專利名稱：以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制作光吸收層的方法，特別是涉及一種以非真空工藝制作銅銦鎵 硒(硫)光吸收層的方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨國際油價(jià)高漲及環(huán)保意識(shí)的抬頭，綠色能源已成為新能源主流，其中太 陽能電池又因取自太陽的穩(wěn)定輻射能，來源不會(huì)枯竭，因此更為各國所重視，無不挹注大量 研發(fā)經(jīng)費(fèi)及政策性補(bǔ)貼，以扶植本地的太陽能電池產(chǎn)業(yè)，使得全球太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展非常 快速。第一代太陽能模組包括單晶硅和多晶硅的太陽能模組，雖然光電轉(zhuǎn)換效率高且量 產(chǎn)技術(shù)成熟，但因?yàn)椴牧铣杀靖?，且硅晶圓常因半導(dǎo)體工業(yè)的需求而貨源不足，影響后續(xù)的 量產(chǎn)規(guī)模。因此，包含非晶硅薄膜、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜或銅銦鎵硒(硫)(CIGSS)薄膜和 碲化鎘薄膜的第二代的薄膜太陽能模組，在近幾年已逐漸發(fā)展并成熟，其中又以銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率最高(單元電池可高達(dá)20%而模組約14% )，因 此特別受到重視。參閱圖1，現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結(jié)構(gòu)的示意圖。如 圖1所示，現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的銅銦鎵硒太陽能電池結(jié)構(gòu)包括基板10、第一導(dǎo)電層20、銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)吸收層30、緩沖層40、絕緣層50以及第二導(dǎo)電層60，其中基板10可為玻 璃板、鋁板、不繡鋼板或塑膠板，第一導(dǎo)電層20 —般包括金屬鉬，當(dāng)作背面電極，銅銦鎵硒 或銅銦鎵硒(硫)吸收層30包括適當(dāng)比例的銅、銦、鎵及硒，當(dāng)作ρ型薄膜，為主要的光線 吸收層，緩沖層40可包括硫化鎘(CdS)，當(dāng)作η型薄膜，絕緣層50包括氧化鋅(ZnO)，用以 提供保護(hù)，第二導(dǎo)電層60包含氧化鋅鋁(Ζη0:Α1)，用以連接正面電極。上述銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的制造方法主要依據(jù)銅銦鎵硒或銅銦 鎵硒(硫)吸收層的制造環(huán)境而分成真空工藝及非真空工藝。真空工藝包括濺鍍法或蒸鍍 法，缺點(diǎn)是投資成本較高且材料利用率較低，因此整體制作成本較高。非真空工藝包括印刷 法或電沈積法，缺點(diǎn)是技術(shù)仍不成熟，仍無較大面積的商品化產(chǎn)品。不過非真空工藝仍具有 制造設(shè)備簡單且工藝條件容易達(dá)成的優(yōu)點(diǎn)，而有相當(dāng)?shù)纳虡I(yè)潛力。銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的非真空工藝是先調(diào)配銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)漿料或墨水(Ink)，用以涂布到鉬層上?，F(xiàn)有習(xí)用技術(shù)中，銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料調(diào)配先以適當(dāng)比例混合含IB、 IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份的粉末以形成原始含銅銦鎵硒或銅銦鎵硒 (硫)的粉末，再添加適當(dāng)比例的溶劑，并進(jìn)行攪拌以形成原始銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫) 漿料，最后添加接著劑(binder)或界面活性劑以提高銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層和 鉬背面電極的接著性，并進(jìn)行攪拌混合以形成最后銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料。一般漿料配置時(shí)，會(huì)使用納米球狀含IB、IIIA及VIA族元素的球狀顆粒，但平均粒 徑相同的顆粒，在堆疊成膜時(shí)易有孔隙太大的問題，因此需要一種包含球狀顆粒和其他如薄片狀納米顆粒混合均勻的納米粉末，以改善孔隙太大的問題。銅銦鎵硒(硫)比例配置好的漿料涂布成前驅(qū)層后，在后續(xù)RTA過程中，會(huì)因?yàn)槲?揮發(fā)，造成銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層中IB/IIIA/VIA的原始比例變化太大，影響 銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層的光吸收特性，嚴(yán)重者會(huì)造成此光吸收層從P層變化成 N層，所形成的太陽能電池會(huì)失去電池的特性，以往為補(bǔ)充損失的硒，會(huì)使用硒化工藝，即用 高毒性的硒化氫氣體，以補(bǔ)充損失的硒成份，但高毒性的硒化氫氣體，稍一不慎會(huì)造成致命 的危險(xiǎn)。因此，需要一種危險(xiǎn)性較低，又可補(bǔ)充VI族成份的光吸收層制作方法，以改善上述 現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)的問題。由此可見，上述現(xiàn)有的制作光吸收層的方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便 與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求 解決之道，但長久以來一直未見適切的方法能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解 決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法， 實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的制作光吸收層的方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品 設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng) 設(shè)一種新的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的制作 光吸收層的方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn) 后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的制作光吸收層的方法存在的缺陷，而提供一 種新的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，所要解決的技術(shù)問題是使用不 同形狀顆粒且正常比例的化合物配成漿料，并在RTA過程中加入VIA族粉末，以補(bǔ)充銅銦鎵 硒或銅銦鎵硒(硫)前驅(qū)層的VIA族揮發(fā)所造成的損失，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，用以在非真空下一鉬層上形成 均勻光吸收層，其包括以下步驟首先，依據(jù)配方比例，調(diào)配球狀和非球狀含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成 份或四成份粉末以形成含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中粉末顆粒平均粒徑小于500納米；其次在含銅銦鎵硒(硫)混合粉末加入溶劑、NaI和界面活性劑攪拌形成含銅銦 鎵硒(硫)漿料；接著將含銅銦鎵硒(硫)漿料以非真空涂布法涂布在含鉬電極的基板上；再經(jīng)過軟烤去除溶劑以形成含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層；最后將含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層，置于含VIA族元素粉末的高溫RTA爐 中長晶，完成銅銦鎵硒(硫)光吸收層的制作。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的配方比例指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=0. 