一種含銪的氟化鈣晶體、制備方法及用途
【專利摘要】本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種含銪的氟化鈣晶體、制備方法及用途。本發(fā)明提供的含銪的氟化鈣晶體可以使用Co60照射，通過(guò)RCA8850光電倍增管測(cè)量晶體的光產(chǎn)額，結(jié)果表明本發(fā)明提供的含銪的氟化鈣晶體在含量較少的情況下，使氟化鈣晶體具有了優(yōu)異的具有閃爍晶體吸收高能粒子能量后發(fā)出一定波長(zhǎng)閃爍熒光的性能。特別是晶體的相對(duì)光輸出與硅酸釔镥閃爍(LYSO)晶體相當(dāng)。此外，由于含量低，還利于生長(zhǎng)高光學(xué)質(zhì)量的晶體。本發(fā)明還提供了含銪的氟化鈣晶體的制備方法及用途。
【專利說(shuō)明】一種含銪的氟化鈣晶體、制備方法及用途

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種含銪的氟化鈣晶體、制備方法及用途。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，閃爍晶體即能吸收高能粒子能量后發(fā)出一定波長(zhǎng)閃爍熒光的晶體，經(jīng)光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和輔助電子設(shè)備，最終可以確定高能粒子的能量。閃爍晶體可用于X射線、Y射線、中子及其他高能粒子的探測(cè)。氟化鈣晶體是一種多功能、多用途的晶體材料，具有自身機(jī)械性能穩(wěn)定、易加工、不潮解、原料價(jià)格低廉、易生長(zhǎng)大尺寸單晶的有點(diǎn)，是目前應(yīng)用最廣泛的光學(xué)晶體之一，但純氟化鈣晶體不具有閃爍晶體吸收高能粒子能量后發(fā)出一定波長(zhǎng)閃爍熒光的性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供了一種含銪的氟化鈣晶體、制備方法及用途，解決了純氟化鈣晶體不具有閃爍晶體吸收高能粒子能量后發(fā)出一定波長(zhǎng)閃爍熒光性能的問(wèn)題。
[0004]本發(fā)明是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種含銪的氟化鈣晶體，包括氟化鈣晶體，所述晶體包括銪元素。
[0005]進(jìn)一步地，所述銪元素以氟化銪的方式添加到所述氟化鈣晶體中。
[0006]進(jìn)一步地，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量范圍質(zhì)量百分比為0.5X10_3wt%?5 X ICT3Wt %。
[0007]進(jìn)一步地，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量范圍質(zhì)量百分比為0.5X10_3wt%?2X KT3Wt%。
[0008]進(jìn)一步地，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量質(zhì)量百分比為0.5 X 1^3WtI X ICT3Wt % 或 2 X ICT3Wt % ο
[0009]進(jìn)一步地，一種含銪的氟化鈣晶體制備方法，所述方法包括以下步驟:
[0010]步驟一、取任一所述含量范圍的氟化鈣和氟化銪粉末充分混合，得到混合物，將所述混合物靜置24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)，得到制晶原料；
[0011]步驟二、將所述步驟一得到的所述制晶原料裝入石墨坩堝，并將坩堝放置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)，所述晶體生長(zhǎng)爐爐內(nèi)真空抽至1.0 X 1-3Pa,升溫至原料熔化，將所述石墨坩堝以5mm/h的速度下降，待所述制晶原料完全通過(guò)梯度區(qū)后降至室溫得到結(jié)晶原料；
[0012]步驟三、取出所述結(jié)晶原料，去除所述結(jié)晶原料頂部雜質(zhì)較多的部分，得到含銪的氟化鈣多晶原料，將所述多晶原料粉碎后得到多晶原料粉末用于晶體生長(zhǎng)；
[0013]步驟四、將所述多晶原料粉末，采用提拉法或坩堝下降法制備到所述含銪的氟化隹丐晶體。
[0014]進(jìn)一步地，所述坩堝下降法包括以下步驟:
[0015]步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0016]步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到1.0X 10_3Pa以上；
[0017]步驟三、石墨坩堝下降速度為I?2mm/h ；
[0018]步驟四、固液界面溫度梯度為20 C/cm ;
