等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器包括：多個磁芯，具有初級線圈；交流電源供給源，用于向所述初級線圈供給交流電力；多個等離子體腔室主體，設(shè)置有所述磁芯，電壓直接感應(yīng)，從而感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢；及多個浮動腔室，通過絕緣區(qū)域與所述等離子體腔室主體連接，并從所述等離子體腔室主體間接傳導(dǎo)感應(yīng)電動勢，其中，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室在內(nèi)部具有用于等離子體放電的一個放電路徑，根據(jù)從所述交流電源供給源供給的交流電力的相位變化而在所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室之間產(chǎn)生電壓差，根據(jù)該電壓差實現(xiàn)等離子體點火。根據(jù)本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法，在供給與以往相比相對低的電壓來產(chǎn)生等離子體的情況下，也能夠進行等離子體放電，因此能夠供給低價產(chǎn)品，并能夠使電弧放電引起的等離子體反應(yīng)器的損傷最小化。并且，供給與以往相同的電壓的情況下，在氣體流動流量壓力低的狀態(tài)下，也能夠容易進行用于等離子體放電的點火。并且，供給與以往相同的電壓的情況下，在低溫下也能夠容易進行用于等離子體放電的點火。
【專利說明】等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法，更具體而言涉及一種如下等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法，即在TCP、ICP耦合等離子體源方式(感應(yīng)耦合等離子體源)中，供給與以往相比相對較低的電壓的情況下，也能夠進行等離子體放電，并且供給相同電壓的情況下，與以往的方法相比，等離子體放電條件得到緩解，而且有利于開始等離子體放電之后的等離子體的維持或持續(xù)。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體是指在超高溫下分離為帶負電荷的電子與帶正電荷的離子的氣體狀態(tài)。此時，電荷分離度非常高且整體上正負電荷的數(shù)相同而呈中性。
[0003]通常，物質(zhì)的狀態(tài)分為固體、液體、氣體等三種。等離子體通常被稱為第四物質(zhì)狀態(tài)。這是因為，若對固體施加能量則變液體、氣體，若再對該氣體狀態(tài)施加高能量，則在數(shù)萬。C下氣體分離為電子與原子核，從而成為等離子體狀態(tài)。
[0004]等離子體放電用于產(chǎn)生包括離子、自由基、原子、分子的活性氣體的氣體激發(fā)。活性氣體廣泛用于多種領(lǐng)域，代表性地，半導(dǎo)體制造工藝，例如蝕刻、蒸鍍、清洗、灰化等廣泛使用。
[0005]最近，用于制造半導(dǎo)體裝置的晶片或LCD玻璃基板進一步大型化。因此，需要對等離子體離子能量的控制能力高且具有大面積處理能力的易于擴張的等離子體源。
[0006]已知利用等離子體的半導(dǎo)體制造工藝中，遠程等離子體的使用非常有效。例如，在用于工藝腔室的清洗和剝離光致蝕刻劑等灰化工藝中有效使用。
[0007]遠程等離子體反應(yīng)器(或稱為遠程等離子體發(fā)生器)有使用變壓器耦合等離子體源(transformer coupled plasma source:TCPS)的反應(yīng)器及使用感應(yīng)稱合等離子體源(inductively coupled plasma source:ICPS)的反應(yīng)器。使用變壓器稱合等離子體源(transformer coupled plasma source)的遠程等離子體反應(yīng)器具有在環(huán)狀結(jié)構(gòu)的反應(yīng)器主體上安裝有具有初級線圈的磁芯的結(jié)構(gòu)。
[0008]以下，參照附圖，對基于以往技術(shù)的變壓機耦合等離子體源遠程等離子體反應(yīng)器進行說明。
[0009]圖1是表示等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0010]參照圖1，等離子體處理裝置由遠程等離子體反應(yīng)器和工藝腔室5構(gòu)成。遠程等離子體反應(yīng)器由環(huán)狀等離子體腔室4、設(shè)置于等離子體腔室4的磁芯3及用于向卷繞于磁芯3的初級線圈2供給交流電力的交流電源供給源I構(gòu)成。遠程等離子體反應(yīng)器中，氣體流入等離子體腔室4內(nèi)部，從電源供給源I供給的交流電力供給至變壓器的初級線圈2，致使驅(qū)動初級線圈，則感應(yīng)電動勢傳導(dǎo)至等離子體腔室4內(nèi)部，在等離子體腔室4內(nèi)部用于等離子體放電的電抗器放電環(huán)6被感應(yīng)，致使產(chǎn)生等離子體。等離子體腔室4通過連接器9與工藝腔室5連接，在等離子體腔室4產(chǎn)生的等離子體供給至工藝腔室5，在工藝腔室5內(nèi)對被處理基板進行處理。[0011]圖2及圖3是表示以往的遠程等離子體發(fā)生器的圖。
[0012]參照圖2及圖3，遠程等離子體反應(yīng)器中，從交流電源供給源I向卷繞于磁芯3的初級線圈2供給交流電力。此時，等離子體腔室4通過在內(nèi)部形成的電抗器放電環(huán)6，等離子體腔室4內(nèi)的氣體進行放電而成為等離子體狀態(tài)。等離子體腔室4可進行接地8連接。由于等離子體腔室4為環(huán)形結(jié)構(gòu)，因此可以在等離子體腔室4中消耗所有交流電流，為了防止此現(xiàn)象而具備絕緣體7。絕緣體7由陶瓷等電介質(zhì)物質(zhì)構(gòu)成。交流電源供給源I根據(jù)所設(shè)定的頻率(Hz)供給反轉(zhuǎn)的相位的交流電流。
[0013]這種以往的遠程等離子體反應(yīng)器通過施加高電壓的交流電力來進行等離子體點火。但是，例如等離子體腔室4內(nèi)部為8Torr的低氣壓的狀態(tài)下施加500V的高電壓的情況下，出現(xiàn)每1000次約失敗2?3次的點火失敗率。這種點火失敗的情況下,需要進行再點火的工作，因此工藝進程遲緩，而且再點火消耗較多費用。并且，還存在由于電弧放電產(chǎn)生等離子體腔室4內(nèi)部的損傷的問題。并且，存在如下問題:等離子體反應(yīng)器的絕緣體7易被在等離子體腔室4內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體損傷或破損，從而不產(chǎn)生等離子體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014](一)要解決的技術(shù)問題
