專利名稱：導電連接構(gòu)件及多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐，特別涉及一種導電連接構(gòu)件及多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器。
背景技術(shù)：
多晶硅鑄錠爐是專為太陽能工業(yè)設(shè)計的專用設(shè)備，是多晶硅鑄錠的必需設(shè)備。多晶硅鑄錠爐的側(cè)面加熱器連接件是側(cè)面加熱器和石墨電極之間連接的一個部件，并起到傳導石墨電極的電流給側(cè)面加熱器的作用。該連接件也是石墨材料制成，其本身也存在電阻。 多晶硅鑄錠爐是低壓高流加熱，該連接件會分配不少電壓，高的電流作用在該連接件上，會造成功率的浪費，以致側(cè)面加熱器功率減少、費能，導致熔硅的時間增長，生產(chǎn)率也降低。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的是提供一種導電連接構(gòu)件及多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器，旨在降低多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器的導電連接構(gòu)件的電阻，減小導電連接構(gòu)件的功耗，提高了多晶硅鑄錠爐的效率。本實用新型提出一種導電連接構(gòu)件，所述導電連接構(gòu)件的兩端分別與多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器、石墨電極連接，用于傳導電流，所述導電連接構(gòu)件的水平截面的寬度為 26-30mmo優(yōu)選地，所述導電連接構(gòu)件水平截面的長度為93_96mm。優(yōu)選地，所述導電連接構(gòu)件的寬度為^mm。優(yōu)選地，所述導電連接構(gòu)件的長度為93mm。優(yōu)選地，所述導電連接構(gòu)件內(nèi)彎折處為斜角或圓角。優(yōu)選地，所述導電連接構(gòu)件與側(cè)面加熱器連接處設(shè)置為斜面。本實用新型又提出一種多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器，包括上述導電連接構(gòu)件的全部技術(shù)方案。本實用新型導電連接構(gòu)件是連接在側(cè)面加熱器與石墨電極之間，起到傳導電流作用，現(xiàn)把導電連接構(gòu)件的水平截面的寬度、長度增大了，使截面面積增大，由電阻計算公式R =P ·Ιν%可知增大橫截面積S，可以減小導電連接構(gòu)件的電阻，從而降低導電連接構(gòu)件的功耗，從而提高了多晶硅鑄錠爐的效率。

圖1為現(xiàn)有的導電連接構(gòu)件的實施例示意圖；圖2為本實用新型導電連接構(gòu)件的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖2中導電連接構(gòu)件的左視圖；圖4為圖2中導電連接構(gòu)件的俯視圖；圖5為本實用新型導電連接構(gòu)件一使用狀態(tài)實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。[0017]本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
具體實施方式
應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖1，為現(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器的導電連接構(gòu)件10，導電連接構(gòu)件 10的兩端分別與多晶硅鑄錠爐的側(cè)面加熱器、石墨電極連接，石墨電極與電源連接，導電連接構(gòu)件10主要起到傳導電流給側(cè)面加熱器的作用，但是現(xiàn)有的導電連接構(gòu)件10的水平截面的面積相對較小，水平截面的寬度H—般為25-25. 5mm，長度為92mm，長度、寬度H都相對比較小，從而導致截面的面積相對較小，由電阻的計算公式R= P -IVSO 為電阻，P為常量，L為高度，S為截面面積)，可知截面面積S大小與電阻的大小成反比。參照圖2、圖3、圖4、圖5，提出本實用新型的一種導電連接構(gòu)件100的一實施例， 導電連接構(gòu)件100的兩端分別與多晶硅鑄錠爐的側(cè)面加熱器300、石墨電極200連接，石墨電極200與電源連接，導電連接構(gòu)件100同樣是起到傳導電流給側(cè)面加熱器300的作用，該導電連接構(gòu)件100的水平截面的寬度、長度增大，面積相對現(xiàn)有的就增大了，由電阻的計算公式可知降低導電連接構(gòu)件100的電阻。比如，將導電連接構(gòu)件100水平截面的寬度H增大，增大為沈-30讓，本實施中的導電連接構(gòu)件100的水平截面的寬度H可以為^mmJ8mm、 30mm,優(yōu)選為^mm。也可以增加水平截面的長度W，增大為93_96mm，本實施中的導電連接構(gòu)件100的水平截面的長度W可以為93mm、95mm、96mm，優(yōu)選為93mm。相比現(xiàn)有的導電連接構(gòu)件的水平截面的面積增大了，由電阻的計算公式R= P L/S，可知導電連接構(gòu)件100的電阻R減小了。本實用新型導電連接構(gòu)件100的電阻減小，落在導電連接構(gòu)件100上的電壓也同時減小，從而降低導電連接構(gòu)件100的功耗，在總功率不變的情況下，就提高了多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器300的效率，更有助于提高硅料融化時間，控制長晶。本實用新型的導電連接構(gòu)件100的另一實施例，導電連接構(gòu)件100是采用石墨材料制成的，由石墨經(jīng)加工而成。如圖1所示，現(xiàn)有的導電連接構(gòu)件10的彎折處內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于增強折角處連接硬度的直角階梯20，加工起來不方便。如圖2所示，本實施例的導電連接構(gòu)件100彎折處的內(nèi)側(cè)設(shè)置有增強剛性的結(jié)構(gòu)，增強剛性結(jié)構(gòu)設(shè)置為斜角或圓角結(jié)構(gòu)， 便于生產(chǎn)加工，本實施例導電連接構(gòu)件100的折角內(nèi)側(cè)設(shè)置的圓角102結(jié)構(gòu)且半徑為20mm。 導電連接構(gòu)件與側(cè)面加熱器連接處設(shè)置為斜面101結(jié)構(gòu)，為便于生產(chǎn)加工。本實用新型又提出一種多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器，包括了上述的導電連接構(gòu)件的全部技術(shù)方案，所達到的技術(shù)效果也相同，在此不再贅述。以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍， 凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種導電連接構(gòu)件，所述導電連接構(gòu)件的兩端分別與多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器、石墨電極連接，用于傳導電流，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件的水平截面的寬度為26-30mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電連接構(gòu)件，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件水平截面的長度為93-96mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電連接構(gòu)件，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件的寬度為 26mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電連接構(gòu)件，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件的長度為 93mm0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電連接構(gòu)件，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件內(nèi)彎折處為斜角或圓角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的導電連接構(gòu)件，其特征在于，所述導電連接構(gòu)件與側(cè)面加熱器連接處設(shè)置為斜面。
7.一種多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至6中任一項所述的導電連接構(gòu)件。
專利摘要本實用新型公開一種導電連接構(gòu)件，所述導電連接構(gòu)件的兩端分別與多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器、石墨電極連接，用于傳導電流，所述導電連接構(gòu)件的水平截面的寬度為26-30mm。本實用新型又公開一種多晶硅鑄錠爐側(cè)面加熱器。本實用新型導電連接構(gòu)件的水平截面的面積與現(xiàn)有的相比增大了，由電阻計算公式R＝ρ·L/S，可知增大橫截面積S，可以減小導電連接構(gòu)件的電阻，從而降低導電連接構(gòu)件的功耗，從而提高了多晶硅鑄錠爐的效率。
文檔編號C30B35/00GK202090104SQ201120150828
公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者龍禮妹 申請人:石金精密科技(深圳)有限公司