經(jīng)設(shè)計以經(jīng)歷可編程轉(zhuǎn)變的瞬態(tài)器件的制作方法【專利摘要】本發(fā)明提供了瞬態(tài)器件，包括在施加至少一個內(nèi)部和/或外部刺激時電學(xué)地和/或物理地轉(zhuǎn)變的有源部件和無源部件。提供了瞬態(tài)電子器件的材料、建模工具、制造方法、器件設(shè)計以及系統(tǒng)級實施例?！緦＠f明】經(jīng)設(shè)計以經(jīng)歷可編程轉(zhuǎn)變的瞬態(tài)器件[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求享有2011年12月1日提交的美國臨時專利申請No.61/656,907以及2012年4月20日提交的美國臨時專利申請No.61/636,510的優(yōu)先權(quán)，所述各美國臨時專利申請以整體引用的方式納入本文。[0003]關(guān)于聯(lián)邦政府贊助研究或開發(fā)的聲明[0004]本發(fā)明至少部分地利用了DARPA資助No.W911NF-11-1-0254給予的美國政府支持。美國政府對本發(fā)明具有一定權(quán)利?！?br>背景技術(shù)：
】[0005]本發(fā)明涉及瞬態(tài)器件（transientdevice)領(lǐng)域，且總體涉及被設(shè)計以可編程地轉(zhuǎn)變的無源器件和有源器件。[0006]瞬態(tài)器件具有用于一系列重要應(yīng)用的可能性。例如，生態(tài)可降解的環(huán)境傳感器避免了對器件收集的需要，降解且從身體清除的生物可再吸收的醫(yī)療器件避免了中毒和發(fā)炎。戰(zhàn)略上，在預(yù)選的時間之后降解或在施加觸發(fā)刺激時降解的軍用器件避免了向敵人傳遞知識或材料。所有這些設(shè)想的應(yīng)用是重要的，但是瞬態(tài)器件的實施依賴設(shè)計策略。針對瞬態(tài)器件的設(shè)計策略必須（i)支持使用可降解的器件部件材料和可降解的襯底的設(shè)備制造，(ii)提供對器件使用壽命的精確控制，以及（iii)利用可與目標(biāo)環(huán)境內(nèi)給定應(yīng)用兼容的且針對目標(biāo)環(huán)境中給定應(yīng)用充分執(zhí)行的材料。[0007]最近，許多專利和出版物公開了具有瞬態(tài)特性的器件。例如，Kim等人的"Siliconelectronicsonsilkasapathtobioresorbableimplantabledevices"，Appl.Phys.Lett.95,133701(2009);美國專利申請公開2011/0230747;以及國際專利申請公開W02008/085904公開了可包含生物可降解半導(dǎo)體材料和生物可降解襯底的生物可降解電子器件；Bettinger等人的"Organicthinfilmtransistorsfabricatedonresorbablebiomaterialsubstrates"，Adv.Mater·，22(5)，651_655(2010);Bettinger等人的"Biomaterial-basedorganicelectronicdevices"，Poly.Int.59(5)，563-576(2010)；以及Irimai-Vladu的"EnvironmentalIysustainableorganicfieldeffecttransistors"，0rganicElectronics，11，1974-1990(2010)公開了可包含生物可降解有機(jī)傳導(dǎo)材料和生物可降解襯底的生物可降解電子器件。國際專利申請公開W02008/108838公開了用于向組織遞送流體和/或生物材料的生物可降解的器件。美國專利申請公開2008/0306359公開了用于診斷和治療應(yīng)用的可吸收器件。Kozicki等人的"ProgrammablemetallizationcellmemorybasedonAg-Ge-SandCu-Ge-Ssolidelectrolytes"，NonvolatileMemoryTechnologySymposium，83-89(2005)公開了存儲器器件，其中電解液中的金屬離子可以被減少或被氧化以形成或移除固體金屬互連線?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0008]本發(fā)明提供了瞬態(tài)器件，包含當(dāng)施加至少一個內(nèi)部刺激和/或外部刺激應(yīng)用時物理地、化學(xué)地和/或電學(xué)地轉(zhuǎn)變的有源器件和無源器件。納入可降解的器件部件、可降解的襯底和/或可降解的包封材料（各自具有可編程的、可控制的和/或可選擇的降解率）提供了一種轉(zhuǎn)變該器件的手段。例如，在一些實施方案中，本發(fā)明的瞬態(tài)器件將可降解的高性能單晶無機(jī)材料與可降解的襯底結(jié)合。納入可降解的單晶無機(jī)材料提供了最先進(jìn)的電子和機(jī)械特性（例如，抗彎剛度、楊氏模量、曲率半徑等）以及器件屬性（例如，柔性、拉伸性等）。[0009]現(xiàn)代硅的顯著特征是其功能上和物理上保持不變的能力，幾乎無限地用于許多實際的用途。在此，引入提供相反行為的硅基技術(shù)：它隨時間以良好受控的經(jīng)編程方式逐漸消失。'瞬態(tài)'器件在該意義上形成了不能夠用常規(guī)電子器件解決的應(yīng)用可能性。本器件可用在諸多應(yīng)用（例如有源植入物）上，其在醫(yī)學(xué)上有用的時間段內(nèi)存在，但之后通過身體再吸收而完全地溶解和消失。報道了一組用于該類型的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS)電子器件的材料、制造方案、器件部件和理論設(shè)計工具，以及可尋址的陣列中的不同類別的傳感器和致動器，用于電源和無線控制策略的選項。作為可編程的、非抗生素殺菌劑能夠以可植入模式遞送熱治療的瞬態(tài)硅器件以及其在體外和體內(nèi)的示范例示了這項技術(shù)的系統(tǒng)級實例。[0010]在幾乎任何新類型的電子設(shè)備開發(fā)中，首要目標(biāo)是以隨時間經(jīng)歷可忽略變化的物理形式實現(xiàn)高性能運行。有源和無源材料、器件和電路布局和封裝策略被分別單獨仔細(xì)規(guī)劃，然后集合地配置從而得到這個結(jié)果。在此介紹的瞬態(tài)電子器件技術(shù)涉及與工程設(shè)計類似的關(guān)注，但是是在規(guī)定的時間和以明確限定的速率全部地或部分地物理消失或轉(zhuǎn)變的系統(tǒng)的背景下。使用場景范圍從與活的宿主（人類/動物/昆蟲/植物；身上或體內(nèi)）結(jié)合到室內(nèi)/戶外環(huán)境，如建筑物、道路或材料?？捎玫钠骷▽⑵渲踩肴梭w時可完全再吸收("生物可再吸收的"）以避免不利長期影響的醫(yī)療監(jiān)視器，或?qū)⑵浔┞队谒畷r溶解（"生態(tài)可再吸收的"）以除去對收集和回收需要的環(huán)境監(jiān)視器。其他概念涉及將策略區(qū)域與定時的瞬態(tài)聯(lián)合的電路，以影響受控的功能轉(zhuǎn)變。[0011]本說明書呈現(xiàn)了一組材料、建模工具、制造方法、器件設(shè)計以及瞬態(tài)電子器件的系統(tǒng)級實例。因為該技術(shù)是基于硅的，因此本技術(shù)能利用器件設(shè)計和電路設(shè)計的許多現(xiàn)代的、已確定的方面，具有的運行特性能匹配以常規(guī)方式在晶片襯底上形成的非瞬態(tài)相配物的那些運行特性。與最近報道的有機(jī)電子器件形式（其中某些組成材料是水溶性的1_3)或在生物可再吸收的襯底上4形成的簡單非瞬態(tài)晶體管可提供的那些能力相比，本結(jié)果與傳感器、致動器、電源以及無線控制中的基礎(chǔ)技術(shù)結(jié)合在一起提供了獲取定性的更復(fù)雜功能的能力。[0012]此處提供的是瞬態(tài)器件及制造和使用瞬態(tài)器件的方法。例如，本發(fā)明的器件用于先體外后體內(nèi)（exvivo)、體外或體內(nèi)感測與環(huán)境相關(guān)聯(lián)的參數(shù)，如化學(xué)成分（例如，pH、離子強(qiáng)度、生物標(biāo)記的存在或濃度、蛋白質(zhì)、碳水化合物等）、電化學(xué)參數(shù)（例如，電流或電壓）、溫度和/或光學(xué)參數(shù)（例如，吸收、散射等）。[0013]在一方面，無源瞬態(tài)電子器件包括：襯底；由該襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布（transienceprofile)，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變提供了該無源瞬態(tài)電子器件響應(yīng)該外部刺激或該內(nèi)部刺激并在預(yù)選的時間或以預(yù)選的速率的可編程的轉(zhuǎn)變，其中該可編程的轉(zhuǎn)變提供了該無源瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。[0014]在一方面，主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件包括：襯底；由該襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；以及致動器，其響應(yīng)用戶啟動的外部觸發(fā)信號且可操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中當(dāng)該器件接收該外部觸發(fā)信號時，該致動器響應(yīng)該內(nèi)部刺激或該外部刺激，直接地或間接地啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變，從而提供該主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件響應(yīng)該外部觸發(fā)信號的可編程的轉(zhuǎn)變，其中該可編程的轉(zhuǎn)變提供了該主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。在一些實施方案中，該致動器被可操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，可選地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，使得它直接作用在所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件上，以啟動該至少部分轉(zhuǎn)變，例如以直接地引起所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的選擇性移除的方式。在一些實施方案中，該致動器被可操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，可選地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，使得它作用在位于該致動器與所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件之間的一個或多個中間結(jié)構(gòu)上，從而啟動該至少部分轉(zhuǎn)變，例如，通過選擇性移除所述一個或更多個中間結(jié)構(gòu)而使得所述無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件暴露于該內(nèi)部刺激或外部刺激。[0015]在一個實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷完全轉(zhuǎn)變或大體上完全轉(zhuǎn)變，從而提供該無源或有源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變。可以由該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的完全移除、完全相變或完全化學(xué)變化來表征完全轉(zhuǎn)變。"完全轉(zhuǎn)變"發(fā)生在100%的材料經(jīng)歷轉(zhuǎn)變時。"大體上完全轉(zhuǎn)變"發(fā)生在95%或大于95%(例如97%、98%、99%、99.5%或99.9%)的材料經(jīng)歷轉(zhuǎn)變時，如移除、化學(xué)轉(zhuǎn)換、相變等等。例如，在一個實施方案中，經(jīng)歷大體上完全轉(zhuǎn)變的材料還經(jīng)歷物理特性的變化，如大于或等于95%的電導(dǎo)率或電阻，例如，通過經(jīng)歷大于或等于95%的電導(dǎo)率減小或電阻增大。[0016]在一個實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷不完全轉(zhuǎn)變。可由該無機(jī)半導(dǎo)體部件的質(zhì)量的至少20%、30%、50%或70%的部分移除、相變或化學(xué)變化或該金屬導(dǎo)體部件的質(zhì)量的至少20%、30%、50%或70%的部分移除、相變或化學(xué)變化來表征該不完全轉(zhuǎn)變，從而提供該無源瞬態(tài)電子器件或有源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變?？捎稍撘粋€或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件中的各個的重量、體積或面積的至少20%、30^^50%或70%的局部移除、相變或化學(xué)變化或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件中的各個的重量、體積或面積的至少20%、30%、50%或70%的局部移除、相變或化學(xué)變化來表征該不完全的轉(zhuǎn)變，從而提供該無源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變。例如，在一個實施方案中，經(jīng)歷不完全轉(zhuǎn)變的材料還經(jīng)歷物理特性的變化，如大于或等于20%(或?qū)τ谀承?yīng)用30%或?qū)τ谀承?yīng)用50%或?qū)τ谀承?yīng)用70%)的電導(dǎo)率或電阻，例如，通過經(jīng)歷大于或等于20%(或?qū)τ谀承?yīng)用30%或?qū)τ谀承?yīng)用50%或?qū)τ谀承?yīng)用70%)的電導(dǎo)率減小或電阻增加。[0017]在一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過一個過程發(fā)生而不是生物再吸收。例如，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變可以通過相變發(fā)生，其中該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分經(jīng)歷至少部分升華或融化，從而提供了該無源瞬態(tài)電子器件的可編程轉(zhuǎn)變。[0018]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件在溶劑中的至少部分溶解發(fā)生。該溶劑可以是水溶劑或非水溶劑。"水溶劑"是在298K下主要包括水的液體，即大于50%v/v水，然而"非水溶劑"是在298K下主要包括除水之外的一種液體或多種液體的液體，即少于50%v/v水。示例性水溶劑包含水、水基溶液、體液等。示例性非水溶劑包含有機(jī)溶劑（例如，醇類、酯類、醚類、烷類、酮類）和離子液體。[0019]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分水解發(fā)生。[0020]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分蝕刻或腐蝕發(fā)生。