[0015]本發(fā)明的目的在于，提供一種在變壓器耦合等離子體源方式或感應(yīng)耦合等離子體源方式中，即使供給與以往相比相對低的電壓的情況下，也能夠進行等離子體放電的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。
[0016]本發(fā)明的另一目的在于，提供一種在供給相同電壓的情況下，與以往相比能夠容易地產(chǎn)生等離子體放電，并且能夠容易地維持所產(chǎn)生的等離子體的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。
[0017]本發(fā)明的另一目的在于，提供一種即使供給與以往相比相對低的電壓來產(chǎn)生等離子體的情況下，也能夠進行等離子體放電，因此能夠供給低價產(chǎn)品，并且能夠使電弧放電引起的等離子體反應(yīng)器的損傷最小化的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。
[0018]本發(fā)明的再一目的在于，提供一種供給與以往相同的電壓的情況下，氣體流量少且壓力低的狀態(tài)下也能夠容易地進行用于等離子體放電的點火的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。
[0019]本發(fā)明的又一目的在于，提供一種供給與以往相同的電壓的情況下，在低溫下也能夠容易地進行用于等離子體放電的點火的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。
[0020]( 二 )技術(shù)方案
[0021]為了實現(xiàn)所述技術(shù)問題的本發(fā)明為一種等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法。本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器包括:多個磁芯，具有初級線圈；交流電源供給源，用于向所述初級線圈供給交流電力；多個等離子體腔室主體，設(shè)置有所述磁芯，電壓直接感應(yīng)，從而感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢；及多個浮動腔室，通過絕緣區(qū)域與所述等離子體腔室主體連接，并且從所述等離子體腔室間接傳導(dǎo)感應(yīng)電動勢，其中，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室在內(nèi)部具備用于等離子體放電的一個放電路徑，根據(jù)從所述交流電源供給源供給的交流電力的相位變化而在所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室之間產(chǎn)生電壓差，根據(jù)該電壓差進行等離子體點火。
[0022]并且，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室以一字形在內(nèi)部具有一個放電路徑。
[0023]另外，所述等離子體反應(yīng)器包括分別設(shè)置有所述磁芯的多個等離子體腔室主體。
[0024]并且，所述等離子體腔室主體與浮動腔室以環(huán)狀在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑。
[0025]另外，所述等離子體反應(yīng)器包括設(shè)置有四個以上的磁芯以在環(huán)狀的放電路徑上呈對稱結(jié)構(gòu)的多個等離子體腔室主體。
[0026]并且，所述等離子體腔室主體與浮動腔室由同一材質(zhì)構(gòu)成。
[0027]另外，所述同一材質(zhì)為鋁。
[0028]并且，所述同一材質(zhì)為導(dǎo)體或電介質(zhì)中任一個。
[0029]另外，所述電介質(zhì)為陶瓷。
[0030]并且，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室由電介質(zhì)形成，在所述等離子體腔室主體或所述浮動腔室的外周面形成有導(dǎo)體層。
[0031]另外，所述絕緣區(qū)域由電介質(zhì)形成，所述絕緣區(qū)域包括用于真空絕緣的橡膠。
[0032]并且，所述電介質(zhì)為陶瓷。
[0033]另外，所述絕緣區(qū)域的寬度取決于從所述交流電源供給源供給的交流電力的電壓強度。
[0034]并且，所述浮動腔室包括:電阻，用于對等離子體工藝之后帶電的電荷進行放電；及開關(guān)電路，用于在供給至工藝腔室的等離子體工藝之后連接所述電阻與所述浮動腔室。
[0035]本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器，包括:磁芯，具有變壓器初級線圈；交流電源供給源，用于向卷繞于所述磁芯的變壓器初級線圈供給交流電力；等離子體腔室主體，設(shè)置有所述磁芯，通過所述磁芯電壓直接感應(yīng)，從而感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢；及多個浮動腔室，通過絕緣區(qū)域與所述等離子體腔室主體連接，并從所述等離子體腔室主體間接傳導(dǎo)感應(yīng)電動勢，其中，所述多個浮動腔室通過絕緣區(qū)域連接，根據(jù)從所述交流電源供給源供給的交流電力的相位變化而在所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室之間產(chǎn)生電壓差，根據(jù)該電壓差發(fā)生等離子體點火，并供給至工藝腔室。
[0036]并且，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室以一字形在內(nèi)部具有一個放電路徑。
[0037]另外，所述等離子體反應(yīng)器包括分別設(shè)置有所述磁芯的多個等離子體腔室主體。
[0038]并且，所述等離子體腔室主體與浮動腔室以環(huán)狀在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑。
[0039]另外，所述等離子體反應(yīng)器包括設(shè)置有四個以上的磁芯以在環(huán)狀的放電路徑上呈對稱結(jié)構(gòu)的多個等離子體腔室主體。
[0040]并且，所述等離子體腔室主體與浮動腔室由同一材質(zhì)構(gòu)成。
[0041]另外，所述同一材質(zhì)為鋁。
[0042]并且，所述同一材質(zhì)為導(dǎo)體或電介質(zhì)中任一個。
[0043]另外，所述電介質(zhì)為陶瓷。
