專利名稱:一種電路板組件及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電路板組件及電子裝置。
背景技術(shù):
隨著電子設(shè)備向高速化、微型化、輕薄化、系統(tǒng)集成化及功能強大化方向飛速發(fā)展,電子元件之間距離隨之縮小,而信號傳輸?shù)乃俣葎t相對提高,推動印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)向高速高密度PCB發(fā)展。而現(xiàn)有PCB設(shè)計如圖1及圖2所示,當(dāng)一個雙引腳的電子元件6焊接在PCBl上時, 與電子元件6的一個引腳焊接的元件焊盤2,通常需要通過走線3,與PCBl上設(shè)置的一個連接孔4位于該PCBl表層的孔盤5連接,并且,一個元件焊盤2只與一個連接孔4電連接,目前,采用這種設(shè)計方式的PCB,難以滿足電路板高密度布局的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的主要目的在于,提供一種滿足PCB高密度布局要求的電子組件及電子裝置。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案如下一種電路板組件,包括電路板,及設(shè)置于所述電路板的第一表面的元件焊盤,所述元件焊盤用于焊接電子元件;所述第一表面開設(shè)有連接孔,所述連接孔用于電連接所述第一表面與所述電路板的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與電路板內(nèi)部,所述連接孔的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤與所述連接孔端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。一種電子裝置,包括電路板,及設(shè)置于所述電路板的第一表面的元件焊盤和電子元件,所述電子元件焊接在所述元件焊盤上;所述第一表面開設(shè)有連接孔,所述連接孔用于電連接所述第一表面與所述電路板的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與電路板內(nèi)部,所述連接孔的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤與所述連接孔端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。采用本發(fā)明的技術(shù)方案,可以實現(xiàn)高密度的PCB布局,進一步地,采用本發(fā)明技術(shù)方案的電子裝置,還可以電子裝置增強對信號的去耦或濾波性能,從而提高了信號質(zhì)量。
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有的PCB中電子元件通過一對元件焊盤與兩個連接孔的電連接示意圖;圖2為現(xiàn)有PCB表面的一對元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層電連接的設(shè)計示意圖;圖3為本發(fā)明實施例一提供的一種電路板組件的中位于電路板第一表面的元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層一體化設(shè)計的示意圖;圖4為本發(fā)明實施例一提供的一種電路板組件中沿著圖3中AA'截斷后的截面圖;圖5為本發(fā)明實施例一提供的一種電路板組件中沿著圖3中BB'截斷后的截面圖;圖6為本發(fā)明實施例一提供的一種電路板組件中的連接孔采用塞孔設(shè)計的示意圖;圖7為本發(fā)明實施例二提供的一種電子裝置的AA'截面示意圖;圖8為本發(fā)明實施例二提供的一種電子裝置的BB'截面示意圖;圖9為本發(fā)明實施例二提供的一種電子裝置位于電路板第一表面的一個元件焊盤與至少兩個連接孔端口的導(dǎo)體層電連接的示意圖;圖10為本發(fā)明實施例二提供的一種電子裝置中信號通過導(dǎo)電回路傳輸時在圖9 中AA'截面上的流向示意圖;圖11為本發(fā)明實施例二提供的一種電子裝置中信號通過導(dǎo)電回路傳輸時在途9 中BB'截面上的流向示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例一如圖3至圖5所示,本發(fā)明實施例一提供了一種電路板組件,包括電路板21,及設(shè)置于所述電路板21的第一表面的元件焊盤22,所述元件焊盤22用于焊接電子元件;所述第一表面開設(shè)有連接孔23,所述連接孔23用于電連接所述第一表面與所述電路板21的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與所述電路板21內(nèi)部,所述連接孔23 的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤22與所述連接孔23端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。