本技術(shù)涉及保護墊，具體為一種防靜電epe保護墊。

背景技術(shù)：

1、epe內(nèi)托是可發(fā)性高壓聚乙烯，又被稱為epe珍珠棉，防靜電珍珠棉通常是由聚乙烯或聚丙烯微珠經(jīng)發(fā)泡后形成的泡沫材料，通過加入靜電劑或?qū)щ妱┑任镔|(zhì)進行改性而得到，由于其特殊的性質(zhì)，防靜電珍珠棉被廣泛應用于電子、醫(yī)療、儀器儀表、電子半導體、航空航天等領(lǐng)域，防靜電珍珠棉在應用中可以起到防靜電、防震、絕緣、抗壓、保溫、防潮、防水等多種作用，但在選擇珍珠棉時，選擇較大的保護墊時，不方便運輸，顯得笨重，容易發(fā)生磕碰，并且在使用時，傳統(tǒng)的墊子厚度和占地面積通常較為固定，無法滿足使用者在不同場景下對墊子的需求，因此可知現(xiàn)在的防靜電epe保護墊能夠基本滿足人們需求，但是仍然存在一些問題，因此亟需一種防靜電epe保護墊裝置來解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種防靜電epe保護墊，以解決上述背景技術(shù)中提出的現(xiàn)有裝置中選擇較大的保護墊時，不方便運輸，顯得笨重，容易發(fā)生磕碰，并且在使用時，傳統(tǒng)的墊子厚度和占地面積通常較為固定，無法滿足使用者在不同場景下對墊子的需求的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種防靜電epe保護墊，包括靜電耗散層，所述靜電耗散層固定連接導電層，所述導電層固定連接長條凸塊，所述長條凸塊的內(nèi)部固定安裝第一磁吸塊，所述導電層固定連接凹槽。

3、優(yōu)選的，所述導電層的內(nèi)部固定安裝第二磁吸塊，所述第二磁吸塊的一側(cè)貼合凹槽的表面。

4、優(yōu)選的，所述靜電耗散層的底部外表面固定連接導電層，所述第一磁吸塊內(nèi)嵌于長條凸塊內(nèi)，并且遠離長條凸塊與導電層接觸的另一端，所述長條凸塊的一側(cè)固定連接導電層的外表面，進行導電后耗散電流。

5、優(yōu)選的，所述第一磁吸塊與第二磁吸塊進行磁吸依附，使得兩個導電層通過長條凸塊與凹槽進行卡合，并且通過第一磁吸塊與第二磁吸塊的磁吸，相互依附連接。

6、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：

7、本實用新型通過導電層的側(cè)壁上固定連接長條凸塊與凹槽，通過在長條凸塊的內(nèi)部固定安裝第一磁吸塊，在導電層的內(nèi)部固定安裝第二磁吸塊，通過長條凸塊的外側(cè)與凹槽的外表面進行卡合，通過第一磁吸塊與第二磁吸塊進行磁吸進行依附連接，使得導電層相互間進行連接，滿足對空間大小的隨意拼接。

技術(shù)特征：

1.一種防靜電epe保護墊，包括靜電耗散層(1)，其特征在于：所述靜電耗散層(1)固定連接導電層(2)，所述導電層(2)固定連接長條凸塊(21)，所述長條凸塊(21)的內(nèi)部固定安裝第一磁吸塊(3)，所述導電層(2)固定連接凹槽(22)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防靜電epe保護墊，其特征在于：所述導電層(2)的內(nèi)部固定安裝第二磁吸塊(4)，所述第二磁吸塊(4)的一側(cè)貼合凹槽(22)的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防靜電epe保護墊，其特征在于：所述靜電耗散層(1)的底部外表面固定連接導電層(2)，所述第一磁吸塊(3)內(nèi)嵌于長條凸塊(21)內(nèi)，并且遠離長條凸塊(21)與導電層(2)接觸的另一端，所述長條凸塊(21)的一側(cè)固定連接導電層(2)的外表面，進行導電后耗散電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防靜電epe保護墊，其特征在于：所述第一磁吸塊(3)與第二磁吸塊(4)進行磁吸依附，使得兩個導電層(2)通過長條凸塊(21)與凹槽(22)進行卡合，并且通過第一磁吸塊(3)與第二磁吸塊(4)的磁吸，相互依附連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及保護墊技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種防靜電EPE保護墊，包括靜電耗散層，所述靜電耗散層固定連接導電層，所述導電層固定連接長條凸塊，所述長條凸塊的內(nèi)部固定安裝第一磁吸塊，所述導電層固定連接凹槽，通過導電層的側(cè)壁上固定連接長條凸塊與凹槽，通過在長條凸塊的內(nèi)部固定安裝第一磁吸塊，在導電層的內(nèi)部固定安裝第二磁吸塊，通過長條凸塊的外側(cè)與凹槽的外表面進行卡合，通過第一磁吸塊與第二磁吸塊進行磁吸進行依附連接，使得導電層相互間進行連接，滿足對空間大小的隨意拼接。

技術(shù)研發(fā)人員：楊德華,楊寧,王明明,任琦,譚加俊,袁成,耿欣華
受保護的技術(shù)使用者：青島華翔包裝制品有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240327
技術(shù)公布日：2024/11/18