專利名稱:一種印刷電路板的減薄銅層方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種印刷電路板的制造方法,尤其涉及一種印刷電路板的減薄銅層方法。
背景技術(shù):
如圖1和圖2所示,目前的印刷電路板01(簡(jiǎn)稱PCB)通常是采用兩面都覆蓋有銅層02的覆銅板,印刷電路板01上設(shè)有多個(gè)導(dǎo)通孔03,導(dǎo)通孔03的內(nèi)壁電鍍有銅層04,以連通印刷電路板01兩面上的銅層02。在上述印刷電路板01的制造過(guò)程中,經(jīng)常需要減薄銅層02,以降低線路制作的難度,提高線路圖形的精細(xì)度。目前,主要采用磨板的方式來(lái)減薄銅層02。如圖3所示,利用安裝在壓力機(jī)上的磨刷05 (或砂帶)對(duì)印刷電路板01表面上的銅層02進(jìn)行研磨,使得印刷電路板01表面上的銅層021變薄,形成較薄的銅層,以達(dá)到技術(shù)要求。上述通過(guò)磨板方式來(lái)減薄銅層的工藝,其加工設(shè)備簡(jiǎn)單,成本較低。但是,上述通過(guò)磨板方式來(lái)減薄銅層02的工藝,其加工效率較低,每次研磨僅能除去1 3微米厚的銅層,通常每個(gè)印刷電路板01需研磨2 3次;另外,如圖4所示,最重要的是導(dǎo)通孔03拐角處的銅層02容易被磨薄,甚至導(dǎo)通孔03的孔口處銅層02被磨穿。由于導(dǎo)通孔03拐角處的銅層02被磨薄,該處的銅層02在焊接過(guò)程中容易斷裂,致使導(dǎo)通孔03無(wú)法導(dǎo)通;此外, 述通過(guò)磨板方式來(lái)減薄銅層02的工藝存在局限性,無(wú)法應(yīng)用于厚度小于0. 4mm的印刷電路板,因?yàn)樵谀グ暹^(guò)程中,此類較薄的印刷電路板01受摩擦力的牽引,其尺寸會(huì)嚴(yán)重變形。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種印刷電路板的減薄銅層方法,這種印刷電路板的減薄銅層方法適用于各種厚度的印刷電路板,能夠?qū)⒂∷㈦娐钒灞砻嫔系你~層一次性減薄到所要求的厚度,并且避免導(dǎo)通孔處銅層的損傷。采用的技術(shù)方案如下一種印刷電路板的減薄銅層方法,其特征在于包括如下步驟步驟一、在印刷電路板的兩面上各覆蓋一層干膜;步驟二、采用圖形轉(zhuǎn)移工藝,在導(dǎo)通孔的相應(yīng)位置形成導(dǎo)通孔遮掩膜,并除去其它區(qū)域的干膜;步驟三、采用蝕刻藥水對(duì)導(dǎo)通孔遮掩膜所覆蓋區(qū)域之外的銅層進(jìn)行蝕刻,通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,將銅層減薄到所要求的厚度;步驟四、去掉導(dǎo)通孔遮掩膜;步驟五、對(duì)印刷電路板進(jìn)行水洗、烘干。上述導(dǎo)通孔遮掩膜應(yīng)能完全覆蓋導(dǎo)通孔,即是導(dǎo)通孔遮掩膜的尺寸需大于導(dǎo)通孔的尺寸。蝕刻藥水與銅層進(jìn)行反應(yīng),使得銅層被減薄,通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,一次性將銅層減薄到所要求的厚度;而由干膜形成的導(dǎo)通孔遮掩膜對(duì)導(dǎo)通孔進(jìn)行遮掩,阻止蝕刻藥水進(jìn)入導(dǎo)通孔內(nèi)部,蝕刻藥水無(wú)法與導(dǎo)通孔的孔口拐角及內(nèi)壁的銅層發(fā)生反應(yīng),從而使得導(dǎo)通孔的孔口拐角處的銅層保持原來(lái)的厚度,避免導(dǎo)通孔處銅層的損傷;由于不存在摩擦力的牽引,不會(huì)造成較薄的印刷電路變形,因此這種減薄銅層的方法能夠適用于各種厚度的印刷電路板。為了能夠準(zhǔn)確將銅層減薄到所要求的厚度,作為本發(fā)明的優(yōu)選方案,其特征在于 所述步驟三中,除控制蝕刻時(shí)間外,還配合控制蝕刻壓力、蝕刻藥水溫度和蝕刻藥水濃度, 對(duì)蝕刻過(guò)程進(jìn)行控制,使蝕刻后銅層表面的平整度控制在+/-Ι.