[0021]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過光化學(xué)反應(yīng)發(fā)生，在該光化學(xué)反應(yīng)中該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分吸收電磁輻射并經(jīng)歷至少部分化學(xué)變化或物理變化。在一個實施方案中，該光化學(xué)反應(yīng)是光解過程。[0022]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過電化學(xué)反應(yīng)發(fā)生。例如，該電化學(xué)反應(yīng)可以是該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分陽極溶解。[0023]在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過如下的化學(xué)變化或物理變化發(fā)生，其中該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分經(jīng)歷大于或等于50%的電導(dǎo)率減小，可選地對于一些實施方案大于或等于75%，且可選地對于一些實施方案大于或等于95%。在另一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變通過如下的化學(xué)變化或物理變化發(fā)生，其中該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分是至少部分地被轉(zhuǎn)化成絕緣體，且可選地全部地被轉(zhuǎn)化成絕緣體，從而提供該無源瞬態(tài)電子器件的可編程轉(zhuǎn)變。[0024]在一方面，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件是選擇性可移除的且經(jīng)歷特征為移除、損耗的過程或其他材料轉(zhuǎn)移過程（例如，剝落（flaking)、分層（delamination)、重新安置、重新定位等）。例如，在一些實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷特征為對于該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的一個或多個區(qū)域（例如暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激的區(qū)域）大體上一致的移除的過程，例如其中該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的厚度隨時間大體上一致地（例如，在10%以內(nèi)）減小的一個過程。例如，在一些實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷特征為對于該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的一個或多個區(qū)域（例如暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激的區(qū)域）大體上不一致的移除的過程，例如其中該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件隨時間在納米尺寸或微米尺寸的特征（如晶界、缺陷位置、階邊、相界等）優(yōu)先地（如更快速地）被移除的一個過程。例如，在一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷一個過程，該過程的特征在于移除是大體上不一致的，以便生成多孔材料，從而影響該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的電子特性（例如，電導(dǎo)率、電阻等）。例如，在一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷一個過程，該過程的特征在于移除是大體上不一致的，以導(dǎo)致剝落，例如，其中在材料中形成的裂紋、缺陷和/或細(xì)孔引起材料的部分（例如碎片）損失，從而影響該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的電子特性（例如電導(dǎo)率、電阻等）。在一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷一個過程，該過程的特征在于至少部分地且可選地完全地從下面的襯底或器件部件分層和/或分離，從而影響該無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的電子特性（例如電導(dǎo)率、電阻等）。[0025]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件具有預(yù)選的瞬變分布，該預(yù)選的瞬變分布的特征在于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的轉(zhuǎn)變發(fā)生在選自如下范圍的時間間隔內(nèi)：Ims至2年、或Ims至1年、或Ims至6個月、或Ims至1個月、或Ims至1天、或Ims至1小時、或1秒至10分鐘，從而提供該無源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變。在一個實施方案中，預(yù)選的瞬變分布的特征在于在選自Ims至2年、或Ims至1年、或Ims至6個月、或Ims至1個月、或Ims至1天、或Ims至1小時、或1秒至10分鐘范圍的時間間隔內(nèi)該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的〇.01%至100%，或0.1%至70%，或0.5%至50%，或1%至20%或1%至10%的轉(zhuǎn)變，從而提供該無源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變。在一個實施方案中，預(yù)選的瞬變分布的特征在于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的平均厚度以在〇.01納米/天至10微米/秒、或0.1納米/天至1微米/秒、或1納米/天至0.5微米/秒的范圍內(nèi)選擇的速率減小。在一個實施方案中，預(yù)選的瞬變分布的特征在于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的質(zhì)量以在〇.01納米/天至10微米/秒、或〇.1納米/天至1微米/秒、或1納米/天至0.5微米/秒的范圍內(nèi)選擇的速率減小。在一個實施方案中，預(yù)選的瞬變分布的特征在于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的電導(dǎo)率以在IOiciS·m1S1至IS·m1S\或IO8S·m1S1至IOS·m1S\或IO5S·m1S1至100S·m1S1的范圍內(nèi)選擇的速率減小。[0026]在一個實施方案中，器件監(jiān)測該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變。例如，該器件可以監(jiān)測提供該無源瞬態(tài)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變的該一個或多個物價半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變的速率。本發(fā)明的器件中的自監(jiān)測可以提供增強(qiáng)的功能，例如，提供信令的基礎(chǔ)，以控制整體器件功能或向用戶提供信令，提供轉(zhuǎn)變程度的測量值、針對可編程轉(zhuǎn)變的時間表或器件性能或功能隨時間的特性描述。[0027]用戶啟動的外部觸發(fā)信號可以直接地或間接地觸發(fā)電子器件的可編程的轉(zhuǎn)變。例如，該用戶啟動的外部觸發(fā)信號可以是電子信號、光學(xué)信號、熱信號、磁信號、聲信號、機(jī)械信號、化學(xué)信號或電化學(xué)信號。在一些實施方案中，該用戶啟動的外部觸發(fā)信號是用戶啟動的施加提供給器件的電場、用戶啟動的施加提供給器件的電磁輻射、用戶啟動的提供給器件的機(jī)械影響、用戶啟動的提供給器件的熱量流、用戶啟動的來自器件的熱流或用戶啟動的施加提供給器件的RF電場。本發(fā)明包括配置以接收用戶啟動的觸發(fā)信號的器件，例如，具有接收器的器件和/或具有與向器件提供用戶啟動的觸發(fā)信號的發(fā)射器通信的微處理器部件的器件。[0028]可以直接由用戶或間接通過存儲在計算機(jī)可讀取媒介上的且由微處理器執(zhí)行的軟件向器件提供用戶啟動的外部觸發(fā)信號。例如，該軟件可以響應(yīng)用戶輸入數(shù)據(jù)、從該器件的部件取得的數(shù)據(jù)、和/或與該器件持續(xù)通信的反饋環(huán)路。例如，該瞬態(tài)器件可以與發(fā)射器單向通信或雙向通信，其中該發(fā)射器向可操作地連接到致動器的器件的接收器提供該用戶啟動的外部觸發(fā)信號。圖131示出了與向可操作地連接到致動器1410的器件的接收器1408提供用戶啟動的外部觸發(fā)信號1414的發(fā)射器1412通信的瞬態(tài)器件1400的示意圖。瞬態(tài)器件1400還包含襯底1402、一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件1404和一個或多個金屬導(dǎo)體部件1406。[0029]在一些實施方案中，瞬態(tài)器件包括用于接收用戶啟動的外部觸發(fā)信號的接收器，該接收器可操作地連接到該致動器，以便當(dāng)接收到該用戶啟動的外部觸發(fā)信號時，啟動該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變。例如，該接收器可以包含用于接收該用戶啟動的外部觸發(fā)信號的天線、電極、壓電元件、光活性材料或熱活性材料。[0030]在一些實施方案中，致動器包括處理器，用于接收來自接收器的用于啟動該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變的信號。[0031]在一些實施方案中，致動器直接作用在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、該一個或多個金屬導(dǎo)體部件或該襯底上，以引起至少部分轉(zhuǎn)變?；蛘撸谝恍嵤┓桨钢?，該致動器間接地作用在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上，以引起至少部分轉(zhuǎn)變。[0032]在一個實施方案中，致動器包括微處理器。例如，微處理器可以接收用戶啟動的外部觸發(fā)信號，并且存儲在該微處理器中的計算機(jī)可讀取媒介上的軟件可以分析該用戶啟動的外部觸發(fā)信號，以確定應(yīng)該提供給該器件的部件的能量源，諸如，電磁輻射、聲能、熱能等。在一些實施方案中，該軟件隨后向該微處理器提供指令，以執(zhí)行向器件部件提供能量必須的功能，從而啟動該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變。[0033]在一些實施方案中，該致動器至少部分地移除設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的一個或多個中間結(jié)構(gòu)，以將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分暴露于外部刺激或內(nèi)部刺激，從而引起該至少部分轉(zhuǎn)變。該一個或多個中間結(jié)構(gòu)例如可以包括設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件上或在該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料，其中該致動器引起該包封材料的至少一部分被移除，以將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件暴露于外部刺激或內(nèi)部刺激。包封材料例如可以是局限于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的表面或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的表面的包封層、在該器件的頂部表面上的包封覆蓋層或包圍該整個器件的包封封裝物。[0034]在一些實施方案中，瞬態(tài)器件包括至少局部地包封該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的覆蓋層，其中該覆蓋層可以包括一個或多個含有化學(xué)試劑或生物試劑的貯存器。在一個實施方案中，致動器包括具有該一個或多個貯存器的覆蓋層。在一個實施方案中，該覆蓋層是聚合物層或SiN層。在一個實施方案中，該一個或多個貯存器嵌入在該覆蓋層中。例如，該覆蓋層的一個或多個貯存器可以響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激而破裂，從而導(dǎo)致釋放該化學(xué)試劑或生物試劑。在一些實施方案中，該覆蓋層的一個或多個貯存器獨立地具有在IOOnm至10,000μm、或500nm至5,000μm、或1μm至1，000μm的范圍內(nèi)選擇的物理尺度。具有這些尺度的貯存器可以例如通過光刻法或軟光刻法（例如，微轉(zhuǎn)印印刷）來制造。[0035]在一些實施方案中，該覆蓋層的一個或多個IC存器響應(yīng)機(jī)械沖擊、壓力改變、暴露于電磁輻射、暴露于熱或暴露于聲能而破裂，從而引起釋放該化學(xué)試劑或生物試劑。例如，釋放可以引起該化學(xué)試劑或生物試劑的分散，造成與一個或多個器件部件（如無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件、電介質(zhì)部件、包封層、襯底等）的物理接觸，從而引起與該化學(xué)試劑或生物試劑接觸的器件部件的選擇性轉(zhuǎn)變和/或選擇性移除。示例性化學(xué)試劑或生物試劑包括水、非水溶劑、水溶液、含生物聚合物的溶液、酸、堿、酶解液（enzymaticsolution)、PBS溶液或含催化劑的溶液。[0036]在一些實施方案中，該覆蓋層包含絲材料，且該化學(xué)試劑或生物試劑包含含蛋白酶的材料，如含蛋白酶的溶液。在一些實施方案中，蛋白酶可以與小分子抑制劑（如EDTA)或抗體復(fù)合，以完全抑制活性直到該試劑分散。[0037]在一些實施方案中，該致動器響應(yīng)用戶啟動的外部觸發(fā)信號產(chǎn)生電磁輻射、聲能、電場、磁場、熱、RF信號、電壓、化學(xué)變化或生物變化，從而啟動該至少部分轉(zhuǎn)變。該致動器可以例如包括加熱器、含有能夠引起化學(xué)變化或生物變化的化學(xué)試劑的貯存器、電磁輻射源、電場源、RF能量源或聲能量源。示例性加熱器包含無源加熱器、電阻加熱器和有源加熱器。[0038]在一些實施方案中，致動器包括至少部分地包封該無機(jī)半導(dǎo)體部件或該金屬導(dǎo)體部件中的一個或多個的包封材料，其中該包封材料包括選擇性可移除的材料，該選擇性可移除的材料在器件接收到外部觸發(fā)信號時至少部分地被移除，以將下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件暴露于內(nèi)部或外部刺激，從而啟動該至少部分轉(zhuǎn)變。例如，該包封材料可以響應(yīng)用戶啟動的外部觸發(fā)信號而被該致動器提供的化學(xué)試劑至少部分地溶解、水解或解聚，以暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。