專利名稱：屏蔽了emi的半導(dǎo)體封裝件和基板模塊以及emi屏蔽件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例涉及一種屏蔽了電磁干擾(EMI)的半導(dǎo)體封裝件和/或一種屏蔽了 EMI的基板模塊。例如，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例涉及一種可以在短時間內(nèi)以低成本高生產(chǎn)率制造的半導(dǎo)體封裝件和/或基板模塊。
背景技術(shù)：
為了保護電子產(chǎn)品的用戶免受使用電子產(chǎn)品的過程中產(chǎn)生的電磁波的影響，許多國家建議要求將EMI屏蔽應(yīng)用于半導(dǎo)體電子裝置。傳統(tǒng)的EMI屏蔽產(chǎn)品在EMI屏蔽產(chǎn)品的制造工藝方面具有許多局限性并且耐久性低。另外，制造成本高，EMI屏蔽產(chǎn)品的生產(chǎn)率非常低，并且EMI屏蔽效果低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思的至少一個示例實施例提供一種可以在短時間內(nèi)以低成本高生產(chǎn)率制造的屏蔽了 EMI的半導(dǎo)體封裝件。本發(fā)明構(gòu)思的至少一個示例實施例提供一種可以在短時間內(nèi)以低成本高生產(chǎn)率制造的屏蔽了 EMI的基板模塊。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，提供一種屏蔽了電磁干擾(EMI)的半導(dǎo)體封裝件，所述屏蔽了 EMI的半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體封裝件；EMI屏蔽層，在半導(dǎo)體封裝件的至少一部分表面上，其中，EMI屏蔽層包括基體層、在基體層上的金屬層以及在基體層和金屬層之間的界面中的第一種子顆粒。第一種子顆?？梢园ê祟w粒和包覆在核顆粒的至少一部分上的表面改性層。表面改性層可以在核顆粒和基體層之間。第一種子顆粒的直徑可以在2μπι和80μπι之間的范圍內(nèi)。表面改性層可以包括包含硫羥基(-SH)的聚合物、包含具有I個至10個碳原子的烷氧基的硅烷類化合物、乙酰丙酮和其混合物中的至少一種。核顆?？梢允墙饘俸徒饘傺趸镏械闹辽僖环N。屏蔽了 EMI的半導(dǎo)體封裝件還可包括在基體層中的第二種子顆粒。第二種子顆?？梢园ê祟w粒和表面改性層，并且第二種子顆粒的表面改性層可以基本包覆第二種子顆粒的核顆粒的整個表面。半導(dǎo)體封裝件可以包括頂表面和側(cè)表面，并且EMI屏蔽層可以在頂表面和側(cè)表面的至少一部分上。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實施例，提供一種屏蔽了電磁干擾(EMI)的基板模塊，所述屏蔽了 EMI的基板模塊包括基板；半導(dǎo)體封裝件，在基板上；以及EMI屏蔽層，在基板和半導(dǎo)體封裝件的至少一部分表面上，其中，EMI屏蔽層包括基體層、在基體層上的金屬層以及在基體層和金屬層之間的界面中的第一種子顆粒?；蹇梢园ń拥仉姌O，并且金屬層電連接到接地電極。基體層可以被構(gòu)造成暴露接地電極的至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的至少一部分中的至少一者，并且金屬層可以接觸被基體層暴露的、接地電極的所述至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的所述至少一部分中的至少一者?；w層可以包括貫穿基體層的孔，接地電極的所述至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的所述至少一部分中的至少一者可通過所述孔被暴露?？蛇x擇地，金屬層可以延伸到基體層的外壁以被電連接到接地電極或電連接到接地電極的布線圖案。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，提供一種包括電磁干擾(EMI)屏蔽層的EMI屏蔽件，所述EMI屏蔽件包括基體層，包括多個種子顆粒；以及金屬層，在基體層上，基體層和金屬層之間的界面包括多個種子顆粒中的至少一個。所述多個種子顆粒中的所述至少一個可以包括核顆粒和包覆在核顆粒的至少一部分上的表面改性層。表面改性層可以在核顆粒和基體層之間。表面改性層可以包括包含硫羥基(-SH)的聚合物、包含具有I個至10個碳原子的烷氧基的硅烷類化合物、乙酰丙酮和其混合物中的至少一種。


