反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的mocvd設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的MOCVD設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，可提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，從而獲得更佳工藝效果，而且可以降低能耗，從而降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明所述反應(yīng)腔室內(nèi)，貼近腔壁設(shè)置絕熱壁，真空系統(tǒng)和冷卻氣體系統(tǒng)，其中：所述絕熱壁的上下兩端分別通過上法蘭和下法蘭固定于反應(yīng)腔室內(nèi)，所述絕熱壁包括：內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁和外壁之間形成有一密封間隙；所述密封間隙分別與所述真空系統(tǒng)和所述冷卻氣體系統(tǒng)相連接；所述真空系統(tǒng)，用于在工藝前對所述密封間隙抽真空；所述冷卻氣體系統(tǒng)，用于在工藝結(jié)束后或工藝過程中需要快速降溫的階段，向所述密封間隙通入冷卻氣體。
【專利說明】反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的MOCVD設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的MOCVD設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD, Metal-organic Chemical VaporDeposit1n)是在氣相外延生長的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。典型代表是以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長原材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
[0003]MOCVD生長室(反應(yīng)室)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，由石英材料形成的反應(yīng)腔20，反應(yīng)腔20的內(nèi)部擺放有垂直排列的多層石墨托盤21。在反應(yīng)腔20的外壁上還安裝感應(yīng)線圈22，感應(yīng)線圈22與石墨托盤21同心放置。感應(yīng)線圈22和中高頻的RF電源連接，采用感應(yīng)加熱方式對MOCVD反應(yīng)室內(nèi)的石墨托盤21進(jìn)行加熱。感應(yīng)線圈22中的低頻交變電流產(chǎn)生交變磁場，當(dāng)磁力線23穿過石墨托盤21時(shí)，磁力線被切割產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢，從而在石墨托盤21中產(chǎn)生低頻渦流，由于低頻渦流在石墨托盤21中的電阻熱效應(yīng)，石墨托盤21被加熱。
[0004]MOCVD的工藝對溫度的均勻性要求很高，尤其是大尺寸(4寸以上)基片的MOCVD生長，對基片溫度的均勻性要求更是嚴(yán)格?；瑴囟炔痪鶆蚝芸赡苤苯佑绊懕∧さ墓鈱W(xué)質(zhì)量，從而影響LED芯片的發(fā)光效率。但現(xiàn)有MOCVD生長室中，放置基片的石墨托盤21與感應(yīng)線圈22同心放置，由于在腔體內(nèi)部垂直方向上磁場分布不均勻，如圖2所示，從反應(yīng)腔中心向反應(yīng)腔內(nèi)表面磁力線的分布由疏到密，容易造成石墨托盤表面溫度不均勻致使石墨托盤的外圍溫度偏高，而中間溫度偏低。而且，由于感應(yīng)加熱對加熱體分區(qū)段加熱的可控性很低，因此即便在石墨托盤同心圓周上可以找到溫度較為均勻的環(huán)帶來盛放基片，也無法解決石墨托盤溫度均勻性的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的MOCVD設(shè)備，可提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，從而獲得更佳工藝效果，而且可以降低能耗，從而降低生產(chǎn)成本。
