專利名稱：用于保持硅熔體的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于保持硅熔體的裝置。
背景技術(shù)：
通常，在熔煉冶金領(lǐng)域內(nèi)，模具只能使用一次。不過，存在對能夠使用多次的坩堝的需求，尤其是為了降低成本。已證明大容積坩堝特別容易開裂，該開裂由在熔煉硅時的不均勻熱膨脹所致。由于液態(tài)硅具有很低的粘度，所以有必要以可靠的方式避免開口裂紋的形成，以防止損傷爐襯。從JP3279289A,JP 58009895A.JP 58095693A.JP 58190892A和JP 60137893A獲知用于直接或間接保持半導(dǎo)體材料的熔體的容器。
因此，本發(fā)明基于形成用于以改善的抗熱應(yīng)力性保持硅熔體的裝置的問題。借助權(quán)利要求I的特征結(jié)構(gòu)來解決此問題。本發(fā)明的核心在于以下事實在坩堝壁中設(shè)置均衡裝置用于均衡機(jī)械熱應(yīng)力。這樣，抗熱應(yīng)力性顯著提高。優(yōu)選地，均衡裝置布置在坩堝的側(cè)壁中。在該區(qū)域內(nèi)溫度梯度最高。因此，用于防止形成裂縫的措施尤為重要。在最簡單的情形中，均衡裝置的形式為切口，尤其是長形槽。這使得可采用特別簡單的方式來補償不均勻的熱膨脹。在本發(fā)明中，用語“大致水平”應(yīng)該理解為包括槽一所述槽基本上是水平的，但其精確定向會因形成槽的方法而異。所述槽能夠通過手鋸形成，由不同的合適機(jī)具、不同類型的角磨機(jī)或類似工具鋸成。此外，所述槽也能夠在坩堝制造期間形成?；诮o定的目的，槽具有在O. Imm至IOOmm的范圍內(nèi)的寬度即可。優(yōu)選地，寬度為數(shù)毫米的數(shù)量級。為了防止坩堝在槽端部開裂，該槽優(yōu)選地具有被圓整的端部，該被圓整的端部優(yōu)選地比槽的寬度略寬。有利地，該槽布置在側(cè)壁的最遠(yuǎn)離坩堝基部的半部中。這樣，該槽能夠優(yōu)選地設(shè)計為使得在硅于坩堝中熔化期間其最低點始終高于熔體。這種情況下，不需要額外特殊的預(yù)防措施來防止熔體通過該槽流出。通過在最遠(yuǎn)離基部的一端開口的槽，以特別有效的方式避免了側(cè)壁中的任何應(yīng)力。給該槽充填填充材料，尤其是粉末填料，以特別簡單和有效的方式防止了熔體通過槽流出。通過具體地選擇具有特定導(dǎo)熱系數(shù)的材料，能夠使坩堝的熱機(jī)械特性適應(yīng)對應(yīng)的要求。一連串的試驗表明，多次使用的坩堝能夠生產(chǎn)成具有高達(dá)90X90cm2及以上的截面積。通過設(shè)置具有比坩堝的基材低的導(dǎo)熱系數(shù)的邊條，能夠減小坩堝中的溫度梯度。
側(cè)壁相對于坩堝基部的可移位性防止了在坩堝基部之間的過渡區(qū)域內(nèi)形成裂縫。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，一種用于保持硅熔體的裝置包括坩堝，所述坩堝部分地包圍用于保持所述熔體的內(nèi)腔室，帶有由基材形成的基部和至少一個側(cè)壁，其中所述坩堝包括用于均衡機(jī)械熱應(yīng)力的至少一個均衡裝置。優(yōu)選地，所述均衡裝置布置在所述至少一個側(cè)壁中。優(yōu)選地，所述均衡裝置以帶有槽邊緣的槽的形式設(shè)計，其中所述槽邊緣尤其設(shè)計成至少部分平行或者彼此相向地延伸。優(yōu)選地，一個或多個大致水平的槽布置在所述側(cè)壁中的一個或更多中。優(yōu)選地，所述一個或多個大致水平的槽呈圈狀地延伸穿過所有側(cè)壁。