[0044]并且，所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室由電介質(zhì)形成，在所述等離子體腔室主體或所述浮動腔室的外周面形成有導(dǎo)體層。[0045]另外，所述絕緣區(qū)域由電介質(zhì)形成，所述絕緣區(qū)域包括用于真空絕緣的橡膠。
[0046]并且，所述電介質(zhì)為陶瓷。
[0047]另外，所述絕緣區(qū)域的寬度取決于從所述交流電源供給源供給的交流電力的電壓強度。
[0048]并且，所述浮動腔室包括:電阻，用于對等離子體工藝之后帶電的電荷進行放電；及開關(guān)電路，用于在供給至工藝腔室的等離子體工藝之后連接所述電阻與所述浮動腔室。
[0049]另外，所述絕緣區(qū)域還分別形成于等離子體反應(yīng)器的氣體注入口及氣體排出口。
[0050]并且，所述絕緣區(qū)域形成于與設(shè)置有所述磁芯的所述等離子體腔室主體交叉的位置。
[0051]另外，所述絕緣區(qū)域還形成于等離子體反應(yīng)器的氣體注入口。
[0052]并且，所述絕緣區(qū)域還形成于等離子體反應(yīng)器的氣體排出口。
[0053]另外，所述多個浮動腔室中任一個接地連接。
[0054]并且，所述等離子體反應(yīng)器中，包括氣體注入口的浮動腔室為浮動狀態(tài)，包括氣體排出口的浮動腔室接地連接。
[0055]本發(fā)明的利用等離子體反應(yīng)器的等離子體點火方法，其包括:通過氣體注入口供給氣體，從交流電源供給源向卷繞于磁芯的初級線圈供給交流電力的步驟；在設(shè)置有所述磁芯的等離子體腔室主體直接感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢的步驟；在所述等離子體腔室主體形成的感應(yīng)電動勢傳導(dǎo)至多個浮動腔室，從而在反應(yīng)器主體內(nèi)感應(yīng)產(chǎn)生等離子體放電的步驟；被放電的等離子體通過氣體排出口供給至工藝腔室的步驟；及為了對感應(yīng)產(chǎn)生等離子體放電之后帶電的電荷進行放電，所述浮動腔室連接于高電阻的步驟。
[0056]并且，所述連接于所述高電阻的步驟中，所述浮動腔室通過開關(guān)電路連接于高電阻。
[0057](三)有益效果
[0058]本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法具有如下效果。
[0059]第一，即使供給與以往相比相對低的電壓來產(chǎn)生等離子體的情況下，也能夠進行等離子體放電，因此能夠供給低價產(chǎn)品，并且能夠使電弧放電引起的等離子體反應(yīng)器的損傷最小化。
[0060]第二，供給與以往相同的電壓的情況下，在氣體流動流量壓力低的狀態(tài)下也能夠容易地進行用于等離子體放電的點火。
[0061]第三，供給與以往相同的電壓的情況下，在低溫下也能夠容易地進行用于等離子體放電的點火。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0062]圖1是用于說明以往技術(shù)的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0063]圖2及圖3是用于說明以往技術(shù)的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的點火的圖。
[0064]圖4是用于說明本發(fā)明第I實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0065]圖5是用于說明本發(fā)明第2實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0066]圖6是用于說明本發(fā)明第3實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0067]圖7是用于說明本發(fā)明第4實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。[0068]圖8是用于說明本發(fā)明第5實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0069]圖9是用說明本發(fā)明第6實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0070]圖10是用于說明本發(fā)明第7實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0071]圖11是用于說明基于本發(fā)明第8實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0072]圖12是用于說明本發(fā)明第9實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0073]圖13是用于說明本發(fā)明第10實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0074]圖14是用于說明基于本發(fā)明第11實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0075]圖15是用于說明本發(fā)明第12實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0076]圖16是用于說明本發(fā)明第13實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0077]圖17是用于說明本發(fā)明第14實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0078]圖18是用于說明本發(fā)明第15實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0079]圖19是用于說明本發(fā)明第16實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0080]圖20是用于說明本 發(fā)明第17實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0081]圖21是用于說明本發(fā)明第18實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0082]附圖標(biāo)記說明
[0083]1、11:交流電源供給源 2、12:初級線圈
[0084]3、13:磁芯4:等離子體腔室
[0085]5:工藝腔室6:電抗器放電環(huán)