從以下結(jié)合附圖進行的詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例。圖1至圖5C給出了這里描述的非限制性的示例實施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的半導(dǎo)體封裝件的側(cè)剖視圖；圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的核顆粒和金屬層之間的關(guān)系的局部剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的基板模塊的側(cè)剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一示例實施例的基板模塊的側(cè)剖視圖；以及圖5A至圖5C是順序地示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的基板模塊的方法的側(cè)首lJ視圖。應(yīng)該注意的是，這些附圖旨在說明在某些示例實施例中使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性，并且旨在對下面提供的文字描述進行補充。然而，這些附圖不是按比例繪制的并且可以不精確地反映任何給出的實施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特性，并且不應(yīng)該被解釋為限定或限制示例實施例包含的性質(zhì)或值的范圍。例如，為了清晰起見，可以縮小或夸大分子、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對厚度和位置。在各個附圖中相似或相同標(biāo)號的使用旨在表示相似或相同元件或特征的存在。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖更加充分地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，附圖中示出了本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例。然而，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)教導(dǎo)的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以以許多不同的形式實施本發(fā)明的構(gòu)思。僅在描述性的意義上提供本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的具體結(jié)構(gòu)和功能性描述；在此可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，因此不應(yīng)該解釋為局限于這里闡述的示例實施例。由于本發(fā)明的構(gòu)思不限于本描述中描述的示例實施例，所以應(yīng)該理解的是，本發(fā)明構(gòu)思包括本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍內(nèi)包括的每種變型例或可選擇的等同物。在本描述中，諸如“第一”、“第二”等的術(shù)語用來描述各種元件。然而，顯而易見的是，元件不應(yīng)由這些術(shù)語限定。這些術(shù)語僅用來將一個元件與另一個元件區(qū)分開。例如，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，類似地，第二元件可以被稱為第一兀件。為了便于描述，這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等空間相對術(shù)語，以描述附圖中示出的一個元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語旨在包含除附圖中示出的方位之外的使用或操作中裝置的不同方位。例如，如果附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“之下”或“下方”的元件將被定位為“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。所述裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他的方位)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述語。這里使用的術(shù)語只是出于描述具體實施例的目的，而不是旨在成為示例實施例的限制。如這里使用的，除非上下文另外明確指明，否則單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式。將進一步理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。除非另外地定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進一步理解的是，術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該解釋為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的背景下它們的含義一致的含義，并且不以理想的或過于形式化的含義來解釋，除非這里明確限定。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意和所有組合。當(dāng)諸如“中的至少一個(者)”的表述放在一系列元件之后時，其修飾整個系列的元件，而不是修飾該系列中個別的元件。圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的半導(dǎo)體封裝件100的側(cè)剖視圖。參照圖1，EMI屏蔽層120可以形成在半導(dǎo)體封裝件110的至少一部分表面上。EMI屏蔽層120可以形成在半導(dǎo)體封裝件110的至少一部分上表面上。EMI屏蔽層120可以形成在半導(dǎo)體封裝件110的至少一部分側(cè)表面上。半導(dǎo)體封裝件110可以是芯片尺寸封裝件(CSP)、晶片級封裝件(WLP)、球柵陣列(BGA)封裝件、針柵陣列(PGA)封裝件、倒裝芯片封裝件、通孔封裝件、直接芯片連接(DCA)封裝件、四方扁平封裝件(QFP)、四方扁平無引腳(QFN)封裝件、雙列直插式封裝件(DIP)、單列直插式封裝件(SIP)、鋸齒直插式封裝件(ZIP)、載帶封裝件(TCP)、多芯片封裝件(MCP)、小外形封裝件(S0P)、硅通孔(TSV)等，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。EMI屏蔽層120可以包括基體層121 ;金屬層129，位于基體層121上；以及多個第一種子顆粒123，位于基體層121和金屬層129之間的界面中。金屬層129 可以由銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈷(Co)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鋯(Zr)、鑰(Mo)、釕(Ru)、鉿(Hf)、鎢(W)、錸(Re)等形成，但本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。金屬層129的厚度可以在大約O.1 μ m和大約1000 μ m之間的范圍內(nèi)，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。基體層121可以形成在金屬層129和半導(dǎo)體封裝件110之間。基體層121可以由任意聚合物形成，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。例如，基體層121可以由環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂等形成。用于形成基體層121的聚合物可以具有例如大約5000和大約500000之間的范圍內(nèi)的重均分子量(MW)。該麗可以是通過使用凝膠滲透色譜(GPC)得到的值。GPC可以使用例如四氫呋喃(THF)作為大約Iml/分鐘的流速下的溶劑，并且可以使用Shodex KF-800系列作為柱。每一第一種子顆粒123可以包括核顆粒123a和表面改性層123b。表面改性層123b可以包覆在核顆粒123a的至少一部分表面上。如圖1中所示，位于基體層121和金屬層129之間的界面中的第一種子顆粒123在接觸基體層121的部分中主要包括表面改性層123b。在圖1中，雖然表面改性層123b位于基體層121的區(qū)域中，但是表面改性層123b可以沿著核顆粒123a的表面部分地延伸到金屬層129中。在圖1中，雖然表面改性層123b設(shè)置在核顆粒123a和基體層121之間，因此核顆粒123a不直接接觸基體層121，但是對于核顆粒123a的部分表面，表面改性層123b可以不設(shè)置在核顆粒123a和基體層121之間。因此，在核顆粒123a的該部分表面處，核顆粒123a可以直接接觸基體層121。核顆粒123a可以是金屬顆?；蚪饘傺趸镱w粒。核顆粒123a的尺寸可以在大約O.1 μ m和大約70 μ m之間的范圍內(nèi)。用于形成核顆粒123a的金屬可以是例如Cu、N1、Au、Ag、Pt、Co、T1、Cr、Zr、Mo、Ru、Hf、W、Re等,但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。用于形成核顆粒123a的金屬氧化物可以是例如氧化硅、氧化鈦、氧化鈰、氧化鎢、氧化鎳、氧化鋯、氧化釩、氧化鉿、氧化 鑰等，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。表面改性層123b可以由任意材料形成，所述任意材料可通過離子鍵或配位鍵與核顆粒123a結(jié)合。例如，用于形成表面改性層123b的材料可以包括硅烷基、硅羥基、硫羥基、竣基、氣基、按基、硝基、輕基、擬基、橫酸基、琉基、卩惡唑琳基、批略燒麗基、臆基、燒氧基等。用于形成表面改性層123b的材料可以通過上述官能團與核顆粒123a結(jié)合。表面改性層123b是包括上述官能團中的任何官能團的有機化合物，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。例如，用于形成表面改性層123b的材料可以是(不)飽和烴、芳香烴、(不)飽和硫醇、芳香硫醇、(不)飽和脂肪酸、芳香羧酸、(不)飽和酮、芳香酮、(不)飽和醇、芳香醇、(不)飽和胺、芳香胺、硅烷類或硅氧烷類化合物、它們的衍生物、由上述材料的縮合產(chǎn)生的產(chǎn)物、或從上述材料衍生的聚合物。在這方面，術(shù)語“(不)飽和”是指“飽和”或“不飽和”。