多晶硅鑄錠的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠的方法，包括：在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層，所述涂層中含有固體顆粒物，所述固體顆粒物為石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一種，并在所述坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂氮化硅；在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不完全相同且布滿所述坩堝的底部，然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)，所述硅料壓迫所述碎硅片，在所述涂層上形成凹痕；整體加熱所述坩堝，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠的方法能夠在保證得到高轉(zhuǎn)化效率多晶硅錠的基礎(chǔ)上，降低生產(chǎn)過程中的能耗，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，并且提高硅錠的成晶率，增加硅片的整體產(chǎn)能。
【專利說明】多晶娃鑄錠的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種多晶硅鑄錠的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科學(xué)的發(fā)展，技術(shù)的進(jìn)步，世界各國對節(jié)能減排及環(huán)境保護(hù)方面愈來愈重視。 太陽能電池作為節(jié)能減排項(xiàng)目中的重要組成部分，得到迅猛的發(fā)展。
[0003] 在眾多類型的太陽能電池中，多晶硅太陽能電池以其低成本的優(yōu)點(diǎn)得到大規(guī)模的 產(chǎn)業(yè)化，多晶硅鑄錠是多晶硅太陽能電池產(chǎn)業(yè)鏈中重要的基礎(chǔ)環(huán)節(jié)，提純后的硅原材料只 有經(jīng)過長晶并鑄成硅錠后，才能用于生產(chǎn)太陽能電池片。如何在多晶硅鑄錠階段生長出高 質(zhì)量的多晶硅，對提高成品多晶硅太陽能電池片的轉(zhuǎn)化效率具有至關(guān)重要的作用，因此，高 效多晶硅鑄錠的方法是目前本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員研究的熱點(diǎn)。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中生廣_效多晶娃淀較為成熟的工藝制備方法為：在進(jìn)行裝料工序時(shí)， 首先在坩堝底部鋪放破碎的單、多晶硅片，然后向坩堝內(nèi)裝入硅料。進(jìn)入熔化階段后，使硅 料按照從上而下的方式一層一層的熔化掉，在熔化至最底部時(shí)，保留20mm左右的硅料不完 全熔化完，接下來立即使整個(gè)熔體進(jìn)入到過冷的狀態(tài)。隨后進(jìn)入長晶階段，后續(xù)的退火階段 和冷卻階段與常規(guī)多晶硅鑄錠的相同。
[0005] 但是，在實(shí)際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，上述高效多晶硅鑄錠的方法耗能較多，導(dǎo)致成產(chǎn)成 本升高，并且硅錠成晶率較低，使后續(xù)硅片的整體產(chǎn)能降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠的方法，以在保證生產(chǎn)出高效多晶硅錠的前提下， 降低生產(chǎn)過程中的能耗，提高硅錠的成晶率。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：
[0008] -種多晶硅鑄錠的方法，包括：在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層，所述涂層 中含有固體顆粒物，所述固體顆粒物為石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一種，并在所 述坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂氮化硅；在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所 述碎硅片的形狀和尺寸不完全相同且布滿所述坩堝的底部，然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)， 所述硅料壓迫所述碎硅片，在所述涂層上形成凹痕；整體加熱所述坩堝，直至所述碎硅片和 所述硅料全部熔化。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一預(yù)設(shè)厚度的范圍為1mm?5_，包括端點(diǎn)值。