[0006]一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室內(nèi)，貼近腔壁設(shè)置絕熱壁，真空系統(tǒng)和冷卻氣體系統(tǒng)，其中:
[0007]所述絕熱壁的上下兩端分別通過上法蘭和下法蘭固定于反應(yīng)腔室內(nèi)，所述絕熱壁包括:內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁和外壁之間形成有一密封間隙；所述密封間隙分別與所述真空系統(tǒng)和所述冷卻氣體系統(tǒng)相連接；
[0008]所述真空系統(tǒng)，用于在工藝前對所述密封間隙抽真空；
[0009]所述冷卻氣體系統(tǒng)，用于在工藝結(jié)束后或工藝過程中需要快速降溫的階段，向所述密封間隙通入冷卻氣體。
[0010]進(jìn)一步地，所述的反應(yīng)腔室，還包括:
[0011]冷卻裝置，設(shè)置于所述內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙內(nèi)，所述冷卻裝置用于冷卻所述密封間隙內(nèi)的冷卻氣體。
[0012]可選地，所述冷卻裝置為水冷壁。
[0013]優(yōu)選地，所述內(nèi)壁的內(nèi)表面和所述外壁的內(nèi)表面覆有熱反射層。
[0014]可選地，所述熱反射層為鍍銀層或者鍍金層。
[0015]具體地，所述絕熱壁由內(nèi)外兩個(gè)石英管嵌套而成的，所述內(nèi)壁為內(nèi)石英管，所述外壁為外石英管。
[0016]進(jìn)一步地，所述上法蘭內(nèi)還設(shè)置有上法蘭水冷壁，所述下法蘭內(nèi)還設(shè)置有下法蘭水冷壁。
[0017]具體地，所述上法蘭水冷壁和下法蘭水冷壁分別與所述冷卻裝置連通；
[0018]通過增大所述上、下法蘭水冷壁與所述冷卻裝置中的冷卻水流量及流速，快速降低所述密封間隙中的冷卻氣體的溫度，并通過所述真空系統(tǒng)排出來，以增大腔室與外界環(huán)境的散熱。
[0019]所述反應(yīng)腔室，還包括:中央進(jìn)氣系統(tǒng)、上排氣系統(tǒng)和下排氣系統(tǒng)，其中:通過所述中央進(jìn)氣系統(tǒng)向所述反應(yīng)腔室通入大量的氮?dú)猓偻ㄟ^所述上排氣系統(tǒng)和所述下排氣系統(tǒng)排走腔室內(nèi)部的氣體，以實(shí)現(xiàn)輔助降溫。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種設(shè)置有上述任一反應(yīng)腔室的設(shè)備。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室及設(shè)置有該反應(yīng)腔室的MOCVD設(shè)備，在反應(yīng)腔室的內(nèi)壁和外壁之間形成有一密封間隙，使用前將密封間隙抽成真空，然后設(shè)置反應(yīng)腔室的反應(yīng)溫度，保溫一段時(shí)間以使反應(yīng)腔室內(nèi)部通過熱傳遞達(dá)到溫度均勻，從而提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，獲得更佳工藝效果；而且，通過內(nèi)、外壁的保溫效果，可降低工藝過程中的熱量損失，最大程度地利用電能，從而降低生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為現(xiàn)有等離子反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為圖1中感應(yīng)線圈產(chǎn)生的電場分布示意圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室的使用方法流程圖一；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室的使用方法流程圖二。
[0028]附圖標(biāo)記說明
[0029]20-反應(yīng)腔，21-石墨托盤，22-電感線圈，23-磁力線；
[0030]1-中央進(jìn)氣系統(tǒng)，2-上法蘭，3-上法蘭水冷壁，4-冷卻氣體系統(tǒng)，5-電感線圈，6-法蘭支撐機(jī)構(gòu)，7-外石英管，8-內(nèi)石英管，9-真空系統(tǒng)，10-下法蘭水冷壁，11-旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，12-下法蘭，13-下排氣系統(tǒng)，14-石墨托盤，15-放片槽，16-上排氣系統(tǒng)，17-水冷壁。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]本發(fā)明的反應(yīng)腔室內(nèi)，貼近腔壁設(shè)置絕熱壁，真空系統(tǒng)和冷卻氣體系統(tǒng)，其中:
[0033]所述絕熱壁的上下兩端分別通過上法蘭和下法蘭固定于反應(yīng)腔室內(nèi)，所述絕熱壁包括:內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁和外壁之間形成有一密封間隙；所述密封間隙分別與所述真空系統(tǒng)和所述冷卻氣體系統(tǒng)相連接；
[0034]所述真空系統(tǒng)，用于在工藝前對所述密封間隙抽真空；
[0035]所述冷卻氣體系統(tǒng)，用于在工藝結(jié)束后或工藝過程中需要快速降溫的階段，向所述密封間隙通入冷卻氣體。
[0036]在工藝前，真空系統(tǒng)的真空泵對內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙抽真空，保證內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙為真空區(qū)域，一般密封間隙的真空度在1mbar(13Pa)以下，內(nèi)壁、真空的密封間隙、外壁共同形成一個(gè)絕熱壁，有效的阻擋了熱傳導(dǎo)、熱對流、熱輻射形式的散熱，可降低工藝過程中的熱量損失，最大程度地利用電能，從而降低生產(chǎn)成本。優(yōu)選地，還可將內(nèi)壁的內(nèi)表面和外壁的內(nèi)表面覆蓋熱反射層，把熱輻射反射回去，斷絕熱輻射通路，進(jìn)一步降低熱量損失，提高絕熱性。可選地，所述熱反射層可為鍍銀層或者鍍金層。
[0037]長量子阱工藝對溫度均勻性要求為±1°C，溫度均勻性要求非?？量?，為保證反應(yīng)腔室內(nèi)溫度的均勻性，一般先將反應(yīng)腔室的溫度設(shè)置的略高于需求的工藝溫度，保溫一段時(shí)間，使腔室內(nèi)部溫度通過熱傳導(dǎo)、熱對流、熱輻射的作用，達(dá)到良好的溫度均勻性，再進(jìn)行工藝，從而提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，獲得更佳工藝效果。
[0038]需要指明的是，保溫的時(shí)間長度以使基片放置區(qū)域達(dá)到工藝要求的溫度均勻性為準(zhǔn)，具體實(shí)施中，可根據(jù)多次試驗(yàn)反饋，總結(jié)經(jīng)驗(yàn)值進(jìn)行設(shè)置。當(dāng)然，較好地是在基片放置區(qū)域的不同位置多設(shè)置幾個(gè)溫度測量點(diǎn)，根據(jù)溫度測量點(diǎn)的反饋值來判斷是否達(dá)到良好的溫度均勻性。
[0039]由于內(nèi)、外壁形成的反應(yīng)腔室保溫效果好，在工藝過程中或者工藝結(jié)束后，腔室內(nèi)部溫度下降速度非常慢，為解決這個(gè)問題，在工藝過程中或者工藝結(jié)束后需要降溫時(shí)，冷卻氣體系統(tǒng)向內(nèi)、外壁間的密封間隙通入冷卻氣體。
[0040]進(jìn)一步地，為提高反應(yīng)腔室的降溫速度，所述反應(yīng)腔室還包括:冷卻裝置，設(shè)置于內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙內(nèi)，冷卻裝置用于冷卻所述密封間隙內(nèi)的冷卻氣體?？蛇x地，所述的冷卻裝置可為水冷壁。水冷壁可由多根并聯(lián)管組成水冷包殼，敷設(shè)在內(nèi)壁四周，冷卻工質(zhì)在其中做上升運(yùn)動(dòng)，受熱蒸發(fā)，吸收密封間隙內(nèi)的輻射熱量。
[0041]為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)，下面通過具體的實(shí)施例對本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0042]如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔室，絕熱壁由內(nèi)外兩個(gè)石英管(7、8)嵌套而成的，所述內(nèi)壁為內(nèi)石英管8，所述外壁為外石英管7 ；內(nèi)石英管8和外石英管7上下兩端通過上法蘭2和下法蘭12固定于反應(yīng)腔室內(nèi)，內(nèi)、外石英管之間形成有密封間隙，密封間隙在上端連接有冷卻氣體系統(tǒng)4，下端連接有真空系統(tǒng)9。工藝過程中通過真空系統(tǒng)9的真空泵抽真空，保證外石英管7與內(nèi)石英管8間的密封間隙為真空區(qū)域，真空度在1mbar以下，兩層石英管形成一個(gè)絕熱壁，有效的阻擋了熱傳導(dǎo)、熱對流、熱輻射形式的散熱。為保證溫度均勻性，進(jìn)行工藝過程前，先將反應(yīng)腔室的溫度升高略大于工藝過程需求的溫度，保溫一段時(shí)間以使腔室內(nèi)部溫度通過熱傳導(dǎo)、熱對流、熱輻射的作用，達(dá)到良好的溫度均勻性，再進(jìn)行工藝。