例如，在一些實施方案中，選擇性可移除的包封材料被提供作為位于包括選擇性可轉(zhuǎn)變材料的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的覆蓋層，使得該包封材料覆蓋層的至少部分移除將下面的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或一個或多個金屬導(dǎo)體部件暴露于內(nèi)部或外部刺激，如環(huán)境刺激（例如溶劑、化學(xué)環(huán)境、生物環(huán)境、環(huán)境壓力、環(huán)境溫度、環(huán)境電磁輻射等），引起該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變。在一些實施方案中，包封材料覆蓋層的移除作為暴露于環(huán)境刺激（例如，溶劑、化學(xué)環(huán)境、生物環(huán)境、環(huán)境壓力、環(huán)境溫度、環(huán)境電磁輻射等）的結(jié)果而發(fā)生。在一些實施方案中，包封材料覆蓋層的移除作為器件的致動器作用在該包封材料覆蓋層（overlayer)上的結(jié)果而發(fā)生，例如，通過釋放能夠引起該包封材料的至少部分移除的化學(xué)試劑或生物試劑。在一些實施方案中，包封材料覆蓋層的移除作為器件的致動器作用在該包封材料的覆蓋層上的結(jié)果而發(fā)生，例如，通過提供導(dǎo)致該包封材料的至少部分移除的能量（例如電磁輻射、聲能、熱能、機(jī)械能等）。[0039]在另一個實施例中，該包封材料可以是光敏材料，該光敏材料響應(yīng)由致動器生成的電磁輻射而經(jīng)歷光化學(xué)反應(yīng)，從而暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。例如，該致動器可以是電磁輻射源，其中該致動器被設(shè)置為與該包封材料光通信。[0040]在又另一個實施例中，該包封材料是熱敏材料，該熱敏材料響應(yīng)由致動器生成的熱量而經(jīng)歷相變或化學(xué)變化，以暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。例如，該致動器可以被設(shè)置為在與封裝材料的熱接觸中提供熱量的加熱器，例如響應(yīng)電磁輻射吸收的電阻加熱器或無源加熱器。本發(fā)明包括包含加熱器的器件，該加熱器嵌入在包含包封材料的覆蓋層中，其中該加熱器被配置例如響應(yīng)用戶啟動的觸發(fā)信號來提供熱能，這導(dǎo)致該包封材料至少部分的移除，從而暴露下面的包含選擇性可轉(zhuǎn)變材料的無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件。[0041]在一些實施方案中，該致動器包含反電極和電解質(zhì)，其中電解質(zhì)被設(shè)置成與該電極和該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件接觸，其中用戶啟動的外部觸發(fā)信號是向該反電極提供的電壓或RF能量，從而引起該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的溶解。在一個實施方案中，例如，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件包括電化學(xué)電池的電極，且該電極與電解質(zhì)接觸。[0042]在一些實施方案中，當(dāng)該器件接收到用戶啟動的外部觸發(fā)信號時，該致動器執(zhí)行選自如下一組的操作：打開或關(guān)閉電子電路、生成熱量、抵制電流動、產(chǎn)生電磁輻射、產(chǎn)生聲能以及分散化學(xué)試劑或生物試劑。[0043]當(dāng)該致動器抵制電流動時，該器件的至少一部分的溫度可以上升至少10°C，從而啟動設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料的熱降解，從而將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬部件的至少一部分暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激。[0044]當(dāng)該致動器產(chǎn)生電磁輻射時，它啟動設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料的光化學(xué)降解，從而將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬部件的至少一部分暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激。[0045]當(dāng)該致動器分散化學(xué)試劑時，該化學(xué)試劑例如可以選自水、鹽水、酸、堿以及酶組成的組；其中該致動器將該化學(xué)試劑遞送到設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料，從而啟動設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料的化學(xué)降解或酶促降解，從而將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬部件的至少一部分暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激。如在此使用的，化學(xué)試劑通常廣泛地指能夠啟動材料的化學(xué)變化或物理變化（例如，能夠引起器件的半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件、電介質(zhì)部件、襯底和/或包封材料的至少部分轉(zhuǎn)變）的化學(xué)化合物或化合物的混合物（例如溶液）。[0046]當(dāng)該致動器分散生物試劑時，該生物試劑例如可以選自如下一組：蛋白質(zhì)、改性蛋白質(zhì)（modifiedprotein)、肽、改性肽（modifiedpeptide)、寡核苷酸和核苷酸；其中該致動器將該生物試劑遞送到設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料，從而啟動設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料的化學(xué)降解或酶促降解，從而將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬部件的至少一部分暴露于內(nèi)部刺激或外部刺激。如在此使用的，生物試劑通常廣泛地指能夠啟動材料的化學(xué)變化或物理變化（例如，能夠引起器件的半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件、電介質(zhì)部件、襯底和/或包封材料的至少部分轉(zhuǎn)變）的生物分子或生物分子的混合物。[0047]在一個實施方案中，該可編程的轉(zhuǎn)變提供了瞬態(tài)電子器件的功能從可操作性的第一狀況到不可操作性的第二狀況的變化。在一個替代的實施方案中，該可編程的轉(zhuǎn)變提供了瞬態(tài)電子器件的功能從對應(yīng)于第一功能性的第一狀況到對應(yīng)于不同于第一功能性的第二功能性的第二狀況的變化。該功能性例如可以是電子功能性。在任一個實施方案中，該可編程的轉(zhuǎn)變可以提供從其特征為兩個或更多個無機(jī)半導(dǎo)體器件部件或金屬導(dǎo)體部件彼此電接觸的第一狀況到其特征為該兩個或更多個無機(jī)半導(dǎo)體器件部件或金屬導(dǎo)體部件彼此不電接觸的第二狀況的變化。在一些實施方案中，可編程的轉(zhuǎn)變物理地和/或電子地分離或隔離該瞬態(tài)器件的部件，從而導(dǎo)致該瞬態(tài)器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。[0048]也可以以便于瞬態(tài)器件以及其部件的移除、降解和/或清除的方式實施本發(fā)明中的可降解的或可轉(zhuǎn)變的材料的納入。在一個實施方案中，本發(fā)明的器件的組成、幾何結(jié)構(gòu)和/或物理尺度使得當(dāng)該襯底至少部分降解或轉(zhuǎn)變時，該器件就破碎成由對象或環(huán)境有效處理和清除的碎片。例如，在一個實施方案中，器件被配置成使得當(dāng)襯底至少部分降解或轉(zhuǎn)變時，該器件破碎成橫向尺度和厚度尺度小于100微米、可選地小于10微米且可選地小于1微米的碎片，以便于對象或環(huán)境處理和清除該器件。[0049]可編程轉(zhuǎn)變可以是預(yù)置的可編程轉(zhuǎn)變或?qū)崟r觸發(fā)可編程轉(zhuǎn)變。例如，預(yù)置轉(zhuǎn)變可以發(fā)生在被編程到器件定時器中的經(jīng)歷時間或當(dāng)前的時間。在該特定的時間，可以生成開始轉(zhuǎn)變過程的用戶啟動的外部觸發(fā)信號。例如通過由外部源施加的能量或由外部源發(fā)射且由該器件接收的信號，可以觸發(fā)實時轉(zhuǎn)變。當(dāng)接收到來自該外部源的信號時，致動器可以啟動轉(zhuǎn)變過程。[0050]在一個實施方案中，可編程的轉(zhuǎn)變可以包含至少一個無機(jī)器件部件、至少一個金屬導(dǎo)體部件或二者的完全溶解、降解、移除或轉(zhuǎn)變。例如，通過選自如下一組的過程，發(fā)生一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的可編程的轉(zhuǎn)變，所述一組包括再吸收、生物再吸收、（化學(xué)或酶促）水解、崩解（deintegration)、解聚、溶解、升華、融化、蝕刻、光解、腐蝕和陽極溶解。在一個實施方案中，可編程的轉(zhuǎn)變電子地隔離瞬態(tài)電子器件的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體器件部件或金屬導(dǎo)體部件，從而導(dǎo)致該瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。例如，該瞬態(tài)電子器件的功能可以從：（i)NOR門轉(zhuǎn)變到NAND門；（ii)反相器轉(zhuǎn)變到隔離晶體管；（iii)電阻器轉(zhuǎn)變到二極管；（iv)NAND門轉(zhuǎn)變到反相器；(V)NOR門轉(zhuǎn)變到隔離晶體管；或（vi)NAND門轉(zhuǎn)變到隔離晶體管。[0051]瞬態(tài)電子器件可以是無源電子器件或有源電子器件。例如，無源瞬態(tài)電子器件可以是通信系統(tǒng)、光子器件、傳感器、光電器件、生物醫(yī)療器件、溫度傳感器、光檢測器、光伏器件、應(yīng)變儀、成像系統(tǒng)、無線發(fā)射器、天線、納機(jī)電系統(tǒng)或微機(jī)電系統(tǒng)。在一個具體實施方案中，無源瞬態(tài)電子器件是用于檢測溫度、應(yīng)力、壓力、電勢、水合狀態(tài)、入射電磁輻射或化學(xué)成分的傳感器。在一個具體實施方案中，無源瞬態(tài)電子器件是與水接觸時可完全溶解的通信系統(tǒng)。在一個具體實施方案中，無源瞬態(tài)電子器件是無線電裝置（radio)或天線。在一個具體實施方案中，無源瞬態(tài)電子器件是安裝在組織上的生物醫(yī)療器件。示例性瞬態(tài)電子器件包括但不限于晶體管、二極管、CMOS器件、MOSFET器件、光電二極管、發(fā)光二極管、互補邏輯電路、光傳感器、溫度傳感器、化學(xué)傳感器、機(jī)械傳感器、電傳感器、磁傳感器、電池、燃料電池、無線電裝置，以及熱電的或壓電的能量采集器。[0052]在一個實施方案中，無源或有源瞬態(tài)電子器件具有小于或等于1000微米，或可選地100微米，或可選地10微米的平均厚度。[0053]有用的無機(jī)半導(dǎo)體部件包括但不限于柔性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、可拉伸的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和/或能夠經(jīng)受形狀變化的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以便符合環(huán)境的表面。在一些實施方案中，瞬態(tài)電子器件可以包括多個無機(jī)半導(dǎo)體部件。在一個實施方案中，該無機(jī)半導(dǎo)體部件包括半導(dǎo)體器件，例如晶體管、晶體管溝道、二極管、p-n結(jié)、光電二極管、發(fā)光二極管、激光器、電極、集成電子器件、集成電路、天線、電感器、電阻器、基于半導(dǎo)體的傳感器、MESFETs、MOSFETs或這些的組合和/或陣列。[0054]在一些實施方案中，所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含納米結(jié)構(gòu)材料或微米結(jié)構(gòu)材料。例如，在一個實施方案中，所述無機(jī)半導(dǎo)體部件包含微米結(jié)構(gòu)材料或納米結(jié)構(gòu)材料，例如微米帶狀物或納米帶、微米膜或納米膜、微米線或納米線、或微米多孔材料或納米多孔材料。如在此使用的，術(shù)語"微米結(jié)構(gòu)"指至少一個物理尺度選自1微米至1000微米的范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)，且術(shù)語"納米結(jié)構(gòu)"指至少一個物理尺度選自10納米至1000納米的范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)。在一個實施方案中，本發(fā)明包含具有多個細(xì)孔的微米孔材料的納米結(jié)構(gòu)無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬部件或電介質(zhì)部件（具有選自Iym至1000μm的范圍的橫截面尺度），可選地設(shè)置在有序網(wǎng)絡(luò)（orderednetwork)中。在一個實施方案中，本發(fā)明包含具有多個細(xì)孔的納米孔材料的納米結(jié)構(gòu)無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬部件或電介質(zhì)部件（具有選自Inm至IOOOnm的范圍的橫截面尺度），可選地設(shè)置在有序網(wǎng)絡(luò)中。[0055]器件的以及其部件的物理尺度和形狀是重要的參數(shù)，特別是對于期望的瞬變分布的預(yù)選。薄的無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件（例如，厚度小于或等于100微米，可選地厚度小于或等于10微米，可選地厚度小于或等于1微米，可選地厚度小于或等于500納米，以及可選地厚度小于或等于100納米）的使用有益于為給定的器件應(yīng)用提供預(yù)選瞬變和/或提供有用的機(jī)械特性（諸如，柔性的或其他可變形的器件）。在一些實施方案中，無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地包含一個或多個薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)可以例如通過分子外延、原子層沉積、物理或化學(xué)氣相沉積或本領(lǐng)域中已知的其他方法沉積或生長。在一些實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地包含生物可兼容的、生物可再吸收的、生物惰性的或生態(tài)可兼容的材料。在一些實施方案中，電子器件中的至少一些且可選地全部無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件具有小于或等于100微米的厚度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于10微米的厚度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于1微米的厚度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于500納米的厚度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于100納米的厚度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于20納米的厚度。