優(yōu)選地，所述一個或多個大致水平的槽不呈圈狀地延伸，而是部分地在一個或多個側(cè)壁中延伸。優(yōu)選地，兩個或多個水平槽基本不水平重疊地布置。優(yōu)選地，所述槽在一端包括形式為圓(rounding，倒圓)的防開裂裝置，其中所述圓優(yōu)選地具有曲率半徑，所述曲率半徑至少與所述槽的寬度一樣大，尤其是所述寬度的I. 5倍，優(yōu)選地是所述槽的寬度的至少兩倍。優(yōu)選地，所述至少一個槽布置在所述側(cè)壁的最遠(yuǎn)離所述基部的半部中。優(yōu)選地，所述至少一個槽在其最遠(yuǎn)離所述基部的一端開口。優(yōu)選地，所述均衡裝置至少部分被充填有填充材料，其中所述填充材料是緊密填塞/壓實的粉末，尤其是元素硅、氮和/或氧的結(jié)合。優(yōu)選地，用于減小所述溫度梯度的所述側(cè)壁包括至少一個不均勻?qū)釁^(qū)域。優(yōu)選地，所述內(nèi)腔室尤其具有至少400cm2且優(yōu)選地8，IOOcm2至12，IOOcm2的平方截面積(quadratic cross sectional area)。優(yōu)選地，在所述側(cè)壁的與所述基部相對的一個自由端的區(qū)域內(nèi)，設(shè)有至少一個覆蓋條，其中所述覆蓋條優(yōu)選地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(λ J的材料制成，所述導(dǎo)熱系數(shù)(λ J至少與所述基材的導(dǎo)熱系數(shù)(λ S) 一樣高，λ L λ S，尤其是λ L < O. 9Χ入s。優(yōu)選地，所述覆蓋條覆蓋所述側(cè)壁的所述自由端至少50%，尤其是至少80%，優(yōu)選
地完全覆蓋。優(yōu)選地，側(cè)壁至少部分設(shè)計成可相對于基部移位，尤其是可從基部移除。優(yōu)選地,基部具有側(cè)向邊緣，該側(cè)向邊緣從周邊包圍側(cè)壁。優(yōu)選地，基部的邊緣與側(cè)壁之間形成了自由空間，該自由空間被充填有用于密封坩堝的填充材料。優(yōu)選地，基部至少部分地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(λΒ)的第一材料制成且側(cè)壁至少部分地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(Xs)的第二材料制成，其中λΒ不同于Xs，尤其是λΒ>λρ


本發(fā)明的更多優(yōu)點和細(xì)節(jié)可從參照附圖對若干示范性實施例的描述而取得。圖I示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的坩堝的示意圖，圖2示出了圖I的區(qū)域II的部分的放大，
圖3示出了圖I的區(qū)域III的部分的放大，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的坩堝的示意圖，圖5示出了根據(jù)圖4的坩堝的側(cè)壁的截面圖，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的根據(jù)圖5的視圖，圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的坩堝的截面圖，圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的又一示范性實施例的坩堝的局部截面圖，圖9示出了本發(fā)明的又一實施例的根據(jù)圖8的視圖，圖10示出了本發(fā)明的又一實施例的根據(jù)圖9的視圖，圖11示出了根據(jù)圖10的實施例的示意圖，圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的坩堝的視圖，以及圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施例的視圖。
具體實施方式
