專利名稱：發(fā)光元件的制造方法和發(fā)光元件、以及發(fā)光裝置的制造方法和發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光元件的制造方法和發(fā)光元件、以及發(fā)光裝置的制造方法和發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
近年，研究、開發(fā)盛行的有機(jī)電致發(fā)光元件(以下記作“有機(jī)EL元件”)是利用固體熒光性物質(zhì)的場(chǎng)致發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)光元件。有機(jī)EL元件具有在陽(yáng)極和陰極之間介置(介揷，介有、夾著)有機(jī)發(fā)光層的構(gòu)造。另外，有時(shí)采用在陽(yáng)極與有機(jī)發(fā)光層之間及陰極與有機(jī)發(fā)光層之間分別介置電荷注入層、電荷輸送層的構(gòu)造。在此，以往的有機(jī)EL元件中，使用PEDOT (聚噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物)等導(dǎo)電性聚合物材料形成電荷注入層等，但提出了使用過(guò)渡金屬氧化物等金屬化合物來(lái)形成電荷注入層(例如，參照專利文獻(xiàn)1等)。在使用金屬化合物形成電荷注入層時(shí)，與使用PEDOT 形成相比具有如下優(yōu)越性元件的電壓-電流密度特性優(yōu)良，而且即便在流過(guò)大電流得到強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度時(shí)也難以劣化。發(fā)光層是使用濕式工藝在形成于陽(yáng)極上的電荷注入層及電荷輸送層之上形成井字形或線狀的提(bank)之后，用噴墨法、印刷法等而形成。專利文獻(xiàn)1 日本特開2005-203339號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在如上所述應(yīng)用金屬化合物作為電荷注入輸送層的結(jié)構(gòu)中，也需要謀求對(duì)發(fā)光特
性進(jìn)一步改善。本發(fā)明是鑒于上述需求而完成的，其目的在于提供一種具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件的制造方法和發(fā)光元件、以及發(fā)光裝置的制造方法和發(fā)光裝置。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，執(zhí)行如下步驟。(第1步驟)在基板的一個(gè)主面上形成電極。(第2步驟)至少在電極的上方形成具有金屬化合物而成的層。(第3步驟)用保護(hù)膜至少將具有金屬化合物而成層的上方覆蓋。(第4步驟)使用濕式工藝，在保護(hù)膜之上形成在一部分區(qū)域具有保護(hù)膜露出的開口的提。(第5步驟)除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，直到具有金屬化合物而成的層的一部分露出。(第6步驟)在通過(guò)執(zhí)行第5步驟而從所述開口露出的所述具有金屬化合物而成的層之上形成發(fā)光層。(第7步驟)在所述發(fā)光層的上方形成與所述第1電極極性不同的第2電極。并且，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，保護(hù)膜對(duì)于在第4步驟中的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，用保護(hù)膜覆蓋具有金屬化合物而成的層(以下記作“金屬化合物層”)的上方，在該狀態(tài)下執(zhí)行提形成。并且，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，保護(hù)膜對(duì)于在第4步驟中的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。 因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，即使執(zhí)行了第4步驟的濕式工藝，用保護(hù)膜覆蓋了上面的金屬化合物層也不會(huì)受到侵蝕。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，能夠以高精度確保金屬化合物層的厚度，能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，如上所述，在執(zhí)行第4步驟的濕式工藝期間，用保護(hù)膜覆蓋金屬化合物層的上面，在第4步驟的濕式工藝的執(zhí)行結(jié)束之后除去保護(hù)膜的一部分(第5步驟)，在其上層疊形成發(fā)光層(第6步驟)，因此在金屬化合物層與發(fā)光層之間不會(huì)介有由于提形成而引起的雜質(zhì)。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，在金屬化合物層和發(fā)光層之間不介有雜質(zhì)，能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光元件。如上所述，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。


圖1是按工序順序表示實(shí)施方式1的發(fā)光裝置100的制造工序的一部分的示意端面圖。圖2是按順序表示實(shí)施方式1的發(fā)光裝置100的制造工序的一部分的示意端面圖。圖3是按順序表示實(shí)施方式1的發(fā)光裝置100的制造工序的一部分的示意端面圖。圖4是表示發(fā)光裝置100的要部結(jié)構(gòu)的示意端面圖。圖5是表示發(fā)光裝置100中的提5的形狀的示意俯視圖。圖6是表示發(fā)光裝置100的制造途中的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的示意端面圖。圖7是表示發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)中的、提5的下部的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的示意端面圖。圖8是按工序順序表示實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的制造工序的一部分的示意端面圖。圖9是按工序順序表示實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的制造工序的一部分的示意端面圖。圖10是按工序順序表示實(shí)施方式3的發(fā)光裝置的制造工序的一部分的示意端面圖。圖11是按工序順序表示實(shí)施方式3的發(fā)光裝置的制造工序的一部分的示意端面圖。圖12是表示作為變形例的提形狀的示意俯視圖。
具體實(shí)施方式
[得到本發(fā)明的一方案的原委]本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在采用以往的使用金屬化合物而形成的電荷注入層時(shí)，存在由于提形成時(shí)的濕式工藝所使用的液體而電荷注入層的表面被侵蝕這樣的問題。并且研究表明在電荷注入層的一部分被侵蝕了時(shí)，根據(jù)其侵蝕的程度，電荷注入層的膜厚發(fā)生變化， 結(jié)果，有時(shí)產(chǎn)生發(fā)光特性的偏差。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，由于在形成了電荷注入層之后到層疊形成發(fā)光層之間，執(zhí)行提形成等工序，導(dǎo)致會(huì)出現(xiàn)在電荷注入層的表面附著雜質(zhì)這樣的問題。研究表明，在這樣附著了雜質(zhì)的電荷注入層之上層疊形成了發(fā)光層時(shí)，會(huì)招致有機(jī)EL元件的發(fā)光特性的降低。因此，本發(fā)明人為了解決上述問題而進(jìn)行了認(rèn)真研究，目的在于提供一種在發(fā)光層的下部設(shè)置具有金屬化合物而成的層的同時(shí)，能夠抑制伴隨著提形成的侵蝕、雜質(zhì)附著，具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件的制造方法和發(fā)光元件、以及發(fā)光裝置的制造方法和發(fā)光裝置，完成了本發(fā)明。[本發(fā)明的一方案的概要]本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，執(zhí)行如下步驟。(第1步驟)在基板的一個(gè)主面上形成第1電極。(第2步驟)至少在第1電極的上方形成具有金屬化合物而成的層。