Ομπι以內(nèi)。為了使得平整度更高,優(yōu)選將蝕刻壓力控制在5-20psi(磅/平方英寸)的范圍內(nèi);將蝕刻藥水溫度控制在20-35°C的范圍內(nèi);將蝕刻藥水濃度控制在10-20g/L的范圍內(nèi)。為了達(dá)到工藝簡(jiǎn)單的目的,作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案,其特征在于步驟二中,所述圖形轉(zhuǎn)移工藝包括對(duì)干膜進(jìn)行曝光、顯影和激光蝕刻。為了達(dá)到銅層減薄效果更好的目的,作為本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案,其特征在于 所述步驟三中,蝕刻藥水通過(guò)噴淋的方式噴灑到銅層的表面。通過(guò)噴淋的方式將蝕刻藥水噴灑到銅層表面,能夠在銅層上積存蝕刻藥水的積存量更少的情況下,對(duì)銅層進(jìn)行均勻減薄,進(jìn)一步避免蝕刻藥水腐蝕導(dǎo)通孔遮掩膜所覆蓋區(qū)域的銅層,減薄效果更好。在其它具體方案中,還可以將印刷電路板浸泡到蝕刻藥水中,對(duì)銅層進(jìn)行減薄。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)這種減薄銅層的方法適用于各種厚度的印刷電路板,能夠一次性將印刷電路板表面上的銅層減薄到所要求的厚度,并且避免導(dǎo)通孔處銅層的損傷。
圖1是現(xiàn)有一種雙面覆蓋銅層并且?guī)в袑?dǎo)通孔的印刷電路板的正視圖;圖2是圖1沿A-A的剖視圖;圖3是現(xiàn)有技術(shù)中采用磨板方式來(lái)減薄銅層的工藝示意圖;圖4是現(xiàn)有技術(shù)中采用磨板方式來(lái)減薄銅層后,導(dǎo)通孔拐角受損的示意圖;圖5是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式中,在印刷電路板表面覆蓋干膜的示意圖;圖6是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式中,在導(dǎo)通孔的相應(yīng)位置形成導(dǎo)通孔遮掩膜的示意圖;圖7是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式中,在銅層表面噴淋蝕刻藥水,進(jìn)行減薄銅層的示意圖;圖8是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式中,減薄銅層后,未去掉導(dǎo)通孔遮掩膜的示意圖;圖9是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式中,減薄銅層后,并且去掉導(dǎo)通孔遮掩膜后的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步的說(shuō)明。這種印刷電路板的減薄銅層方法,包括如下步驟步驟一、如圖5所示,在印刷電路板1兩面的銅層2的表面上各覆蓋一層干膜3 ;步驟二、如圖6所示,對(duì)干膜3進(jìn)行曝光、顯影和激光蝕刻,在導(dǎo)通孔4的相應(yīng)位置形成導(dǎo)通孔遮掩膜5,并除去其它區(qū)域的干膜3 ;
步驟三、如圖7和圖8所示,在銅層2的表面噴灑蝕刻藥水,對(duì)導(dǎo)通孔遮掩膜5所覆蓋區(qū)域之外的銅層進(jìn)行蝕刻,通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,以及將蝕刻壓力控制在20psi,將蝕刻藥水溫度控制在35°C,將蝕刻藥水濃度控制在20g/L,使蝕刻后銅層2表面的平整度控制在 +/-1. Oym 以內(nèi);步驟四、如圖9所示,去掉導(dǎo)通孔遮掩膜;步驟五、對(duì)印刷電路板1進(jìn)行水洗、烘干。