[0019]步驟五、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫，得到含銪的氟化鈣晶體原料；
[0020]步驟六、將所述晶體原料依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量為(質(zhì)量百分比)0.5 X 1^3Wt %?5 X 1^3Wt %的含銪的氟化鈣晶體。
[0021]進(jìn)一步地，所述提拉法包括以下步驟:
[0022]步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入裝入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0023]步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到3.0X 10_3Pa以上，后充入氬氣和四氟化碳混合氣體作為保護(hù)氣氛；
[0024]步驟三、使晶體提拉速度為2?3mm/h,旋轉(zhuǎn)速度20?30r/min,固液界面溫度梯度為 1(TC /cm ；
[0025]步驟四、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫；
[0026]步驟五、對(duì)上述晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量為(質(zhì)量百分比)0.5 X 10_3wt%?5 X 10_3wt%的含銪的氟化鈣晶體。
[0027]進(jìn)一步地，一種含銪的氟化鈣晶體用途，所述含銪的氟化鈣晶體被制成閃爍晶體。
[0028]進(jìn)一步地，所述閃爍晶體被制成閃爍晶體探測(cè)器。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，優(yōu)越效果在于:本發(fā)明提供的含銪的氟化鈣晶體可以使用Co60照射，通過(guò)RCA8850光電倍增管測(cè)量晶體的光產(chǎn)額，結(jié)果表明本發(fā)明提供的含銪的氟化鈣晶體在含量為0.5 X 10_3wt %?5 X 10_3wt %的情況下，氟化鈣晶體具有了優(yōu)異的閃爍晶體吸收高能粒子能量后發(fā)出一定波長(zhǎng)閃爍熒光的性能，特別是晶體的相對(duì)光輸出與硅酸釔镥閃爍(LYSO)晶體相當(dāng)。此外，由于含量低，其還利于生長(zhǎng)高光學(xué)質(zhì)量的晶體。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]圖1為本發(fā)明所述含銪的氟化鈣晶體射線發(fā)光光譜圖。
[0031]附圖標(biāo)記如下
[0032]圖1橫軸為本發(fā)明所述含銪的氟化鈣晶體的波長(zhǎng)/納米值(Vavelength/nm)；
[0033]圖1縱軸為本發(fā)明所述含銪的氟化鈣晶體射線的強(qiáng)度/相對(duì)單位值(Intensity/au) ο

【具體實(shí)施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0035]本發(fā)明提供了一種含銪的氟化鈣晶體，包括氟化鈣晶體，所述晶體包括銪元素，所述銪元素以氟化銪的方式添加到所述氟化鈣晶體中，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量范圍(質(zhì)量百分比)為0.5X l(T3wt%?5X l(T3wt%,所述氟化I丐晶體中氟化銪含量范圍(質(zhì)量百分比)為0.5X10_3wt%?2X10_3wt%，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量(質(zhì)量百分比)優(yōu)選 0.5 X ICT3Wt % > I X ICT3Wt % 或 2 X ICT3Wt %。
[0036]本發(fā)明還提供了一種含銪的氟化鈣晶體制備方法，所述方法包括以下步驟:
[0037]步驟一、取所述任一含量范圍的氟化鈣和氟化銪粉末充分混合，得到混合物，將所述混合物靜置24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)，得到制晶原料；
[0038]步驟二、將所述步驟一得到的所述制晶原料裝入石墨坩堝，并將所述坩堝放置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)，所述晶體生長(zhǎng)爐爐內(nèi)真空抽至1.0X 10_3Pa，升溫至原料熔化，坩堝以5mm/h的速度下降，待所述制晶原料完全通過(guò)梯度區(qū)后降至室溫得到結(jié)晶原料；
[0039]步驟三、取出所述結(jié)晶原料，去除所述結(jié)晶原料頂部雜質(zhì)較多的部分，得到含銪的氟化鈣多晶原料，將所述多晶原料粉碎后得到多晶原料粉末用于晶體生長(zhǎng)；
[0040]步驟四、將所述多晶原料粉末，采用提拉法或坩堝下降法制備到所述含銪的氟化鈣晶體。