(第3步驟)用保護(hù)膜至少將具有金屬化合物而成層的上方覆蓋。(第4步驟)使用濕式工藝，在保護(hù)膜之上形成在一部分區(qū)域具有保護(hù)膜露出的開口的提。(第5步驟)除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，直到具有金屬化合物而成的層的一部分露出。(第6步驟)在通過(guò)執(zhí)行第5步驟而從所述開口露出的所述具有金屬化合物而成的層之上形成發(fā)光層。(第7步驟)在所述發(fā)光層的上方形成與所述第1電極極性不同的第2電極。并且，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，保護(hù)膜對(duì)于在第4步驟的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，用保護(hù)膜覆蓋具有金屬化合物而成的層的上方，在該狀態(tài)下執(zhí)行提形成。并且，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，保護(hù)膜對(duì)于在第4步驟的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，即使執(zhí)行了第4步驟的濕式工藝，用保護(hù)膜覆蓋了上面的具有金屬化合物而成的層也不會(huì)受到侵蝕。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，能夠以高精度確保金屬化合物層的厚度，能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光元件。此外，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，如上所述，在執(zhí)行第4步驟的濕式工藝期間，用保護(hù)膜覆蓋具有金屬化合物而成的層的上面，在第4步驟的濕式工藝的執(zhí)行結(jié)束之后除去保護(hù)膜的一部分(第5步驟)，在其上層疊形成發(fā)光層(第6步驟)，因此在具有金屬化合物而成的層與發(fā)光層之間不會(huì)介有由于提形成而引起的雜質(zhì)。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，在具有金屬化合物而成的層和發(fā)光層之間不介有雜質(zhì)，能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光元件。
如上可知，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法中，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法，在上述構(gòu)成中，對(duì)于在所述第4步驟中的濕式工藝所使用的液體的侵蝕，保護(hù)膜具有比具有金屬化合物而成的層高的耐受性，第5 步驟包括通過(guò)蝕刻除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理，對(duì)于在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體的侵蝕，具有金屬化合物而成的層具有比保護(hù)膜高的耐受性。如上所述，采用對(duì)于在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體的侵蝕，具有金屬化合物而成的層具有比保護(hù)膜高的耐受性這一特征時(shí)，即使執(zhí)行第4步驟的濕式工藝，也能更可靠地防止具有金屬化合物而成的層的侵蝕。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法在上述構(gòu)成中，對(duì)于同一處理液，保護(hù)膜表現(xiàn)出與具有金屬化合物而成的層不同的蝕刻速率。這樣，采用保護(hù)膜和具有金屬化合物而成的層對(duì)于同一處理液表現(xiàn)出不同的蝕刻速率這一特征時(shí)，能更可靠地防止具有金屬化合物而成的層的侵蝕。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，對(duì)于在第4步驟中的濕式工藝所使用的液體，保護(hù)膜的蝕刻速率低于具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率，第5 步驟包括通過(guò)蝕刻除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理，對(duì)于在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體，具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率低于保護(hù)膜的蝕刻速率。這樣，采用對(duì)于在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體，具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率低于保護(hù)膜的蝕刻速率這一特征時(shí)，在第5步驟的保護(hù)膜的除去時(shí)，能夠可靠保護(hù)具有金屬化合物而成的層。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，第5步驟包括通過(guò)蝕刻除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理，保護(hù)膜不會(huì)被在第4步驟中的濕式工藝所使用的液體侵蝕，會(huì)被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，具有金屬化合物而成的層不會(huì)被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕。采用這樣的構(gòu)成時(shí)，在執(zhí)行第4步驟的濕式工藝時(shí)，用保護(hù)膜可靠地保護(hù)具有金屬化合物而成的層，通過(guò)執(zhí)行第5步驟，能夠在可靠地保護(hù)具有金屬化合物而成的層的情況下，除去開口相當(dāng)部分的保護(hù)膜。因此，通過(guò)執(zhí)行第6步驟，在具有金屬化合物而成的層之上層疊形成發(fā)光層，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，第4步驟中的濕式工藝包括通過(guò)顯影形成所述提的顯影處理和在顯影處理后進(jìn)行的清洗處理，第5步驟包括在蝕刻處理后進(jìn)行清洗的處理。并且，保護(hù)膜不會(huì)被在第4步驟中的顯影處理及清洗處理所使用的各液體侵蝕，而是被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，具有金屬化合物而成的層不會(huì)被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，而是被在第 5步驟中的清洗處理所使用的液體侵蝕。如上所述，由于保護(hù)膜不會(huì)被在第4步驟的顯影處理及清洗處理所使用的各液體侵蝕，因此能夠在第4步驟的執(zhí)行中可靠地保護(hù)具有金屬化合物而成的層。由于保護(hù)膜會(huì)被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，因此通過(guò)執(zhí)行第5步驟的蝕刻處理，能夠可靠地除去所述開口相當(dāng)部分的保護(hù)膜。而且，由于具有金屬化合物而成的層不會(huì)被在第5步驟中對(duì)保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，而是被在第5步驟的清洗處理所使用的液體侵蝕，因此在第6步驟層疊形成的發(fā)光層不會(huì)在其與具有金屬化合物而成的層之間介有雜質(zhì)。因此，采用上述構(gòu)成時(shí)，能夠在發(fā)光層的下部設(shè)置具有金屬化合物而成的層的同時(shí)，抑制伴隨著提形成(第4步驟) 的侵蝕、雜質(zhì)的附著，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第5步驟，用在清洗處理使用的液體侵蝕具有金屬化合物而成的層，使其內(nèi)面部露出，在第6步驟，在具有金屬化合物而成的層的所述露出的內(nèi)面部之上形成發(fā)光層。這樣，由于第5步驟中，用在清洗處理使用的液體侵蝕具有金屬化合物而成的層， 使其內(nèi)面部露出，在該露出的部分層疊形成發(fā)光層，因此能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第5步驟，除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，并且除去具有金屬化合物而成的層的所述一部分，使具有金屬化合物而成的層的內(nèi)面部的一部分露出，在第6步驟，在具有金屬化合物而成的層的所述露出的內(nèi)面部的一部分之上形成發(fā)光層。