[0043]工藝過程中或者工藝結(jié)束后，開啟與密封間隙相連的冷卻氣體系統(tǒng)4，冷卻氣體進(jìn)入密封間隙，一般為避免污染或腐蝕密封間隙兩側(cè)的石英管內(nèi)壁，冷卻氣體一般選用氮?dú)狻５捎陔p層石英管的作用，反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度下降速度仍然非常慢，為解決這個(gè)問題，在雙石英管內(nèi)部放置水冷壁17，在上法蘭2內(nèi)設(shè)計(jì)上法蘭水冷壁3，以及在下法蘭12內(nèi)設(shè)計(jì)下法蘭水冷壁10。
[0044]在工藝要求快速降溫階段，水冷壁17以及上下法蘭水冷壁提供冷卻循環(huán)水散熱，同時(shí)通過冷卻氣體系統(tǒng)4通入大量的氮?dú)?，然后氮?dú)馔ㄟ^真空系統(tǒng)9排出來，增大腔室與外界環(huán)境的散熱。同時(shí)，還可進(jìn)一步調(diào)節(jié)水冷壁17、上下法蘭水冷壁以及冷卻裝置中的冷卻水流量及流速，增強(qiáng)腔室與外界環(huán)境的換熱。
[0045]同時(shí)還可快速降低密封間隙中的冷卻氣體的溫度，并通過真空系統(tǒng)排出來，以增大腔室與外界環(huán)境的散熱。本實(shí)施例通過中央進(jìn)氣系統(tǒng)1，通入大量的氮?dú)?，通過上排氣系統(tǒng)16，下排氣系統(tǒng)13排走腔室內(nèi)部的氣體，輔助降溫，達(dá)到快速降溫階段，有效加大對流散熱的目的。
[0046]此外，冷卻壁外部還設(shè)置有法蘭支撐機(jī)構(gòu)6，反應(yīng)腔內(nèi)部還設(shè)置有石墨托盤14和放片槽15，以及旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)11 ;反應(yīng)腔外部還設(shè)置有電感線圈5，用于對加熱石墨托盤14，這些部件與本發(fā)明技術(shù)方案沒有直接關(guān)系，在此不再詳述。
[0047]需要注意的是，本發(fā)明實(shí)施例所述的技術(shù)特征，在不沖突的情況下，可任意相互組合使用。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔，保溫效果好，可提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，獲得更佳工藝效果；而且，可降低工藝過程中的熱量損失，最大程度地利用電能，從而降低生產(chǎn)成本。
[0049]本發(fā)明還提供一種設(shè)置有上述任一反應(yīng)腔室的設(shè)備，例如MOCVD設(shè)備，可提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，獲得更佳工藝效果；同時(shí)降低工藝過程中的熱量損失，最大程度地利用電能，從而降低生產(chǎn)成本。所述設(shè)備可以為:物理氣相沉積設(shè)備，或者化學(xué)氣相沉積設(shè)備，或者干法刻蝕設(shè)備，或者其它任何需要設(shè)置反應(yīng)腔室的產(chǎn)品或部件。
[0050]另一方面，基于上述任一反應(yīng)腔室，本發(fā)明實(shí)施例提供的所述反應(yīng)腔室的使用方法，如圖4所示，該方法為:在進(jìn)行工藝過程前的準(zhǔn)備工作中包括:
[0051]101、關(guān)閉與密封間隙相連的冷卻氣體系統(tǒng)，開啟與所述密封間隙相連的真空系統(tǒng)，對所述密封間隙抽真空；