在一些實施方案中，該器件的至少一些且可選地全部無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地具有選自IOnm至100μm范圍的厚度，可選地對于某些應(yīng)用具有選自50nm至10μm范圍的厚度，且可選地對于某些應(yīng)用具有選自從IOOnm至IOOOnm范圍的厚度。例如，在一個實施方案中，本發(fā)明的器件包含一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件，每個獨立地具有在IOnm至IOOOnm的范圍內(nèi)選擇的厚度，可選地對于某些應(yīng)用具有在IOnm至IOOnm的范圍內(nèi)選擇的厚度且可選地對于某些應(yīng)用具有在IOnm至30nm的范圍內(nèi)選擇的厚度。在一些實施方案中，該器件的至少一些且可選地全部無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地具有小于或等于10000μm的橫向物理尺度（如長度、寬度、直徑等），且對于某些應(yīng)用具有小于或等于1000μm的橫向物理尺度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于100μm的橫向物理尺度，且對于某些應(yīng)用具有小于或等于1μm的橫向物理尺度。在一些實施方案中，該器件的至少一些且可選地全部無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地具有選自IOnm至IOcm范圍的橫向物理尺度，可選地對于一些應(yīng)用獨立地具有選自IOOnm至ΙΟΟΟΟμπι范圍的橫向物理尺度，可選地對于一些應(yīng)用獨立地具有選自500nm至1000μm范圍的橫向物理尺度，可選地對于一些應(yīng)用獨立地具有選自500nm至ΙΟΟμπι范圍的橫向物理尺度，且可選地對于一些應(yīng)用獨立地具有選自500nm至10μm范圍的橫向物理尺度。[0056]與瞬態(tài)器件的其他部件一樣，無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件的物理特性（例如，楊氏模量、凈抗彎剛度、韌度、電導(dǎo)率、電阻等）影響器件的性能和瞬變。例如，在一些實施方案中，該器件的至少一部分且可選地全部的無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件獨立地具有小于或等于IOGPa的楊氏模量，可選地對于某些應(yīng)用小于或等于lOOMPa，可選地對于某些應(yīng)用小于或等于lOMPa。例如，在一些實施方案中，該器件的至少一部分且可選地全部的無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件具有在0.5MPa至IOGPa范圍內(nèi)選擇的楊氏模量，且可選地對于一些應(yīng)用具有在0.5MPa至IOOMPa范圍內(nèi)選擇的楊氏模量，且可選地對于一些應(yīng)用具有在0.5MPa和IOMPa范圍內(nèi)選擇的楊氏模量。在一些實施方案中，該器件的至少一部分且可選地全部的無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件具有小于或等于IXIO8GPaμm4的凈抗彎剛度，可選地對于一些應(yīng)用小于或等于5XIO5GPaμm4且可選地對于某些應(yīng)用小于或等于IX105GPaμm4。在一些實施方案中，該器件的至少一部分且可選地全部的無機(jī)半導(dǎo)體部件、金屬導(dǎo)體部件和/或電介質(zhì)部件具有在〇.IXIO4GPaμm4至IX108GPaμm4范圍內(nèi)選擇的凈抗彎剛度，且可選地對于一些應(yīng)用具有在0.IXIOGPaμm4與5X105GPaμm4之間選擇的凈抗彎剛度。[0057]對于無機(jī)半導(dǎo)體部件有用的材料包括高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料，例如包括純單晶半導(dǎo)體材料和摻雜的單晶半導(dǎo)體材料的單晶半導(dǎo)體材料。在一個實施方案中，全部無機(jī)半導(dǎo)體部件包含單晶半導(dǎo)體材料和/或單晶摻雜半導(dǎo)體材料，例如，經(jīng)高溫鑄造加工得到的單晶硅和/或摻雜單晶硅。單晶半導(dǎo)體材料集成成瞬態(tài)器件特別地有益于提供展現(xiàn)非常良好電子特性的器件。在一個實施方案中，該半導(dǎo)體部件包括選自以下材料組成的一組的材料：BP、BAs、As2S3、GaSb、GaAs、GaN、GaP、GaSe、InSb、InAs、InN、InP、CsSe、CdS、CdSe、CdTe、Cd3P2、Cd3As2、Cd3Sb2、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe、Zn3P2、Zn3As2、Zn3Sb2、ZnSiP2、CuCl、PbS、PbSe、PbTe、FeO、FeS2、NiO、EuO、EuS、PtSi、TIBr、CrBr3、SnS、SnTe、Pbl2、MoS2、GaSe、CuO、Cu20、HgS、HgSe、HgTe、Hgl2、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、SrS、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、Sn02、TiO、Ti02、Bi2S3、Bi203、Bi2Te3、Bil3、U02、U03、AgGaS2、PbMnTe、BaTi03、SrTi03、LiNb03、La2Cu04、La0.7CaQ3Mn03,CdZnTe、CdMnTe、CuInSe2、銅銦鎵硒化合物（CIGS)、HgCdTe、HgZnTe、HgZnSe、PbSnTe、Tl2SnTe5'Tl2GeTe5'AlGaAs、AlGaN、AlGaP、AlInAs、AllnSb、AllnP、AlInAsP、AlGaAsN、GaAsP、GaAsN、GaMnAs、GaAsSbN、GalnAs、GalnP、AlGaAsSb、AlGaAsP、AlGalnP、GalnAsP、InGaAs、InGaP、InGaN、InAsSb、InGaSb、InMnAs、InGaAsP、InGaAsN、InAlAsN、GaInNAsSb、GaInAsSbP以及它們的任何組合。在一些實施方案中，無機(jī)半導(dǎo)體部件包括選自由Si、SiC、SiGe、SiO、Si02、SiN以及它們的任何組合組成的一組的材料。在一些實施方案中，無機(jī)半導(dǎo)體部件獨立地包含單晶硅、多孔硅和/或多晶硅。在一些實施方案中，無機(jī)半導(dǎo)體部件獨立地包含多晶半導(dǎo)體材料、單晶半導(dǎo)體材料或摻雜多晶或單晶半導(dǎo)體材料。在一些實施方案中，無機(jī)半導(dǎo)體部件是可轉(zhuǎn)變材料。對于可轉(zhuǎn)變的無機(jī)半導(dǎo)體部件有用的材料包括但不限于多孔硅、多晶硅以及它們的任何組合。[0058]在一些實施方案中，該瞬態(tài)器件可以包括一個或多個附加的器件部件，該附加的器件部件可選自如下一組：電極、電介質(zhì)層、化學(xué)或生物傳感器元件、PH傳感器、光學(xué)傳感器、光源、溫度傳感器以及電容傳感器。該附加的器件部件可以包含生物惰性材料、可降解材料或可轉(zhuǎn)變材料。有用的生物惰性材料包括但不限于鈦、金、銀、鉬以及它們的任何組合。有用的可降解材料或可轉(zhuǎn)變材料包括但不限于鐵、鎂、鎢以及它們的任何組合。[0059]在一些實施方案中，電子器件包含一個或多個互相連接的島結(jié)構(gòu)和橋結(jié)構(gòu)。例如，島結(jié)構(gòu)可以包括該瞬態(tài)器件的一個或多個半導(dǎo)體電路部件。橋結(jié)構(gòu)可以包含提供元件之間（例如不同的島結(jié)構(gòu)之間）電連通的一個或多個柔性和/或可拉伸的電互連。以這種方式，本發(fā)明的電子器件可以包含具有多個電學(xué)上互連的無機(jī)半導(dǎo)體部件的可拉伸的電子器件（例如，可拉伸的電子互連線），該電子器件包括一個或多個島結(jié)構(gòu)和提供電學(xué)互連的一個或多個柔性和/或可拉伸的橋結(jié)構(gòu)。[0060]在一些實施方案中，該多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分包含放大器電路、復(fù)用電路、限流電路、集成電路、晶體管或晶體管陣列中的一個或多個。有用的復(fù)用電路包括那些被配置以獨立處理空間安排在可降解襯底上方的多個電極中的每一個。此外，瞬態(tài)器件還可包含選自由電極、電介質(zhì)層、化學(xué)或生物傳感器元件、PH傳感器、光學(xué)傳感器、光源、溫度傳感器以及電容傳感器組成的一組的一個或多個附加器件部件。所述附加器件部件中的至少一個可以包含生物惰性材料或生物可再吸收材料。[0061]在一些實施方案中，瞬態(tài)器件或其部件通過基于印刷的工藝或基于模制的工藝(例如，通過轉(zhuǎn)印法、干接觸轉(zhuǎn)印法、溶液式印刷、軟平版印刷、復(fù)制模制、壓印平版印刷等）組裝在襯底上。因此，在這些實施方案中的一些中，器件或其部件包括可印刷的半導(dǎo)體材料和/或器件。在一些實施方案中，通過基于印刷的技術(shù)集成器件和襯底部件是有益的，因為它允許半導(dǎo)體器件/材料的處理和襯底的處理獨立。例如，基于印刷的組裝方法允許通過不與一些襯底兼容的技術(shù)來處理半導(dǎo)體器件/材料。例如，在一些實施方案中，半導(dǎo)體器件/材料首先通過高溫處理、物理的和化學(xué)的沉積處理、刻蝕和/或水處理（例如，顯影等）進(jìn)行處理，然后通過基于印刷的技術(shù)隨后組裝在襯底上。這種方法的優(yōu)點是避免了以可能對襯底的化學(xué)和/或物理特性產(chǎn)生不利影響的方式在該襯底上處理半導(dǎo)體器件/材料，例如對可轉(zhuǎn)變襯底的生物可兼容性、毒性和/或降解特性（例如，降解速率等）產(chǎn)生不利影響。例如，在一些實施方案中，本方法允許有效制造器件，而不將襯底暴露于水處理，例如，涉及將可轉(zhuǎn)變襯底暴露于蝕刻劑、脫模劑、顯影劑的處理。[0062]在一些實施方案中，器件的多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分且可選地全部被鍵合到襯底上。器件與襯底之間的鍵合可以直接實現(xiàn)，涉及層與材料之間的共價鍵合和非共價鍵合（例如范德華力、氫鍵、倫敦分散力等）。替代地，可以通過在器件和襯底之間納入一個粘合層來實現(xiàn)鍵合。對鍵合有用的粘合層包括聚合物、彈性體（如PDMS)、預(yù)聚物、薄金屬層、絲層等。[0063]例如，在一些實施方案中，包封材料包封器件的部分或全部，從而防止電流泄漏到局部環(huán)境和/或器件電學(xué)短路。在一個實施方案中，包封材料包封器件的無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件的至少50%，可選地包封器件的無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件的至少90%，且可選地包封器件的無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件的全部。在一個實施方案中，包封材料完全包封瞬態(tài)器件。[0064]多種材料對于本發(fā)明的器件的可降解襯底是有用的。在一個實施方案中，該襯底包括選擇性可移除的材料。在一個實施方案中，通過選自再吸收、生物再吸收、（化學(xué)或酶促）水解、崩解、解聚、溶解、升華、融化、蝕刻和腐蝕組成的一組的方法，襯底的選擇性可移除的材料經(jīng)歷移除。在一個實施方案中，襯底包含生物可兼容的、生物可再吸收的或生態(tài)可兼容的材料。對于襯底有用的材料例如包括生物聚合物（例如，蛋白質(zhì)、肽、碳水化合物、多核苷酸等）、合成聚合物、蛋白質(zhì)、多糖、絲、聚（甘油-葵二酸酯）（PGS)、聚二氧六環(huán)酮、聚(乳酸-共-乙醇酸）（PLGA)、聚乳酸（PLA)、聚乙烯醇（PVA)、明膠、膠原、脫乙酰殼多糖、絲蛋白、透明質(zhì)酸、蛋白酶粒子、二氫熒光素、孟加拉紅、若丹明、反射蛋白（reflectin)、噬菌調(diào)理素、血紅蛋白、嚇啉以及它們的組合。例如，對于生物可再吸收襯底有用的絲材料例如包括蠶絲心蛋白、改性蠶絲心蛋白、蜘蛛絲、昆蟲絲、重組絲以及這些的任何組合。作為在此使用，改性蠶絲心蛋白指由蠶絲心蛋白的化學(xué)改性得到的聚合物成分。[0065]在一些實施方案中，襯底和/或包封材料包含可以至少部分處于晶態(tài)的絲。例如，該絲可以具有少于55%的結(jié)晶度，或選自0至55%的范圍內(nèi)的結(jié)晶度。在一個實施方案中，襯底包括絲復(fù)合材料。例如，該絲復(fù)合材料可以包含具有分散于絲材料各處的多個納米粒子的絲，其中該納米粒子包括導(dǎo)體（如金屬）、半導(dǎo)體材料、納米管、納米線、納米殼（具有電介質(zhì)核的金屬殼）、色素、染料以及其組合。在一些實施方案中，納米粒子包括選自Au、Ag、CsSe以及CdTe組成的一組的材料。典型地，納米粒子具有等于或小于IOOOnm的物理尺度，且絲材料中存在的納米粒子的濃度在選自0.InM至IOOnM的范圍，或選自0.5nM至50nM的范圍，或選自InM至25nM的范圍。在一些實施方案中，納米粒子吸收電磁輻射，從而生成能夠觸發(fā)選擇性移除襯底的熱。用于觸發(fā)熱降解過程的電磁能的吸收取決于納米顆粒濃度和施加的電磁能的功率。在一個實施方案中，電磁輻射的吸收是經(jīng)等離子體諧振增強(qiáng)的吸收。[0066]在一些實施方案中，瞬態(tài)襯底或包封材料可以通過暴露于高溫而轉(zhuǎn)變。例如絲的玻璃轉(zhuǎn)化溫度是?178°C且在?220°C下降解開始。[0067]在一些實施方案中，可以通過滲透襯底或包封材料的高濃度的某些鹽（鋰鹽、鈣鹽）來促進(jìn)或加快襯底或包封材料的轉(zhuǎn)變。[0068]在一些實施方案中，襯底是一種在水環(huán)境中在298K下以等于或大于無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的水解速率的速率經(jīng)歷水解的材料。在一些實施方案中，襯底是一種在水環(huán)境中在298K下以等于或小于無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件的水解速率的速率經(jīng)歷水解的材料。在其他實施方案中，襯底是一種在等于或大于273K的溫度下經(jīng)歷升華的材料。[0069]可轉(zhuǎn)變的襯底的物理尺度和物理特性對于支持一系列器件功能性和與不同環(huán)境的兼容性是重要的參數(shù)。在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底的厚度小于或等于10000μm，且可選地在一些實施方案中小于或等于1000μm，且可選地在一些實施方案中小于或等于100μm，且可選地在一些實施方案中小于或等于10μm;且可選地在一些實施方案中小于或等于lym。使用薄的可轉(zhuǎn)變的襯底（例如，厚度小于或等于100微米，可選地小于或等于10微米且可選地小于或等于1微米）有助于提供能夠建立與許多各種不同的環(huán)境（包括具有復(fù)雜的、高度起伏表面的環(huán)境）的共形接觸、柔性或以其他方式可形變的器件。在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底具有在5納米和200μm的范圍內(nèi)選擇的厚度，可選地對于一些實施方案具有在10納米和IOOym的范圍內(nèi)選擇的厚度，可選地對于一些實施方案具有在100納米和IOOOOym的范圍內(nèi)選擇的厚度，可選地對于一些應(yīng)用具有在1μm和1000μm的范圍內(nèi)選擇的厚度，且可選地對于一些實施方案具有在1μm和10μm的范圍內(nèi)選擇的厚度。