[0041]所述坩堝下降法包括以下步驟:
[0042]步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0043]步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到1.0X 10_3Pa以上；
[0044]步驟三、所述石墨坩堝下降速度為I?2mm/h ；
[0045]步驟四、固液界面溫度梯度為20 C /cm ;
[0046]步驟五、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫，得到含銪的氟化鈣晶體原料；
[0047]步驟六、將所述晶體原料依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量為(質(zhì)量百分比)0.5 X 1^3Wt %?5 X 1^3Wt %的含銪的氟化鈣晶體。
[0048]所述提拉法包括以下步驟:
[0049]步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0050]步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到3.0X 10_3Pa以上，后充入氬氣和四氟化碳混合氣體作為保護(hù)氣氛；
[0051]步驟三、使晶體提拉速度為2?3mm/h,旋轉(zhuǎn)速度20?30r/min,固液界面溫度梯度為 1(TC /cm ；
[0052]步驟四、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫；
[0053]步驟五、對(duì)上述晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量為(質(zhì)量百分比)0.5 X 10_3wt%?5 X 10_3wt%的含銪的氟化鈣晶體。
[0054]本發(fā)明還提供了一種含銪的氟化鈣晶體用途，所述含銪的氟化鈣晶體被制成閃爍晶體，所述閃爍晶體被制成閃爍晶體探測(cè)器。
[0055]實(shí)施例1
[0056]本發(fā)明提供的一種含銪的氟化鈣晶體制備方法，具體按照以下步驟，所述制備方法包括:
[0057]步驟一、取I千克氟化銪含量(質(zhì)量百分比)0.5 X KT3Wt %的氟化鈣和氟化銪粉末充分混合24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)；
[0058]步驟二、在氟化鈣晶體中氟化銪含量為0.5g，其他為氟化鈣晶體；
[0059]步驟三、采用i甘禍下降〈Bridgman-Stockbarge〉法制備。
[0060]i甘禍下降法〈Bridgman-Stockbarge〉包括以下步驟:
[0061]I)將上述步驟得到的I千克的多晶原料加入I克的氟化鉛混合均勻放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0062]2)抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到I X 10_3Pa ；
[0063]3) i甘禍下降速度為lmm/h ；
[0064]4)固液界面溫度梯度為20°C /cm ；
[0065]5)晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫；
[0066]6)對(duì)上述步驟得到的晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到摻雜量為(質(zhì)量百分比)0.5X10_3wt%的含銪的氟化鈣晶體。晶體定向:先用X射線定向儀采用“十”字測(cè)定的方法測(cè)定出摻銪氟化鈣晶體的〈100〉晶面或〈111〉晶面，并在晶體表面標(biāo)記；
[0067]晶體切割:用內(nèi)圓切割機(jī)按照磷化鍺鋅光參量振蕩元件尺寸要求先沿標(biāo)記的晶面為〈100〉或晶面為〈111〉將晶錠切割成晶片；
[0068]晶體研磨:將步驟二切割出的晶體坯料的通光面用拋光機(jī)，在溫度為25°C?28°C、研磨壓力為100g/cm2?200g/cm2、轉(zhuǎn)速為40?50轉(zhuǎn)/分的條件下，依次用WlO和W3.5磨料研磨,研磨時(shí)間為20min?50min,使通光面表面光潔,無(wú)明顯劃痕；
[0069]晶體拋光:在溫度為25°C?28°C、拋光壓力為100g/cm2?500g/cm2、轉(zhuǎn)速為40?50轉(zhuǎn)/分的條件下，以甘油為冷卻劑，以浙青盤為拋光盤，將經(jīng)步驟三粗拋的晶體坯料的通光面用拋光機(jī)依次用磨料粒度為I μ m和0.5 μ m的拋光液拋光。
[0070]實(shí)施例2
[0071]本發(fā)明還提供了一種含銪的氟化鈣晶體制備方法，所述制備方法包括:
[0072]步驟一、原料預(yù)處理步驟:取I千克的氟化鈣和氟化銪粉末，含量為(質(zhì)量百分比)5 X 10_3wt %，充分混合24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)，其中在氟化鈣晶體中氟化銪含量為5g，其余995克為氟化鈣晶體；
[0073]步驟二、將步驟一得到的I千克制晶原料裝入石墨坩堝，并將所述石墨坩堝放置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)，所述晶體生長(zhǎng)爐爐內(nèi)真空抽至2X10_3Pa，升溫至原料熔化，石墨坩堝以5mm/h的速度下降，待所述制晶原料完全通過(guò)梯度區(qū)后降至室溫得到結(jié)晶原料；
[0074]步驟三、取出所述結(jié)晶原料，去除所述結(jié)晶原料頂部雜質(zhì)較多的部分，得到含銪的氟化鈣多晶原料，將所述多晶原料粉碎后得到多晶原料粉末用于晶體生長(zhǎng)；
[0075]步驟四、將所述多晶原料粉末，采用提拉法制備到所述含銪的氟化鈣晶體。
[0076]本發(fā)明提供的含銪氟化鈣晶體的制備方法中的提拉〈Czochralski〉法包括以下步驟:
[0077]I)將多晶原料加入2克的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉或〈111〉；
[0078]2)抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到3X10_3Pa以上后，充入氬氣和四氟化碳混合氣體作為保護(hù)氣氛；
[0079]3)晶體提拉速度為3mm/h，旋轉(zhuǎn)速度30r/min，固液界面溫度梯度為10°C /cm ；
[0080]4)晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫；
[0081]5>對(duì)上述晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到氟化銪含量為(質(zhì)量百分比)5 X 1-3Wt %的含銪的氟化鈣晶體。
[0082]實(shí)施例3
[0083]本發(fā)明還提供了一種制備含銪的氟化鈣晶體制備方法，所述制備方法包括:
[0084]I)原料預(yù)處理步驟:取Ikg的氟化鈣和氟化銪粉末，氟化銪含量為(質(zhì)量百分比)1.0X10_3Wt%，充分混合24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)；
[0085]2)在上述混合物氟化鈣晶體中，氟化銪為I克，其他為999克；
[0086]3>采用提拉法進(jìn)行制備。
[0087]本發(fā)明提供的含銪氟化鈣晶體的制備方法中的提拉法包括以下步驟:
[0088]I)將上述步驟得到的Ikg多晶原料加入氟化鉛2克混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放到下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)椤?00〉；
[0089]2)抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到5X 10_3Pa后，充入氬氣和四氟化碳混合氣體作為保護(hù)氣氛；
[0090]3)晶體提拉速度為1.5mm/h,旋轉(zhuǎn)速度25r/min，固液界面溫度梯度為10°C /cm ；
[0091]4)晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫；
[0092]5)對(duì)上述步驟得到的晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量量為1.0X 10_\丨％的含銪的氟化鈣晶體。
[0093]本發(fā)明制成的含銪的氟化鈣晶體用途，所述含銪的氟化鈣晶體被制成閃爍晶體，所述閃爍晶體被制成閃爍晶體探測(cè)器。如圖1所示，所述閃爍晶體用于低能Y射線、帶電粒子探測(cè)、暗物質(zhì)探測(cè)、核反應(yīng)堆中帶電離子的檢測(cè)、環(huán)境輻射的監(jiān)測(cè)或放射性醫(yī)學(xué)診斷。
[0094]本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，在不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到的任何變形、改進(jìn)、替換均落入本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種含銪的氟化鈣晶體，包括氟化鈣晶體，其特征在于，所述晶體包括銪元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述含銪的氟化鈣晶體，其特征在于，所述銪元素以氟化銪的方式添加到所述氟化鈣晶體中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述含銪的氟化鈣晶體，其特征在于，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量范圍質(zhì)量百分比為0.5X