本實施例的電路板組件中,通過使位于電路板第一表面的元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層接觸并電連接,即對元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層進行一體化設(shè)計,相比現(xiàn)有技術(shù)中,元件焊盤需要通過覆銅走線電連接連接孔端口的導(dǎo)體層而言,縮短了元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層之間的距離,進而節(jié)省了布局空間,具體而言,本實施例的電路板組件中,由于元件焊盤與連接孔端口的導(dǎo)體層的一體化設(shè)計,使得相鄰的連接孔之間的間隔距離得以縮小,拉近了相鄰的連接孔之間的距離(參見圖2及圖3),有利于實現(xiàn)高密度的PCB 布局。進一步地,本實施例中,如圖6所示,所述連接孔23中塞有塞孔材料M,所述連接孔23采用塞孔設(shè)計,可以避免錫珠或者其他腐蝕性雜質(zhì)等進入所述連接孔23內(nèi),并保證焊接時錫膏不會通過所述連接孔23流失。
更進一步地,為了保證塞孔的均勻性和飽滿性,并滿足環(huán)保要求,所述塞孔材料M 可以為無鉛樹脂材料。實施例二基于實施例一的電路板組件,如圖7至圖8所示,本發(fā)明實施例二提供了一種電子裝置,所述電子裝置包括電路板21,及設(shè)置于所述電路板21的第一表面的元件焊盤22和電子元件25,所述電子元件25焊接在所述元件焊盤22上;所述第一表面開設(shè)有連接孔23,所述連接孔23用于電連接所述第一表面與所述電路板21的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與所述電路板21內(nèi)部,所述連接孔23 的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤22與所述連接孔23位于所述第一表面的導(dǎo)體直接接觸,并電連接。本實施例的電子裝置中,通過連接孔端口的導(dǎo)體層與元件焊盤之間的一體化設(shè)計,縮短了連接孔端口的導(dǎo)體層與元件焊盤的距離,從而節(jié)省了布局空間,有利于實現(xiàn)高密度的PCB布局,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道,本實施例可以應(yīng)用于球柵陣列結(jié)構(gòu)(Ball Grid Array,BGA)電路板中,與BGA芯片所在側(cè)對應(yīng)的另外一側(cè)的BGA區(qū)域,以實現(xiàn)高密布局,還可以應(yīng)用在其它電路板的非BGA區(qū)域以實現(xiàn)高密度布局。需要說明的是,所述電子元件25可以為電容,或電阻,或電感等元件。本實施例中,如圖9所示,所述元件焊盤22還可以接觸并電連接至少兩個以上的所述連接孔23端口的導(dǎo)體層,以使分別通過至少兩個以上的所述連接孔23傳輸?shù)男盘枺梢詡鬏數(shù)脚c所述元件焊盤22焊接的所述電子元件25中,并利用所述電子元件25對至少兩個以上的所述連接孔23傳輸?shù)男盘栠M行處理,相比現(xiàn)有技術(shù)中一個連接孔傳輸?shù)男盘栃枰梢粋€電子元件處理而言,本實施例可以減少電子元件數(shù)量,進一步提高PCB的布局密度,本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道,圖9所示的所述元件焊盤22與兩個所述連接孔23端口的導(dǎo)體層連接僅為本實施例的一個具體例子,不用于限制本實施例,所述元件焊盤22還可以與兩個以上的所述連接孔23端口的導(dǎo)體層進行一體化設(shè)計。本實施例中,進一步地,當(dāng)所述電子元件25為電容時,所述電容的兩個引腳分別與兩個所述元件焊盤22焊接,其中一個元件焊盤電連接有至少兩個所述連接孔23,另一個元件焊盤電連接有至少一個所述連接孔23,以使所述電容與兩個所述元件焊盤22分別電連接的所述連接孔23構(gòu)成導(dǎo)電回路,所述電容可以用于對流經(jīng)所述導(dǎo)電回路的信號去耦或濾波,在高頻高速的電子產(chǎn)品傳輸電壓或電流信號時,由于在電壓或電流信號突變的地方會產(chǎn)生干擾,為了提高信號質(zhì)量,需要采用電容等元件抑制這種突變,而在實際應(yīng)用中, 實際電容遠比理想電容復(fù)雜,考慮到寄生電感和電阻的影響,實際電容一般可以簡化為由等效串聯(lián)電感(ESL)、等效串聯(lián)電阻(ESR)、和電容(C)串聯(lián)構(gòu)成的等效模型,其等效阻抗為I Z I= ^ESR2 + {aESL-HωΟ)2),據(jù)此可以得到諧振角頻率(ω0)ω0 =1/λ/£Κ,當(dāng)角頻率(ω)小于ω。時,實際電容表現(xiàn)為電容特性,而隨著角