[0086]7:絕緣體8:接地
[0087]10、10a、10b、10c、10d、10e、10f、30、30a、40、40a、40b、
[0088]50、50a、60、70、70a、70b:等離子體反應(yīng)器
[0089]14a、34a、44a、54a、64a、74a:等離子體腔室主體
[0090]14b > 34b > 44b > 54b > 66b > 76b:第一浮動腔室
[0091]14c>34c>44c>54c>66c>76c:第二浮動腔室
[0092]14d、34d、54d、66d、76d:第三浮動腔室
[0093]14e、34e、54e、66e、76e:第四浮動腔室
[0094]14f、14g:第五、第六浮動腔室
[0095]15:電抗器放電環(huán)
[0096]16a、36a、46a、56a、66a、76a:氣體注入口
[0097]16b、36b、46b、56b、66b、76b:氣體排出口
[0098]19:絕緣區(qū)域 19a:絕緣體
[0099]20:聞電阻 22:開關(guān)電路。
【具體實施方式】
[0100]為了充分理解本發(fā)明，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明。本發(fā)明的實施例可變形為多種形態(tài)，不應(yīng)理解為本發(fā)明的范圍限定于以下詳細說明的實施例。本實施例為了向本領(lǐng)域技術(shù)人員更完整地說明本發(fā)明而提供。因此，為了強調(diào)更明確的說明，有可能放大表示附圖中的要件的形狀等。應(yīng)注意有時會以相同附圖標(biāo)記表示各附圖中相同的結(jié)構(gòu)。對于判斷為有可能混淆本發(fā)明主旨的公知功能及結(jié)構(gòu)，省略詳細說明。[0101]圖4是表示本發(fā)明的第I優(yōu)選實施例的等離子體反應(yīng)器的圖。
[0102]參照圖4，等離子體反應(yīng)器10由等離子體腔室主體14a、第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c、磁芯13及交流電源11構(gòu)成。本發(fā)明中的等離子體反應(yīng)器14為變壓器耦合等離子體(transformer coupled plasma)產(chǎn)生方式的遠程等離子體發(fā)生器。
[0103]等離子體反應(yīng)器10內(nèi)部具有用于等離子體放電的放電空間。等離子體反應(yīng)器10具備氣體注入口 16a及氣體排出口 16b。氣體注入口 16a與供給用于等離子體放電的工藝氣體的氣體供給源連接，從氣體供給源供給的工藝氣體通過氣體注入口 16b流入反應(yīng)器主體14內(nèi)。氣體排出口 16b與工藝腔室(未圖示)連接，在等離子體反應(yīng)器10內(nèi)產(chǎn)生的等離子體通過氣體排出口 16b供給至工藝腔室(未圖示)。
[0104]等離子體反應(yīng)器10中形成有環(huán)狀的放電路徑，并由等離子體腔室主體14a、第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c及絕緣區(qū)域19構(gòu)成。等離子體腔室主體14a上設(shè)置有磁芯13，通過電壓直接感應(yīng)，由此感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c以等離子體腔室主體14a為中心通過絕緣區(qū)域19連接。第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c進行浮動，以便能夠間傳導(dǎo)等離子體腔室主體14a中感應(yīng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢。絕緣區(qū)域19具備于等離子體腔室主體14與浮動腔室14a之間，使等離子體腔室主體14與浮動腔室14a絕緣。絕緣區(qū)域19能夠根據(jù)從交流電源供給源11供給的交流電力的電壓強度調(diào)節(jié)寬度。交流電力的電壓為高電壓的情況下，與低電壓相比能夠使其寬度較寬。換言之，能夠利用絕緣區(qū)域9來調(diào)節(jié)等離子體腔室主體14與浮動腔室14a之間的間距。例如，當(dāng)從交流電源供給源11供給的交流電力的電壓為高電壓的情況下，與供給低電壓的情況相比，相對加寬等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間的間距來形成絕緣區(qū)域19。
[0105]等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c能夠由如鋁等導(dǎo)體或如陶瓷等電介質(zhì)形成。等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c由如鋁等導(dǎo)體形成的情況下，絕緣區(qū)域19可由電介質(zhì)形成，尤其電介質(zhì)中可由陶瓷形成。絕緣區(qū)域19可包括用于等離子體反應(yīng)器10的真空絕緣的橡膠。以電介質(zhì)制作等離子體腔室主體14a及第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c的情況下，可在外周面形成導(dǎo)體層。等離子體反應(yīng)器10形成為環(huán)狀或線狀。
[0106]磁芯13由鐵氧體物質(zhì)制作并設(shè)置于等離子體反應(yīng)器10的等離子體腔室主體14a。磁芯13上卷繞有變壓器的初級線圈即初級線圈12。交流電源供給源11向卷繞于磁芯13的初級線圈12供給交流電力。交流電源11根據(jù)所設(shè)定的頻率(Hz)向初級線圈12供給反轉(zhuǎn)的相位的交流電力。交流電源供給源11可具備用于整合阻抗的調(diào)節(jié)電路，可通過獨立的阻抗整合器向初級線圈12供給電力。磁芯13可分別卷繞有初級線圈12，并從互不相同的交流電源供給源11供給交流電力，也由一個線圈12 —同卷繞，并從一個交流電源供給源11供給交流電力。
