卷對卷聚酰亞胺膜的清洗方法及其系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)于一種卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法及其系統(tǒng)，特別是指一種聚酷亞 胺膜經(jīng)過激光加工后，予W清除其膜面雜質(zhì)或污垢，使其更有利于之后的金屬化制程。
【背景技術(shù)】
[0002] 可曉性銅錐積層板（Flexible copper clad laminate, FCCL)廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn) 業(yè)中作為電路基板（PCB)，F(xiàn)CXL除了具有輕、薄及可曉的優(yōu)點(diǎn)外，用聚酷亞胺膜還具有電性 能、熱性能及耐熱性優(yōu)良的特點(diǎn)外，其較低的介電常數(shù)值k)性，使得電信號得到快速的傳 遞，良好的熱性能，可使組件易于降溫，較高的玻璃化溫度（Tg)，可使組件在較高的溫度下 良好運(yùn)行。
[0003]曉性銅錐基材要分為二大類，一為傳統(tǒng)接著劑型S層軟板基材（3FCXL)，另一種為 新型無接著劑二層軟板基材（2FCCL)兩大類，此兩類基材材料，其制造方法不同，其應(yīng)用產(chǎn) 品項(xiàng)目也不同，=層軟板基材一般應(yīng)用于大宗軟板產(chǎn)品上，二層軟板基材具有輕薄短小的 優(yōu)勢，可應(yīng)用于較高階軟板制造上。就現(xiàn)有二層軟板基材的制造方法而言，可分為涂布型 Wasting Type)、壓合型化amination)、瓣鍛型及濕式鍛法型四種，其系皆在一介電材料上 形成金屬層，W完成可曉性金屬基板的制作，該等制造方法皆為現(xiàn)有技術(shù)，于此不加寶述。
[0004] 而現(xiàn)有可曉性電路板的制造方式，是先將前述曉性銅錐基板進(jìn)行鉆孔，使基板12 上形成多個貫孔14,再于貫孔14內(nèi)形成導(dǎo)電介質(zhì)16(如傳統(tǒng)化銅、電鍛銅及傳統(tǒng)導(dǎo)電石墨 等金屬化微孔，W形成導(dǎo)電介質(zhì)16)，最后再將曉性金屬基板12上進(jìn)行電鍛二次銅18,使一 次銅10上方及貫孔14內(nèi)形成二次銅18,而得W使基板12上、下電路導(dǎo)通，此種現(xiàn)有可曉 性電路板的制造上較為繁瑣，且成本較高，且電路板的厚度較大，不利于細(xì)線及高密度的需 求，而貫孔14內(nèi)的傳統(tǒng)導(dǎo)電介層16制作方式（如傳統(tǒng)化銅、電鍛銅及傳統(tǒng)導(dǎo)電石墨等金屬 化微孔），其厚度較大，亦不利于微孔化的需求。 陽0化]為解決上述現(xiàn)有可曉性電路板及制作的缺點(diǎn)，發(fā)明人遂發(fā)明出本發(fā)明，其是于聚 壓亞胺膜上先進(jìn)行激光加工，W形成預(yù)鉆孔，再進(jìn)行后續(xù)化學(xué)鍛儀及電鍛銅制程，W解決上 述現(xiàn)有的缺點(diǎn)，但于激光加工后將在聚酷亞胺膜上殘留有雜質(zhì)/污垢，此時便不利于后續(xù) 化學(xué)鍛儀及電鍛銅制程，而，如何有效清洗激光加工后的聚酷亞胺膜，是為業(yè)界努力研究的 重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的是提供一種卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法及其系統(tǒng)。
[0007] 為達(dá)成所述目的，本發(fā)明提供的卷對卷的聚酷亞胺膜的清洗方法，其包括有下列 步驟：
[0008] 提供一卷筒式聚酷亞胺膜；
[0009] 將該聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制程；
[0010] 該聚酷亞胺膜進(jìn)行一膜面清潔制程，其中，該膜面清潔制程可先進(jìn)行干式膜面清 潔制程，再進(jìn)行濕式膜面清潔制程，或可先進(jìn)行濕式膜面清潔制程，再進(jìn)行干式膜面清潔制 程，W有效清洗聚酷亞胺膜表面及孔內(nèi)的雜質(zhì)/污垢；及進(jìn)行一收卷制程。