[0010] 優(yōu)選的，所述在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層具體包括：將所述固體顆粒 物融入硅溶膠內(nèi)形成涂覆液；將所述涂覆液涂覆至所述坩堝的底部，形成所述第一預(yù)設(shè)厚 度的涂層。
[0011] 優(yōu)選的，所述固體顆粒物的粒徑小于或等于150ym。
[0012] 優(yōu)選的，所述固體顆粒物的重量與所述硅溶膠的重量的比例范圍為1:10?1:1， 包括端點(diǎn)值。
[0013] 優(yōu)選的，所述第二預(yù)設(shè)厚度的范圍為3mm?30mm，包括端點(diǎn)值。
[0014] 優(yōu)選的，所述碎娃片的尺寸的范圍為2mmX2mm?20mmX20mm，包括端點(diǎn)值。
[0015] 優(yōu)選的，所述在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀 和尺寸不完全相同且布滿所述坩堝的底部，與所述然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)之間還包 括：在鋪設(shè)完所述碎硅片的坩堝的底部鋪放碎硅塊，使所述碎硅塊布滿所述坩堝的底部。
[0016] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0017] 本發(fā)明所提供的多晶硅鑄錠的方法，在坩堝的預(yù)處理階段在坩堝的底部形成包含 固體顆粒物的涂層，作為固體顆粒物的石英砂、氮化硅和碳化硅的熔點(diǎn)均高于硅，并在裝料 階段首先在坩堝的底部鋪滿大小和尺寸不完全相同的碎硅片，再進(jìn)行裝料。由于碎硅片受 硅料壓迫在坩堝底部涂層上留下凹痕，這些凹痕布滿整個(gè)坩堝的底部，且涂層中含有熔點(diǎn) 高于硅的固體顆粒物，坩堝內(nèi)的硅料全部熔化后固體顆粒物仍不會(huì)熔化，因此在長晶初期， 多晶硅會(huì)在凹痕和固體顆粒物處優(yōu)先成核，晶核相互競爭，加上鑄錠爐本身的定向散熱工 藝，使晶粒能夠保持較好的堅(jiān)直生長，晶粒的一致性和方向性得到較大的保證，從而使采用 本發(fā)明所提供的方法得到的多晶硅錠的位錯(cuò)密度較低，轉(zhuǎn)化效率較高。
[0018] 并且，本發(fā)明所提供的方法中硅料熔化時(shí)采用普通多晶硅鑄錠熔化時(shí)整體加熱的 方式，相比現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)高效多晶硅錠時(shí)熔化階段采用使硅料從上而下一層一層熔化的 方式，能耗更小，從而生產(chǎn)成本更低；本發(fā)明所提供的方法中熔化階段使碎硅片和硅料全部 融化，相比現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)高效多晶硅錠時(shí)熔化階段底部保持20mm左右的固體不熔化，所 得到的多晶硅錠用于切片時(shí)的尾部去除量大大減少，因此硅錠的成晶率提高?？梢?，本發(fā)明 所提供的高效多晶硅鑄錠的方法能夠在保證得到高轉(zhuǎn)化效率多晶硅錠的基礎(chǔ)上，降低生產(chǎn) 過程中的能耗，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，并且提高硅錠的成晶率，增加硅片的整體產(chǎn)能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的多晶硅鑄錠的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 正如【背景技術(shù)】所述，常規(guī)高效多晶硅錠鑄錠的方法能耗較高且成晶率較低。發(fā)明 人研究發(fā)現(xiàn)，產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因主要是：提高多晶硅錠轉(zhuǎn)化效率的主要手段就是提高晶 粒的一致性和方向性，降低位錯(cuò)，現(xiàn)有技術(shù)中為了使多晶硅在長晶時(shí)保持堅(jiān)直生長，進(jìn)而保 證晶粒的一致性和方向性，會(huì)在硅料熔化階段后期保留20mm左右的硅料不完全融化作為 晶體生長時(shí)的籽晶。而熔化階段如果采用普通多晶硅鑄錠時(shí)整體加熱坩堝使硅料熔化的方 式，由于硅液的流動(dòng)性，硅液會(huì)在坩堝底部聚集，固體硅料則漂浮在硅液上，從而無法保證 長晶初期坩堝底部保留一部分硅料作為籽晶。