采用這樣的特征的情況下，在第6步驟形成發(fā)光層時(shí)，能夠?qū)⒈３帜哪芰S持得高。即，由于具有金屬化合物而成的層的所述露出的內(nèi)面部的一部分的保持墨的能力高， 因此能夠?qū)l(fā)光層的層疊形成時(shí)的保持墨的能力維持得高，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第5步驟，除去保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，不除去保護(hù)膜的與所述提對(duì)應(yīng)的部分而將其殘留。采用這樣的特征時(shí)，通過(guò)除去保護(hù)膜的與所述開口對(duì)應(yīng)的部分，能夠在具有金屬化合物而成的層之上層疊形成發(fā)光層，電荷注入性變得良好。此外，關(guān)于被提覆蓋的保護(hù)膜的部分，不將其除去而使其殘留，因此能夠?qū)⒕哂薪饘倩衔锒傻膶优c提的密接(密著)性保持得高。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用絕緣材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用無(wú)機(jī)材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用S^2形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層具體而言是電荷注入層，在第5步驟，通過(guò)除去保護(hù)膜的從所述開口露出的部分，電荷注入層露出，在第6步驟，在電荷注入層之上層疊形成發(fā)光層。采用這樣的特征時(shí)，通過(guò)除去保護(hù)膜的與所述開口對(duì)應(yīng)的部分，因此能夠在具有金屬化合物而成的層(電荷注入層)之上層疊形成發(fā)光層，電荷注入性變得良好。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層具有自第1電極一側(cè)依次層疊都包括金屬氧化物的電荷注入層和電荷輸送層的構(gòu)造，在第5步驟，在電荷輸送層之上層疊形成發(fā)光層。采用這樣的特征時(shí)，由于具有金屬化合物的層具有電荷注入層和電荷輸送層的層疊構(gòu)造，成為在電荷注入層與發(fā)光層之間介置電荷輸送層的結(jié)構(gòu)，因此電荷注入性變得良好，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光元件。另外，上述中，“第1電極”是陰極時(shí)，“具有金屬化合物而成的層”是“電子注入層或電子輸送層或電子注入輸送層”。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第2步驟，可以使用金屬氧化物或金屬氮化物或金屬氮氧化物形成所述具有金屬化合物而成的層。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第6步驟，可以使用涂敷型的有機(jī)材料形成所述發(fā)光層。本發(fā)明的一方案的發(fā)光裝置的制造方法是在上述構(gòu)成中，在第6步驟，可以使用噴墨法形成所述發(fā)光層。本發(fā)明的一方案的發(fā)光裝置的制造方法，應(yīng)用上述本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件的制造方法形成多個(gè)子像素的各個(gè)。由此，如上所述，能夠制造具有高發(fā)光特性的發(fā)光裝置。 另外，本發(fā)明的一方案的“發(fā)光裝置”是指例如照明裝置、表示裝置等。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在基板的一個(gè)主面上具有第1電極及第2電極、介置于所述第1電極與所述第2電極之間的發(fā)光層及包括金屬化合物的層、和至少規(guī)定所述發(fā)光層的提而成的發(fā)光元件。并且，具有金屬化合物而成的層至少形成在第1電極的上方， 在提的底面與具有金屬化合物而成的層之間介置保護(hù)膜，保護(hù)膜的與提的開口相當(dāng)?shù)膮^(qū)域開口，并且保護(hù)膜對(duì)于在其上層疊形成的提的形成中的濕式工藝所使用的液體的侵蝕具有耐受性。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件中，通過(guò)具有上述特征，能夠確保金屬化合物層的厚度等的精度，以及防止在金屬化合物層與發(fā)光層之間介有雜質(zhì)，具有高發(fā)光性能。另外，在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層可以采用向沿著提的底面朝向相鄰的子像素?cái)U(kuò)展這樣的形態(tài)。在此，“沿著提的底面”不僅是沿著提的整個(gè)底面的形態(tài)，還包括沿著提的底面的一部分的形態(tài)。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層具有如下這樣的凹形狀與提的開口相當(dāng)?shù)闹醒氩總?cè)比端部側(cè)向基板的一個(gè)主面?zhèn)劝既?。采用這樣的構(gòu)成時(shí)，具有金屬化合物而成的層的凹形狀部分形成為底部分，從墨的保持能力方面看優(yōu)異，在該方面，與墨的保持能力低的以往構(gòu)成相比，可獲得高發(fā)光特性。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜是用于提高提的底面與具有金屬化合物而成的層的密接性的層。由此，能夠得到在提的底面與具有金屬化合物而成的層之間的高密接性，能夠得到高品質(zhì)。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用絕緣材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用無(wú)機(jī)材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，保護(hù)膜可以使用SW2形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層是電荷注入層，在保護(hù)膜的所述開口區(qū)域，在電荷注入層之上層疊形成發(fā)光層。采用這樣的特征時(shí)， 能夠在保護(hù)膜的與所述開口對(duì)應(yīng)的部分，在具有金屬化合物而成的層(電荷注入層)之上層疊形成發(fā)光層，電荷注入性變得良好。 本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層具有自第 1電極一側(cè)起依次層疊都包括金屬氧化物的電荷注入層和電荷輸送層的構(gòu)造，在保護(hù)膜的開口區(qū)域，在電荷輸送層之上層疊形成發(fā)光層。采用這樣的特征時(shí)，具有金屬化合物的層具有電荷注入層和電荷輸送層的層疊構(gòu)造，在電荷注入層與發(fā)光層之間介置電荷輸送層的結(jié)構(gòu)，因此電荷注入性變得良好，具有高發(fā)光特性。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，具有金屬化合物而成的層的親液性高于提的表面的親液性。采用這樣的特征時(shí)，在形成發(fā)光層時(shí)，能夠?qū)⒛谋３帜芰S持得