例如，縮合產(chǎn)物或聚合物可以是諸如聚乙烯、聚丙烯或聚丁二烯的聚烯烴、諸如聚乙二醇或聚丙二醇的聚醚、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸鹽、聚(甲基)丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯酯、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅(有機硅)樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚四氟乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂、苯乙烯-丁二烯樹脂、聚酰胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚縮醛樹脂、聚醚砜、聚苯醚等。
可選擇地，表面改性層123b可以由包含硫羥基(-SH)的聚合物、包含具有I個至10個碳原子的烷氧基的硅烷類化合物、乙酰丙酮等形成?？蛇x擇地，表面改性層123b可以由上述材料的復(fù)合物形成。參照圖1，半導(dǎo)體封裝件100還可以包括基體層121內(nèi)部的多個第二種子顆粒125。每一第二種子顆粒125可以包括核顆粒125a和包覆在核顆粒125a的至少一部分表面上的表面改性層125b。核顆粒125a與上述核顆粒123a基本相同，因此將省略對核顆粒125a的詳細(xì)描述。另外，表面改性層125b與上述表面改性層123b基本相同，因此，將省略對表面改性層125b的詳細(xì)描述。在圖1中，雖然表面改性層125b基本包覆在核顆粒125a的整個表面上，但是本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不限于此。表面改性層125b可以包覆在核顆粒125a的至少一部分表面上。第一種子顆粒123或第二種子顆粒125的直徑可以在大約2 μ m和大約80 μ m之間的范圍內(nèi)。第一種子顆粒123和第二種子顆粒125都可以不具有完整的球形。第一種子顆粒123或者第二種子顆粒125中兩點之間的距離中的最長距離可以在大約2 μ m和大約80 μ m之間的范圍內(nèi)。當(dāng)圖1的半導(dǎo)體封裝件110安裝在基板上時，EMI屏蔽層120的金屬層129可以形成為接觸基板上的接地端(未示出)?？蛇x擇地，半導(dǎo)體封裝件110可以包括接地端(未示出)，EMI屏蔽層120的金屬層129可以形成為接觸半導(dǎo)體封裝件110的接地端。圖2是用于描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的核顆粒123a和金屬層129之間的關(guān)系的局部剖視圖。參照圖2，當(dāng)?shù)谝环N子顆粒123的核顆粒123a由金屬形成時，所述金屬可以與金屬層129的金屬相同或不同。當(dāng)核顆粒123a由與金屬層129的金屬相同的金屬形成時，不會明顯 地觀察到核顆粒123a和金屬層129之間的界面。圖3是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的屏蔽了 EMI的基板模塊200的側(cè)剖視圖。參照圖3，多個半導(dǎo)體封裝件210可以安裝在基板205上，EMI屏蔽層220可以形成在半導(dǎo)體封裝件210和基板205的至少一部分上。EMI屏蔽層220可以包括基體層221、金屬層229以及位于基體層221和金屬層229之間的界面中的多個第一種子顆粒223。每一第一種子顆粒223可以包括核顆粒223a和表面改性層223b。基體層221中可以包括多個第二種子顆粒225，每一第二種子顆粒225可以包括核顆粒225a和表面改性層225b。EMI屏蔽層220的主要結(jié)構(gòu)與圖1的EMI屏蔽層120的主要結(jié)構(gòu)相同，因此將省略對EMI屏蔽層220的詳細(xì)描述。基板205可以是包括多個接地電極260的印刷電路板(PCB)，或者可以是諸如晶片、玻璃基板等的任何其他基板。多個半導(dǎo)體封裝件210可以安裝在基板205上。用于電連接的布線可以設(shè)置在基板205的頂表面上或設(shè)置在基板205的內(nèi)部。基板205可以包括接地電極260。基體層221可以形成為暴露接地電極260或者暴露電連接到接地電極260的布線圖案的至少一部分。例如，基體層221可以包括貫穿基體層221的多個孔230，并且金屬層229可以延伸到孔230內(nèi)以被電連接到接地電極260。在圖3中，雖然接地電極260被孔230暴露，但是替代性地，孔230可以暴露電連接到接地電極260的布線圖案。金屬層229可以延伸到孔230內(nèi)以被電連接到布線圖案，所述布線圖案電連接到接地電極260。