[0022] 因此，現(xiàn)有技術(shù)在高效多晶硅鑄錠的熔化階段，采用從上而下一層一層熔化的方 式，坩堝內(nèi)部需要維持上熱下冷的狀態(tài)，熱量的傳導(dǎo)集中于固液交界處，通過上層硅液的熱 量慢慢熔化掉與之接觸的下層固體硅料，所以熱傳導(dǎo)的范圍很窄，熔化所需時(shí)間較長。且為 了保持坩堝的底部溫度較低，在實(shí)際生產(chǎn)中要打開隔熱籠(類似于保溫罩)，使加熱器多余 的熱量散失掉，同時(shí)為了保證硅料熔化所需的溫度，加熱器的輸出溫度又不能下降，所以熱 量的損耗較大。上述因素均會(huì)使生產(chǎn)過程中的能耗增多，進(jìn)而導(dǎo)致生產(chǎn)成本升高。
[0023] 并且，硅錠的底部和頭部去除量直接關(guān)系到硅錠能夠用于切片的可用長度（即成 晶率)，由于現(xiàn)有技術(shù)中_效多晶娃鑄淀過程中底部保持20mm左右的固體娃料不溶化而直 接進(jìn)入到長晶階段，使硅錠尾部的去除量會(huì)增加近20_，因此總體的成晶率較常規(guī)生產(chǎn)的 普通多晶硅錠低5%?7%，硅片的整體產(chǎn)能較低。
[0024] 基于此，本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠的方法，包括：在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè) 厚度的涂層，所述涂層中含有固體顆粒物，所述固體顆粒物為石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉 中的至少一種，并在所述坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂氮化硅；在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二 預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不完全相同且布滿所述坩堝的底部，然后將 硅料裝入所述坩堝內(nèi)，所述硅料壓迫所述碎硅片，在所述涂層上形成凹痕；整體加熱所述坩 堝，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。
[0025] 本發(fā)明所提供的多晶硅鑄錠的方法，在坩堝的預(yù)處理階段在坩堝的底部形成包含 固體顆粒物的涂層，作為固體顆粒物的石英砂、氮化硅和碳化硅的熔點(diǎn)均高于硅，并在裝料 階段首先在坩堝的底部鋪滿大小和尺寸不完全相同的碎硅片，再進(jìn)行裝料。由于碎硅片受 硅料壓迫在坩堝底部涂層上留下凹痕，這些凹痕布滿整個(gè)坩堝的底部，且涂層中含有熔點(diǎn) 高于硅的固體顆粒物，坩堝內(nèi)的硅料全部熔化后固體顆粒物仍不會(huì)熔化，因此在長晶初期， 多晶硅會(huì)在凹痕和固體顆粒物處優(yōu)先成核，晶核相互競爭，加上鑄錠爐本身的定向散熱工 藝，使晶粒能夠保持較好的堅(jiān)直生長，晶粒的一致性和方向性得到較大的保證，從而使采用 本發(fā)明所提供的方法得到的多晶硅錠的位錯(cuò)密度較低，轉(zhuǎn)化效率較高。
[0026] 并且，本發(fā)明所提供的方法中硅料熔化時(shí)采用普通多晶硅鑄錠熔化時(shí)整體加熱的 方式，相比現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)高效多晶硅錠時(shí)熔化階段采用使硅料從上而下一層一層熔化的 方式，能耗更小，從而生產(chǎn)成本更低；本發(fā)明所提供的方法中熔化階段使碎硅片和硅料全部 融化，相比現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)高效多晶硅錠時(shí)熔化階段底部保持20mm左右的固體不熔化，所 得到的多晶硅錠用于切片時(shí)的尾部去除量大大減少，因此硅錠的成晶率提高?？梢姡景l(fā)明 所提供的高效多晶硅鑄錠的方法能夠在保證得到高轉(zhuǎn)化效率多晶硅錠的基礎(chǔ)上，降低生產(chǎn) 過程中的能耗，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，并且提高硅錠的成晶率，增加硅片的整體產(chǎn)能。