下文將參照圖I至3描述本發(fā)明的一個示范性實施例。根據(jù)本發(fā)明的用于保持硅熔體的裝置包括坩堝1，該坩堝I包圍用于在底部和邊緣周圍保持熔體的內(nèi)腔室2。坩堝I包括基部3和四個側(cè)壁4。側(cè)壁4平行于縱向14布置。它們也可以傾斜于縱向14布置以便更容易從坩堝I移除硬化的熔體9。內(nèi)腔室2具有矩形設(shè)計。因此，內(nèi)腔室2具有矩形、優(yōu)選地平方截面積Q。內(nèi)腔室2的截面Q的側(cè)面長度為至少20cm且優(yōu)選地為90cm至110cm。因此,截面積Q為至少400cm2且優(yōu)選地為8，IOOcm2至12，100cm2。原則上，具有可選的、尤其是圓形截面的坩堝I也是可能的。內(nèi)腔室2由坩堝I以相對于外側(cè)液密的方式界定?；?和側(cè)壁4由基材制成?；木哂袑?dǎo)熱系數(shù)As。優(yōu)選地，基材具有低縱向膨脹系數(shù)α Β?？v向膨脹系數(shù)α Β尤其小于20 X KT6IT1,優(yōu)選地小于5 X KT6IT1,優(yōu)選地小于3. 5X 10-6ro基材尤其可以選自氮化硅和/或碳化硅和/或不同的硅陶瓷。為了均衡可能在加熱或冷卻坩堝I時由于不均勻的熱膨脹而導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力，在側(cè)壁4中設(shè)置至少一個切口。該切口尤其設(shè)計為具有槽邊緣6的槽5。槽5形成用于均衡熱機(jī)械應(yīng)力的均衡裝置。一般而言，該均衡裝置具有與基材不同的導(dǎo)熱系數(shù)入。槽5的設(shè)計和布置可以有各種可選方案。槽5布置在側(cè)壁4中。取決于坩堝I的尺寸，可在每個側(cè)壁4上設(shè)置一個或更多槽5。也可將槽5布置在坩堝I的其中兩個側(cè)壁4彼此鄰接的側(cè)邊緣7的區(qū)域內(nèi)。槽5均具有在O. Imm至IOOmm的范圍內(nèi)、尤其小于10mm、優(yōu)選地小于5_的寬度B。槽在一端具有形式為圓8的防開裂裝置，以防止坩堝I開裂。該圓具有至少O. 05mm、尤其至少O. 1mm、尤其至少O. 25mm、尤其至少O. 75mm的曲率半徑R。優(yōu)選地，圓8的曲率半徑R至少與槽5的寬度B—樣大，尤其至少為寬度B的I. 5倍，優(yōu)選地為寬度B的至少兩倍。槽5設(shè)計為在它們最遠(yuǎn)離基部3的另一端開口。它們優(yōu)選定向成豎直的。然而，它們也可在側(cè)壁4中傾斜地或水平地延伸。根據(jù)參照本發(fā)明的圖I至3所述的示范性實施例，槽5分別布置在側(cè)壁4的最遠(yuǎn)離基部3的半部中。它們尤其布置成使得它們的最低點位于坩堝I中的熔體9的最大充填液位11_上方。槽邊緣6布置成相互平行。它們也可設(shè)計成朝內(nèi)腔室2呈圓錐形延伸或者朝內(nèi)腔室2變寬。為了制造根據(jù)本發(fā)明的坩堝1，在燒結(jié)之前在側(cè)壁中形成槽5?？蛇x擇地，槽5形成在預(yù)先燒結(jié)的坩堝I中或者在坩堝I的燒結(jié)之后形成在后者中。在下文中，參照圖4至6描述本發(fā)明的另一實施例。相同的零件被提供與參照圖I至3所述的示范性實施例中相同的標(biāo)號，在此引用其描述。在該示范性示例中，槽5在坩堝I中的熔體9的最大充填高度hmax下方延伸。如圖4所示，槽5尤其 可沿側(cè)壁4的全部高度延伸。原理上，也可在基部3中設(shè)置槽5。為了防止熔體9流出，槽5被填充材料10至少充填到最大充填液位h_。優(yōu)選地，槽5完全被填充材料10充填。優(yōu)選地，填充材料為緊密填塞/壓實的粉末，該粉末也稱為粉末填料。優(yōu)選地，該粉末填料是金屬非潤濕性材料。填充材料10以密封方式充填槽5。填充材料10尤其包括元素硅、氮和/或氧的結(jié)合。為了插入槽5，填充材料10可包括有機(jī)和/或無機(jī)添加劑，例如含乙烯基的化合物和/或醋酸鹽和/或纖維素。填充材料10也可包含高達(dá)1%的液化劑和/或高達(dá)5%的粘合劑。更多注射成型添加劑也是可能的。為了將填充材料10插入槽5內(nèi)，使用注射法，尤其是粉末注射成型法，優(yōu)選地陶瓷粉末注射成型法(CM)。然而，可選方法也是可能的。根據(jù)圖5所示的變型，槽邊緣6布置成相互平行。根據(jù)圖6所示的可選變型，槽5具有帶楔形區(qū)域的截面。下文參照圖7描述本發(fā)明的另一示范性實施例。