本實(shí)用新型涉及納米功能材料技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料。

背景技術(shù)：

納米材料指材料在某些尺寸維度上達(dá)到納米尺度的材料，包括零維的納米顆粒，一維的納米線、納米管以及二維的納米薄膜，納米材料顆粒大小在1-100nm范圍內(nèi)，納米粒子由于粒徑小、比表面自由能高，顧其化學(xué)勢比相同條件下的塊狀固體高很多，結(jié)果導(dǎo)致其熔點(diǎn)和燒結(jié)溫度大大低于同樣材質(zhì)的塊狀固體。

金、銀和銅納米粒子被認(rèn)為是前景很好的導(dǎo)電功能材料，因?yàn)樗鼈?具有高的導(dǎo)電性（105S/cm）、操作穩(wěn)定性以及低溫過程能力。金和銀比銅貴很多，因而在近幾年，銅納米導(dǎo)電材料的制備引起廣泛關(guān)注。

納米銅顆粒的優(yōu)良特性得以造福人類。納米銅粉的比表面積大、表面活性中心數(shù)目多，在冶金和石油化工中是優(yōu)良的催化劑。納米級銅粉和其塊體材料一樣具有很高的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率，可用于制造導(dǎo)電漿料，如導(dǎo)電膠、導(dǎo)磁膠等，并用于微電子工業(yè)中的封裝、連接，對微電子器件的小型化起重要作用。自上世紀(jì)九十年代中期，IBM的Pokka等指出納米銅由于其低電阻而可被用于電子連接后，其特殊的電學(xué)性質(zhì)引起電子界的很大關(guān)注，越來越多的研究人員開始把注意力轉(zhuǎn)移到納米銅的制備和應(yīng)用上來。在工程結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用中，納米銅晶體材料有著良好的拉伸性能和抗沖擊強(qiáng)度，其力學(xué)性能與傳統(tǒng)的銅材相比有著很明顯的提升。另外，納米銅粉是高導(dǎo)電率、高強(qiáng)度的納米銅材不可缺少的基礎(chǔ)原料，因此納米銅粉和與其有關(guān)的復(fù)合材料的研制具有重要的理論意義和實(shí)用價值。

中國專利201410828545.1，公開了一種環(huán)氧樹脂/石墨烯/納米銅復(fù)合材料的制備方法，涉及一種環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明是要解決目前的環(huán)氧樹脂不同時具備優(yōu)良的導(dǎo)電性能和優(yōu)異的機(jī)械性能的技術(shù)問題。本發(fā)明：一、制備氧化石墨烯溶膠；二、氧化石墨烯負(fù)載納米銅粉；三、負(fù)載納米銅粉的石墨烯在環(huán)氧樹脂中的分散；四、固化。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)：一、本實(shí)用新型方法制備的環(huán)氧樹脂/石墨烯/納米銅復(fù)合材料中石墨烯/納米銅在環(huán)氧樹脂中的分散性良好；二、與純環(huán)氧樹脂相比，本實(shí)用新型制備的環(huán)氧樹脂/石墨烯/納米銅復(fù)合材料的抗拉強(qiáng)度大幅度提高；三、本實(shí)用新型制備的環(huán)氧樹脂/石墨烯/納米銅復(fù)合材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度與純環(huán)氧樹脂相比有提高。但是本發(fā)明環(huán)氧樹脂/石墨烯/納米銅復(fù)合材料的導(dǎo)電性能并不適用于導(dǎo)電材料。

因此，需要一種基于納米銅的導(dǎo)電功能材料，來提高材料的導(dǎo)電性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述存在的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，較現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電復(fù)合材料抗刮性能好，導(dǎo)電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材、納米銅導(dǎo)電層、碳纖維導(dǎo)電層及硬化抗刮層。

另有，所述ITO導(dǎo)電膜基材的厚度為100-200μm。

且有，所述納米銅導(dǎo)電層的厚度為200-300nm。

進(jìn)一步地，所述納米銅導(dǎo)電層含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為30-60nm。

再，所述碳纖維導(dǎo)電層的厚度為200-500μm。

同時，所述硬化抗刮層的材料為改性PVC。

本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型所述的一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材、納米銅導(dǎo)電層、碳纖維導(dǎo)電層及硬化抗刮層，較現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電復(fù)合材料抗刮性能好，導(dǎo)電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型所提供的一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1為ITO導(dǎo)電膜基材，2為納米銅導(dǎo)電層，3為碳纖維導(dǎo)電層，4為硬化抗刮層。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

參見圖1，圖1為本實(shí)用新型所述的一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)示意圖：

一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材1、納米銅導(dǎo)電層2、碳纖維導(dǎo)電層3及硬化抗刮層4。

另有，所述ITO導(dǎo)電膜基材1的厚度為100μm。

且有，所述納米銅導(dǎo)電層2的厚度為200nm。

進(jìn)一步地，所述納米銅導(dǎo)電層2含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為30nm。

再，所述碳纖維導(dǎo)電層3的厚度為200μm。

同時，所述硬化抗刮層4的材料為改性PVC。

實(shí)施例2

一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材1、納米銅導(dǎo)電層2、碳纖維導(dǎo)電層3及硬化抗刮層4。

另有，所述ITO導(dǎo)電膜基材1的厚度為200μm。

且有，所述納米銅導(dǎo)電層2的厚度為300nm。

進(jìn)一步地，所述納米銅導(dǎo)電層2含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為60nm。

再，所述碳纖維導(dǎo)電層3的厚度為500μm。

同時，所述硬化抗刮層4的材料為改性PVC。

實(shí)施例3

一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材1、納米銅導(dǎo)電層2、碳纖維導(dǎo)電層3及硬化抗刮層4。

另有，所述ITO導(dǎo)電膜基材1的厚度為150μm。

且有，所述納米銅導(dǎo)電層2的厚度為250nm。

進(jìn)一步地，所述納米銅導(dǎo)電層2含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為50nm。

再，所述碳纖維導(dǎo)電層3的厚度為400μm。

同時，所述硬化抗刮層4的材料為改性PVC。

本實(shí)用新型所述的一種高效導(dǎo)電復(fù)合材料，從下至上依次設(shè)置有ITO導(dǎo)電膜基材1、納米銅導(dǎo)電層2、碳纖維導(dǎo)電層3及硬化抗刮層4，較現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電復(fù)合材料抗刮性能好，導(dǎo)電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。

需要說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制。盡管參照較佳實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍中。