述。
[0032]首先從市場購得或自行制得:
[0033]作為襯底的導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體；去離子水。
[0034]接著，
[0035]實施例1
[0036]制備的具體步驟為:
[0037]先于襯底上派射金膜；其中，襯底為半導(dǎo)體中的單晶娃片，金膜的厚度為10nm。再將石墨作為陽極、其上覆有金膜的襯底作為陰極一起置于金電解液中，于30 μΑ/cm2的直流電流下電沉積20h ;其中，金電解液為0.2g/L的氯金酸溶液和50g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得近似于圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。之后，使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列I次。
[0038]實施例2
[0039]制備的具體步驟為:
[0040]先于襯底上派射金膜；其中，襯底為半導(dǎo)體中的單晶娃片，金膜的厚度為20nm。再將石墨作為陽極、其上覆有金膜的襯底作為陰極一起置于金電解液中，于130 μΑ/cm2的直流電流下電沉積17h ;其中，金電解液為1.2g/L的氯金酸溶液和38g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得近似于圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。之后，使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列2次。
[0041]實施例3
[0042]制備的具體步驟為:
[0043]先于襯底上派射金膜；其中，襯底為半導(dǎo)體中的單晶娃片，金膜的厚度為30nm。再將石墨作為陽極、其上覆有金膜的襯底作為陰極一起置于金電解液中，于250 μΑ/cm2的直流電流下電沉積14h ;其中，金電解液為2.5g/L的氯金酸溶液和25g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得如圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。之后，使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列2次。
[0044]實施例4
[0045]制備的具體步驟為:
[0046]先于襯底上派射金膜；其中，襯底為半導(dǎo)體中的單晶娃片，金膜的厚度為40nm。再將石墨作為陽極、其上覆有金膜的襯底作為陰極一起置于金電解液中，于375 μΑ/cm2的直流電流下電沉積Ilh ;其中，金電解液為3.75g/L的氯金酸溶液和12g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得近似于圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。之后，使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列3次。
[0047]實施例5
[0048]制備的具體步驟為:
[0049]先于襯底上派射金膜；其中，襯底為半導(dǎo)體中的單晶娃片，金膜的厚度為50nm。再將石墨作為陽極、其上覆有金膜的襯底作為陰極一起置于金電解液中，于500 μΑ/cm2的直流電流下電沉積Sh ;其中，金電解液為5g/L的氯金酸溶液和2g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得近似于圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。之后，使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列3次。
[0050]再分別選用作為襯底的導(dǎo)體或半導(dǎo)體或絕緣體，重復(fù)上述實施例1?5，同樣制得了如或近似于圖1所示的金微納結(jié)構(gòu)陣列。
[0051]金微納結(jié)構(gòu)陣列的用途為，
[0052]將金微納結(jié)構(gòu)陣列作為表面增強拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光譜儀測量其上附著的羅丹明或甲基對硫磷的含量，得到如或近似于圖2或圖3所示的結(jié)果；其中，激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm、輸出功率為0.03?lmW、積分時間為I?30s。
[0053]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明的金微納結(jié)構(gòu)陣列及其制備方法和用途進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若對本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種金微納結(jié)構(gòu)陣列，包括襯底，其特征在于: 所述襯底上覆有金膜，所述金膜上置有金微米柱陣列，所述組成金微米柱陣列的金微米柱的頂端為半球狀； 所述半球狀頂端的金微米柱的柱直徑為200nm?3 μ m、柱高為300nm?6 μ m，其由金納米顆粒組成； 所述金納米顆粒的粒徑為3?30nm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列，其特征是金膜的厚度為10?50nm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列，其特征是襯底為導(dǎo)體，或半導(dǎo)體，或絕緣體。4.一種權(quán)利要求1所述金微納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，包括電化學沉積法，其特征在于主要步驟如下: 先于襯底上濺射金膜，再將其上覆有金膜的襯底作為陰極置于金電解液中，于30?500 μ A/cm2的直流電流下電沉積8?20h，其中，金電解液為0.2?5g/L的氯金酸溶液和2?50g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得金微納結(jié)構(gòu)陣列。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征是襯底為導(dǎo)體，或半導(dǎo)體，或絕緣體。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征是金膜的厚度為10?50nmo7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征是電沉積時的陽極為石里年、O8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征是使用去離子水清洗金微納結(jié)構(gòu)陣列I?3次。9.一種權(quán)利要求1所述金微納結(jié)構(gòu)陣列的用途，其特征在于: 將金微納結(jié)構(gòu)陣列作為表面增強拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光譜儀測量其上附著的羅丹明或甲基對硫磷的含量。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的金微納結(jié)構(gòu)陣列的用途，其特征是激光拉曼光譜儀的激發(fā)波長為532nm、輸出功率為0.03?lmW、積分時間為I?30s。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金微納結(jié)構(gòu)陣列及其制備方法和用途。陣列為襯底上覆有金膜，金膜上置有金微米柱陣列，組成金微米柱陣列的金微米柱的頂端為半球狀，半球狀頂端的金微米柱的柱直徑為200nm～3μm、柱高為300nm～6μm，其由金納米顆粒組成，金納米顆粒的粒徑為3～30nm；方法為先于襯底上濺射金膜，再將其上覆有金膜的襯底作為陰極置于金電解液中，于30～500μA/cm2的直流電流下電沉積8～20h，其中，金電解液為0.2～5g/L的氯金酸溶液和2～50g/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液的混合液，制得目的產(chǎn)物。它可作為表面增強拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光譜儀測量其上附著的羅丹明或甲基對硫磷的含量。
【IPC分類】B81B1/00, G01N21/65, B82Y40/00, B82Y30/00, B81C1/00
【公開號】CN105174194
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】朱儲紅, 孟國文, 王秀娟
【申請人】中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年8月6日