電子裝置及其外殼的制造方法
【專利摘要】一種電子裝置，其包括外殼、主板及發(fā)熱元件，主板及發(fā)熱元件均收容于外殼內(nèi)，外殼對(duì)應(yīng)發(fā)熱元件的位置形成有導(dǎo)熱區(qū)，導(dǎo)熱區(qū)的外表面形成有多個(gè)納米級(jí)的導(dǎo)熱孔。本發(fā)明還提供一種電子裝置外殼的制造方法。本發(fā)明的電子裝置通過(guò)在對(duì)應(yīng)發(fā)熱元件的位置上設(shè)置導(dǎo)熱區(qū)，并在導(dǎo)熱區(qū)開(kāi)設(shè)納米級(jí)的導(dǎo)熱孔，使用時(shí)，由于納米級(jí)的導(dǎo)熱孔的比表面積較大，每個(gè)導(dǎo)熱孔的內(nèi)表面均相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)熱元件，可有效地傳導(dǎo)發(fā)熱元件散發(fā)的熱能，達(dá)到有效散熱。相較于設(shè)置于電子裝置內(nèi)部的導(dǎo)熱元件，本發(fā)明在外殼上直接形成納米級(jí)的導(dǎo)熱孔，可省略導(dǎo)熱元件，從而不影響電子裝置的體積，成本也較低。
【專利說(shuō)明】電子裝置及其外殼的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子裝置，特別涉及一種散熱效果較好的電子裝置及其外殼制造 方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前手持式電子裝置越來(lái)越輕薄，性能越來(lái)越高，使其散熱量相應(yīng)增大。手持式電 子裝置一般采用被動(dòng)散熱方式，即通過(guò)導(dǎo)熱材料將熱量傳導(dǎo)分散，為達(dá)到較好的散熱效果， 業(yè)界現(xiàn)在采用石墨導(dǎo)熱材料。然而，設(shè)置于電子裝置內(nèi)部的石墨導(dǎo)熱材料導(dǎo)致電子裝置體 積增大,且其成本也較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于上述狀況，有必要提供一種散熱效果較好且體積較小的電子裝置，還有必要 提供一種上述電子裝置的外殼的制造方法。
[0004] -種電子裝置，其包括外殼、主板及發(fā)熱兀件，主板及發(fā)熱兀件均收容于外殼內(nèi)， 外殼對(duì)應(yīng)發(fā)熱元件的位置形成有導(dǎo)熱區(qū)，導(dǎo)熱區(qū)的外表面形成有多個(gè)納米級(jí)的導(dǎo)熱孔。
[0005] -種電子裝置外殼的制造方法，其包括：遮蔽保護(hù)電子裝置外殼的非蝕刻區(qū)，以在 電子裝置外殼的外表面形成預(yù)定的蝕刻區(qū)；采用光微影蝕刻方法在該蝕刻區(qū)形成多個(gè)納米 級(jí)的導(dǎo)熱孔，使該蝕刻區(qū)形成導(dǎo)熱區(qū)；清洗非蝕刻區(qū)，去除遮蔽，從而得到該電子裝置外殼。
[0006] 上述電子裝置通過(guò)在對(duì)應(yīng)發(fā)熱元件的位置上設(shè)置導(dǎo)熱區(qū)，并在導(dǎo)熱區(qū)開(kāi)設(shè)納米級(jí) 的導(dǎo)熱孔，使用時(shí)，由于納米級(jí)的導(dǎo)熱孔的比表面積較大，每個(gè)導(dǎo)熱孔的內(nèi)表面均相當(dāng)于一 個(gè)導(dǎo)熱元件，可有效地傳導(dǎo)發(fā)熱元件散發(fā)的熱能，達(dá)到有效散熱。相較于設(shè)置于電子裝置內(nèi) 部的導(dǎo)熱元件，本發(fā)明在外殼上直接形成納米級(jí)的導(dǎo)熱孔，可省略導(dǎo)熱元件，從而不影響電 子裝置的體積，成本也較低。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式電子裝置的立體示意圖。
[0008] 圖2是圖1所示電子裝置的另一角度的立體示意圖。
[0009] 圖3是圖1中底殼沿III-III線的部分剖視圖。
[0010] 圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式的導(dǎo)熱孔的橫截面示意圖。
[0011] 圖5是本發(fā)明第一實(shí)施方式電子裝置外殼的制造方法流程圖。
[0012] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種電子裝置，其包括外殼、主板及發(fā)熱元件，該主板及該發(fā)熱元件均收容于該外殼 內(nèi)，其特征在于：該外殼對(duì)應(yīng)該發(fā)熱元件的位置形成有導(dǎo)熱區(qū)，該導(dǎo)熱區(qū)的外表面形成有多 個(gè)納米級(jí)的導(dǎo)熱孔。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：該發(fā)熱元件為電池或中央處理器。
3. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：該多個(gè)導(dǎo)熱孔為從該導(dǎo)熱區(qū)的外表面 朝向該發(fā)熱兀件方向延伸的盲孔。
4. 如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于：該導(dǎo)熱孔的孔徑范圍為10至100納米， 其孔徑與其深度比為1:2至1:10。
5. 如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，該外殼包括底殼，該底殼包括底壁，該 導(dǎo)熱區(qū)形成在該底壁上，該導(dǎo)熱孔的深度與該底壁的厚度比值范圍為1 :1〇〇〇至1 :1〇〇〇〇。
6. 如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于：該導(dǎo)熱孔沿垂直其延伸方向的截面形 狀為圓形、多邊形或在圓形的圓周上向外凸伸形成多個(gè)梯形。
7. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：該導(dǎo)熱孔均勻分布于該導(dǎo)熱區(qū)。
8. -種電子裝置外殼的制造方法，其包括：遮蔽保護(hù)電子裝置外殼的非蝕刻區(qū)，以在 電子裝置外殼的外表面形成預(yù)定的蝕刻區(qū)；采用光微影蝕刻方法在該蝕刻區(qū)形成多個(gè)納米 級(jí)的導(dǎo)熱孔，使該蝕刻區(qū)形成導(dǎo)熱區(qū)；清洗非蝕刻區(qū)，去除遮蔽，從而得到該電子裝置外殼。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：該導(dǎo)熱孔沿垂直該外 殼厚度方向的截面形狀為在圓形的圓周上向外凸伸形成多個(gè)梯形，該導(dǎo)熱孔的孔徑范圍為 10至100納米，其孔徑與其深度比為1 :2至1 :10。
10. 如權(quán)利要求8所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于：光微影蝕刻時(shí)采用納 米壓印方法或納米球模板微影方法形成預(yù)定的納米圖形，然后再采用化學(xué)蝕刻、等離子體 蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻方法蝕刻上述納米圖形，從而形成該導(dǎo)熱孔。
【文檔編號(hào)】H05K5/00GK104349617SQ201310324648
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】劉咸柱, 韓家偉, 劉沙沙 申請(qǐng)人:富泰華工業(yè)（深圳）有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司