相同的零件具有與前面的示范性實施例中相同的標(biāo)號，在此引用其描述。結(jié)構(gòu)不同但功能相似的零件被提供增加了 “a”的相同標(biāo)號。與前面的示范性實施例的差別在于，在根據(jù)圖7的示范性實施例中，側(cè)壁4相對于基部3a可移位地布置。這種情況下，側(cè)壁4仍以液密方式連接到基部3。側(cè)壁4尤其能以可移除的方式連接到基部3a?；?a具有側(cè)向邊緣11，該側(cè)向邊緣在外側(cè)周圍包圍側(cè)壁4。邊緣11尤其布置成平行于側(cè)壁4?；?a的邊緣11與側(cè)壁4之間形成了自由空間12。自由空間12被充填有用于密封坩堝Ia的填充材料10。這樣，確保了側(cè)壁4與基部3a之間的液密連接。優(yōu)選地，基部3a被完全覆蓋有填充材料10。這樣，在密封坩堝Ia的同時，能夠防止熔體9在基部3a上的任何粘附。對于與填充材料10有關(guān)的細(xì)節(jié)，參考前面的示范性實施例?；?a可至少部分由具有導(dǎo)熱系數(shù)λΒ的材料制成，該導(dǎo)熱系數(shù)λΒ不同于側(cè)壁4的材料的導(dǎo)熱系數(shù)As。該值尤其為AB>AS。當(dāng)然，根據(jù)前面的示范性實施例，坩堝Ia可包括一個或多個均衡裝置。在一個優(yōu)選實施例中，坩堝Ia協(xié)同圖7中未示出的爐工作，使得關(guān)閉爐導(dǎo)致側(cè)壁4以限定的力在基部3a上加壓。這樣，以特別可靠的方式確保了坩堝I的緊密度。在本發(fā)明的另一實施例中，可移除的側(cè)壁4布置在作為基部3的底板處。根據(jù)該實施例，所述底板配設(shè)有凹陷的槽。該實施例在圖中未示出。布置在底板的凹槽處的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)也可以被涂覆選定的含硅材料。下文參照圖8至13描述本發(fā)明的又一示范性實施例的幾個變型。相同的零件被提供與前面的示范性實施例中相同的標(biāo)號，在此引用其描述。結(jié)構(gòu)不同但功能相似的零件具有增加了“b”的相同標(biāo)號。根據(jù)這些示范性實施例，側(cè)壁4b在其遠(yuǎn)離基部的一端的區(qū)域內(nèi)包括一個或多個覆蓋條13。因此，為了減小沿縱向14的溫度梯度，側(cè)壁4b具有導(dǎo)熱率不均勻的區(qū)域。
優(yōu)選地，覆蓋條13設(shè)計在外圍。其覆蓋側(cè)壁4b的自由邊緣的至少50%，尤其是至少80%。優(yōu)選地，覆蓋條13覆蓋側(cè)壁4b的整個周緣。覆蓋條13在縱向14上具有至少2mm、尤其至少5mm的壁厚W。覆蓋條13在縱向14上具有延伸部。覆蓋條13的延伸部為側(cè)壁4的延伸部的尤其最多50%、尤其最多30%、尤其最多10%。覆蓋條13可設(shè)計成為單件式。優(yōu)選地，覆蓋條13設(shè)計成由若干件組成。對于每個側(cè)壁4，覆蓋條13可尤其包括一個或多個部件。這樣，防止了在坩堝4中在覆蓋條13與側(cè)壁4之間形成由于熱應(yīng)力而導(dǎo)致的裂縫。覆蓋條13可松弛地布置在側(cè)壁4b上。覆蓋條 13然后可靠著側(cè)壁4b尤其沿垂直于縱向14的方向移位?？蛇x擇地，覆蓋條13能以形狀封閉的方式擱置在側(cè)壁4b上。如圖所示，覆蓋條13可以具有L形或U形截面。矩形截面也是可能的。覆蓋條13尤其可以設(shè)計為側(cè)壁4b的對齊延伸部。該變型基本上對應(yīng)于參照圖I至3所述的本發(fā)明的示范性實施例一其中周槽5以極小的寬度B平行于基部3延伸。換言之，此變型中的側(cè)壁4設(shè)置有周邊分支。該分支傾斜于、尤其垂直于縱向14延伸。該分支可以平行于基部3或相對于基部3傾斜地延伸。該分支也可以是異形的(profiled)，如圖8和10所示，例如臺階狀，尤其是L形、V形或U形。、