在可轉(zhuǎn)變的襯底僅幾納米厚的實施方案中，支撐襯底是必須的或可以通過逐層沉積技術(shù)改善可支撐性。在一些實施方案中，選擇可轉(zhuǎn)變的襯底的成分和物理特性（例如，楊氏模量、凈抗彎剛度、韌度等）以為器件部件提供足夠的結(jié)構(gòu)支撐，同時還在部署時還提供實現(xiàn)高度共形接觸的能力。在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底是低模量層?；蛘?，本發(fā)明包含具有作為高模量層的可轉(zhuǎn)變的襯底的器件。例如，在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底具有小于或等于IOGPa的楊氏模量，優(yōu)選地對于一些應(yīng)用小于或等于IOOMPa的楊氏模量，可選地對于一些應(yīng)用小于或等于l〇MPa。例如，在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底具有在0.5MPa至IOGPa的范圍內(nèi)選擇的楊氏模量，且可選地對于一些應(yīng)用具有在0.5MPa至IOOMPa的范圍內(nèi)選擇的楊氏模量，且可選地對于一些應(yīng)用具有在0.5MPa至IOMPa的范圍內(nèi)選擇的楊氏模量。例如，在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底的凈抗彎剛度小于或等于IXlO9GPaμm4,可選地對于一些應(yīng)用小于或等于IXIO7GPaμm4且可選地對于一些應(yīng)用小于或等于IXIO6GPaμm6。例如，在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變襯底具有在0.1XIO4GPaμm4至IXIO9GPaμm4的范圍內(nèi)選擇的凈抗彎剛度，且可選地對于某些應(yīng)用具有在0.IXlO4GPaμm4至5X105GPaym4之間選擇的凈抗彎剛度。[0070]本發(fā)明包括包含非晶態(tài)材料、晶體材料、部分非晶態(tài)材料、部分晶體材料或其組合的可轉(zhuǎn)變的襯底。在一個實施方案中，本發(fā)明的瞬態(tài)器件包括至少部分晶體材料，其中選擇該可轉(zhuǎn)變的襯底的結(jié)晶程度以為選擇的環(huán)境和器件應(yīng)用提供有用的和/或預(yù)選的可轉(zhuǎn)變速率。在一些實施方案中，當(dāng)設(shè)置成與環(huán)境接觸時，可轉(zhuǎn)變的襯底的結(jié)晶度越高，則可轉(zhuǎn)變速率越低。例如，本發(fā)明包括具有如下可轉(zhuǎn)變的襯底的瞬態(tài)器件，該可轉(zhuǎn)變的襯底的結(jié)晶度小于或等于55%，且可選地結(jié)晶度小于或等于30%，且可選地結(jié)晶度小于或等于20%，且可選地結(jié)晶度小于或等于5%。例如，本發(fā)明包括具有如下可轉(zhuǎn)變的襯底的瞬態(tài)器件，該可轉(zhuǎn)變的襯底具有在〇至55%的范圍內(nèi)選擇的結(jié)晶度，且可選地對于一些實施方案具有在1至30%的范圍內(nèi)選擇的結(jié)晶度，且可選地對于一些實施方案具有在5至20%的范圍內(nèi)選擇的結(jié)晶度。作為在此使用的，〇%的結(jié)晶度指的是完全非晶態(tài)材料，且給定的結(jié)晶度對應(yīng)于相對材料的總量以結(jié)晶狀態(tài)提供的材料的量。在一些實施方案中，例如具有絲襯底的那些實施方案，結(jié)晶度指的是絲襯底的β片層含量。[0071]在一些實施方案中，該器件包括可轉(zhuǎn)變的襯底，可轉(zhuǎn)變的襯底在設(shè)置為與環(huán)境接觸時具有可編程的、可控的和/或可選擇的轉(zhuǎn)變速率。本發(fā)明包括具有可轉(zhuǎn)變的襯底的器件，該可轉(zhuǎn)變的襯底呈現(xiàn)基于預(yù)期的應(yīng)用、器件功能性、壽命等選擇的轉(zhuǎn)變速率范圍。例如，在一些實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底呈現(xiàn)高轉(zhuǎn)變速率，以便例如提供在施用時快速且完全的轉(zhuǎn)變，促進(jìn)對于在特定的環(huán)境中部署器件有用的構(gòu)造和/或形態(tài)變化。例如，在其他實施方案中，可轉(zhuǎn)變的襯底呈現(xiàn)低吸收速率，以便例如提供在施用時慢的和/或不完全的降解，提供器件的電子部件的包封和/或提供對于部署或移除器件有用的結(jié)構(gòu)特性。[0072]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件，該無機(jī)半導(dǎo)體部件和/或金屬導(dǎo)體部件包含經(jīng)工程設(shè)計以加速再吸收、生物再吸收、水解、崩解、解聚、溶解、蝕刻或腐蝕的材料。例如，該經(jīng)工程設(shè)計的材料可以是有孔的結(jié)構(gòu)。"有孔的結(jié)構(gòu)（perforatedstructure)"可以包括凹陷特征、孔、溝道、裂紋或其他阻止結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)的至少一個主平面內(nèi)是整體的且連續(xù)的物理缺陷。在一個實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)。例如，該一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)可以具有選自10%_80%、20%-50%或30%-40%的范圍的孔隙率(或空隙率）。在一個實施方案中，該有孔的結(jié)構(gòu)可以具有大于20%、大于30%、大于50%或大于70%的孔隙率。"孔隙率"總體描述了材料中的所有細(xì)孔的體積與整個體積的比。如本領(lǐng)域中已知的，孔隙率比可以被表達(dá)為百分?jǐn)?shù)。[0073]在一個實施方案中，一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)可以具有多個凹陷特征或溝道。在一個實施方案中，該凹陷特征或溝道延伸穿過一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的整個厚度。在一個實施方案中，該凹陷特征或溝道延伸穿過一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的厚度的〇.1%至1〇〇%、或1%至95%、或5%至85%、或10%至75%、或25%或50%。在一個實施方案中，該凹陷特征或溝道延伸穿過一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的厚度的選自IOnm至IOmm范圍的長度。在一個實施方案中，該凹陷特征或溝道具有選自〇.1μm2至IOcm2、或0.5μm2至5cm2、或1μm2至Icm2、或10μm2至0.Icm2范圍的橫向橫截面尺度和選自0.01μm到10mm、或0·05μm至Ij5mm、或0·1μm至丨JImm或10μm至丨J0·Imm范圍的堅向尺度。[0074]在一些實施方案中，瞬態(tài)電子器件包含由在暴露于特定波長輻射時易于降解的材料制成的貯存器。當(dāng)該輻射敏感性材料降解時，貯存器中的水溶液或其他化學(xué)成分可以從該貯存器漏出，從而與器件部件相互作用，以加速它們的溶解或轉(zhuǎn)變。[0075]內(nèi)部刺激或外部刺激例如可以是生物環(huán)境變化、溫度變化、壓力變化、暴露于電磁福射、與化學(xué)試劑接觸、施加電場、施加磁場、暴露于溶劑、外部環(huán)境的pH變化、外部環(huán)境的鹽濃度變化或施加陽極電壓。[0076]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括包含選擇性可轉(zhuǎn)變材料的無線功率部件。在一個實施方案，該無線功率部件是線圈、電池、燃料電池、能量采集器、太陽能電池或電感器。該能量采集器可以選自熱電部件和壓電部件。[0077]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件是傳感器、電源、光電器件、納機(jī)電（NEM)器件或微機(jī)電（MEM)器件。當(dāng)瞬態(tài)電子器件是傳感器時，該傳感器可以檢測光強(qiáng)度變化、光波長變化、溫度變化、化學(xué)變化、機(jī)械變化、電變化、磁變化以及其組合。當(dāng)瞬態(tài)器件是電源時，該電源可以是線圈、電池、燃料電池或能量采集器。該能量采集器可以選自熱電部件或壓電部件。[0078]在一個實施方案中，無線功率部件通過光伏效應(yīng)、非諧振感應(yīng)耦合、近場互感耦合或其組合轉(zhuǎn)換電磁能。當(dāng)無線功率部件通過光伏效應(yīng)運行時，該無線功率部件可以是太陽能電池或太陽能電池陣列。當(dāng)無線功率部件通過非諧振感應(yīng)耦合運行時，該無線功率部件可以是響應(yīng)變化的磁場傳導(dǎo)電流的電感器。被提供動力的器件部件可以是與該電感器電連通的電阻器。當(dāng)電流傳導(dǎo)通過該電感器時，該電阻器生成熱。當(dāng)無線功率部件通過近場互感奉禹合運行時，該無線功率部件包括提取整流器（scavengingrectifier)。該提取整流器通過收集環(huán)境交流（AC)信號的提取天線吸收無線電能量，其中該環(huán)境AC信號通過整流器被轉(zhuǎn)換成直流（DC)。該提取整流器的輸入頻率是大約2.4GHz。該提取整流器的整流輸出在選自IV至3V的范圍。[0079]在一個實施方案中，器件作為無線電裝置運行，還包含振蕩器，該振蕩器被耦合到用于發(fā)射表明瞬態(tài)電子器件狀態(tài)的信號或瞬態(tài)電子器件環(huán)境參數(shù)的信號的發(fā)射天線。該振蕩器的輸出頻率可以是大約IGHz。[0080]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包含一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件。在一些實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件中的每一個獨立地包含納米膜結(jié)構(gòu)，該納米膜結(jié)構(gòu)可以例如具有小于IOOOnm的厚度。在一個實施方案中，該無機(jī)半導(dǎo)體部件中的每一個獨立地包含Si、Ga、GaAs、ZnO或這些的任何組合。在一個實施方案中，該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件包含ZnO。[0081]在一個實施方案中，一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件獨立地包含在水環(huán)境中以在298K下等于或大于KTkiS'或在298K下等于或大于KT8s'或在298K下等于或大于KT5s'或在298K下等于或大于KT2iT1的速率經(jīng)歷水解的半導(dǎo)體材料。[0082]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括一個或多個金屬導(dǎo)體部件，且瞬態(tài)電子器件的該一個或多個金屬導(dǎo)體部件可以包括Mg、W、Fe或其合金。在一個具體實施方案中，該一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含Mg與選自Al、Ag、Ca、Li、Mn、Si、Sn、Y、Zn以及Zr組成的一組的一種或多種額外材料的合金，其中該合金的一種或多種額外材料具有按重量計等于或小于10%的濃度。在另一個實施方案中，該一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含Mg與一種或多種稀土元素的合金，其中該合金的一種或多種稀土元素具有按重量計等于或小于10%的濃度。在另一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括包含ZnO的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和包括Mg、Fe、W或其合金的一個或多個金屬導(dǎo)體部件。[0083]在一個實施方案中，一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含在水環(huán)境中以在298K下等于或大于KTkiS'或在298K下等于或大于KT8s'或在298K下等于或大于KT5s'或在298K下等于或大于KT2iT1的速率經(jīng)歷水解的半導(dǎo)體材料。[0084]在一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件可以包含由襯底支撐的一個或多個電介質(zhì)部件，其中該一個或多個電介質(zhì)部件包含選擇性可移除的材料。在一個實施方案中，所述一個或多個電介質(zhì)部件的選擇性可移除的材料可以通過選自再吸收、生物再吸收、水解、崩解、解聚、溶解、升華、融化、蝕刻和腐蝕組成的一組的過程經(jīng)歷移除。在一些實施方案中，一個或多個電介質(zhì)部件包含生物可兼容的、生物可再吸收的或生態(tài)可兼容的材料。在一些實施方案中，電介質(zhì)部件中的每一個包括一個或多個薄膜結(jié)構(gòu)，該薄膜結(jié)構(gòu)可以例如通過分子外延、原子層沉積、物理或化學(xué)氣相沉積或本領(lǐng)域中公知的其他方法沉積或生長。通常，該一個或多個電介質(zhì)部件中的每一個具有在IOnm至50μm范圍內(nèi)選擇的厚度，或小于或等于IOOnm的厚度，或小于或等于IOnm的厚度。[0085]在一個實施方案中，所述一個或多個電介質(zhì)部件可以包含選自由Si02、Mg0、絲、膠原、明膠、PVA以及PLGA組成的一組的一種或多種材料。在一個具體實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括選自由ZnO和Si組成的一組的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、選自由Mg、Fe、W以及其合金組成的一組的一個或多個金屬導(dǎo)體部件以及選自由SiOjPMgO組成的一組的一個或多個電介質(zhì)部件。在另一個實施方案中，瞬態(tài)電子器件包括包含ZnO的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、選自由Mg、Fe、W以及其合金組成的一組的一個或多個金屬導(dǎo)體部件以及包括MgO的一個或多個電介質(zhì)部件。在一個實施方案中，一個或多個電介質(zhì)部件包含在水環(huán)境中以在298K下等于或大于KT1tls'或在298K下等于或大于KTiV1、或在298K下等于或大于KT5s'或在298K下等于或大于KT2iT1的速率經(jīng)歷水解的材料。[0086]所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件或所述一個或多個電介質(zhì)部件可以通過微轉(zhuǎn)印印刷組裝在襯底上。[0087]在一個實施方案中，該襯底、所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件以及所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包含選擇性可移除的材料。[0088]在一個實施方案中，該瞬態(tài)電子器件還可包含布置在襯底與金屬導(dǎo)體部件的至少一部分之間的粘合促進(jìn)層。例如，該粘合促進(jìn)層可以包括選自由氧化鎂、鈦以及其組合組成的一組的材料。[0089]該瞬態(tài)電子器件具有中性機(jī)械平面（neutralmechanicalplane)，并且，在一些實施方案中，所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分且可選地全部被定位鄰近于(例如，在10微米內(nèi)，且可選地在1微米內(nèi)）該中性機(jī)械平面。