尚ο本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，發(fā)光層可以使用涂敷型的有機(jī)材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在基板的一個(gè)主面上具有第1電極及第2電極、介置于第1電極與第2電極之間的發(fā)光層及包括金屬化合物的層、和至少規(guī)定發(fā)光層的提而成的。并且，具有金屬化合物而成的層至少形成在第1電極的上方，具有內(nèi)底面部和與該內(nèi)底面部連續(xù)的內(nèi)側(cè)面部，在提的底面與具有金屬化合物而成的層之間介置中間膜，中間膜的與提的開口相當(dāng)?shù)膮^(qū)域開口。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件中，發(fā)光層的下部側(cè)與具有金屬化合物而成的層的凹形狀部分的內(nèi)底面部及內(nèi)側(cè)面部接觸而形成。在采用這樣特征的發(fā)光元件中，由于在提的底面與具有金屬化合物而成的層之間介置中間膜，因此能夠使提的底面與具有金屬化合物而成的層之間的密接性提高。另外，中間膜與另一方案的保護(hù)膜對(duì)應(yīng)。使用例如S^2形成中間膜時(shí)等，由于中間膜具有撥液性，認(rèn)為會(huì)對(duì)發(fā)光層的形成帶來(lái)影響，但由于具有金屬化合物而成的層的該部分形成為凹形狀，因此發(fā)光層除了與凹形狀部分的內(nèi)底面部接觸之外，也與內(nèi)側(cè)面部接觸。因此，本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件中， 發(fā)光層在下部側(cè)被形成并保持在具有金屬化合物而成的層的凹形狀部分內(nèi)，因此能夠具有良好的發(fā)光層。因此，具有高發(fā)光性能。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，中間膜可以使用絕緣材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，中間膜可以使用無(wú)機(jī)材料形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件是在上述構(gòu)成中，中間膜可以使用SW2形成。本發(fā)明的一方案的發(fā)光裝置具有上述本發(fā)明的一方案的發(fā)光元件作為多個(gè)子像素的各個(gè)。由此，由于上述理由，本發(fā)明的一方案的發(fā)光裝置具有高發(fā)光特性。以下，舉例說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的說(shuō)明中使用的實(shí)施方式是為了容易理解地說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成及作用/ 效果而使用的例子，本發(fā)明除了本質(zhì)特征部分以外不受以下任何實(shí)施方式的限定。[實(shí)施方式1]1.發(fā)光裝置100的制造方法使用圖1 圖3，說(shuō)明實(shí)施方式1的發(fā)光裝置100的制造方法的主要部分。另外， 圖1 圖3中，僅提出發(fā)光裝置100的一部分表示。如圖1(a)所示，首先，在基板1的一面(Z軸方向的上側(cè)面)形成陽(yáng)極2。在此， 基板1實(shí)際上是TFT基板(對(duì)電路等省略圖示。)，例如使用將鈉玻璃、無(wú)熒光玻璃、磷酸類玻璃、硼酸類玻璃、石英、丙烯酸類樹脂、苯乙烯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚乙烯、聚酯、硅酮類樹脂或者氧化鋁等絕緣性材料等為基材而形成的基板。陽(yáng)極2使用Ag (銀)而形成。另外，陽(yáng)極2的形成，除了 Ag之外，也可使用APC (銀、 鈀和銅的合金)、ARA (銀、銣和金的合金)、MoCr (鉬和鉻的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)等。接著，如圖1(b)所示，將形成有陽(yáng)極2的基板1的面上、包括陽(yáng)極2的上面在內(nèi)地用空穴注入層3覆蓋，進(jìn)而用保護(hù)膜(中間膜)40覆蓋空穴注入層3的上方。在此，空穴注入層3是使用WOx (氧化鎢)或MoWOx (鉬鎢氧化物)等的金屬化合物而形成。另外，作為空穴注入層3的形成所使用的金屬化合物，除了上述金屬氧化物之外，例如可采用金屬氮化物或金屬氮氧化物。在空穴注入層3由特定的金屬化合物形成的情況下，能夠容易注入空穴，在發(fā)光層內(nèi)電子有效地有助于發(fā)光，因此能夠得到良好的發(fā)光特性。作為上述特定的金屬化合物， 優(yōu)選包括過(guò)渡金屬。過(guò)渡金屬有多個(gè)氧化價(jià)數(shù)，由此能夠取得多個(gè)能級(jí)，結(jié)果，容易進(jìn)行空穴注入，能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓。保護(hù)膜40是使用SiO2 (氧化硅)而形成。另外，保護(hù)膜40的形成，除了 SiO2之外，還可使用鉻、鈦的氧化物及氮化物，以及金屬材料等無(wú)機(jī)物材料。接著，如圖1 (C)所示，以使得覆蓋保護(hù)膜40之上的方式堆積形成提準(zhǔn)備膜50。在此，作為提準(zhǔn)備膜50的形成所使用的材料，例如可采用聚酰亞胺等絕緣性有機(jī)材料。對(duì)于提準(zhǔn)備膜50的形成，具體而言，例如可以使用旋涂法、噴涂法(spray coat)、輥涂法(roll coat)、印模涂敷法(die coat)、浸涂法(dip coat)等進(jìn)行。接著，如圖1(d)所示，在提準(zhǔn)備膜50之上的一部分(欲設(shè)置開口的部位)形成掩模501，以該狀態(tài)曝光。接著，對(duì)曝光后的提準(zhǔn)備膜50進(jìn)行顯影，如圖2(a)所示，形成在與各子像素相當(dāng)?shù)牟课痪哂虚_口如的提5。提5作為規(guī)定子像素中發(fā)光層6(參照?qǐng)D3(a))的分隔構(gòu)件而構(gòu)成。接著，在形成了具有開口 fe的提5之后，使用純水等清洗液除去顯影后的不要的顯影液(參照?qǐng)D2(b))。這樣，使用濕式工藝執(zhí)行提5的形成。另外，在提5的形成中，若采用提形成材料自身具有感光性的方式，則不需要另外設(shè)置抗蝕劑。也存在不需要濕式蝕刻的情況。另外，在提5的形成中，為了形成發(fā)光層6(參照?qǐng)D3(a))所使用的墨不漏出到相鄰的子像素，可以使至少表面的一部分具有撥液性。作為具有撥液性的方法，除了使用具有撥液性的材料來(lái)形成提5的方法之外，也可以使用等離子處理使提5表面露出氟成分(使表面特氟龍(注冊(cè)商標(biāo))化)。提5的形成除了聚酰亞胺之外，還可使用丙烯酸類樹脂、苯酚酚醛清漆型樹脂等有機(jī)材料等。在提5的形成中可以使用干式蝕刻法。這種情況下同樣，保護(hù)膜40有效地起到防止雜質(zhì)附著在其下方的空穴注入層3的表面這一作用。接著，如圖2(c)所示，除去提5的開口 fe的下部部分的保護(hù)膜40。該狀態(tài)下，保護(hù)膜4在提5的下部在提5與空穴注入層3之間介置，空穴注入層3從開口如露出。另外，可由使用稀氫氟酸溶液的蝕刻進(jìn)行S^2的除去。在此，在保護(hù)膜4由SiO2構(gòu)成、且被構(gòu)成為厚度為50nm左右時(shí)，使用濃度0.5%的稀氫氟酸溶液，蝕刻2min.左右，由此除去保護(hù)膜4，確認(rèn)了能夠維持提5的撥液性。另外，關(guān)于蝕刻所使用的稀氫氟酸溶液，在pH低于中性時(shí)，可以添加添加劑。在所述蝕刻處理中，由于稀氫氟酸溶液具有酸性，所以空穴注入層3不會(huì)溶解于稀氫氟酸溶液。接著，如圖3(a)所示，在由提5規(guī)定的凹狀部分形成發(fā)光層6。由此，發(fā)光層6層疊到空穴注入層3之上。在此，發(fā)光層6例如可通過(guò)使用噴墨法將含有發(fā)光層6的材料的墨滴下到由提5規(guī)定的凹狀部分，使墨干燥而形成。另外，關(guān)于形成發(fā)光層6時(shí)的墨的滴下， 除了噴墨法之外，還可以使用分墨法、噴嘴涂敷法(nozzle coat)、旋涂法、凹版印刷法或凸版印刷法等。作為發(fā)光層6的形成材料，例如可使用日本特開平05-163488號(hào)公報(bào)公開的材料。 具體而言，可以采用類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、 蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、奠(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戊二烯化合物、芪化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鐺化合物、噻喃鐺化合物、硒吡喃鐺化合物、碲吡喃鐺化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、蒽化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2-聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫鹽與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)。接著，如圖3(b)所示，以使得覆蓋發(fā)光層6及提5的表面的方式形成電子注入層 7。電子注入層7的形成例如可使用鋇、酞菁、氟化鋰及這些的組合材料。接著，如圖3(c)所示，在電子注入層7的面上形成陰極8。陰極8的形成例如可使用ITO (氧化銦錫)，IZO (氧化銦鋅)等。接著，如圖3(d)所示，用封止(封止)層9覆蓋陰極8之上。封止層9是具有抑制水分浸入發(fā)光層6的功能的層，例如可使用SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等形成。