覆蓋條13由具有導(dǎo)熱系數(shù)λ』勺材料制成，所述導(dǎo)熱系數(shù)λ,最多與側(cè)壁4的導(dǎo)熱系數(shù)λ L 一樣大，優(yōu)選地λ ^ < λ s,尤其是λ < O. 9 X λ LO用于覆蓋條13的材料可以例如選自反應(yīng)結(jié)合氮化娃(RBSN)和/或具有較低密度的亞硝酸鹽結(jié)合氮化娃(nitrite bondedsilicon nitride)(NBSN)。具有較低密度的NBSN具有較大的孔隙率并因此具有低于RBSN的導(dǎo)熱率。覆蓋條13也可以包括外條15。外條15布置在坩堝Ib的外側(cè)。外條15被牢固地固定、尤其是粘附在覆蓋條13的內(nèi)部上。外條15例如由石墨制成。各種示范性實施例的特征，尤其是設(shè)計為切口或分支的均衡裝置、與基部3a可移除地連接的側(cè)壁4和具有導(dǎo)熱率不均勻的區(qū)域、尤其是具有覆蓋條13的側(cè)壁4，當(dāng)然可以自
由地相互結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明的坩堝l、la、lb具有降低的開裂傾向性和提高的抗熱應(yīng)力性。因此它們特別適合于多次使用。圖13示出了具有在熔體9表面上方的水平槽5的坩堝。側(cè)壁4中的槽高度可在縱向14上變化并且可布置在熔體液位上方或下方。對于熔體液位之下的槽高度，要利用填充材料10的施加。槽5的大致水平延伸范圍可以變化。槽5可以布置在所有側(cè)壁4周圍或部分地布置在一個或多個側(cè)壁4處。本發(fā)明的另一實施例在側(cè)壁4中的不同槽高度處設(shè)置了多于一個的大致水平的槽5。這些大致水平的槽5可在所有側(cè)壁4處呈圈狀地布置或部分地在一個或多個側(cè)壁4處布置。優(yōu)選實施例是若干非圈狀槽如圖13所示在大致水平重疊或不重疊的情況下布置在不同槽高度處。
權(quán)利要求
1.一種用于保持硅熔體的裝置，包括 a)坩堝(I;la;lb)，所述坩堝部分地包圍用于保持所述熔體的內(nèi)腔室(2)，帶有由基材制成的 1.基部(3；3a),以及 ii.至少一個側(cè)壁(4 ;4b), b)其中所述坩堝(I;la;lb)包括用于均衡機(jī)械熱應(yīng)力的至少一個均衡裝置(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的裝置，其特征在于，所述均衡裝置(5)布置在所述至少一個側(cè)壁(4 ；4b)中。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述均衡裝置呈帶有槽邊緣(6)的槽(5)的形式設(shè)計，其中所述槽邊緣(6)尤其設(shè)計成至少部分平行或彼此相向地延伸。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，一個或多個大致水平的槽(5)布置在所述側(cè)壁(4)中的一個或多個中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述一個或多個大致水平的槽(5)呈圈狀地延伸穿過所有側(cè)壁(4)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述一個或多個大致水平的槽(5)不呈圈狀地延伸而是部分地在一個或多個側(cè)壁(4)中延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述兩個或更多水平的槽(5)布置成無大致水平重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項所述的裝置，其特征在于，所述槽(5)在一端包括呈圓(8)形式的防開裂裝置，其中所述圓(8)優(yōu)選地具有曲率半徑(R)，所述曲率半徑(R)至少與所述槽(5)的寬度(B) —樣大，尤其是所述寬度(B)的至少I. 5倍，優(yōu)選地是所述寬度(B)的至少兩倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求3至8中任一項所述的裝置，其特征在于，所述至少一個槽(5)布置在所述側(cè)壁(4 ；4b)的最遠(yuǎn)離所述基部(3 ；3a)的半部中。