[0027] 以上是本發(fā)明的核心思想，為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易 懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0028] 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以 采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的 情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種多晶硅鑄錠的方法，如圖1所示，該方法包括以下步驟：
[0030] 在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層，所述涂層中含有固體顆粒物，所述固體 顆粒物為石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一種，并在所述坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂 氮化硅；
[0031] 上述步驟為坩堝預(yù)處理階段。所述在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層包括： 將所述固體顆粒物融入硅溶膠內(nèi)形成涂覆液；將所述涂覆液涂覆至所述坩堝的底部，形成 所述第一預(yù)設(shè)厚度的涂層。將固體顆粒物融入硅溶膠中時(shí)最好充分?jǐn)嚢瑁构腆w顆粒物較 均勻的分布于硅溶膠中，進(jìn)而使坩堝底部的涂層各處所含的固體顆粒物的密度較均勻，為 晶體生長提供良好的基礎(chǔ)。涂覆所制成的涂覆液時(shí)優(yōu)選的可采用壓力噴槍，形成涂層后優(yōu) 選的可以等待涂層干燥后再進(jìn)行后續(xù)操作。
[0032] 坩堝底部的涂層的厚度為第一預(yù)設(shè)厚度，所述第一預(yù)設(shè)厚度的范圍優(yōu)選為1mm? 5mm,包括端點(diǎn)值。
[0033] 由于固體顆粒物可用于長晶階段的成核點(diǎn)，所以固體顆粒物的粒徑不宜過大，所 述固體顆粒物的粒徑優(yōu)選的小于或等于150Um;所述固體顆粒物的重量與所述硅溶膠的 重量的比例范圍優(yōu)選為1:10?1:1，包括端點(diǎn)值。
[0034] 需要說明的是，發(fā)明人曾想到將硅粉融入純水中，或者將硅粉融入純水中，并加入 硅溶膠、硅酸等中的至少一種制得涂覆液，但是這種方法得到的涂覆液所形成的涂層效果 并不理想。這是由于一方面涂層中由于含有純水使硅粉在坩堝底部的流動(dòng)性增強(qiáng)，造成硅 粉發(fā)生小范圍的聚集和滑動(dòng)，涂層的處理效果變的很差，成核點(diǎn)在坩堝底部的分布不均勻， 最終影響晶體生長額質(zhì)量，并且容易導(dǎo)致小范圍的粘鍋等生產(chǎn)異常情況的發(fā)生；另一方面 采用硅粉作為涂覆液的溶質(zhì)，但是由于硅粉的熔點(diǎn)為1500°C以下，當(dāng)坩堝內(nèi)的硅料熔化時(shí)， 涂層中的硅粉也會(huì)隨之融化成為液態(tài)，并不能很好的作為長晶時(shí)晶體的成核點(diǎn)。
[0035] 因此，本發(fā)明采用熔點(diǎn)在1500°C以上的固體顆粒物(熔點(diǎn)為1750°C)融入硅溶膠 中制作涂覆液形成涂層，硅溶膠流動(dòng)性不強(qiáng)，使涂層較為穩(wěn)定，且硅料完全融化后，固體顆 粒物仍為固態(tài)，作為多晶硅的成核點(diǎn)比硅粉更好。
[0036] 在坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂氮化硅的作用是：避免硅料與坩堝接觸，防止發(fā)生 生產(chǎn)事故。
[0037] 需要說明的是，在坩堝預(yù)處理階段，形成涂層與噴涂氮化硅的先后順序并不限定。
[0038] 在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不完全 相同且布滿所述坩堝的底部，然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)，所述硅料壓迫所述碎硅片，在所 述涂層上形成凹痕；
[0039] 上述步驟為裝料階段。在鋪設(shè)碎硅片時(shí)優(yōu)選的將碎硅片鋪設(shè)的平整且錯(cuò)落有致， 具體來說即將大小不一、形狀各異的碎硅片平整的放置于坩堝底部的涂層上，使碎硅片布 滿涂層表面，尺寸較大的硅片和尺寸較小的硅片在涂層各處的分布均較為均勻。這樣做的 目的是使碎硅片在涂層上壓出的凹痕分布均勻，為長晶提供良好的成核基礎(chǔ)，使坩堝底部 各處晶體生長的密度和速度趨于一致，加劇晶核的競爭。