另外，雖然省略了圖示，但在封止層9之上也可層疊濾色片(濾色器)、透光性基板。如上述那樣進(jìn)行，完成發(fā)光裝置100。2.效果本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的制造方法起到如下效果。如圖1 圖3所示，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的制造方法中，使用金屬化合物形成空穴注入層3。因此，在使用本實(shí)施方式的制造方法制造的發(fā)光裝置100中，與使用PEDOT 形成空穴注入層的以往的情況相比，各像素的電壓-電流密度特性優(yōu)良，而且具有即便在流過(guò)大電流而得到強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度時(shí)也難以劣化這樣的優(yōu)越性。本實(shí)施方式的制造方法中，用保護(hù)膜40覆蓋使用金屬化合物形成的空穴注入層3 之上，在該狀態(tài)下執(zhí)行提5的形成。保護(hù)膜400如上所述由SW2等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，對(duì)于在提5的形成時(shí)的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。另外，關(guān)于保護(hù)膜40，對(duì)于在提5的形成時(shí)的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。在此，關(guān)于保護(hù)膜40，也可以使其對(duì)由在提 5的形成時(shí)的濕式工藝所使用的液體導(dǎo)致的侵蝕的耐受性高于使用金屬化合物形成的空穴注入層3對(duì)該侵蝕的耐受性。因此，本實(shí)施方式的制造方法中，即使執(zhí)行在提5的形成中的濕式工藝，上面被保護(hù)膜40覆蓋的空穴注入層3也不會(huì)受到侵蝕。在此，上述的“耐受性”是表示膜不受處理液侵蝕的程度的物性，具體而言，由對(duì)于處理液的侵蝕性、蝕刻速率表示。例如，如下表示。1)提形成步驟中的濕式工序1-1)顯影處理顯影液TMAH(四甲基氫氧化銨)0. 1 2. 5% (例如，0. 4% )·保護(hù)膜(SiO2)蝕刻速率=約為Onm/min.(幾乎不溶解)·空穴注入層(WOx)蝕刻速率=8nm/min.(溶解)蝕刻速率保護(hù)膜(SiO2) <空穴注入層(WOx)1-2)清洗處理(清洗液；純水(中性))·保護(hù)膜(SiO2)蝕刻速率=Onm/min,(完全不溶解)·空穴注入層(WOx)蝕刻速率=lnm/min.(稍微溶解)蝕刻速率保護(hù)膜(SiO2) <空穴注入層(WOx)2)保護(hù)膜的除去步驟2-1)蝕刻處理蝕刻液稀氫氟酸溶液(酸性)·保護(hù)膜(SiO2)蝕刻速率=IOWmin.(溶解)·空穴注入層(WOx)蝕刻速率=Onm/min.(不溶解)蝕刻速率保護(hù)膜(SiO2) >空穴注入層(WOx)2-2)清洗處理清洗液純水(中性)
·保護(hù)膜(SiO2)蝕刻速率=Onm/min.(完全不溶解)·空穴注入層(Wox)蝕刻速率=lnm/min.(稍微溶解)蝕刻速率保護(hù)膜(SiO2) <空穴注入層(WOx)因此，本實(shí)施方式的制造方法中，能夠以高精度確?？昭ㄗ⑷雽?的尺寸精度，能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光裝置100。本實(shí)施方式的制造方法中，如上所述，在執(zhí)行提5的形成時(shí)的濕式工藝期間，用保護(hù)膜400覆蓋空穴注入層3的Z軸方向上面，在提5的形成結(jié)束后除去保護(hù)膜400的一部分，在其上層疊形成發(fā)光層6，因此在空穴注入層3與發(fā)光層6之間不會(huì)介有由于提5的形成而引起的雜質(zhì)。作為空穴注入層3的材料而使用的金屬化合物(例如，WOX、MoWOX)的親液性比以往使用的PEDOT等的親液性高，能夠在形成發(fā)光層6時(shí)將與墨的密接性維持得高。因此，本實(shí)施方式的制造方法中，在空穴注入層3與發(fā)光層6之間不存在雜質(zhì)，而且具有高緊密接合性，因此能夠制造具有高發(fā)光性能的發(fā)光裝置100。3.發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)使用圖4及圖5說(shuō)明使用上述制造方法制造的本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的結(jié)構(gòu)。圖4是表示發(fā)光裝置100的一個(gè)子像素IOb和與其相鄰的2個(gè)子像素的一部分的示意端面圖。如圖4所示，發(fā)光裝置100是以基板1為基礎(chǔ)而形成，在基板1的Z軸方向上面， 以相互空開間隔的狀態(tài)，形成多個(gè)陽(yáng)極2。另外，圖4中，表示出沿X軸方向相互空開間隔地配置的多個(gè)陽(yáng)極2，但在與紙面正交的方向上，也同樣以相互空開間隔的狀態(tài)配置多個(gè)陽(yáng)極 2。并且，以使得覆蓋基板1及陽(yáng)極2的面上的方式形成空穴注入層3。并且，在空穴注入層3的面上的、相當(dāng)于陽(yáng)極2與陽(yáng)極2之間的部位，隔著保護(hù)膜4形成有提5。提5規(guī)定各像素IOa IOc中的發(fā)光層6，具有隨著去往Z軸方向上方而截面積減少的梯形截面。如圖5所示，本實(shí)施方式的提5采用井字形的所謂像素提，由沿Y軸方向延伸的提要素fe將在X軸方向相鄰的子像素的發(fā)光層6a、發(fā)光層6b和發(fā)光層6c之間分別區(qū)分開。另一方面，由沿X軸方向延伸的提要素恥將在Y軸方向的上下相鄰的子像素的發(fā)光層彼此之間分別區(qū)分開。另外，如圖5所示，沿X軸方向相鄰的3個(gè)子像素分別與紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色 (B)各顏色對(duì)應(yīng)，將這些相鄰的3個(gè)子像素作為一組構(gòu)成1個(gè)像素。返回圖4，電子注入層7、陰極8及封止層9遍及整面地形成。另外，在發(fā)光裝置100 中，在封止層9之上，按每一子像素IOa IOc配置有濾色片，有時(shí)配置透光性的基板(圖 4中省略了圖示)。發(fā)光裝置100是使用上述方法制造的，因此當(dāng)然具有上述優(yōu)越性。在此，空穴注入層3是使用金屬化合物形成的。空穴注入層3的金屬化合物與提5 之間，直接的密接性方面不夠充分。但是，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中，空穴注入層3與提5之間介置由S^2等構(gòu)成的保護(hù)膜4，因此由該介置來(lái)補(bǔ)足空穴注入層3與提5的密接性。因此，發(fā)光裝置100中，從上述結(jié)構(gòu)方面考慮也具有高發(fā)光性能。4.發(fā)光裝置100中的空穴注入層3的詳細(xì)結(jié)構(gòu)使用圖6說(shuō)明發(fā)光裝置100中的空穴注入層3的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖6是詳細(xì)表示圖 2(c)所示狀態(tài)的圖。如圖6所示，在提5的形成結(jié)束后，除去其開口 fe的底部分的SiO2，空穴注入層3 從保護(hù)膜4的開口如露出，但在該狀態(tài)下，在從保護(hù)膜4的開口如露出的空穴注入層3形成有淺的凹部3a (箭頭A所示的部分)。凹部3a是在SW2的除去工序，在用稀氫氟酸溶液進(jìn)行蝕刻之后，用純水沖洗蝕刻溶液等時(shí)產(chǎn)生的。但是，如上所述，構(gòu)成空穴注入層3的Wx溶解于純水，但由于如上所述用純水進(jìn)行的清洗處理的蝕刻速率小于濕式工藝的蝕刻處理的蝕刻速率，因此，遠(yuǎn)比在提形成時(shí)的濕式工藝中形成的凹部淺得多。這樣本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100的制造方法中，同樣在空穴注入層3形成淺的凹部3a，但該凹部3a有效地使得在發(fā)光層6形成中墨滴下時(shí)，墨更加密接于空穴注入層3的表面。即，如上所述，使用金屬化合物形成的空穴注入層3與使用以往技術(shù)的PEDOT形成的空穴注入層相比，親液性高，保持所滴下的墨的功能高。因此，與僅是形成為平面的空穴注入層相比，在形成有碗狀的凹部3a的空穴注入層3，在包圍凹部3a的側(cè)壁也與墨密接，因此保持墨的能力進(jìn)一步提高。另外，上述中，空穴注入層3的淺凹部3a的平均深度未特別規(guī)定，可以設(shè)為例如 5nm IOOnm的范圍內(nèi)。