[0107]若從等離子體反應(yīng)器10的氣體注入口 16a流入氣體，從交流電源供給源11供給交流電力，致使驅(qū)動初級線圈12，則通過在等離子體反應(yīng)器10內(nèi)被感應(yīng)的電抗器放電環(huán)15在等離子體放電空間產(chǎn)生等離子體。在等離子體反應(yīng)器10中產(chǎn)生的等離子體供給至用于處理基板的工藝腔室(未圖示)。此時，在設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體14a直接感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c通過絕緣區(qū)域19與等離子體腔室主體14a絕緣，因此在等離子體腔室主體14a直接感應(yīng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢通過絕緣區(qū)域19間接傳導(dǎo)。若向初級線圈12供給交流電力，則根據(jù)交流電力的頻率交替出現(xiàn)等離子體腔室主體14a的一側(cè)帶正電而另一側(cè)帶負電的現(xiàn)象。此時，如圖5所示，第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c不會對通過絕緣區(qū)域19在等離子體腔室主體14中感應(yīng)產(chǎn)生的電壓立即做出反應(yīng)，而是欲維持此前的正電或負電狀態(tài)。
[0108]在此，交流電源供給源11根據(jù)所設(shè)定的頻率供給反轉(zhuǎn)的相位的交流電力，因此在等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間產(chǎn)生電壓差。因此，通過在等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間產(chǎn)生的電壓差被最大化，由此在低電壓下也能夠進行等離子體放電。
[0109]例如，對等離子體腔室主體14a施加500V高電壓的情況下，獨立的第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c具有相反的相位。因此，在將供給電壓縮減為1/2的情況下，等離子體點火時可得到相同或者類似的效果，這種情況下能夠減少由于電弧放電而有可能在等離子體腔室主體14a和、或第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c中產(chǎn)生的損傷。另外，將供給電壓維持為500V的情況下，出現(xiàn)與施加約950V的電壓時相同的效果，因此可得到等離子體放電順暢約2倍的效果。
[0110]第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c可形成有整體或局部浮動的區(qū)域。另外，第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c可通過開關(guān)電路22與高電阻20連接。若從交流電源供給源11供給交流電力而驅(qū)動卷繞于磁芯13的初級線圈12，則感應(yīng)電動勢直接感應(yīng)產(chǎn)生在設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體14a。在等離子體腔室主體14a感應(yīng)產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢傳導(dǎo)至第一等離子體腔室14b、第二等離子體腔室14c，由此在等離子體反應(yīng)器10內(nèi)進行等離子體放電。所產(chǎn)生的等離子體供給至工藝腔室。在此，為了使等離子體供給至工藝腔室的等離子體工藝(process)之后帶電的電荷進行放電，第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c通過開關(guān)電路22與高電阻20連接。本發(fā)明的所有實施例中包括的浮動腔室均可通過開關(guān)電路22與高電阻20連接，因此以下說明的實施例中省略詳細說明。
[0111]圖5是用于說明本發(fā)明第2實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0112]參考圖5，等離子體反應(yīng)器IOa由設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體14a及多個浮動腔室 14b、14c、14d、14e、14f、14g 構(gòu)成。多個浮動腔室 14b、14c、14d、14e、14f、14g 通過絕緣區(qū)域19與等離子體腔室主體14a及浮動腔室絕緣。通過磁芯13在等離子體腔室主體14a直接感應(yīng)產(chǎn)生的電壓間接傳導(dǎo)至第三浮動腔室14d、第四浮動腔室He、第五浮動腔室Hf、第六浮動腔室14g，所傳導(dǎo)的電壓再次傳導(dǎo)至第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c。第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c、第三浮動腔室14d、第四浮動腔室He、第五浮動腔室Hf、第六浮動腔室14g分別通過開關(guān)電路22與高電阻20連接。
[0113]圖6是用于說明本發(fā)明第3實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖，圖7是用于說明本發(fā)明第4實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖，圖8是用于說明本發(fā)明第5實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0114]參照圖6，等離子體反應(yīng)器IOb構(gòu)成為環(huán)狀，在等離子體反應(yīng)器IOb的氣體注入口16a形成有絕緣體19a。換言之，多個絕緣區(qū)域19形成于等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間，在氣體注入口 16a上形成有絕緣體19a，以使氣體注入口 16a絕緣。[0115]參照圖7，等離子體反應(yīng)器IOc中在氣體排出口 16b上形成有絕緣體19a。換言之，多個絕緣區(qū)域19形成于等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間，氣體排出口 16b上形成有絕緣體19a，以使氣體排出口 16b絕緣。
[0116]參照圖8，等離子體反應(yīng)器IOd中在氣體注入口 16a及氣體排出口 16b上形成有絕緣體19a。換言之，多個絕緣區(qū)域19形成于等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c之間，在氣體注入口 16a及氣體排出口 16b上分別形成有絕緣體19a，以使氣體注入口 16a及氣體排出口 16b絕緣。