10.根據(jù)權(quán)利要求3至9中任一項所述的裝置，其特征在于，所述至少一個槽(5)在其最遠(yuǎn)離所述基部(3 ；3a)的一端開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求3至10中任一項所述的裝置，其特征在于，所述均衡裝置(5)至少部分地被充填有填充材料(10)，其中所述填充材料(10)是緊密填塞的粉末，尤其是元素硅、氮和/或氧的結(jié)合。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，用于減小所述溫度梯度的所述側(cè)壁(4 ；4b)包括至少一個導(dǎo)熱率不均勻的區(qū)域。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述內(nèi)腔室(2)尤其具有至少400cm2且優(yōu)選地8，IOOcm2至12，IOOcm2的平方截面積(Q)。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，在所述側(cè)壁(4b)的與所述基部(3 ;3a)相對的一個自由端的區(qū)域內(nèi)，設(shè)有至少一個覆蓋條(13)，其中所述覆蓋條(13)優(yōu)選地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(X J的材料制成，所述導(dǎo)熱系數(shù)(X J至少與所述基材的導(dǎo)熱系數(shù)(入S) 一樣大，入L <入S，尤其是入L < 0. 9X入S。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述覆蓋條覆蓋所述側(cè)壁(4b)的所述自由端至少50%，尤其覆蓋至少80%，優(yōu)選地完全覆蓋。
16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述側(cè)壁(4)至少部分設(shè)計成可相對于所述基部(3 ;3a)移位，尤其可從所述基部(3 ;3a)移除。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述基部(3)具有側(cè)向邊緣(11)，所述側(cè)向邊緣(11)從周邊包圍所述側(cè)壁(4 ;4b)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述基部(3a)的所述邊緣(11)與所述側(cè)壁(4 ;4b)之間形成有自由空間(12)，所述自由空間(12)被填充有用于密封所述坩堝(I ；la ；lb)的填充材料(10)。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述基部(3a)至少部分地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(、B)的第一材料制成且所述側(cè)壁(4 ；4b)至少部分地由具有導(dǎo)熱系數(shù)(入s)的第二材料制成，其中Xb不同于Xs，尤其是\八。
全文摘要
一種用于保持硅熔體的裝置，該裝置包括坩堝(1；1a；1b)，該坩堝部分地包圍用于保持熔體的內(nèi)腔室(2)，帶有由基材制成的基部(3；3a)和至少一個側(cè)壁(4；4b)，其中該坩堝(1；1a；1b)包括用于均衡機(jī)械熱應(yīng)力的至少一個均衡裝置(5)。
文檔編號C30B11/00GK102713024SQ201080054907
公開日2012年10月3日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月4日
發(fā)明者A·索爾海姆, B·弗雷登伯格, E·范德斯舒特布魯格, H·瑟海姆, J·斯坦增伯格, M·蒂姆 申請人:圣戈班勒登塔爾陶瓷產(chǎn)業(yè)有限公司, 太陽世界創(chuàng)新有限公司