[0052]102、設(shè)置所述反應(yīng)腔室的反應(yīng)溫度，保溫一段時(shí)間使所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通過熱傳遞達(dá)到溫度均勻。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔使用方法，使用前將反應(yīng)腔室的內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙抽成真空，然后設(shè)置反應(yīng)腔室的反應(yīng)溫度，保溫一段時(shí)間以使反應(yīng)腔室內(nèi)部通過熱傳遞達(dá)到溫度均勻，從而提高基片放置區(qū)域的溫度均勻性，獲得更佳工藝效果；而且，通過內(nèi)、外壁的保溫效果，可降低工藝過程中的熱量損失，最大程度地利用電能，從而降低生產(chǎn)成本。
[0054]進(jìn)一步地，在使用結(jié)束后或工藝過程中的其它需要快速降溫的階段，如圖5所示，所述使用方法還包括:
[0055]201、開啟冷卻裝置；
[0056]202、開啟與所述密封間隙相連的冷卻氣體系統(tǒng)，使冷卻氣體進(jìn)入所述密封間隙。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供的反應(yīng)腔使用方法，在使用結(jié)束后或工藝過程中的其它需要快速降溫的階段，開啟冷卻裝置，同時(shí)開啟與所述密封間隙相連的冷卻氣體系統(tǒng)，使冷卻氣體進(jìn)入密封間隙，從而達(dá)到快速降溫的目的。
[0058]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室內(nèi)，貼近腔壁設(shè)置絕熱壁，真空系統(tǒng)和冷卻氣體系統(tǒng)，其中: 所述絕熱壁的上下兩端分別通過上法蘭和下法蘭固定于反應(yīng)腔室內(nèi)，所述絕熱壁包括:內(nèi)壁和外壁，所述內(nèi)壁和外壁之間形成有一密封間隙；所述密封間隙分別與所述真空系統(tǒng)和所述冷卻氣體系統(tǒng)相連接； 所述真空系統(tǒng)，用于在工藝前對所述密封間隙抽真空； 所述冷卻氣體系統(tǒng)，用于在工藝結(jié)束后或工藝過程中需要快速降溫的階段，向所述密封間隙通入冷卻氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室，還包括: 冷卻裝置，設(shè)置于所述內(nèi)壁和外壁之間的密封間隙內(nèi)，所述冷卻裝置用于冷卻所述密封間隙內(nèi)的冷卻氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述冷卻裝置為水冷壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)壁的內(nèi)表面和/或所述外壁的內(nèi)表面覆有熱反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述熱反射層為鍍銀層或者鍍金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述絕熱壁由內(nèi)外兩個(gè)石英管嵌套而成，所述內(nèi)壁為內(nèi)石英管，所述外壁為外石英管。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于， 所述上法蘭內(nèi)設(shè)置有上法蘭水冷壁，所述下法蘭內(nèi)設(shè)置有下法蘭水冷壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述上法蘭水冷壁和下法蘭水冷壁分別與所述冷卻裝置連通； 通過增大所述上、下法蘭水冷壁與所述冷卻裝置中的冷卻水流量及流速，快速降低所述密封間隙中的冷卻氣體的溫度，并通過所述真空系統(tǒng)排出來，以增大腔室與外界環(huán)境的散熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述反應(yīng)腔室，還包括:中央進(jìn)氣系統(tǒng)、上排氣系統(tǒng)和下排氣系統(tǒng)，其中: 通過所述中央進(jìn)氣系統(tǒng)向所述反應(yīng)腔室通入大量的氮?dú)猓偻ㄟ^所述上排氣系統(tǒng)和所述下排氣系統(tǒng)排走腔室內(nèi)部的氣體，以實(shí)現(xiàn)輔助降溫。
10.一種MOCVD設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室。
【文檔編號(hào)】C30B25/08GK104233460SQ201310231995
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月9日
【發(fā)明者】袁福順 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司