本發(fā)明涉及的是沖擊片起爆裝置,尤其是一種集成的沖擊片起爆裝置。
背景技術(shù):
通過(guò)對(duì)金屬橋箔瞬間施加大電流脈沖,使其汽化產(chǎn)生高溫高壓等離子體,驅(qū)動(dòng)飛片高速撞擊從而引爆炸藥的裝置稱為沖擊片雷管。目前沖擊片雷管在國(guó)內(nèi)外的軍事裝備上均有廣泛的應(yīng)用。
沖擊片雷管需要電容放電單元提供起爆能量,從而形成沖擊片起爆系統(tǒng)。目前,沖擊片起爆系統(tǒng)一般采用分立的高壓電容器、高壓開(kāi)關(guān)、高壓接插件、沖擊片雷管及連接線纜等組成。為可靠起爆,一般要求高壓電容器的容量足夠大,放電開(kāi)關(guān)具有足夠快的閉合速度,且放電回路盡可能短以減小線路上的能量損失。
由于高壓脈沖放電回路的負(fù)載為阻抗很小的爆炸箔(阻抗為毫歐級(jí)),即便引入微小的回路阻抗,也會(huì)造成對(duì)cdu中能量的重新分配,從而對(duì)通過(guò)爆炸箔的脈沖電流波形造成較大的影響。為保證高壓連接器的插接可靠性和承載脈沖大電流的能力,高壓連接器的有效接插長(zhǎng)度一般不低于3mm~5mm,即便高壓連接器的材料阻抗較小,仍不可避免的在放電回路中引入一定的電感和電阻,試驗(yàn)結(jié)果表明,即便在回路中采用帶7mm導(dǎo)線的高壓接插件,監(jiān)測(cè)其在負(fù)載上放電電流的峰值衰減20%,放電周期延展25%。連接導(dǎo)線越長(zhǎng),損耗在回路上的能量越大。
現(xiàn)有的沖擊片起爆系統(tǒng)中,沖擊片雷管與電容放電單元中的高壓電容器、高壓開(kāi)關(guān)(真空火花隙開(kāi)關(guān)或半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)nmct)、高壓接插件等器件采用導(dǎo)線簡(jiǎn)單焊接組合,主要存在以下不足:系統(tǒng)體積大,限制了在諸多場(chǎng)合的應(yīng)用;放電回路長(zhǎng),能量損失較大;放電回路中導(dǎo)線寄生參數(shù)、接插件接觸電阻等參數(shù)存在散布,不利于性能提升;系統(tǒng)焊接工藝性不好,裝配操作環(huán)節(jié)易對(duì)系統(tǒng)可靠性造成影響。
北京理工大學(xué)的李杰等人于2013年申請(qǐng)了一種微小型高壓放電裝置的專利,提出了將高壓電容器制作為環(huán)形,在中間安裝沖擊片雷管、端面布置印制電路板的起爆裝置方案,相對(duì)于一般的沖擊片起爆系統(tǒng),結(jié)構(gòu)更緊湊。但該裝置本質(zhì)上仍是分立器件的組合,只是做了結(jié)構(gòu)上的優(yōu)化,并不能從根本上解決一般沖擊片起爆系統(tǒng)共有的不足。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的,就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足,而提供一種集成的沖擊片起爆裝置的技術(shù)方案,該方案在高壓電容器陶瓷外殼基底上依次制作平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔、飛片層、加速膛,而后裝藥并采用殼體封裝,形成電容放電單元cdu與沖擊片雷管高度集成的一體化沖擊片起爆裝置。
本方案是通過(guò)如下技術(shù)措施來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
一種集成的沖擊片起爆裝置,包括有高壓電容器、平面高壓開(kāi)關(guān)、爆炸箔層、飛片層、加速膛、藥柱和殼體;高壓電容器下方設(shè)置有平面高壓開(kāi)關(guān);平面高壓開(kāi)關(guān)的下方設(shè)置有爆炸箔層;爆炸箔層的下方設(shè)置有飛片層;飛片層的下方設(shè)置有加速膛;加速膛的下方設(shè)置有藥柱;殼體將所有上述部件封裝在內(nèi);高壓電容器的兩級(jí)引出在殼體外部;平面高壓開(kāi)關(guān)的觸發(fā)極引出在殼體外部。
作為本方案的優(yōu)選:加速膛為中部設(shè)置有通孔的實(shí)心結(jié)構(gòu)。
作為本方案的優(yōu)選:平面高壓開(kāi)關(guān)和爆炸箔層之間設(shè)置有電介質(zhì)層;平面高壓開(kāi)關(guān)、爆炸箔層和電介質(zhì)層三層黏合固定或在電解質(zhì)層的正反別分別濺射爆炸箔層和金屬層。
作為本方案的優(yōu)選:平面高壓開(kāi)關(guān)為在金屬箔上蝕刻的電路。