可轉(zhuǎn)變的襯底的厚度可以被選擇為將該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分定位鄰近于中性機(jī)械平面。具有定位鄰近于中性機(jī)械平面的無機(jī)半導(dǎo)體部件的實施方案可用于在部署時器件的構(gòu)造經(jīng)歷顯著變化的應(yīng)用，例如，通過在器件被設(shè)置在非平面（例如，彎的、彎曲的、凸的、凹的等）構(gòu)造中和/或在拉伸的構(gòu)造中時增強(qiáng)該器件的結(jié)構(gòu)整體性。[0090]在一些實施方案中，瞬態(tài)器件可以部分地或完全地包封在封裝材料中。在一個實施方案中，封裝材料包含一對交聯(lián)絲片材，當(dāng)所述片材的邊緣壓在一起時，該對交聯(lián)絲片材完全地包封該器件。例如，所述片材可以是通過鑄造和剝落形成的兩個獨立式絲膜，然后沿著邊緣通過層壓將它們密封。通常，所述片材具有選自1微米至200微米、或選自2微米至100微米、或選自5微米至50微米范圍的厚度。從實際角度看，可能難于使用一些技術(shù)制造和處理薄于1微米（同時獨立的）的膜，同時厚于200微米的膜可能是剛性的并且在使用一些技術(shù)處理時易于破裂。或者，在一些實施方案中，封裝材料可以是具有在1微米到1厘米范圍內(nèi)、可選地對于一些應(yīng)用在5微米至2毫米范圍內(nèi)、且可選地對于一些應(yīng)用在10微米至50微米范圍內(nèi)選擇的厚度的預(yù)成型的中空絲管。通常，封裝材料具有每片材約20μm的厚度。[0091]在一個實施方案中，包封材料至少部分包封一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中該包封材料包括選擇性可移除的材料，該可選擇性移除的材料被至少部分地移除以暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。在一個實施方案中，響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激移除該包封材料。[0092]在一個實施方案中，該包封材料是設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件上或設(shè)置在該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的覆蓋層；其中該覆蓋層具有選自IOnm至10mm、或20nm至1mm、或50nm至0.Imm的范圍內(nèi)的厚度。該包封材料可以被直接地設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件上或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上，或間接地設(shè)置在該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件上或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件上，其中一個或多個中間結(jié)構(gòu)/層在包封材料與該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件之間。[0093]在一個實施方案中，該包封材料具有的預(yù)選瞬變分布不同于該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的預(yù)選瞬變分布。例如，在一個實施方案中，該瞬變分布可以比該一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或該一個或多個金屬導(dǎo)體部件的瞬變分布大至少一個數(shù)量級。[0094]在一個實施方案中，該瞬變分布的特征在于，包封材料的移除發(fā)生在選自Ims至2年、或Ims至1年、或Ims至6個月、或Ims至1個月、或Ims至1天、或Ims至1小時、或1秒至10分鐘范圍的時間間隔內(nèi)，從而暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。例如，該瞬變分布的特征在于，在選自Ims至2年、或Ims至1年、或Ims至6個月、或Ims至1個月、或Ims至1天、或Ims至1小時、或1秒至10分鐘范圍的時間間隔內(nèi)移除該包封材料的0·01%至100%、或(λ1%至70%、或(λ5%至50%、或1%至20%、或1%至10%，從而暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。在一個實施方案中，該瞬變分布的特征在于，包封材料的平均厚度以在〇.Olnm/天至10微米/s、或0.Inm/天至1微米/s、或Inm/天至0.5微米/s范圍內(nèi)選擇的速率減小。[0095]在一個實施方案中，該包封材料包含選自由MgO、絲、膠原、明膠、PLGA、聚乙烯醇(PVA)、PLA、SiO2、聚酸酐（聚酯），聚輕基脂肪酸酯（Polyhdroxyalkanates)(PHA)以及聚磷酸酯組成的一組的材料。在一個實施方案中，該包封材料包括絲，其中該絲可以至少部分地處于晶態(tài)。例如，該絲可以具有小于55%的結(jié)晶度或選自1-55%范圍的結(jié)晶度。在一個實施方案中，包封材料包含一對交聯(lián)絲片材，當(dāng)所述片材的邊緣被層壓在一起時，所述一對交聯(lián)絲片材完全地包封該瞬態(tài)電子器件。[0096]在一些實施方案中，該包封材料包含絲復(fù)合材料。該絲復(fù)合材料可以包含具有分散在絲上各處的多個納米粒子的絲，其中每個納米粒子獨立地包含導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料。例如，每個納米粒子可以獨立地包含選自由Au、Ag、CsSe和CdTe組成的一組的材料。通常，所述納米粒子具有等于或小于IOOOnm的物理尺度，且納米粒子以選自0.InM至IOOnM范圍的濃度存在于絲中。在一些實施方案中，所述納米粒子吸收電磁輻射，從而生成能夠引起選擇性移除包封材料的熱。例如，電磁輻射的吸收可以是等離子體諧振增強(qiáng)的吸收。[0097]在一些實施方案中，該包封材料是一種在水環(huán)境中以在298K下等于或大于KTiqS-1、或在298K下等于或大于KT8s-1、或在298K下等于或大于ΙΟ、-1、或在298K下等于或大于IOY1的速率經(jīng)歷水解的材料。在其他實施方案中，該包封材料是一種在等于或大于273K的溫度下經(jīng)歷升華的材料。例如，可升華的包封材料可以是選自C02、I3、萘、氯化銨、氯化鐵、氯化鋁、三聚氰胺、二茂鎳、莰酮以及咖啡因組成的一組的材料。[0098]在一些實施方案中，該包封材料是包括設(shè)置在不可升華材料中的多個可升華纖維的復(fù)合材料，其中可升華纖維的升華導(dǎo)致該包封材料的選擇性移除。該復(fù)合材料例如可以是溶液澆鑄材料、靜電紡絲材料或旋鑄材料。[0099]由下面的公式給出了選擇性可移除的材料的厚度到達(dá)零的時間，公式：【權(quán)利要求】1.一種無源瞬態(tài)電子器件，包括：襯底；以及由所述襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變提供了該無源瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激并以預(yù)選的時間或以預(yù)選的速率的可編程的轉(zhuǎn)變，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供了所述無源瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。2.-種主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件，包括：襯底；由所述襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括一種選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；以及致動器，其響應(yīng)用戶啟動的外部觸發(fā)信號且可操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中當(dāng)所述器件接收到所述外部觸發(fā)信號時，所述致動器響應(yīng)所述內(nèi)部刺激或所述外部刺激直接地或間接地啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變，從而提供了所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部觸發(fā)信號的可編程的轉(zhuǎn)變，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供了所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。3.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷一個完全轉(zhuǎn)變，從而提供所述瞬態(tài)電子器件的所述可編程的轉(zhuǎn)變。4.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件經(jīng)歷一個不完全的轉(zhuǎn)變。5.權(quán)利要求4的器件，其中，可以由(i)所述無機(jī)半導(dǎo)體部件的量的至少20%或所述金屬導(dǎo)體部件的量的至少20%;或(ii)按所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件中的每個的重量、體積或面積計的至少20%或按所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的每個的重量、體積或面積計的至少20%的部分移除、相變或化學(xué)變化表征所述不完全的轉(zhuǎn)變，從而提供所述瞬態(tài)電子器件的所述可編程的轉(zhuǎn)變。6.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述轉(zhuǎn)變通過除生物再吸收之外的過程發(fā)生。7.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述轉(zhuǎn)變通過如下方式而發(fā)生，從而提供所述瞬態(tài)電子器件的所述可編程的轉(zhuǎn)變：(i)通過相變，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分經(jīng)歷至少部分升華或融化；(ii)經(jīng)由所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件在溶劑中的至少部分溶解；(iii)經(jīng)由所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分水解；(iv)經(jīng)由所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分蝕刻或腐蝕；(V)通過光化學(xué)反應(yīng)，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分吸收電磁輻射，并經(jīng)歷至少部分化學(xué)或物理變化。(vi)通過電化學(xué)反應(yīng)；或(vii)通過化學(xué)或物理變化，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分被轉(zhuǎn)化為絕緣體。8.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述預(yù)選瞬變分布的特征在于所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件在選自Ims至2年的范圍的時間間隔內(nèi)的0.Ol%至100%的轉(zhuǎn)變，從而提供所述瞬態(tài)電子器件的所述可編程的轉(zhuǎn)變。9.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述預(yù)選瞬變分布的特征在于所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的平均厚度以選自〇.Olnm/天至10微米/秒的范圍的速率減小。10.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述預(yù)選瞬變分布的特征在于所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的電學(xué)電導(dǎo)率以選自10?^nT1iT1至IS^nT1iT1的范圍的速率減小。11.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述器件監(jiān)測：(i)所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述至少部分轉(zhuǎn)變；或(ii)提供所述瞬態(tài)電子器件的所述可編程的轉(zhuǎn)變的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述至少部分轉(zhuǎn)變的速率。12.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供所述器件的功能從可操作性的第一狀況到不可操作性的第二狀況的變化。13.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供所述器件的功能從對應(yīng)于第一功能性的狀況到對應(yīng)于第二功能性的第二狀況的變化，所述第二功能性不同于所述第一功能性。14.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述器件的所述功能從：⑴NOR門轉(zhuǎn)變到NAND門；(ii)反相器轉(zhuǎn)變到隔離晶體管；(iii)電阻器轉(zhuǎn)變到二極管；(iv)NAND門轉(zhuǎn)變到反相器(V)NOR門轉(zhuǎn)變到隔離晶體管；或(vi)NAND門轉(zhuǎn)變到隔離晶體管。15.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供從特征在于所述無機(jī)半導(dǎo)體器件部件或所述金屬導(dǎo)體部件中的兩個或更多個彼此電接觸的第一狀況到特征在于所述無機(jī)半導(dǎo)體器件部件或所述金屬導(dǎo)體部件中的所述兩個或更多個彼此不電接觸的第二狀況的變化。16.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變電子地隔離所述瞬態(tài)電子器件的所述無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述金屬導(dǎo)體部件中的一個或多個，從而導(dǎo)致所述器件的功能從所述第一狀況到所述第二狀況的所述變化。17.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激包括生物環(huán)境變化、溫度變化、壓力變化、暴露于電磁福射、與化學(xué)試劑接觸、電場的施加、磁場的施加、暴露于溶齊U、外部環(huán)境的PH變化、外部環(huán)境的鹽濃度變化或陽極電壓的施加。18.權(quán)利要求1或2的器件，還包括包封材料，其至少部分地包封所述無機(jī)半導(dǎo)體部件中的一個或多個或所述金屬導(dǎo)體部件中的一個或多個，其中所述包封材料包括選擇性可移除的材料，該選擇性可移除的材料被至少部分地移除以暴露下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。19.權(quán)利要求18的器件，其中所述包封材料響應(yīng)所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激而被移除。