關(guān)于凹部3a的平均深度，通過(guò)確保5nm以上，能夠在凹部3a內(nèi)存留充足量的墨，能夠使墨穩(wěn)定地留在由提5規(guī)定的區(qū)域。而且，由于發(fā)光層6不排拒(ii I； t，彈開)地形成到提5端部，因此能防止陽(yáng)極2與陰極8之間的短路。根據(jù)以上所述，發(fā)光裝置100中，空穴注入層3與發(fā)光層6的密接性高，具有高發(fā)光性能。接著，使用圖7說(shuō)明提5的底面與空穴注入層3的密接性。圖7(a)是放大了本實(shí)施方式的提5的底面部分的示意端面圖，圖7(b)是作為比較例示出提95的底面與空穴注入層93直接接合的結(jié)構(gòu)的示意端面圖。如圖7(a)所示，本實(shí)施方式的提5的底面以與形成在基板1的上側(cè)主面上的空穴注入層3之間介置保護(hù)膜4的狀態(tài)接合在該空穴注入層3。在此，本實(shí)施方式中，雖然作為一例，作為空穴注入層3的構(gòu)成材料使用WOx，作為提5的構(gòu)成材料使用上述的絕緣性有機(jī)材料，但是由于提5與空穴注入層3之間介置由S^2構(gòu)成的保護(hù)膜4 (B部分)，因此確保彼此之間的密接性很高，在提燒制工序中的降溫時(shí)，在提5與保護(hù)膜4之間及保護(hù)膜4與空穴注入層3之間難以產(chǎn)生“浮動(dòng) 務(wù))，，。另一方面，如圖7(b)所示，作為比較例表示的結(jié)構(gòu)中，在基板91的上側(cè)主面上形成的空穴注入層93與提95的底面直接相接(C部分)。在空穴注入層93及提95的構(gòu)成材料與上述同樣時(shí)，在彼此之間的密接性方面存在問題。具體而言，由絕緣性有機(jī)材料構(gòu)成的提95和使用WOx構(gòu)成的空穴注入層93，與圖7 (a)所示的本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)相比，其密接性低，在提燒制工序中的升溫時(shí)和/或降溫時(shí)，在提5與保護(hù)膜4之間及保護(hù)膜4與空穴注入層3之間會(huì)產(chǎn)生“浮動(dòng)”。根據(jù)以上所述，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置100中，通過(guò)介置保護(hù)膜4，能夠確保提5與空穴注入層3的高密接性。[實(shí)施方式2]使用圖8及圖9說(shuō)明實(shí)施方式2的發(fā)光裝置的制造方法。另外，圖8表示與上述實(shí)施方式1的制造方法中的圖1所示的工序?qū)?yīng)的工序，圖9表示與圖2所示工序?qū)?yīng)的工序。如圖8(a)所示，在基板21的Z軸方向上面形成陽(yáng)極22。另外，圖8(a)中，僅圖示 1個(gè)陽(yáng)極22，但實(shí)際上與圖4所示的同樣，以相互空開間隔的狀態(tài)形成有多個(gè)陽(yáng)極22。此外，基板21及陽(yáng)極22的形成所用材料與上述實(shí)施方式1同樣。接著，如圖8(b)所示，本實(shí)施方式的制造方法中，以使得覆蓋基板21及陽(yáng)極22的整個(gè)上面的方式，依次層疊形成空穴注入層23及空穴輸送層30。然后，進(jìn)而在其上層疊形成保護(hù)膜M0。在此，空穴注入層23的形成所用的材料與上述實(shí)施方式1同樣，對(duì)于空穴輸送層30，也使用與空穴注入層3同樣的金屬化合物形成。保護(hù)膜MO的形成所用的材料與上述實(shí)施方式1同樣。接著，如圖8(c)所示，以使得覆蓋保護(hù)膜MO的整個(gè)上面的方式堆積形成提準(zhǔn)備膜250。在此，作為提準(zhǔn)備膜250的形成所用材料，與上述同樣，可以采用例如聚酰亞胺等絕緣性有機(jī)材料。關(guān)于提準(zhǔn)備膜250的形成，也與上述同樣，可以使用旋涂法、噴涂法、輥涂法、印模涂敷法、浸涂法等進(jìn)行。接著，如圖8(d)所示，在提準(zhǔn)備膜250之上的一部分(欲設(shè)置開口的部位)形成掩模502，以該狀態(tài)曝光。接著，對(duì)曝光后的提準(zhǔn)備膜250進(jìn)行顯影，如圖9 (a)所示，在與各子像素相當(dāng)?shù)牟课恍纬删哂虚_口 2 的提25。接著，形成了具有開口 2 的提25之后，使用純水等清洗液除去顯影后的不要的顯影液(參照?qǐng)D9(b))。這樣，與上述實(shí)施方式1同樣，使用濕式工藝執(zhí)行提25的形成。另外，提25的形成中，若采用提自身具有感光性的方式，則不需另外設(shè)置抗蝕劑。 有時(shí)也不需要濕式蝕刻。另外，在提自身不具有感光性的情況下，使用抗蝕劑時(shí)，由于將提蝕刻后的抗蝕劑的剝離，提的開口部暴露于剝離液。此時(shí)，由于介置有保護(hù)膜，因此可防止由抗蝕劑剝離液對(duì)空穴注入層的影響或損傷。另外，提25的形成中，為使形成發(fā)光層所用的墨不漏出到相鄰的子像素，可以使至少一部分表面具有撥液性。作為使其具有撥液性的方法，除了使用具有撥液性的材料來(lái)形成提25的方法之外，也可以用等離子處理使提25的表面露出氟成分(將表面特氟龍化)。該情況下，也可通過(guò)在含氟的氣體環(huán)境下的等離子處理，使提的表面氟化。此外，與上述實(shí)施方式1同樣，提25的形成除了聚酰亞胺之外，也可以使用丙烯酸類樹脂、苯酚酚醛清漆型樹脂等有機(jī)材料等。在提25的形成中也可以使用干式蝕刻法。此時(shí)，保護(hù)膜240也有效地起到防止雜質(zhì)附著到其下的空穴輸送層30的表面這一作用。提除了應(yīng)用負(fù)性材料之外，也可應(yīng)用正性材料。接著，如圖9(c)所示，除去提25的開口 2 的下部部分的保護(hù)膜M0。該狀態(tài)下， 保護(hù)膜M在提25的下部在提25與空穴輸送層30之間介置，空穴輸送層30的一部分從保護(hù)膜M的開口 2 露出。另外，SiO2的除去可通過(guò)使用稀氫氟酸溶液的蝕刻而進(jìn)行。在上述蝕刻處理中，由于稀氫氟酸溶液具有酸性，因此空穴輸送層30不會(huì)溶解于稀氫氟酸溶液，這點(diǎn)與上述實(shí)施方式1的空穴注入層3同樣。本實(shí)施方式的制造方法中，在空穴輸送層30之上層疊發(fā)光層。此時(shí)，本實(shí)施方式的制造方法中，也使用金屬化合物形成空穴輸送層30，因此在提25的形成時(shí)由保護(hù)膜240 保護(hù)空穴輸送層30。因此，使用本實(shí)施方式的方法制造的發(fā)光裝置中同樣，在空穴輸送層30與發(fā)光層之間不會(huì)介有雜質(zhì)，而且可保障空穴輸送層30的尺寸精度高，因此具有高發(fā)光特性。[實(shí)施方式3]使用圖10及圖11說(shuō)明實(shí)施方式3的發(fā)光裝置的制造方法。另外，在圖10及圖11 中同樣僅示出了與上述實(shí)施方式1的制造方法的工序中的、圖1及圖2所示工序分別相當(dāng)?shù)墓ば?。如圖10(a)所示，在基板41的Z軸方向上面形成陽(yáng)極42。本實(shí)施方式中，也是以相互空開間隔地狀態(tài)配置多個(gè)陽(yáng)極42。接著，如圖10(b)所示，在陽(yáng)極42的Z軸方向上面按順序?qū)盈B空穴注入層43及保護(hù)膜440。
另外，本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式1、2不同，將空穴注入層43及保護(hù)膜440選擇性地層疊形成在陽(yáng)極42的上面，在其余的基板41的表面不形成空穴注入層43及保護(hù)膜 440。接著，如圖10(c)所示，以使得覆蓋保護(hù)膜440及基板41的主面的露出部分的整個(gè)上方的方式，堆積形成提準(zhǔn)備膜450。在此，作為提準(zhǔn)備膜450的形成所使用的材料，與上述實(shí)施方式1、2同樣，例如可采用聚酰亞胺等絕緣性有機(jī)材料。關(guān)于提準(zhǔn)備膜450的形成， 可以與上述實(shí)施方式1、2同樣地進(jìn)行。接著，如圖10(d)所示，在提準(zhǔn)備膜450之上的一部分(欲設(shè)置開口的部位)形成掩模503，以該狀態(tài)曝光。接著，對(duì)曝光后的提準(zhǔn)備膜450進(jìn)行顯影，如圖11(a)所示，形成在與各子像素相當(dāng)?shù)牟课痪哂虚_口 4 的提45。另外，如圖11(a)所示，提45的開口 4 側(cè)的一部分層疊于保護(hù)膜440之上(D部分)，其他部分層疊于基板41上(E部分)。本實(shí)施方式的制造方法中，空穴注入層43也在相鄰的子像素之間被區(qū)分開，能夠進(jìn)一步降低相鄰的子像素之間的發(fā)光的影響。并且，在本實(shí)施方式的制造方法中同樣，雖然使用金屬化合物(例如WOx)形成空穴注入層43，但如圖11(a)所示，在空穴注入層43的Z 軸方向上面與提45之間介置由SiO2等構(gòu)成的保護(hù)膜440，因此能夠提高彼此的密接性。