一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，屬熔融液提拉法的單晶生長的【技術(shù)領(lǐng)域】。一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，包括位于單晶爐反射盤的泄露通孔下面的硅液盛接石墨槽，硅液盛接石墨槽中設(shè)有用于電連接的懸空石墨棒，懸空石墨棒和硅液盛接石墨槽分別與單晶爐加熱器控制電路的兩個電極連接。還包括報警器，報警器與單晶爐加熱器控制電路連接。硅液盛接石墨槽位于單晶爐加熱器底盤上，在硅液盛接石墨槽的上部側(cè)壁設(shè)有溢流石墨瓦，溢流石墨瓦上端與硅液盛接石墨槽相連通，溢流石墨瓦的下端位于單晶爐加熱器底盤的中心孔內(nèi)，在中心孔下面設(shè)有碳?xì)?。本實用新型在硅液泄露時，可使單晶爐保護(hù)裝置啟動并自動報警，避免燙穿爐底板，減少設(shè)備損失。
【專利說明】一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及熔融液提拉法單晶生長【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶爐是一種將原硅料加工成單晶硅棒的設(shè)備。運行時，將原硅料放入石英堝內(nèi)，開啟加熱器，原硅料加熱為液體后，然后慢慢將硅液冷卻并穩(wěn)定到快要結(jié)晶的溫度，使用旋轉(zhuǎn)的籽晶慢慢將硅液拉成為單晶硅棒。如果石英堝存在隱形裂紋，在熔解硅料時，隨著硅液對石英堝壓力的增大，裂紋也會擴(kuò)大，硅液就會從裂紋漏出?，F(xiàn)有技術(shù)中，單晶爐如果有較多的硅液流到電極上，硅液順著電極流到電極護(hù)套，使電極和電極護(hù)套導(dǎo)通或使?fàn)t底和銅電極導(dǎo)通，上述情況出現(xiàn)，設(shè)備不能盡快報警，還可能引發(fā)燙穿爐底板的重大安全事故。無論以哪種方式導(dǎo)通都會損壞石墨件，如加熱器、電極螺栓、石墨電極等，造成設(shè)備損失使生產(chǎn)成本增加。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，具有當(dāng)硅液泄露時可自動對設(shè)備進(jìn)行控制保護(hù)的特點。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案是:一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，包括位于單晶爐反射盤的泄露通孔下面的硅液盛接石墨槽，所述硅液盛接石墨槽中設(shè)有用于電連接的懸空石墨棒，所述懸空石墨棒和硅液盛接石墨槽分別與單晶爐加熱器控制電路的兩個電極連接。
[0005]對本實用新型所做的進(jìn)一步改進(jìn)是:還包括報警器，所述報警器與單晶爐
[0006]加熱器控制電路連接。所述硅液盛接石墨槽位于單晶爐加熱器底盤上，在硅液盛接石墨槽的上部側(cè)壁設(shè)有溢流 石墨瓦，所述溢流石墨瓦上端與硅液盛接石墨槽相連通，溢流石墨瓦的下端位于單晶爐加熱器底盤的中心孔內(nèi)。在所述單晶爐加熱器底盤的中心孔下面設(shè)有碳?xì)帧?br> [0007]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:現(xiàn)有技術(shù)中，單晶爐加熱器控制電路均設(shè)有保護(hù)裝置，硅液作為導(dǎo)體泄露流入硅液盛接石墨槽內(nèi)使懸空石墨棒與硅液盛接石墨槽導(dǎo)通，單晶爐加熱器控制電路的保護(hù)裝置可以啟動，可使報警器自動報警，操作者可以立即采取措施制止硅液泄露。如果較多的硅液泄露進(jìn)入硅液盛接石墨槽并溢出，硅液溢流石墨瓦會將硅液引流到爐底碳?xì)稚?，碳?xì)挚梢晕蕉嘤嗟墓枰?，避免硅液燙穿爐底板，降低事故發(fā)生率，減少設(shè)備損失。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為圖1中A部放大示意圖。[0011 ] 如圖所不:I石墨禍、2石墨禍托、3石墨托桿、4泄露的娃液、5單晶爐反射盤、6泄露通孔、7懸空石墨棒、8單晶爐加熱器、9硅液溢流石墨瓦、10法蘭盤、11硅液盛接石墨槽、12電極螺栓、13單晶爐加熱器底盤、14碳?xì)帧?5支撐柱。