[0117]圖9是用于說明本發(fā)明第6實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0118]參照圖9，等離子體反應(yīng)器IOe中，多個絕緣區(qū)域19在反應(yīng)器主體14中對稱形成，并分離等離子體腔室主體14a與多個浮動腔室。設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室14b、第二浮動腔室14c以及等離子體腔室主體14a與第三浮動腔室14d、第五浮動腔室Hf通過絕緣區(qū)域19連接。另外，與等離子體腔室主體14a交叉的位置的第六浮動腔室Hg通過絕緣區(qū)域19與第二浮動腔室14c、第五浮動腔室14f連接，第四浮動腔室14e通過絕緣區(qū)域19與第一浮動腔室14b、第三浮動腔室14d連接。因此，第一浮動腔室至第六浮動腔室14b、14c、14d、14e、14f、14g通過絕緣區(qū)域19絕緣。
[0119]圖10是用于說明本發(fā)明第7實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0120]參照圖10，等離子體反應(yīng)器IOf中，等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室至第六浮動腔室14b、14c、14d、14e、14f、14g可由電介質(zhì)構(gòu)成。等離子體腔室主體14a與第一浮動腔室至第六浮動腔室14b、14c、14d、14e、14f、14g上可形成有導(dǎo)體層16。本發(fā)明中以在等離子體腔室主體14a的外周面形成有導(dǎo)體層16為例進行了圖示。包括導(dǎo)體層16的等離子體反應(yīng)器可同樣適用于以上說明的所有實施例中。
[0121]圖11是用于說明本發(fā)明第8實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖，第12是用于說明本發(fā)明第9實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0122]參照圖11，等離子體反應(yīng)器30包括氣體注入口 36a及氣體排出口 36b，等離子體腔室主體34a與第一浮動腔室34b、第二浮動腔室34c形成為一字形(線形)。第一浮動腔室34b、第二浮動腔室34c以等離子體腔室主體34a為中心通過絕緣區(qū)域19與等離子體腔室主體34a絕緣。設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體34a中電壓直接感應(yīng)，第一浮動腔室34b、第二浮動腔室34c通過絕緣區(qū)域19間接傳導(dǎo)電壓。
[0123]參照圖12，等離子體反應(yīng)器30a中，等離子體腔室主體34a與第一浮動腔室34b、第二浮動腔室34c、第三浮動腔室34d、第四浮動腔室34e通過多個絕緣區(qū)域19絕緣。
[0124]圖13是用于說明本發(fā)明第10實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖，圖14是用于說明本發(fā)明第11實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖，圖15是用于說明本發(fā)明第12實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0125]圖13至圖15中，示出卷繞于等離子體反應(yīng)器40、40a、40b上所設(shè)置的多個磁芯13的初級線圈12以串聯(lián)、并聯(lián)及串聯(lián)與并聯(lián)混合形態(tài)連接的狀態(tài)。
[0126]參照圖13，等離子體反應(yīng)器40包括線形反應(yīng)器主體44，所述線形反應(yīng)器主體44包括氣體注入口 46a及氣體排出口 46b。等離子體反應(yīng)器40形成為線形并在內(nèi)部具有一個放電路徑。等離子體反應(yīng)器40上設(shè)置有多個磁芯13。等離子體反應(yīng)器40由設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體44a及多個浮動腔室44b、44c構(gòu)成。等離子體腔室主體44a通過絕緣區(qū)域19與多個浮動腔室44b、44c連接。等離子體腔室主體44a與第一浮動腔室44b、第二浮動腔室44c交替排列并形成等離子體反應(yīng)器40。在此，多個磁芯13可利用一個初級線圈12分別卷繞并連接，可從一個交流電源供給源11向初級線圈12供給交流電力。
[0127]參照圖14，等離子體反應(yīng)器40a具備與圖13的等離子體反應(yīng)器40相同的結(jié)構(gòu)，多個磁芯13上可分別卷繞有初級線圈12，并且從互不相同的交流電源供給源11向各初級線圈12供給交流電力?；ゲ幌嗤慕涣麟娫垂┙o源11可供給相同頻率的交流電力或供給互不相同的頻率的交流電力。
[0128]參照圖15，等離子體反應(yīng)器40b具備與圖13的等離子體反應(yīng)器40相同的結(jié)構(gòu)，多個磁芯13可利用一個初級線圈12—次性卷繞，并且從一個交流電源供給源11向初級線圈12供給交流電力。此外，可通過多種方式在多個磁芯13上卷繞初級線圈12。
[0129]圖16是用于說明本發(fā)明第13實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0130]參照圖16，等離子體反應(yīng)器50具有氣體注入口 56a及氣體排出口 56b，并包括在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑的四邊形反應(yīng)器主體54。等離子體反應(yīng)器50中設(shè)置有多個磁芯13，多個磁芯13在環(huán)狀的放電路徑上設(shè)置于相互對置的路徑上。設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體54為感應(yīng)電動勢直接感應(yīng)產(chǎn)生的區(qū)域，等離子體腔室主體54a之間通過絕緣區(qū)域19連接的第一浮動腔室54b、第二浮動腔室54c、第三浮動腔室54d、第四浮動腔室54e是感應(yīng)電動勢從等離子體腔室主體54a間接感應(yīng)產(chǎn)生的區(qū)域。
[0131]圖17是用于說明本發(fā)明第14實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0132]參照圖17，等離子體反應(yīng)器50a為與圖16所示的等離子體反應(yīng)器50相同的結(jié)構(gòu)且包括在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑的四邊形等離子體反應(yīng)器50a。但是多個磁芯13在環(huán)狀放電路徑上設(shè)置于對稱位置上。例如，四個磁芯13可對稱設(shè)置于形成四邊形等離子體反應(yīng)器50a的各邊的等離子體反應(yīng)器50a中。在此，等離子體反應(yīng)器50a的各邊上可分別設(shè)置一個以上的磁芯13。設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體54a通過絕緣區(qū)域19與第一浮動腔室54b、第二浮動腔室54c、第三浮動腔室54d、第四浮動腔室54e連接。