在此，如圖10(b)所示，本實(shí)施方式中，以同一圖案形成保護(hù)膜440和空穴注入層 43。此時(shí)，可以一并執(zhí)行光刻工序。即，可以用一張掩模執(zhí)行。另外，若允許分別使用掩模，以使得覆蓋空穴注入層43的邊緣的方式形成保護(hù)膜 440，則能夠彌補(bǔ)容易從邊緣剝離這一空穴注入層43的特性。接著，如圖11 (b)所示，在形成了具有開口 4 的提45之后，使用純水等清洗液除去使用后的不要的顯影液。這樣，與上述實(shí)施方式1、2同樣，使用濕式工藝執(zhí)行提45的形成。另外，在提45的形成中，若采用提自身具有感光性的提，則不需要另外設(shè)置抗蝕劑。有時(shí)也不需要濕式蝕刻。在本實(shí)施方式中同樣，提45的形成中，為使形成發(fā)光層所用的墨不漏出到相鄰的子像素，可以使至少一部分表面具有撥液性。關(guān)于使其具有撥液性的方法，與上述同樣。提45的形成也可采用與上述實(shí)施方式1、2同樣的材料及方法。接著，如圖11 (c)所示，除去提45的開口 4 的下部部分的保護(hù)膜440。該狀態(tài)下，保護(hù)膜44在提45的下部(圖11(a)的D部分)介置于提45與空穴注入層43之間，空穴注入層43的一部分從保護(hù)膜44的開口 4 露出。另外，SiO2的除去可通過(guò)使用稀氫氟酸溶液的蝕刻而進(jìn)行。本實(shí)施方式的制造方法中，同樣，在此后依次層疊形成發(fā)光層、電子注入層、陰極、 封止層等，由此完成發(fā)光裝置(參照?qǐng)D3)。[與提的形狀相關(guān)的補(bǔ)充]上述實(shí)施方式1中，如圖5所示，關(guān)于提5的俯視形狀做成所謂的像素提(井字形提)，除此之外也可采用線狀提等。關(guān)于提的俯視形狀，使用圖12進(jìn)行補(bǔ)充說(shuō)明。(線狀提)
如圖12所示，采用線狀的提(線狀提)65時(shí)，將沿X軸方向相鄰的像素的發(fā)光層 66a、發(fā)光層66b和發(fā)光層66c區(qū)分開。另外，如圖12所示，在采用線狀提65時(shí)，沿Y軸方向相鄰的像素的發(fā)光層彼此之間不被提要素規(guī)定，但可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)方法和陽(yáng)極的尺寸及間隔等，抑制發(fā)光中的相互影響。[其他事項(xiàng)]上述實(shí)施方式1 3中，在基板1、21、41上形成陽(yáng)極2、22、42，但也可以在基板上形成陰極，在層疊體的上部形成陽(yáng)極。采用這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，在陰極上形成電子注入層或電子輸送層或電子注入輸送層，用保護(hù)膜40、240、440覆蓋其上，形成提5、25、45。此時(shí)，也能抑制形成提5、25、45時(shí)向電子注入層等附著雜質(zhì)及因液體導(dǎo)致的侵蝕。上述實(shí)施方式1 3的發(fā)光裝置100等中，采用了頂部發(fā)射型(top emission)，但也可采用底部發(fā)射(bottom emission)型。在上述實(shí)施方式1 3的制造方法中使用的方法及材料等是作為例子而示出的， 本發(fā)明不限于此。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明對(duì)實(shí)現(xiàn)具有高發(fā)光性能、適于用作照明裝置、顯示裝置的發(fā)光元件有用。附圖標(biāo)記說(shuō)明1、21、41 基板2、22、42:陽(yáng)極3、23、43 空穴注入層4、24、40、44、M0、440 保護(hù)膜5、25、45、65 提6、6a、6b、6c、66a、66b、66c 發(fā)光層7 電子注入層8:陰極9 封止層10a、10b、IOc 子像素30 空穴輸送層50,250,450 提準(zhǔn)備層100 發(fā)光裝置501、502、503 掩模
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件的制造方法，包括第1步驟，在基板的一個(gè)主面上形成第1電極； 第2步驟，至少在所述第1電極的上方形成具有金屬化合物而成的層； 第3步驟，用保護(hù)膜至少將所述具有金屬化合物而成的層的上方覆蓋； 第4步驟，使用濕式工藝，在所述保護(hù)膜之上形成在一部分區(qū)域具有所述保護(hù)膜露出的開口的提；第5步驟，除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，直到所述具有金屬化合物而成的層的一部分露出；第6步驟，在通過(guò)執(zhí)行所述第5步驟而從所述開口露出的所述具有金屬化合物而成的層之上形成發(fā)光層；和第7步驟，在所述發(fā)光層的上方形成極性與所述第1電極不同的第2電極， 所述保護(hù)膜對(duì)于在所述第4步驟中的所述濕式工藝所使用的液體具有耐受性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，對(duì)于在所述第4步驟中的所述濕式工藝所使用的液體的侵蝕，所述保護(hù)膜具有比所述具有金屬化合物而成的層高的耐受性，所述第5步驟包括通過(guò)蝕刻除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理， 對(duì)于在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體的侵蝕，所述具有金屬化合物而成的層具有比所述保護(hù)膜高的耐受性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，對(duì)于同一處理液，所述保護(hù)膜表現(xiàn)出與所述具有金屬化合物而成的層不同的蝕刻速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，對(duì)于在所述第4步驟中的所述濕式工藝所使用的液體，所述保護(hù)膜的蝕刻速率低于所述具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率，所述第5步驟包括通過(guò)蝕刻除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理， 對(duì)于在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體，所述具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率低于所述保護(hù)膜的蝕刻速率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件的制造方法，所述第4步驟中的所述濕式工藝包括通過(guò)顯影形成所述提的顯影處理和在所述顯影處理后進(jìn)行的清洗處理，所述第5步驟包括通過(guò)蝕刻除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理， 對(duì)于在所述第4步驟中的所述顯影處理及所述清洗處理所使用的各液體，所述保護(hù)膜的蝕刻速率低于所述具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率，對(duì)于在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體，所述具有金屬化合物而成的層的蝕刻速率低于所述保護(hù)膜的蝕刻速率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，所述第5步驟包括通過(guò)蝕刻除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分的處理， 所述保護(hù)膜不會(huì)被在所述第4步驟中的所述濕式工藝所使用的液體侵蝕，而是被在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的蝕刻處理所使用的液體侵蝕，所述具有金屬化合物而成的層不會(huì)被在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體侵蝕。