圖4是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思另一示例實施例的屏蔽了 EMI的基板模塊200的側(cè)剖視圖。參照圖4，金屬層229可以延伸到基體層221的外壁以被電連接到接地電極260。在圖4中，雖然金屬層229電連接到接地電極260，但是金屬層229可以電連接到布線圖案，所述布線圖案電連接到接地電極260。因此，由于不需要如圖3中所示在基體層221內(nèi)部形成暴露接地電極260的孔230，所以，整個制造工藝可以變得簡單。圖5A至圖5C是順序地示出制造根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例實施例的屏蔽了 EMI的基板模塊200的方法的側(cè)剖視圖。參照圖5A，在基板205上安裝至少一個半導(dǎo)體封裝件210之后，形成基體材料層220a以覆蓋半導(dǎo)體封裝件210。可通過形成基體組合物，在半導(dǎo)體封裝件210的周圍設(shè)置基體組合物，然后固化基體組合物，來形成基體材料層220a?？墒褂媚＞邔⒒w組合物設(shè)置在半導(dǎo)體封裝件210的周圍?；w組合物還可以包括第一種子顆粒225。第一種子顆粒225可以以適當(dāng)?shù)臐舛染坏胤植荚诨w組合物內(nèi)。相對于基體組合物的總重量，第一種子顆粒225的濃度可以在大約Iwt%和大約15wt%2間的范圍內(nèi)。如果第一種子顆粒225的濃度太低，則不會有效地形成金屬層229 (圖5C)。另一方面，如果第一種子顆粒225的濃度太高，則基體組合物的可加工性會降低。得到第一種子顆粒225的方法沒有具體限制，可以通過使用本領(lǐng)域已知的顆粒表面改性方法得到第一種子顆粒225。換句話說，可通過使用任意方法得到第一種子顆粒225，所述任意方法包括通過官能團將有機化合物與金屬顆粒或金屬氧化物顆粒的表面結(jié)合。例如，所述任意方法可以是將有機化合物接枝到金屬顆?；蚪饘傺趸镱w粒的表面上的方法；將包含官能團的有機 化合物與金屬顆粒或金屬氧化物顆粒的表面結(jié)合的方法，所述官能團對于特定的金屬組分具有結(jié)合性質(zhì)；使用有機化合物前驅(qū)物包覆金屬的表面然后橋接有機化合物前驅(qū)物和/或使有機化合物前驅(qū)物聚合的方法；等等。可通過本領(lǐng)域內(nèi)公知的熱固化、紫外(UV)固化等固化基體組合物。參照圖5B，通過對基體材料層220a進行去除處理(de-smear)來暴露第一種子顆粒223內(nèi)部的核顆粒223a，從而得到基體材料層220b。可通過使用等離子體的軟蝕刻或使用諸如高錳酸鉀或高錳酸鈉的去除處理溶液的濕式去除處理來執(zhí)行所述去除處理。當(dāng)通過濕式去除處理執(zhí)行所述去除處理時，可將基體材料層220b浸在溫度升高的去除處理溶液中達(dá)給定的時間段。例如，去除處理溫度可以在大約60°C和大約90°C之間的范圍內(nèi)。去除處理時間可以在大約I分鐘和大約10分鐘之間的范圍內(nèi)。這樣,可以通過執(zhí)行去除處理來暴露核顆粒223a，如圖5B中所示。可以在基體材料層220b內(nèi)形成孔230，以暴露接地電極260。例如，可以通過激光加工形成孔230。在圖5B中，雖然孔230形成為暴露接地電極260，但是孔230可以形成為暴露電連接到接地電極260的導(dǎo)電圖案。此外，雖然在執(zhí)行去除處理后形成孔230，但是替代性地，可以在形成孔230之后執(zhí)行去除處理。參照圖5C，通過使用核顆粒223a作為種子在基體層221的整個表面上執(zhí)行無電鍍來形成金屬層229。通過無電鍍形成的金屬層229可以包括例如Cu、N1、Au、Ag、Pt、Co、T1、Cr、Zr、Mo、Ru、Hf、W、Re等。可選擇地，可以連續(xù)地執(zhí)行無電鍍直到完全形成金屬層229，或者可以執(zhí)行無電鍍直到形成厚度小的種子層。在后一情況下，為了得到具有期望厚度的金屬層229，可以在執(zhí)行無電鍍后執(zhí)行電鍍。在圖5C中，部分“B”示出了在孔230內(nèi)形成的金屬層229。參照圖5C的部分“B”，由于通過執(zhí)行去除處理然后使用激光來形成孔230，因此破壞和損壞了接觸孔230的核顆粒 223a。不對部分“A”的基體層221的頂表面執(zhí)行使用激光的加工，僅對部分“A”的基體層221的頂表面執(zhí)行去除處理，因此核顆粒223a可以被暴露而沒有受到損壞。如上所述，可以在形成孔230后執(zhí)行去除處理，并且可以在去除處理的過程中去除損壞的核顆粒223a。因此，可以暴露孔230的內(nèi)部而不損壞核顆粒223a，如基體層221的頂表面中那樣。如上所述，在一個基板上安裝多個半導(dǎo)體封裝件后形成EMI屏蔽層，因此與在每個半導(dǎo)體封裝件中形成EMI屏蔽層的方法相比，可以增加生產(chǎn)率。由于可以有效地使用高價的金屬材料，因此可以減少制造成本。 雖然已經(jīng)具體地示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，但是將理解的是，在不脫離權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，在此可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，包括 半導(dǎo)體封裝件；以及 電磁干擾屏蔽層，在半導(dǎo)體封裝件的至少一部分表面上， 其中，所述電磁干擾屏蔽層包括 基體層； 金屬層，在基體層上；以及 第一種子顆粒，在基體層和金屬層之間的界面中。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一種子顆粒包括核顆粒和包覆在核顆粒的至少一部分上的表面改性層。