[0133]圖18是用于說明本發(fā)明第15實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0134]參照圖18，等離子體反應(yīng)器60具有氣體注入口 66a及氣體排出口 66b，并包括在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑的圓形等離子體反應(yīng)器60。多個磁芯13沿著圓形等離子體反應(yīng)器60而設(shè)置。設(shè)置有磁芯13的等離子體腔室主體64a通過絕緣區(qū)域19與第一浮動腔室64b、第二浮動腔室64c、第三浮動腔室64d、第四浮動腔室64e連接。
[0135]圖17及圖18中示出的反應(yīng)器主體50a、60為例示，可變形為具有環(huán)狀的放電路徑的多種形態(tài)的等離子體反應(yīng)器。
[0136]圖19是用于說明本發(fā)明第16實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0137]參照圖19，等離子體反應(yīng)器70為環(huán)狀，氣體注入口 76a與氣體排出口 76b呈一字形，并分別位于第一浮動腔室74b、第二浮動腔室74c的中央。第一浮動腔室74b、第二浮動腔室74b通過絕緣區(qū)域19與等離子體腔室主體74a連接。在此，如圖16及圖17所示，多個磁芯13可以以在放電路徑上相互對置或?qū)ΨQ的方式設(shè)置于等離子體反應(yīng)器70。
[0138]圖20是用于說明本發(fā)明第17實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0139]參照圖20，等離子體反應(yīng)器70a具有與圖19所示的等離子體反應(yīng)器70相同的結(jié)構(gòu)，并分別在氣體注入口 76a及氣體排出口 76b還包括絕緣體19a。絕緣體19a分別對氣體注入口 76a及氣體排出口 76b進行電絕緣。附圖中雖未圖示，但是絕緣體19a可僅設(shè)置于氣體注入口 76a，或可僅設(shè)置于氣體排出口 76b。
[0140]圖21是用于說明本發(fā)明第18實施例的TCP/ICP耦合等離子體反應(yīng)器的圖。
[0141]參照圖21，等離子體反應(yīng)器70b具有與圖19所示的等離子體反應(yīng)器70相同的結(jié)構(gòu)，包括氣體排出口 76b的第二浮動腔室74c接地連接。因此，包括氣體注入口 76a的第一浮動腔室74b及第三浮動腔室74d、第四浮動腔室74e在等離子體工藝之后通過開關(guān)電路22與高電阻20連接。本發(fā)明中雖未圖示，但是多個浮動腔室中任一個可接地連接。
[0142]以上說明的本發(fā)明的等離子體反應(yīng)器及利用該反應(yīng)器的等離子體點火方法的實施例僅為例示，本發(fā)明所屬的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員可知能夠由此進行多種變形及均等的其它實施例。
[0143]因此，應(yīng)可理解本發(fā)明并不限定于所述詳細說明中提及的形態(tài)。由此，本發(fā)明的真正的技術(shù)保護范圍應(yīng)由所添附的權(quán)利要求書的技術(shù)思想確定。另外，應(yīng)理解為本發(fā)明包括根據(jù)所添附的權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明宗旨及該范圍內(nèi)的所有變形物和等價物及代替物。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體反應(yīng)器，其特征在于，包括: 磁芯，具有變壓器初級線圈； 交流電源供給源，用于向卷繞于所述磁芯的變壓器初級線圈供給交流電力； 等離子體腔室主體，設(shè)置有所述磁芯，通過所述磁芯，電壓直接感應(yīng)，從而感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢；及 浮動腔室，通過絕緣區(qū)域與所述等離子體腔室主體連接，從所述等離子體腔室主體間接傳導(dǎo)感應(yīng)電動勢， 其中，根據(jù)從所述交流電源供給源供給的交流電力的相位變化而在所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室之間產(chǎn)生電壓差，根據(jù)該點壓差發(fā)生等離子體點火，并供給至工藝腔室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室以一字形在內(nèi)部具有一個放電路徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體反應(yīng)器包括分別設(shè)置有所述磁芯的多個等離子體腔室主體。
4.根據(jù)權(quán)利要求 1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與浮動腔室以環(huán)狀在內(nèi)部具有一個環(huán)狀的放電路徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體反應(yīng)器包括設(shè)置有四個以上的磁芯以在環(huán)狀的放電路徑上呈對稱結(jié)構(gòu)的多個等離子體腔室主體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與浮動腔室由同一材質(zhì)構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述同一材質(zhì)為鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述同一材質(zhì)為導(dǎo)體或電介質(zhì)中任一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述電介質(zhì)為陶瓷。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室由電介質(zhì)形成，在所述等離子體腔室主體或所述浮動腔室的外周面形成有導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域由電介質(zhì)形成，所述絕緣區(qū)域包括用于真空絕緣的橡膠。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述電介質(zhì)為陶瓷。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域的寬度取決于從所述交流電源供給源供給的交流電力的電壓強度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述浮動腔室包括: 電阻，用于對在等離子體工藝之后帶電的電荷進行放電；及開關(guān)電路，用于在供給至工藝腔室的等離子體工藝之后連接所述電阻與所述浮動腔室。