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件的制造方法，所述第4步驟中的所述濕式工藝包括通過(guò)顯影形成所述提的顯影處理和在所述顯影處理后進(jìn)行的清洗處理，所述第5步驟包括在所述蝕刻處理后進(jìn)行清洗的處理，所述保護(hù)膜不會(huì)被在所述第4步驟中的所述顯影處理及所述清洗處理所使用的各液體侵蝕，而是被在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體侵蝕，所述具有金屬化合物而成的層不會(huì)被在所述第5步驟中對(duì)所述保護(hù)膜的所述蝕刻處理所使用的液體侵蝕，而是被在所述第5步驟中的所述清洗處理所使用的液體侵蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第5步驟，用在所述清洗處理使用的液體侵蝕所述具有金屬化合物而成的層， 使其內(nèi)面部露出，在所述第6步驟，在所述具有金屬化合物而成的層的所述露出的內(nèi)面部之上形成發(fā)光層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第5步驟，除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，并且除去所述具有金屬化合物而成的層的所述一部分，使所述具有金屬化合物而成的層的內(nèi)面部的一部分露出，在所述第6步驟，在所述具有金屬化合物而成的層的所述露出的內(nèi)面部的一部分之上形成所述發(fā)光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第5步驟，除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，不除去所述保護(hù)膜中的與所述提對(duì)應(yīng)的部分而將其殘留。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述保護(hù)膜使用絕緣材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述保護(hù)膜使用無(wú)機(jī)材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述保護(hù)膜使用SiO2形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法， 所述具有金屬化合物而成的層是電荷注入層，在所述第5步驟，通過(guò)除去所述保護(hù)膜中的從所述開口露出的部分，所述電荷注入層露出，在所述第6步驟，在所述電荷注入層之上層疊形成所述發(fā)光層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，所述具有金屬化合物而成的層具有自所述第1電極一側(cè)依次層疊都包括金屬氧化物的電荷注入層和電荷輸送層的構(gòu)造，在所述第5步驟，在所述電荷輸送層之上層疊形成所述發(fā)光層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第2步驟，使用金屬氧化物或金屬氮化物或金屬氮氧化物形成所述具有金屬化合物而成的層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法，在所述第6步驟，使用涂敷型的有機(jī)材料形成所述發(fā)光層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的制造方法， 在所述第6步驟，使用噴墨法形成所述發(fā)光層。
19.一種發(fā)光裝置的制造方法，是具有多個(gè)子像素而成的發(fā)光裝置的制造方法， 應(yīng)用權(quán)利要求1 18中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件的制造方法來(lái)形成所述多個(gè)子像素的各個(gè)。
20.一種發(fā)光元件，在基板的一個(gè)主面上具有第1電極及第2電極、介置于所述第1電極與所述第2電極之間的發(fā)光層及包括金屬化合物的層、和至少規(guī)定所述發(fā)光層的提而成，所述具有金屬化合物而成的層至少形成在所述第1電極的上方， 在所述提的底面與所述具有金屬化合物而成的層之間介置保護(hù)膜， 所述保護(hù)膜的與所述提的開口相當(dāng)?shù)膮^(qū)域開口，并且所述保護(hù)膜對(duì)于在其上層疊形成的所述提的形成中的濕式工藝所使用的液體的侵蝕具有耐受性。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件，所述具有金屬化合物而成的層具有與所述提的開口相當(dāng)?shù)闹醒氩總?cè)比端部側(cè)向所述基板的一個(gè)主面?zhèn)劝既氲陌夹螤睢?br> 22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件，所述保護(hù)膜是用于提高所述提的底面與所述具有金屬化合物而成的層的密接性的層。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件， 所述保護(hù)膜使用絕緣材料形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件， 所述保護(hù)膜使用無(wú)機(jī)材料形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件， 所述保護(hù)膜使用S^2形成。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件， 所述具有金屬化合物而成的層是電荷注入層，在所述保護(hù)膜的開口區(qū)域，在所述電荷注入層之上層疊形成有所述發(fā)光層。
27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件，所述具有金屬化合物而成的層具有自所述第1電極一側(cè)起依次層疊有都包括金屬氧化物的電荷注入層和電荷輸送層的構(gòu)造，在所述保護(hù)膜的開口區(qū)域，在所述電荷輸送層之上層疊形成有所述發(fā)光層。
28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件，所述具有金屬化合物而成的層的親液性高于所述提的表面的親液性。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光元件， 所述發(fā)光層使用涂敷型的有機(jī)材料形成。
30.一種發(fā)光元件，在基板的一個(gè)主面上具有第1電極及第2電極、介置于所述第1電極與所述第2電極之間的發(fā)光層及包括金屬化合物的層、和至少規(guī)定所述發(fā)光層的提而成，所述具有金屬化合物而成的層至少形成在所述第1電極的上方，具有內(nèi)底面部和與該內(nèi)底面部連續(xù)的內(nèi)側(cè)面部，在所述提的底面與所述具有金屬化合物而成的層之間介置中間膜， 所述中間膜的與所述提的開口相當(dāng)?shù)膮^(qū)域開口，所述發(fā)光層的下部側(cè)與所述具有金屬化合物而成的層的所述凹形狀部分的內(nèi)底面部及內(nèi)側(cè)面部接觸而形成。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的發(fā)光元件， 所述中間膜使用絕緣材料形成。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的發(fā)光元件， 所述中間膜使用無(wú)機(jī)材料形成。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的發(fā)光元件， 所述中間膜使用S^2形成。
34.一種發(fā)光裝置，具有多個(gè)子像素而成，具有權(quán)利要求20 33中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件作為所述多個(gè)子像素的各個(gè)。
全文摘要
一種發(fā)光元件的制造方法，在第1步驟，在基板(1)的一個(gè)主面上形成陽(yáng)極(2)；在第2步驟，至少在陽(yáng)極(2)的上方形成空穴注入層(3)；在第3步驟，用保護(hù)膜(40)至少將空穴注入層(3)的上方覆蓋；在第4步驟，使用濕式工藝，在保護(hù)膜(40)之上形成在一部分區(qū)域具有保護(hù)膜露出的開口(5a)的堤(5)；在第5步驟，除去保護(hù)膜(40)的從開口(5a)露出的部分，直到空穴注入層(3)的一部分露出；在第6步驟，在從開口(5a)露出的空穴注入層(3)之上形成發(fā)光層；在第7步驟，在發(fā)光層的上方形成陰極。并且，保護(hù)膜對(duì)于在第4步驟的濕式工藝所使用的液體具有耐受性。
文檔編號(hào)H05B33/22GK102308671SQ201080007098
公開日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2010年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月10日
發(fā)明者菅野恒, 西山誠(chéng)司, 近藤哲郎 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社