3.如權(quán)利要求2所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，表面改性層在核顆粒和基體層之間。
4.如權(quán)利要求2所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，表面改性層包括包含硫羥基的聚合物、包含具有I個至10個碳原子的烷氧基的硅烷類化合物、乙酰丙酮和其混合物中的至少一種。
5.如權(quán)利要求2所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，核顆粒是金屬和金屬氧化物中的至少一種。
6.如權(quán)利要求2所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，所述屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件還包括在基體層中的第二種子顆粒。
7.如權(quán)利要求6所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二種子顆粒包括核顆粒和表面改性層，并且第二種子顆粒的表面改性層基本包覆第二種子顆粒的核顆粒的整個表面。
8.如權(quán)利要求1所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一種子顆粒的直徑在2μηι和80 μ m之間的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的屏蔽了電磁干擾的半導(dǎo)體封裝件，其中，半導(dǎo)體封裝件包括頂表面和側(cè)表面，并且電磁干擾屏蔽層在頂表面和側(cè)表面的至少一部分上。
10.一種屏蔽了電磁干擾的基板模塊，包括 基板； 半導(dǎo)體封裝件，在基板上；以及 電磁干擾屏蔽層，在基板和半導(dǎo)體封裝件的至少一部分表面上， 其中，電磁干擾屏蔽層包括 基體層； 金屬層，在基體層上；以及 第一種子顆粒，在基體層和金屬層之間的界面中。
11.如權(quán)利要求10所述的屏蔽了電磁干擾的基板模塊，其中，基板包括接地電極，并且金屬層電連接到接地電極。
12.如權(quán)利要求11所述的屏蔽了電磁干擾的基板模塊，其中，基體層被構(gòu)造成暴露接地電極的至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的至少一部分中的至少一者，并且金屬層接觸被基體層暴露的、接地電極的所述至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的所述至少一部分中的至少一者。
13.如權(quán)利要求12所述的屏蔽了電磁干擾的基板模塊，其中，基體層包括貫穿基體層的孔，接地電極的所述至少一部分和電連接到接地電極的布線圖案的所述至少一部分中的至少一者通過所述孔被暴露。
14.如權(quán)利要求12所述的屏蔽了電磁干擾的基板模塊，其中，金屬層延伸到基體層的外壁以被電連接到接地電極和電連接到接地電極的布線圖案中的至少一者。
15.如權(quán)利要求10所述的屏蔽了電磁干擾的基板模塊，其中，多個半導(dǎo)體封裝件在基板上。
16.—種電磁干擾屏蔽件,包括 基體層，包括多個種子顆粒；以及 金屬層，在基體層上，基體層和金屬層之間的界面包括所述多個種子顆粒中的至少一個。
17.如權(quán)利要求16所述的電磁干擾屏蔽件，其中，所述多個種子顆粒中的所述至少一個包括至少一個核顆粒和包覆在核顆粒的至少一部分上的至少一個表面改性層。
18.如權(quán)利要求17所述的電磁干擾屏蔽件，其中，所述至少一個表面改性層在所述至少一個核顆粒和基體層之間。
19.如權(quán)利要求17所述的電磁干擾屏蔽件，其中，所述至少一個表面改性層包括包含硫羥基的聚合物、包含具有I個至10個碳原子的烷氧基的硅烷類化合物、乙酰丙酮和其混合物中的至少一種。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種屏蔽了EMI的半導(dǎo)體封裝件、一種屏蔽了EMI的基板模塊和一種EMI屏蔽件。所述屏蔽了EMI的半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體封裝件；EMI屏蔽層，形成在半導(dǎo)體封裝件的至少一部分表面上。EMI屏蔽層包括基體層；金屬層，位于基體層上；以及第一種子顆粒，位于基體層和金屬層之間的界面中。與傳統(tǒng)的在器件級執(zhí)行的屏蔽工藝不同，可以在安裝基板級執(zhí)行屏蔽工藝，因此可以在短時間內(nèi)以低成本高生產(chǎn)率制造半導(dǎo)體封裝件和基板模塊。
文檔編號H05K9/00GK103035620SQ20121037787
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者金泰勛, 金泳龍, 金亨燮, 金吉洙 申請人:三星電子株式會社