǎn)生電場(chǎng)的硬件、軟件結(jié)構(gòu)，用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的硬件、軟件結(jié)構(gòu)、以及用于產(chǎn)生光場(chǎng)的硬件、軟件結(jié)構(gòu)等，可根據(jù)實(shí)際需要采用相應(yīng)的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)，本申請(qǐng)實(shí)施例在此不再贅述。
[0091]可選的，所述圖像傳感器還可包括柔性襯底，所述柔性襯底可包括但不限于柔性塑料襯底，其具有一定的柔性，可根據(jù)需要改變?nèi)嵝砸r底的形狀。圖像傳感器像素、可控變形材料部可設(shè)柔性襯底的同側(cè)或不同側(cè)。例如:如圖lg所示，多個(gè)所述圖像傳感器像素11連接于柔性襯底14的一面，可控變形材料部(如可控變形材料層121)連接于柔性襯底14的另一面。又例如:如圖lh所示，多個(gè)所述圖像傳感器像素11連接于柔性襯底14的一面，可控變形材料部(如可控變形材料連接子部12