本方案的有益效果可根據(jù)對(duì)上述方案的敘述得知,由于在該方案中在高壓電容器陶瓷外殼基底上依次制作平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔、飛片層、加速膛,而后裝藥并采用殼體封裝,形成電容放電單元cdu與沖擊片雷管高度集成的一體化沖擊片起爆裝置。采用平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔集成技術(shù),系統(tǒng)中不需要使用印制電路板、硅橡膠導(dǎo)線和接插件(一般的沖擊片起爆系統(tǒng)中必備上述零部件),實(shí)現(xiàn)一體化沖擊片起爆裝置,可大幅減小系統(tǒng)體積;相對(duì)傳統(tǒng)放電回路采用導(dǎo)線、接插件的連接方式,可大大減小放電時(shí)回路中的能量損失,同時(shí)可避免接插件接觸電阻散布帶來(lái)的放電性能影響;集成封裝,有利于實(shí)現(xiàn)可靠性與通用化性能的提升;放電回路面積小,可采用金屬外殼,高壓放電時(shí)對(duì)其他電路的電磁干擾小。
由此可見(jiàn),本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步,其實(shí)施的有益效果也是顯而易見(jiàn)的。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1仰視圖。
圖3為平面高壓觸發(fā)開(kāi)關(guān)與爆炸箔層的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖4為平面高壓觸發(fā)開(kāi)關(guān)與爆炸箔層的剖視圖。
圖中,1為引出電極,2為平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔層,3為飛片層,4為加速膛,5為藥柱,6為高壓電容器,7為殼體,8為高壓電容器,9為微爆炸橋箔,10為觸發(fā)極焊盤(pán),11為爆炸橋箔,12為金屬層,13為電介質(zhì)層,14為爆炸箔層。
具體實(shí)施方式
本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的所有特征,或公開(kāi)的所有方法或過(guò)程中的步驟,除了互相排斥的特征和/或步驟以外,均可以以任何方式組合。
本說(shuō)明書(shū)(包括任何附加權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開(kāi)的任一特征,除非特別敘述,均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即,除非特別敘述,每個(gè)特征只是一系列等效或類似特征中的一個(gè)例子而已。
如圖所示,本方案包括引出電極1、平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔層2、飛片層3、加速膛4、藥柱5、高壓電容器6和殼體7。
引出電極1共有四根,一組高壓電極和地,一組觸發(fā)電極和地,如圖2所示。高壓電極和地從高壓電容兩端引出,觸發(fā)極和地從平面高壓開(kāi)關(guān)與爆炸箔層2的觸發(fā)極兩端引出。
平面高壓開(kāi)關(guān)和爆炸箔層2的示意圖和剖視圖見(jiàn)圖3和圖4。如圖4所示,平面高壓開(kāi)關(guān)和爆炸箔層由三層材料組成,分別為金屬層12、電介質(zhì)層13及爆炸箔層14。金屬層12可采用10μm以下厚度的銅箔,通過(guò)蝕刻工藝在上面制作出觸發(fā)極焊盤(pán)10及微爆炸橋箔9。電介質(zhì)層13可采用聚酰亞胺薄膜或熱塑性parylene材料。爆炸箔層14采用10μm左右厚度的銅箔,通過(guò)顯影、曝光、蝕刻,在其上制作出爆炸橋箔11。金屬層12、電介質(zhì)層13及爆炸箔層14采用粘接膠加壓粘合。在觸發(fā)極10的兩端施加一個(gè)低壓觸發(fā)電平時(shí),微爆炸箔9爆炸產(chǎn)生高密度帶電粒子使得爆炸箔11的高壓導(dǎo)通,繼而爆炸產(chǎn)生大量高溫、高壓等離子體,剪切飛片層3產(chǎn)生飛片并驅(qū)動(dòng)飛片經(jīng)過(guò)加速膛4撞擊藥柱5。平面高壓開(kāi)關(guān)和爆炸箔層也可采用在電介質(zhì)材料正反面濺射金屬層,再通過(guò)蝕刻工藝制作獲得。
圖1中飛片層3可采用10μm-90μm聚酰亞胺薄膜,粘接到爆炸箔層。加速膛4采用聚酰亞胺層加半固化膠層通過(guò)鉆孔加工出加速膛孔,同時(shí)利用其半固化膠層與飛片層3加壓粘接。通過(guò)殼體7將上述零部件1-6進(jìn)行整體封裝。
本發(fā)明并不局限于前述的具體實(shí)施方式。本發(fā)明擴(kuò)展到任何在本說(shuō)明書(shū)中披露的新特征或任何新的組合,以及披露的任一新的方法或過(guò)程的步驟或任何新的組合。