頻率增加,當(dāng)ω大于時,實際電容就逐漸表現(xiàn)為電感特性,因此,使用實際電容去耦或濾波時,需要提高諧振角頻率以使實際電容表現(xiàn)為電容特性,從而提高信號質(zhì)量,具體的例子如圖10及圖11所示,通過芯片焊球27,將一個芯片沈的管腳焊接在,設(shè)置于電路板21另一表面的,芯片焊盤觀上,該芯片26的一個電源管腳輸出的信號,經(jīng)一個芯片焊盤觀以及與該芯片焊盤觀電連接的至少兩個連接孔23組成的傳輸通道,輸入到與該電路板21第一表面的一個元件焊盤22焊接的電容25中,然后經(jīng)該電容25去耦或濾波后,最終通過另外的連接孔23組成的傳輸通道回流到該芯片沈的一個地管腳中,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以知道,由于采用至少兩個連接孔23傳輸信號,使信號的傳輸通道得以增加,并且,通過連接孔位于第一平面的導(dǎo)體與元件焊盤的一體化設(shè)計,縮短了信號傳輸?shù)木嚯x,從而減小了電路板對電源信號濾波時實際電容的等效串聯(lián)電感,從而提高了諧振角頻率,使得流經(jīng)電容 25的信號質(zhì)量得以提高。進一步地,所述連接孔23中塞有塞孔材料,采用塞孔設(shè)計,可以避免錫珠或者其他腐蝕性雜質(zhì)等進入所述連接孔內(nèi),并保證焊接時錫膏不會通過所述連接孔流失(參見圖 6)。更進一步地,為了保證塞孔的均勻性和飽滿性并滿足環(huán)保要求,所述塞孔材料可以為無鉛樹脂材料。本實施例中,所述元件焊盤電連接至少兩個所述連接孔位于所述第一表面的導(dǎo)體,以使分別通過至少兩個以上的所述連接孔傳輸?shù)男盘?,可以傳輸?shù)脚c所述元件焊盤焊接的一個電子元件中,并利用該電子元件對至少兩個以上的所述連接孔傳輸?shù)男盘栠M行處理,從而可以減少電子元件數(shù)量,進一步提高PCB布局密度。可以理解的是,上述實施例一及實施例二中的相關(guān)特征可以相互參考。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅為本發(fā)明的普通實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電路板組件,其特征在于,包括電路板,及設(shè)置于所述電路板的第一表面的元件焊盤,所述元件焊盤用于焊接電子元件;所述第一表面開設(shè)有連接孔,所述連接孔用于電連接所述第一表面與所述電路板的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與電路板內(nèi)部,所述連接孔的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤與所述連接孔端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板組件,其特征在于,所述連接孔中塞有塞孔材料。
3.如權(quán)利要求2所述的電路板組件,其特征在于,所述塞孔材料為無鉛樹脂材料。
4.一種電子裝置,其特征在于,包括電路板,及設(shè)置于所述電路板的第一表面的元件焊盤和電子元件,所述電子元件焊接在所述元件焊盤上;所述第一表面開設(shè)有連接孔,所述連接孔用于電連接所述第一表面與所述電路板的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與電路板內(nèi)部,所述連接孔的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤與所述連接孔端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置,其特征在于,所述電子元件為電容,或電阻,或電感。
6.如權(quán)利要求4所述的電子裝置,其特征在于,所述元件焊盤接觸并電連接至少兩個以上的所述連接孔端口的導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求4所述的電子裝置,其特征在于,所述電子元件為電容,所述電容的兩個弓丨腳分別與兩個所述元件焊盤焊接,其中一個元件焊盤電連接有至少兩個所述連接孔,另一個元件焊盤電連接有至少一個所述連接孔,以使所述電容與兩個所述元件焊盤分別電連接的所述連接孔構(gòu)成導(dǎo)電回路,所述電容用于對流經(jīng)所述導(dǎo)電回路的信號去耦或濾波。
8.如權(quán)利要求4至7任一所述的電子裝置,其特征在于,所述連接孔中塞有塞孔材料。
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置,其特征在于,所述塞孔材料為無鉛樹脂材料。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開一種電路板組件,包括電路板,及設(shè)置于所述電路板的第一表面的元件焊盤,所述元件焊盤用于焊接電子元件;所述第一表面開設(shè)有連接孔,所述連接孔用于電連接所述第一表面與所述電路板的另一表面,或者用于電連接所述第一表面與電路板內(nèi)部,所述連接孔的孔壁覆蓋有導(dǎo)體層,所述元件焊盤與所述連接孔端口的導(dǎo)體層接觸,并電連接。本發(fā)明還公開了一種電子裝置,采用本發(fā)明的技術(shù)方案,可以實現(xiàn)高密度的PCB布局,進一步地,采用本發(fā)明技術(shù)方案的電子裝置,還可以增強電子裝置對信號的去耦或濾波性能,提高了信號質(zhì)量。
文檔編號H05K1/11GK102523682SQ20111040902
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者郭健強 申請人:華為技術(shù)有限公司