[0011] 本發(fā)明的卷對卷的聚酷亞胺膜清洗系統(tǒng)，其包括有一放卷裝置，用W將卷筒式聚 酷亞胺膜進(jìn)行放卷；一膜面清潔裝置，用W清潔聚酷亞胺膜；膜面清潔裝置包括一干式清 潔機(jī)和一濕式清潔機(jī)，其可先為一干式處理機(jī)再為一濕式清潔機(jī)，或可先為一濕式清潔機(jī) 再為一干式清潔機(jī)；及一收卷裝置，用W將清潔的聚酷亞胺膜收起成卷。
【附圖說明】
[0012] 圖1為本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法的流程的第一實(shí)施例。
[0013] 圖2為本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法的流程的第二實(shí)施例。
[0014] 圖3為本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)的第一實(shí)施例。
[0015] 圖4為本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗系統(tǒng)的第二實(shí)施例。
[0016] 圖5為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛。
[0017] 圖6為未實(shí)施膜面清洗而直接化鍛。
[0018] 圖7為實(shí)施膜面清洗后進(jìn)行化鍛。
[0019] 【符號說明】
[0020] 放卷裝置 30、40
[0021] 黏塵裝置 31、41
[0022] 干式清潔機(jī) 32、45
[0023] 濕式清潔機(jī) 33、42
[0024] 超音波震蕩裝置34、43 陽0巧]烘干處理機(jī) 35、44
[0026] 收卷裝置 36、46
【具體實(shí)施方式】
[0027] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，W下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照 附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0028] 本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法，其中，該聚酷亞胺膜是已完成激光加工形 成多個預(yù)鉆孔，在激光加工時將造成該聚酷亞胺膜表面及孔殘留有雜質(zhì)，而若后續(xù)欲進(jìn)行 金屬化制程（如化學(xué)鍛儀及電鍛銅）時，該雜質(zhì)若未能有效予W清除，將對后續(xù)金屬化制程 造成不利的影響，甚而影響到曉性電路板的質(zhì)量。
[0029] 請參閱圖1所示，為本發(fā)明卷對卷聚酷亞胺膜的清洗方法的流程的第一實(shí)施例： 步驟S1 :首先，提供一卷筒式聚酷亞胺膜；步驟S2 :將該聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制程；步驟 S3 :將聚酷亞胺膜進(jìn)行一黏塵制程，W黏除較大顆粒的雜質(zhì)；步驟S4 :該聚酷亞胺膜進(jìn)行一 膜面清潔，其中該膜面清潔系先進(jìn)行干式膜面清潔制程；步驟S5 :再將完成干式膜面清潔 的聚酷亞胺膜進(jìn)行濕式膜面清潔制程；步驟S6 :進(jìn)行烘干制程；步驟S7 : W及進(jìn)行一收卷 制程。
[0030] 請參閱圖2所示，為本發(fā)明卷對卷的聚酷亞胺膜的清洗方法的流程的第二示意 圖，步驟S11 :首先，提供一卷筒式聚酷亞胺膜；步驟S12 :將該聚酷亞胺膜進(jìn)行放卷制程； 步驟S13 :將聚酷亞胺膜進(jìn)行一黏塵制程，W黏除較大顆粒的雜質(zhì)；步驟S14 :該聚酷亞胺膜 進(jìn)行一膜面清潔，其中該膜面清潔系先進(jìn)行濕式膜面清潔制程；步驟S15 :進(jìn)行烘干制程； 步驟S16 :進(jìn)行干式膜面清潔制程；步驟S17 : W及進(jìn)行一收卷制程。