20.權(quán)利要求18的器件，其中所述包封材料包括一種選自由MgO、絲、膠原、明膠、PLGA、聚乙烯醇（PVA)、PLA、Si02、聚酸酐（聚酯）、聚羥基脂肪酸酯（PHA)和聚磷酸酯組成的一組的材料。21.權(quán)利要求18的器件，其中所述包封材料包括絲。22.權(quán)利要求21的器件，其中所述包封材料包括一對交聯(lián)的絲片材，當(dāng)所述片材的邊緣被層壓在一起時，所述交聯(lián)的絲片材完全地包封所述器件。23.權(quán)利要求21的器件，其中所述包封材料包括絲復(fù)合材料。24.權(quán)利要求23的器件，其中所述絲復(fù)合材料包括絲，所述絲具有在整個所述絲上分散的多個納米粒子，其中所述納米粒子中的每一個獨立地包括導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體材料，其中所述納米粒子中的每一個獨立地包括一種選自由Au、Ag、CsSe和CdTe組成的一組的材料。25.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括一個或多個薄膜結(jié)構(gòu)。26.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件各自獨立地具有在IOnm至IOOym的范圍內(nèi)選擇的厚度。27.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件各自獨立地具有小于或等于IOOnm的厚度。28.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)。29.權(quán)利要求28的器件，其中所述一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)具有選自10%-80%的范圍的孔隙率。30.權(quán)利要求28的器件，其中所述一個或多個有孔的結(jié)構(gòu)具有多個凹陷特征或溝道。31.權(quán)利要求30的器件，其中所述凹陷特征或溝道延伸：(i)完全穿過所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的厚度；或(ii)穿過所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的厚度的0·1%至100%。32.權(quán)利要求1或2的器件，包括所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件。33.權(quán)利要求32的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件中的每一個獨立地包括納米膜結(jié)構(gòu)。34.權(quán)利要求32的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件獨立地包括多晶半導(dǎo)體材料、單晶半導(dǎo)體材料或摻雜的多晶或單晶半導(dǎo)體材料。35.權(quán)利要求32的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件獨立地包括一種在298K下在水環(huán)境中以等于或大于IO-ltlS-1的速率經(jīng)歷水解的半導(dǎo)體材料。36.權(quán)利要求32的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件中的每一個獨立地包括Si、Ga、GaAs、ZnO或這些的任何組合。37.權(quán)利要求32的器件，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件包括ZnO。38.權(quán)利要求1或2的器件，包括所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件。39.權(quán)利要求38的器件，其中所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括一種在298K下在水環(huán)境中以等于或大于IO-ltlS-1的速率經(jīng)歷水解的半導(dǎo)體材料。40.權(quán)利要求38的器件，其中所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括Mg、W、Fe或其合金。41.權(quán)利要求38的器件，其中所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括Mg與選自由Al、Ag、Ca、Li、Mn、Si、Sn、Y、Zn和Zr組成的一組的一種或多種附加材料的合金，其中所述合金的所述一種或多種附加材料具有按重量計等于或小于10%的濃度。42.權(quán)利要求38的器件，其中所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括Mg與一種或多種稀土元素的合金，其中所述合金的所述一種或多個稀土元素具有按重量計等于或小于10%的濃度。43.權(quán)利要求1或2的器件，包括一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件，所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件包括ZnO,所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件包括Mg、Fe、W或其合金。44.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述襯底包括選擇性可移除的材料。45.權(quán)利要求44的器件，其中所述襯底的所述選擇性可移除的材料通過選自由再吸收、生物再吸收、水解、崩解、解聚、溶解、升華、融化、蝕刻和腐蝕組成的一組的過程經(jīng)歷移除。46.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述襯底包括一種選自由MgO、絲、膠原、明膠、PLGA、聚乙烯醇（PVA)、PLA、Si02、聚酸酐（聚酯）、聚羥基脂肪酸酯（PHA)和聚磷酸酯組成的一組的材料。47.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述襯底包括絲。48.權(quán)利要求47的器件，其中所述襯底包括絲復(fù)合材料。49.權(quán)利要求48的器件，其中所述絲復(fù)合材料包括絲，所述絲具有在整個所述絲上分散的多個納米粒子，其中所述納米粒子包括導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體材料，其中所述納米粒子包括一種選自由Au、Ag、CsSe和CdTe組成的一組的材料。50.權(quán)利要求1或2的器件，還包括由所述襯底支撐的一個或多個電介質(zhì)部件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件包括選擇性可移除的材料。51.權(quán)利要求50的器件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件中的每一個包括一個或多個薄膜結(jié)構(gòu)。52.權(quán)利要求50的器件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件中的每一個具有在IOnm至50μm的范圍內(nèi)選擇的厚度。53.權(quán)利要求50的器件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件中的每一個具有小于或等于IOOnm的厚度。54.權(quán)利要求50的器件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件包括選自由SiO2、MgO、絲、膠原、明膠、PVA和PLGA組成的一組的一種或多種材料。55.權(quán)利要求50的器件，其中所述一個或多個電介質(zhì)部件包括一種在298K下在水環(huán)境中以等于或大于KTkV1的速率經(jīng)歷水解的材料。56.權(quán)利要求50的器件，包括選自由ZnO和Si組成的一組的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、選自由Mg、Fe、W以及其合金組成的一組的所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件以及選自由SiOjPMgO組成的一組的所述一個或多個電介質(zhì)部件。57.權(quán)利要求50的器件，包括：包括ZnO的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、選自由Mg、Fe、W以及其合金組成的組的所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件以及包括MgO的所述一個或多個電介質(zhì)部件。58.前述權(quán)利要求中任一項權(quán)利要求的器件，其中選擇性可移除的材料的厚度到達(dá)零的時間由下式給出：其中，t。是臨界時間，Pπ是所述材料的質(zhì)量密度，M(H2O)是水的摩爾質(zhì)量，M(m)是所述材料的摩爾質(zhì)量，b是所述材料的初始厚度，D是水的擴(kuò)散率、k是溶解反應(yīng)的反應(yīng)常數(shù)，且Wtl是水的初始濃度；其中k具有選自105至KTltV1的范圍的值。59.權(quán)利要求1或2的器件，其中所述器件是通信系統(tǒng)、光子器件、傳感器、光電器件、生物醫(yī)療器件、溫度傳感器、光檢測器、光伏器件、應(yīng)變儀、和成像系統(tǒng)、無線發(fā)射器、天線、納機(jī)電系統(tǒng)或微機(jī)電系統(tǒng)。60.權(quán)利要求2的器件，其中所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號是電子信號、光學(xué)信號、熱信號、磁信號、機(jī)械信號、化學(xué)信號、聲信號或電化學(xué)信號。61.權(quán)利要求2的器件，其中所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號是用戶啟動的提供至所述器件的電場的施加、用戶啟動的提供至所述器件的電磁輻射的施加、用戶啟動的提供至所述器件的機(jī)械沖擊、用戶啟動的提供至所述器件的熱量流、用戶啟用的來自所述器件的熱量流或用戶啟動的提供至所述器件的RF電場的施加。62.權(quán)利要求2的器件，與發(fā)射器單向或雙向通信，其中所述發(fā)射器向操作地連接到所述致動器的所述器件的接收器提供所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號。63.權(quán)利要求2的器件，還包括一個用于接收所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號的接收器，所述接收器被操作地連接到所述致動器，以使得當(dāng)接收到所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號時，啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述至少部分轉(zhuǎn)變。64.權(quán)利要求2的器件，其中所述致動器至少部分地移除設(shè)置在所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的一個或多個中間結(jié)構(gòu)，以將所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件的至少一部分或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少一部分暴露于所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激，從而導(dǎo)致所述至少部分轉(zhuǎn)變。65.權(quán)利要求64的器件，其中所述一個或多個中間結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件上或設(shè)置在所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件上的包封材料，其中所述致動器引起所述包封材料的至少一部分的移除，以將所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件暴露于所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激。66.權(quán)利要求2的器件，其中所述致動器響應(yīng)所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號生成電磁輻射、聲能、電場、磁場、熱量、RF信號、電壓、化學(xué)變化或生物變化，從而啟動所述至少部分轉(zhuǎn)變。67.權(quán)利要求2的器件，其中所述致動器包括加熱器、含有能夠引起化學(xué)變化或生物變化的化學(xué)試劑的貯存器、電磁輻射源、電場源、RF能量源或聲能源。68.權(quán)利要求2的器件，其中所述致動器包括一種至少部分地包封所述無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述金屬導(dǎo)體部件中的一個或多個的包封材料，其中所述包封材料包括選擇性可移除的材料，當(dāng)所述器件接收到所述外部觸發(fā)信號時，該選擇性可移除的材料被至少部分地移除，以將下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件暴露于所述內(nèi)部刺激或所述外部刺激，從而啟動所述至少部分轉(zhuǎn)變。69.權(quán)利要求68的器件，其中所述包封材料是光敏材料，該光敏材料響應(yīng)由所述致動器生成的電磁輻射經(jīng)歷光化學(xué)反應(yīng)，以暴露所述下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。70.權(quán)利要求69的器件，其中所述致動器是所述電磁輻射的源，其中所述致動器被設(shè)置成與所述包封材料光通信。71.權(quán)利要求68的器件，其中所述包封材料是熱敏材料，該熱敏材料響應(yīng)由所述致動器生成的熱量而經(jīng)歷相變或化學(xué)變化，以暴露所述下面的無機(jī)半導(dǎo)體部件或金屬導(dǎo)體部件。72.權(quán)利要求71的器件，其中所述致動器是加熱器，該加熱器被設(shè)置成與所述包封材料熱接觸，以用于提供所述熱量。73.權(quán)利要求2的器件，其中所述致動器包括一個反電極和電解質(zhì)，其中所述電解質(zhì)被設(shè)置成與所述電極和所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件接觸，其中所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號是提供至所述反電極的電壓或RF能量，從而導(dǎo)致所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的溶解。74.權(quán)利要求2的器件，其中當(dāng)所述器件接收到所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號時，所述致動器執(zhí)行選自由打開或關(guān)閉電子電路、生成熱量、抵制電流動、產(chǎn)生電磁輻射、產(chǎn)生聲能以及分散化學(xué)試劑組成的一組的操作。75.