【具體實施方式】
[0012]對照圖1-2對本實用新型的操作使用步驟作進(jìn)一步說明:一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，包括位于單晶爐反射盤5的泄露通孔6下面的硅液盛接石墨槽11，所述硅液盛接石墨槽11中設(shè)有用于電連接的懸空石墨棒7，所述懸空石墨棒7和硅液盛接石墨槽11分別與單晶爐加熱器8控制電路的兩個電極連接。還包括報警器，所述報警器與單晶爐加熱器8控制電路連接。所述硅液盛接石墨槽11位于單晶爐加熱器底盤13上，在硅液盛接石墨槽11的上部側(cè)壁設(shè)有溢流石墨瓦9，所述溢流石墨瓦9上端與硅液盛接石墨槽11相連通，溢流石墨瓦9的下端位于單晶爐加熱器底盤13的中心孔內(nèi)。在所述單晶爐加熱器底盤13的中心孔下面設(shè)有碳?xì)?4。
[0013]本實施例的使用方法:可以在單晶爐反射盤5的兩側(cè)分別設(shè)泄露通孔6，在泄露通孔6的下面分別設(shè)有硅液盛接石墨槽11和懸空石墨棒7。在硅液盛接石墨槽11的下部設(shè)有錐面周壁，可使懸空石墨棒7與硅液盛接石墨槽11盡快導(dǎo)通，報警器盡早報警。硅液盛接石墨槽11的底座通過電極螺檢12與單晶爐加熱器底盤13固定。溢流石墨瓦9上端通過法蘭盤10與硅液盛接石墨槽11相連通。在設(shè)備運行時如果發(fā)生硅液泄露，泄露的硅液4從石墨禍I泄露后會流到石墨禍托2內(nèi)，注滿石墨禍托2后,會順著石墨禍托2往下滴落，由于石墨托桿3、石墨堝托2和石墨堝I都在轉(zhuǎn)動，所以泄露的硅液4的一部分會滴落在單晶爐反射盤5上，另一部分通過泄露通孔6滴落到硅液盛接石墨槽11中，懸空石墨棒7與硅液盛接石墨槽11導(dǎo)通，單晶爐加熱器控制電路的保護(hù)裝置啟動，報警器自動報警；如果泄露的硅液4較多并溢出硅液盛接石墨槽11，硅液溢流石墨瓦9使泄露的硅液4流向碳?xì)?4，碳?xì)?4對泄露的硅液4有良好的吸附作用，避免燙傷爐底板。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，其特征在于:包括位于單晶爐反射盤(5)的泄露通孔(6 )下面的硅液盛接石墨槽(11)，所述硅液盛接石墨槽(11)中設(shè)有用于電連接的懸空石墨棒(7),所述懸空石墨棒(7)和娃液盛接石墨槽(11)分別與單晶爐加熱器(8)控制電路的兩個電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，其特征在于:還包括 報警器，所述報警器與單晶爐加熱器(8 )控制電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，其特征在于:所述硅液盛接石墨槽(11)位于單晶爐加熱器底盤(13)上，在硅液盛接石墨槽(11)的上部側(cè)壁設(shè)有溢流石墨瓦(9)，所述溢流石墨瓦(9)上端與硅液盛接石墨槽(11)相連通，溢流石墨瓦(9)的下端位于單晶爐加熱器底盤(13 )的中心孔內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單晶爐硅液泄露保護(hù)裝置，其特征在于:在所述單晶爐加熱器底盤(13)的中心孔下面設(shè)有碳?xì)?14)。
【文檔編號】C30B15/00GK203653746SQ201320887978
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】郭勝州 申請人:英利能源（中國）有限公司