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一種低電磁波電熱膜的制作方法

文檔序號:8035278閱讀:308來源:國知局
專利名稱:一種低電磁波電熱膜的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種電熱設備,更具體地說是涉及一種電磁波很低的電熱膜。
背景技術
由于采用電能的加熱設備使用方便、簡單,而且使用電熱設備能使周圍的環(huán)境比 較干凈。因此,在人們的日常生活中的許多領域都使用由電能提供能源的加熱設備,其中電 熱膜就在上述領域廣泛使用。但是目前市面上所采用的電熱膜都是利用表面金屬屏蔽來降 低發(fā)熱體表面的電場;而且,利用雙面電路使其產(chǎn)生大小相同方向相反的磁場,使兩磁場相 互抵消,這樣一來用作屏蔽的金屬材料就會妨礙熱能的傳遞,使熱能的傳遞效率不佳。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種結構簡單、熱能的傳遞效率更高, 而且不需要專門制作一層金屬屏蔽層來屏蔽電場的電熱膜。為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用的技術方案是一種低電磁波電熱膜,由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上 的連接導線組成,其特征在于,所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成,所述低電 阻層一面的表面上設有由低阻特性導體制成的第一并聯(lián)回路,所述高電阻層一面的表面上 設有由高阻特性導體制成的第二并聯(lián)回路,所述第一并聯(lián)回路和第二并聯(lián)回路由一連接導 線或由塞孔制程串聯(lián),并且,所述低電阻層接地,使低電阻層一方成為電位零點。優(yōu)選的,所述低電阻層安裝在高電阻層的上方。優(yōu)選的,所述第一并聯(lián)回路內(nèi)設有一第一極性點。優(yōu)選的,所述第二并聯(lián)回路內(nèi)設有一第二極性點。優(yōu)選的,所述第一極性點可設置在第一并聯(lián)回路上的任意處。優(yōu)選的,所述第二極性點可設置在第二并聯(lián)回路上的任意處。采用上述方案后,由于本實用新型利用兩種高低阻抗不同的電阻層串聯(lián),以使兩 電阻層產(chǎn)生大小相同、方向相反的磁場,這樣電阻層上的磁場就能夠抵消。另外,由于兩電 阻層有一層具有低阻抗特性的低電阻層,只要將低電阻層接地,就能達到屏蔽電場的效果, 而不需要另外再加一層屏蔽層來屏蔽電場,這樣不僅能屏蔽電場,還能節(jié)省產(chǎn)品的用料,而 且不會產(chǎn)生因為金屬屏蔽層導致熱能傳遞效率不佳的問題。

圖1是本實用新型的結構示意圖。圖中標號為1、絕緣層2、低電阻層 21、絕緣層22、第二并聯(lián)回路221、第二極性點3、高電阻層31、絕緣層32、第一并聯(lián)回路321、第一極性點[0017]4、連接導線具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明如圖1所示,本實用新型公開了一種低電磁波電熱膜,由電阻層、壓制在電阻層表 面的絕緣層1和連接在電阻層上的連接導線4組成,所述電阻層由一低電阻層2和一高電 阻層3壓制而成,所述低電阻層2由絕緣層21和利用低阻抗特性導電漿(銅漿、銀漿、鋁 漿、錫漿等)涂布于絕緣層21 —面的表面而制成的第一并聯(lián)回路22組成,所述高電阻層3 由絕緣層31和利用高阻特性導電漿(碳漿)涂布于絕緣層3—面的表面而制成的第二并 聯(lián)回路32組成,再使用連接導線4將高電阻層3內(nèi)的第二并聯(lián)回路32和低電阻層2內(nèi)的 第一并聯(lián)回路22將這兩個并聯(lián)回路串聯(lián)起來,形成一串聯(lián)回路,所述連接導線4是由灌銅 導線或者銅箔制成,所述第二并聯(lián)回路32上設有一第二極性點321,所述第二極性點321 與外接電源中交流電的火線相連接,所述第一并聯(lián)回路22上設有一第一極性點221,所述 第一極性點221與外接電源中的與隔離變壓器相連的交流電的中性線相連接,將中性線接 地,使低電阻層2的一方的電位成為電位零點,以達到消除電場干擾的效果。將低電阻層2 放在高電阻層3的上方,并且低電阻層2內(nèi)的第一極性點22和高電阻層3內(nèi)的第二極性點 32分別要朝向絕緣層1的方向擺放,然后再在低電阻層2的上方覆蓋一層絕緣層1,防止人 員觸電。以上所述的僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本領域的普通技術 人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下,還可以做出其它變形或改進,這些都屬于本 實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種低電磁波電熱膜,由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上的 連接導線組成,其特征在于,所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成,所述低電阻 層一面的表面上設有由低阻特性導體制成的第一并聯(lián)回路,所述高電阻層一面的表面上設 有由高阻特性導體制成的第二并聯(lián)回路,所述第一并聯(lián)回路和第二并聯(lián)回路由一連接導線 或由塞孔制程串聯(lián),并且,所述低電阻層接地,使低電阻層一方成為電位零點。
2.根據(jù)權利要求1所述的低電磁波電熱膜,其特征在于,所述低電阻層安裝在高電阻 層的上方。
3.根據(jù)權利要求1所述的低電磁波電熱膜,其特征在于,所述第一并聯(lián)回路內(nèi)設有一 第一極性點。
4.根據(jù)權利要求1所述的低電磁波電熱膜,其特征在于,所述第二并聯(lián)回路內(nèi)設有一 第二極性點。
5.根據(jù)權利要求3所述的低電磁波電熱膜,其特征在于,所述第一極性點設置在第一 并聯(lián)回路上的任意處。
6.根據(jù)權利要求4所述的低電磁波電熱膜,其特征在于,所述第二極性點設置在第二 并聯(lián)回路上的任意處。
專利摘要本實用新型涉及一種低電磁波電熱膜,由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上的連接導線組成,其特征在于,所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成,低電阻層和高電阻層內(nèi)設有并聯(lián)回路,在這兩個并聯(lián)回路上用連接導線或由塞孔制程串聯(lián),并且,所述低電阻層接地,使低電阻層一方成為電位零點。本實用新型的有益效果是結構簡單、減少產(chǎn)品用料,而且不需要專門制作一層金屬屏蔽層來屏蔽電場的電熱膜。
文檔編號H05K9/00GK201893948SQ201020288009
公開日2011年7月6日 申請日期2010年8月11日 優(yōu)先權日2010年8月11日
發(fā)明者林青輝 申請人:卜冠電器(無錫)有限公司
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