15.一種等離子體反應(yīng)器，其特征在于，包括: 磁芯，具有變壓器初級線圈； 交流電源供給源，用于向卷繞于所述磁芯的變壓器初級線圈供給交流電力； 等離子體腔室主體，設(shè)置有所述磁芯，通過所述磁芯，電壓直接感應(yīng)，從而感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢；及 多個浮動腔室，通過絕緣區(qū)域與所述等離子體腔室主體連接，從所述等離子體腔室主體間接傳導(dǎo)感應(yīng)電動勢， 其中，所述多個浮動腔室通過絕緣區(qū)域連接，根據(jù)從所述交流電源供給源供給的交流電力的相位變化而在所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室之間產(chǎn)生電壓差，根據(jù)該電壓差發(fā)生等離子體點火，并供給至工藝腔室。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室以一字形在內(nèi)部具有一個放電路徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體反應(yīng)器包括分別設(shè)置有所述磁芯的多個等離子體腔室主體。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與浮動腔室以環(huán)狀在內(nèi)部具有環(huán)狀的放電路徑。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體反應(yīng)器包括設(shè)置有四個以上的磁芯以在環(huán)狀的放電路徑上呈對稱結(jié)構(gòu)的多個等離子體腔室主體。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與浮動腔室由同一材質(zhì)構(gòu)成。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述同一材質(zhì)為鋁。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述同一材質(zhì)為導(dǎo)體或電介質(zhì)中任一個。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述電介質(zhì)為陶瓷。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體腔室主體與所述浮動腔室由電介質(zhì)形成，在所述等離子體腔室主體或所述浮動腔室的外周面形成有導(dǎo)體層。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域由電介質(zhì)形成，所述絕緣區(qū)域包括用于真空絕緣的橡膠。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述電介質(zhì)為陶瓷。
27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域的寬度取決于從所述交流電源供給源供給的交流電力的電壓強度。
28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于，所述浮動腔室包括: 電阻，用于對等離子體工藝之后帶電的電荷進行放電；及 開關(guān)電路，用于在供給至工藝腔室的等離子體工藝之后連接所述電阻與所述浮動腔室。
29.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域還分別形成于等離子體反應(yīng)器的氣體注入口和氣體排出口。
30.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域形成于與設(shè)置有所述磁芯的所述等離子體腔室主體交叉的位置。
31.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域還形成于等離子體反應(yīng)器的氣體注入口。
32.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述絕緣區(qū)域還形成于等離子體反應(yīng)器的氣體排出口。
33.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述多個浮動腔室中任一個接地連接。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的等離子體反應(yīng)器，其特征在于， 所述等離子體反應(yīng)器中，包括氣體注入口的浮動腔室為浮動狀態(tài)，包括氣體排出口的浮動腔室接地連接。
35.一種利用等離子體反應(yīng)器的等離子體點火方法，其特征在于，包括: 通過氣體注入口供給氣體，從交流電源供給源向卷繞于磁芯的初級線圈供給交流電力的步驟； 在設(shè)置有所述磁芯的等離子體腔室主體直接感應(yīng)產(chǎn)生感應(yīng)電動勢的步驟； 在所述等離子體腔室主體形成的感應(yīng)電動勢傳導(dǎo)至多個浮動腔室，致使在反應(yīng)器主體內(nèi)感應(yīng)產(chǎn)生等離子體放電的步驟； 被放電的等離子體通過氣體排出口供給至工藝腔室的步驟；及為了對感應(yīng)產(chǎn)生等離子體放電之后帶電的電荷進行放電，所述浮動腔室連接于高電阻的步驟。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的利用等離子體反應(yīng)器的等離子體點火方法，其特征在于， 所述連接于高電阻的步驟中，所述浮動腔室通過開關(guān)電路連接于高電阻。
【文檔編號】H05H1/24GK104025720SQ201380004082
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】崔相敦 申請人:株式會社新動力等離子體