蝕刻藥水與銅層2進(jìn)行反應(yīng),使得銅層2被減薄,通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,將銅層2 — 次性減薄到所要求的厚度;而由干膜3形成的導(dǎo)通孔遮掩膜5對(duì)導(dǎo)通孔4進(jìn)行遮掩,阻止蝕刻藥水進(jìn)入導(dǎo)通孔4內(nèi)部,蝕刻藥水無(wú)法與導(dǎo)通孔4的孔口拐角的銅層2及內(nèi)壁的銅層 6發(fā)生反應(yīng),從而使得導(dǎo)通孔4的孔口拐角處的銅層2保持原來(lái)的厚度,避免導(dǎo)通孔4處銅層2的損傷;由于不存在摩擦力的牽引,不會(huì)造成較薄的印刷電路變形,因此這種減薄銅層的方法能夠適用于各種厚度的印刷電路板1。在其它實(shí)施方式中,蝕刻壓力控制在5psi,將蝕刻藥水溫度控制在20°C的范圍內(nèi);將蝕刻藥水濃度控制在10g/L的范圍內(nèi)。在其它實(shí)施方式中,蝕刻壓力控制在15psi,將蝕刻藥水溫度控制在18°C的范圍內(nèi);將蝕刻藥水濃度控制在15g/L的范圍內(nèi)。在其它實(shí)施方式中,還可以將印刷電路板浸泡到蝕刻藥水中,對(duì)銅層進(jìn)行減薄。
權(quán)利要求
1.一種印刷電路板的減薄銅層方法,其特征在于包括如下步驟步驟一、在印刷電路板的兩面上各覆蓋一層干膜;步驟二、采用圖形轉(zhuǎn)移工藝,在導(dǎo)通孔的相應(yīng)位置形成導(dǎo)通孔遮掩膜,并除去其它區(qū)域的干膜;步驟三、采用蝕刻藥水對(duì)導(dǎo)通孔遮掩膜所覆蓋區(qū)域之外的銅層進(jìn)行蝕刻,通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,將銅層減薄到所要求的厚度;步驟四、去掉導(dǎo)通孔遮掩膜;步驟五、對(duì)印刷電路板進(jìn)行水洗、烘干。
2.如權(quán)利要求1所述的減薄銅層方法,其特征在于所述步驟三中,除控制蝕刻時(shí)間外,還配合控制蝕刻壓力、蝕刻藥水溫度和蝕刻藥水濃度,對(duì)蝕刻過(guò)程進(jìn)行控制,使蝕刻后銅層表面的平整度控制在+/-1. 0 μ m以內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的減薄銅層方法,其特征在于蝕刻壓力控制在5-20psi的范圍內(nèi);將蝕刻藥水溫度控制在20-35° C的范圍內(nèi);將蝕刻藥水濃度控制在10-20g/L的范圍內(nèi)。
4.形轉(zhuǎn)移工藝包括對(duì)干膜進(jìn)行曝光、顯影和激光蝕刻。
5.如權(quán)利要求1或2或3所述的減薄銅層方法,其特征在于所述步驟三中,蝕刻藥水通過(guò)噴淋的方式噴灑到銅層的表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種印刷電路板的減薄銅層方法,包括在印刷電路板的兩面覆蓋干膜,并形成覆蓋住導(dǎo)通孔的導(dǎo)通孔遮掩膜,然后采用蝕刻藥水與導(dǎo)通孔遮掩膜所掩蓋區(qū)域之外的銅層進(jìn)行反應(yīng),減薄銅層,最后再進(jìn)行除膜、水洗和烘干。通過(guò)控制蝕刻時(shí)間,能夠一次性將銅層減薄到所要求的厚度;由干膜形成的導(dǎo)通孔遮掩膜對(duì)導(dǎo)通孔進(jìn)行遮掩,阻止蝕刻藥水進(jìn)入導(dǎo)通孔內(nèi)部,蝕刻藥水無(wú)法與導(dǎo)通孔的孔口拐角及內(nèi)壁的銅層發(fā)生反應(yīng),從而使得導(dǎo)通孔的孔口拐角處的銅層保持原來(lái)的厚度,避免導(dǎo)通孔處銅層的損傷;由于不存在摩擦力的牽引,不會(huì)造成較薄的印刷電路變形,因此這種減薄銅層的方法能夠適用于各種厚度的印刷電路板。
文檔編號(hào)H05K3/06GK102427670SQ201110351090
公開(kāi)日2012年4月25日 申請(qǐng)日期2011年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者何潤(rùn)宏, 時(shí)煥英, 林旭榮, 陳漢真 申請(qǐng)人:汕頭超聲印制板(二廠)有限公司, 汕頭超聲印制板公司