-種使用無源瞬態(tài)電子器件的方法，所述方法包括步驟：提供所述無源瞬態(tài)電子器件，所述無源瞬態(tài)電子器件包括：襯底；以及由所述襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變提供了該無源瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激并以預(yù)選的時間或以預(yù)選的速率的可編程的轉(zhuǎn)變，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供了所述無源瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化；將所述無源瞬態(tài)電子器件暴露于所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激，從而可編程地轉(zhuǎn)變所述無源瞬態(tài)電子器件。76.權(quán)利要求75的方法，其中所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激包括生物環(huán)境變化、溫度變化、壓力變化、暴露于電磁福射、與化學(xué)試劑接觸、電場的施加、磁場的施加、暴露于溶劑、外部環(huán)境的pH變化、外部環(huán)境的鹽濃度變化或陽極電壓的施加。77.權(quán)利要求1或2的器件，還包括一個覆蓋層，該覆蓋層至少部分地包封所述一個或多個所述無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個所述金屬導(dǎo)體部件；所述覆蓋層包括一個或多個貯存器，該貯存器含有化學(xué)試劑或生物試劑。78.權(quán)利要求77的器件，其中所述覆蓋層的所述一個或多個貯存器響應(yīng)所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激而破裂，從而導(dǎo)致所述化學(xué)試劑或生物試劑的釋放。79.權(quán)利要求77的器件，其中所述覆蓋層的所述一個或多個貯存器獨立地具有在IOOnm至10000μm的范圍內(nèi)選擇的物理尺度。80.權(quán)利要求77的器件，其中所述覆蓋層的所述一個或多個貯存器響應(yīng)機(jī)械沖擊、壓力變化、暴露于電子輻射、暴露于熱量或暴露于聲能而破裂，從而導(dǎo)致所述化學(xué)試劑或生物試劑的所述釋放。81.權(quán)利要求77的器件，其中所述化學(xué)試劑或生物試劑包括水、非水溶劑、水性溶液、含生物聚合物的溶液、酸、堿、酶溶液、PBS溶液或含催化劑的溶液。82.權(quán)利要求77的器件，其中所述覆蓋層包括絲材料，且其中所述化學(xué)試劑或生物試劑包括含有蛋白酶的材料。83.-種使用主動觸發(fā)瞬態(tài)電子器件的方法，所述方法包括步驟：提供所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件，所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件包括：襯底；由所述襯底支撐的一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；以及致動器，其響應(yīng)于用戶啟動的外部觸發(fā)信號且操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件，其中當(dāng)所述器件接收到所述外部觸發(fā)信號時，所述致動器響應(yīng)所述內(nèi)部刺激或所述外部刺激直接地或間接地啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變，從而提供所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部觸發(fā)信號的可編程的轉(zhuǎn)變，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供了所述主動觸發(fā)的瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化；并且向所述電子器件提供所述用戶啟動的外部觸發(fā)信號，其中所述致動器直接地或間接地啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變，從而提供所述可編程的轉(zhuǎn)變。84.權(quán)利要求83的方法，其中所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激包括生物環(huán)境變化、溫度變化、壓力變化、暴露于電磁福射、與化學(xué)試劑接觸、電場的施加、磁場的施加、暴露于溶劑、外部環(huán)境的pH變化、外部環(huán)境的鹽濃度變化或陽極電壓的施加。85.-種制造瞬態(tài)電子器件的方法，所述方法包括步驟：提供器件襯底；在所述器件襯底上提供一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件獨立地包括選擇性可轉(zhuǎn)變的材料，其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件具有響應(yīng)外部刺激或內(nèi)部刺激的預(yù)選瞬變分布；從而產(chǎn)生所述瞬態(tài)電子器件；其中所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的至少部分轉(zhuǎn)變提供了該無源瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部刺激或所述內(nèi)部刺激并以預(yù)選的時間或以預(yù)選的速率的可編程的轉(zhuǎn)變，其中所述可編程的轉(zhuǎn)變提供了所述無源瞬態(tài)電子器件的功能從第一狀況到第二狀況的變化。86.權(quán)利要求85的方法，其中所述選擇性可轉(zhuǎn)變的材料選自由Mg、W、Fe、Mg與選自由Al、Ag、Ca、Li、Mn、Si、Sn、Y、Zn、和Zr組成的一組的一種或多種附加材料的合金--其中所述合金的所述一種或多種附加材料具有按重量計等于或小于10%的濃度--以及Mg與一種或多種稀土元素的合金--其中所述合金的所述一種或多種稀土元素具有按重量計等于或小于10%的濃度--組成的一組。87.權(quán)利要求85的方法，其中所述選擇性可轉(zhuǎn)變的材料選自由Si、Ga、GaAs和ZnO組成的一組。88.權(quán)利要求85的方法，其中所述在所述器件襯底上提供所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件、一個或多個金屬導(dǎo)體部件或一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件和一個或多個金屬導(dǎo)體部件的步驟包括下列步驟：在制作襯底上制作器件部件的組件，其中所述器件部件的組件包括一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)、或一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；且將所述器件部件的組件的至少一部分從所述制作襯底轉(zhuǎn)移到所述器件襯底。89.權(quán)利要求88的方法，其中在所述制作襯底上的所述器件部件包括單晶Si、Ga、GaAs或Si02。90.權(quán)利要求88的方法，還包括在具有所述器件部件的組件的所述器件襯底上提供包括所述選擇性可移除的材料的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的步驟。91.權(quán)利要求90的方法，其中使用溶液處理技術(shù)來執(zhí)行所述在具有所述器件部件的組件的所述器件襯底上提供包括所述選擇性可移除的材料的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的步驟。92.權(quán)利要求90的方法，其中使用電流體動力印刷來執(zhí)行所述在具有所述器件部件的組件的所述器件襯底上提供包括所述選擇性可移除的材料的所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或一個或多個金屬導(dǎo)體部件的步驟。93.權(quán)利要求88的方法，其中在半導(dǎo)體鑄造廠執(zhí)行所述在制作襯底上制作所述器件部件的組件的步驟。94.權(quán)利要求88的方法，其中所述制作襯底是半導(dǎo)體晶片襯底、玻璃板型襯底或絕緣體上硅襯底。95.權(quán)利要求88的方法，其中使用選自由化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、夕卜延生長、原子層沉積、電化學(xué)沉積以及分子束外緣組成的一組的一種或多種高溫沉積技術(shù)來執(zhí)行所述在制作襯底上制作所述器件部件的組件的步驟。96.權(quán)利要求88的方法，其中所述在所述制作襯底上制作所述器件部件的組件的步驟包括產(chǎn)生由所述制作襯底支撐的經(jīng)充分處理的原始元件或電路元件。97.權(quán)利要求88的方法，其中所述在制作襯底上制作所述器件部件的組件的步驟包括產(chǎn)生選自由下述內(nèi)容組成的一組的一個或多個結(jié)構(gòu)：在所述制作襯底上的一個或多個單晶硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述一個或多個單晶硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)各自獨立地具有小于或等于1微米的厚度；在所述制作襯底上的一個或多個SiO2結(jié)構(gòu)，一個或多個SiO2結(jié)構(gòu)各自獨立地具有小于或等于1微米的厚度；以及在所述制作襯底上的一個或多個金屬結(jié)構(gòu)，一個或多個金屬結(jié)構(gòu)各自獨立地具有小于或等于5微米的厚度。98.權(quán)利要求88的方法，還包括用所述選擇性可轉(zhuǎn)變的材料替代所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的至少一部分的步驟。99.權(quán)利要求98的方法，其中使用溶液處理執(zhí)行所述用所述選擇性可轉(zhuǎn)變的材料替代所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的至少一部分的步驟。100.權(quán)利要求98的方法，其中使用電流體動力印刷執(zhí)行所述用所述選擇性可轉(zhuǎn)變的材料替代所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的至少一部分的步驟。101.權(quán)利要求98的方法，包括用所述一種或多種選擇性可轉(zhuǎn)變的金屬導(dǎo)體材料替代所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分的步驟。102.權(quán)利要求101的方法，其中用如下的選擇性可轉(zhuǎn)變的金屬替代所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該選擇性可轉(zhuǎn)變的金屬選自由Mg、W、Fe、Mg與選自由Al、Ag、Ca、Li、Mn、Si、Sn、Υ、Zn和Zr組成的一組的一種或多種附加材料的合金-其中所述合金的所述一種或多種附加材料具有按重量計等于或小于10%的濃度--以及Mg與一種或多種稀土元素的合金一其中所述合金的所述一種或多種稀土元素具有按重量計等于或小于10%的濃度--組成的一組。103.權(quán)利要求88的方法，還包括從所述制作襯底剝離所述器件部件的組件的至少一部分的步驟。104.權(quán)利要求103的方法，其中通過至少部分地底切所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來執(zhí)行所述從所述制作襯底剝離所述器件部件的組件的至少一部分的步驟；其中經(jīng)由在所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)下方蝕刻來實現(xiàn)所述底切。105.權(quán)利要求103的方法，其中通過微轉(zhuǎn)印印刷來執(zhí)行所述從所述制作襯底剝離所述器件部件的組件的至少一部分的步驟，所述微轉(zhuǎn)印印刷將所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分從所述制作襯底提離。106.權(quán)利要求105的方法，其中所述微轉(zhuǎn)印印刷技術(shù)包括：使所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分與共形轉(zhuǎn)移器件的接觸表面接觸，其中所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一部分被粘合至所述接觸表面；以及移動具有粘合至所述接觸表面的所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述部分的所述共形轉(zhuǎn)移器件，從而提供所述提離。107.權(quán)利要求106的方法，其中所述微轉(zhuǎn)印印刷技術(shù)還包括：使所述器件襯底的接收表面與粘合至所述接觸表面的所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述至少一部分接觸；以及使所述共形轉(zhuǎn)移器件的所述接觸表面與所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分離，從而將所述一個或多個單晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、所述一個或多個電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述一個或多個金屬導(dǎo)體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到所述器件襯底的所述接收表面。108.權(quán)利要求85的方法，還包括提供響應(yīng)用戶啟動的外部觸發(fā)信號且可操作地連接到所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的致動器，其中當(dāng)所述器件接收到所述外部觸發(fā)信號時，所述致動器響應(yīng)所述內(nèi)部刺激或所述外部刺激直接地或間接地啟動所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的所述至少部分轉(zhuǎn)變，從而提供所述瞬態(tài)電子器件響應(yīng)所述外部觸發(fā)信號的所述可編程的轉(zhuǎn)變。109.權(quán)利要求85的方法，還包括提供一種包封材料，該包封材料至少部分地包封所述無機(jī)半導(dǎo)體部件中的所述一個或多個或所述金屬導(dǎo)體部件中的所述一個或多個。110.權(quán)利要求109的方法，其中所述包封材料包括絲。111.權(quán)利要求85的方法，還包括確定所述預(yù)選器件分布和選擇所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的成分和物理尺度以提供所述預(yù)選瞬變分布的步驟。112.權(quán)利要求111的方法，還包括選擇所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的厚度以提供所述預(yù)選瞬變分布的步驟。113.權(quán)利要求111的方法，還包括選擇所述一個或多個無機(jī)半導(dǎo)體部件或所述一個或多個金屬導(dǎo)體部件的形態(tài)以提供所述預(yù)選瞬變分布的步驟?！疚臋n編號】H05K1/00GK104472023SQ201280068702【公開日】2015年3月25日申請日期:2012年9月21日優(yōu)先權(quán)日:2011年12月1日【發(fā)明者】J·A·羅杰斯,F·G·歐姆內(nèi)托,黃碩元,陶虎,金大亨,D·卡普蘭申請人:伊利諾伊大學(xué)評議會,塔夫茨大學(xué)信托人