[0040] 在坩堝底部鋪設(shè)的碎硅片的厚度為第二預(yù)設(shè)厚度，所述第二預(yù)設(shè)厚度的范圍優(yōu)選 為3mm?30_，包括端點(diǎn)值。
[0041] 所述碎娃片的尺寸的范圍優(yōu)選為2mmX2mm?20mmX20mm，包括端點(diǎn)值。當(dāng)碎娃片 的尺寸較小時(shí)，可適當(dāng)減少碎硅片的用量，以保證良好的成核環(huán)境。
[0042] 所述碎硅片通常為不能用于制造合格的太陽能電池片，回收清洗干凈后，再次作 為原料使用的單晶、多晶碎硅片。
[0043] 所述在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不 完全相同且布滿所述坩堝的底部，與所述然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)之間還包括：在鋪設(shè) 完所述碎硅片的坩堝的底部鋪放碎硅塊，使所述碎硅塊布滿所述坩堝的底部。上述在裝入 大塊的硅料之前先鋪一層碎硅塊的目的是：防止硅料與坩堝底部發(fā)生摩擦和碰撞，以避免 在鑄錠爐內(nèi)發(fā)生硅液溢流和粘鍋等意外。
[0044] 坩堝內(nèi)的硅料在重力的作用下壓迫碎硅片，使碎硅片在涂層上壓出很淺的凹痕， 長晶時(shí)硅原子會(huì)以這些凹痕及涂層內(nèi)的固體顆粒物為成核點(diǎn)優(yōu)先生長，由于凹痕和固體顆 粒物密布坩堝底部，所以坩堝底部各處的晶核相互競爭，加之鑄錠爐本身定向散熱，使?fàn)t體 內(nèi)上熱下冷，晶粒保持很好的堅(jiān)直生長，因此晶粒的一致性和方向性較好，所得到的多晶硅 位錯(cuò)密度較低，從而硅錠的轉(zhuǎn)化效率較高。
[0045] 如下表1所示，表1為采用本發(fā)明提供的方法得到的高效多晶硅錠所制成的高效 多晶硅片的各項(xiàng)性能參數(shù)與普通多晶硅片的對比表。
[0046] 表 1
[0047]

【權(quán)利要求】
1. 一種多晶娃鑄錠的方法，其特征在于，包括： 在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的涂層，所述涂層中含有固體顆粒物，所述固體顆粒 物為石英砂、氮化硅粉、碳化硅粉中的至少一種，并在所述坩堝的底部和內(nèi)側(cè)壁上噴涂氮化 硅； 在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不完全相同 且布滿所述坩堝的底部，然后將硅料裝入所述坩堝內(nèi)，所述硅料壓迫所述碎硅片，在所述涂 層上形成凹痕； 整體加熱所述坩堝，直至所述碎硅片和所述硅料全部熔化。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)厚度的范圍為1mm?5mm， 包括端點(diǎn)值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在坩堝的底部形成第一預(yù)設(shè)厚度的 涂層具體包括： 將所述固體顆粒物融入硅溶膠內(nèi)形成涂覆液； 將所述涂覆液涂覆至所述坩堝的底部，形成所述第一預(yù)設(shè)厚度的涂層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固體顆粒物的粒徑小于或等于 150 u m〇
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述固體顆粒物的重量與所述硅溶膠的 重量的比例范圍為1:10?1:1，包括端點(diǎn)值。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)厚度的范圍為3mm?30mm， 包括端點(diǎn)值。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述碎硅片的尺寸的范圍為2mmX2mm? 20mmX 20mm，包括端點(diǎn)值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述坩堝的底部鋪設(shè)第二預(yù)設(shè)厚 度的碎硅片，所述碎硅片的形狀和尺寸不完全相同且布滿所述坩堝的底部，與所述然后將 硅料裝入所述坩堝內(nèi)之間還包括：在鋪設(shè)完所述碎硅片的坩堝的底部鋪放碎硅塊，使所述 碎硅塊布滿所述坩堝的底部。
【文檔編號】C30B29/06GK104342752SQ201310323238
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】龍昭欽, 戴云林, 劉曉風(fēng), 周慧敏, 徐志群, 金浩, 陳康平 申請人:晶科能源有限公司