KT3Wt%?5X KT3Wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述含銪的氟化鈣晶體，其特征在于，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量范圍質(zhì)量百分比為0.5X KT3Wt%?2X KT3Wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述含銪的氟化鈣晶體，其特征在于，所述氟化鈣晶體中氟化銪含量質(zhì)量百分比為 0.5Xl(T3wt%、lXl(T3wt%*2Xl(r3wt%。
6.一種含銪的氟化鈣晶體制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 步驟一、取權(quán)利要求3至5任一所述含量范圍的氟化鈣和氟化銪粉末充分混合，得到混合物，將所述混合物靜置24小時(shí)后裝于真空干燥爐內(nèi)，在200°C條件下烘干12小時(shí)，得到制晶原料； 步驟二、將所述步驟一得到的制晶原料裝入石墨坩堝，并將所述石墨坩堝放置于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)，所述晶體生長(zhǎng)爐爐內(nèi)真空度抽至1.0X10_3P以上，后加熱升溫至原料全部熔化，所述石墨坩堝以5mm/h的速度下降，待所述制晶原料完全通過(guò)梯度區(qū)后降至室溫得到結(jié)晶原料； 步驟三、取出所述結(jié)晶原料，去除所述結(jié)晶原料頂部雜質(zhì)較多的部分，得到含銪的氟化鈣多晶原料，將所述多晶原料粉碎后得到多晶原料粉末用于晶體生長(zhǎng)； 步驟四、將所述多晶原料粉末，采用提拉法或坩堝下降法制備到所述含銪的氟化鈣晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述含銪氟化鈣晶體的制備方法，其特征在于，所述坩堝下降法包括以下步驟: 步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)?00或111 ； 步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到1.0XlO-3Pa以上； 步驟三、所述石墨坩堝的下降速度為I?2mm/h ； 步驟四、固液界面溫度梯度約為20°C /cm ； 步驟五、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫，得到含銪的氟化鈣晶體原料； 步驟六、將所述晶體原料依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量范圍為質(zhì)量百分比0.5 X 1^3Wt %?5 X 1^3Wt %的含銪的氟化鈣晶體。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述含銪的氟化鈣晶體制備方法，其特征在于，所述提拉法包括以下步驟: 步驟一、將所述多晶原料粉末加入I?2wt%的氟化鉛混合均勻后放入石墨坩堝，將所述石墨坩堝放入下降爐內(nèi)，晶體生長(zhǎng)方向?yàn)?00或111 ； 步驟二、抽真空使?fàn)t體內(nèi)部真空度達(dá)到3.0X 10_3Pa以上，后充入氬氣和四氟化碳混合氣體作為保護(hù)氣氛； 步驟三、使晶體提拉速度為2?3mm/h，旋轉(zhuǎn)速度20?30r/min，固液界面溫度梯度為10°C / cm ； 步驟四、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以30°C /h的速度冷卻至室溫； 步驟五、對(duì)上述晶體依次進(jìn)行退火、定向、切割、研磨和拋光處理，得到含量為質(zhì)量百分比0.5Xl(T3wt%?5父10^^%的含銪的氟化鈣晶體。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求7或8所述任何一種方法制備的含銪的氟化鈣晶體用途，其特征在于，所述含銪的氟化鈣晶體被制成閃爍晶體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述含銪的氟化鈣晶體用途，其特征在于，所述閃爍晶體被制成閃爍晶體探測(cè)器。
【文檔編號(hào)】C30B15/00GK104357903SQ201410575257
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月24日
【發(fā)明者】甄西合, 張欽輝, 徐超, 劉建強(qiáng), 史達(dá)威, 王 琦 申請(qǐng)人:北京首量科技有限公司