9-1. 0 1. 0 2. 0。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的IB族元素包括銅。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的VIA族元 素可為硒或硫或硒硫混合材料前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的球狀顆粒 粉末占總粉末的70%以上，非球狀顆粒粉末占總粉末的30%以下。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的非球狀顆 粒粉末可為薄片、不規(guī)則碎片或圓盤狀顆粒。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的溶劑包括 醇類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的VIA族元 素粉末可為硒粉、硫粉或硒硫混合粉末其中之一。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的高溫RTA 爐內(nèi)溫度介于400-800°C之間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目 的，本發(fā)明提供了一種以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，本發(fā)明主要利用 調(diào)配銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料時(shí)，使用不同形狀顆粒且正常比例的銅銦鎵硒化合物 配成漿料，涂布形成光前驅(qū)層后，在RTA過程中加入VIA族粉末，使VIA族粉末高溫形成蒸 氣，補(bǔ)充銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)前驅(qū)層的VIA族揮發(fā)所造成的損失。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法至 少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果1、本發(fā)明混合包含球狀納米顆粒和至少一種非球狀納米顆粒，以降低混合物在成 膜時(shí)的孔隙問題。2、本發(fā)明不使用硒化法，避免使用危險(xiǎn)的硒化氫。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方 法，其包括以下步驟首先依據(jù)配方比例，調(diào)配球狀和非球狀含IB、IIIA及VIA族元素的二 成份、三成份或四成份粉末以形成含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中粉末顆粒平均粒徑小于 500納米；其次在含銅銦鎵硒(硫)混合粉末加入溶劑、NaI和界面活性劑攪拌形成含銅銦 鎵硒(硫)漿料，接著將該漿料以非真空涂布法涂布在含鉬電極的基板上，再經(jīng)過軟烤以形 成含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層，最后將其置于含VIA族元素粉末的高溫RTA爐中長 晶，完成銅銦鎵硒(硫)光吸收層的制作。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極 效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是現(xiàn)有現(xiàn)有習(xí)用技術(shù)銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是本發(fā)明以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的流程圖。10:基板20:第一導(dǎo)電層30 銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)吸收層 40 緩沖層50:絕緣層60:第二導(dǎo)電層S200-S240 制作步驟
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方 法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí) 施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明，在以下的實(shí)施例中，相同的元件以相同 的編號(hào)表示。本發(fā)明主要利用調(diào)配銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)漿料時(shí)，使用不同形狀顆粒且正 常比例的銅銦鎵硒化合物配成漿料，涂布形成光前驅(qū)層后，在RTA過程中加入VIA族粉末， 使VIA族粉末高溫形成蒸氣，補(bǔ)充銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)前驅(qū)層的VIA族揮發(fā)所造成 的損失。請參閱圖2所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收 層的方法，其主要包括以下步驟首先，于步驟S200依據(jù)配方比例，調(diào)配球狀和非球狀含IB、IIIA及VIA族元素的 二成份、三成份或四成份粉末以形成含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中粉末顆粒平均粒徑小 于500納米；步驟S210，在含銅銦鎵硒(硫)混合粉末加入溶劑、NaI和界面活性劑攪拌形成含 銅銦鎵硒(硫)漿料；步驟S220將含銅銦鎵硒(硫)漿料以非真空涂布法涂布在含鉬電極的基板上；步驟S230再經(jīng)過軟烤去除溶劑以形成含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層；最后步驟S240將含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層，置于含VIA族元素粉末的高 溫RTA爐中長晶，完成銅銦鎵硒(硫)光吸收層的制作。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的配方比例 指 IB IIIA VI 元素的莫耳比例=0. 9-1. 0 1. 0 2. 0。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的IB族元素 包括銅。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的VIA族元 素可為硒或硫或硒硫混合材料。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的球狀顆粒 粉末占總粉末的70%以上，非球狀顆粒粉末占總粉末的30%以下。
前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的非球狀顆 粒粉末可為薄片、不規(guī)則碎片或圓盤狀顆粒。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的溶劑包括 醇類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的VIA族元素粉末可為硒粉、硫粉或硒硫混合粉末其中之一。前述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其中所述的高溫RTA 爐內(nèi)溫度介于400-800°C之間。綜上所述，本發(fā)明的不含界面活性劑的銅銦鎵硒(硫)漿料調(diào)配方法先計(jì)算需求 銅銦鎵硒(硫)配方比例，混合含不同平均粒徑的IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份 或四成份粉末以形成原始含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中使用粉末中混合包含球狀納米 顆粒(> 70% )和至少一種非球狀納米顆粒(< 30% )，以降低混合物在成膜時(shí)的孔隙問 題，此納米顆粒平均粒徑小于500納米，其中非球狀顆粒可為薄片、不規(guī)則碎片或圓盤狀顆 粒。銅銦鎵硒(硫)配方比例所包含的IB、IIIA及VIA族元素的比例為IB IIIA VI 的莫耳比例=0.9-1.0 1.0 2.0。其中IIIA族元素可為純銦、純鎵或混合銦和鎵的材 料，另VIA族元素可為純硒、純硫或混合硒和硫的材料，將此混合材料和醇類、醚類、酮類等 單一溶劑或混合兩種以上的混合溶劑作為混合媒介，并添加如NaI或不同性質(zhì)的界面活性 劑攪拌均勻以完成漿料的調(diào)配，以作為光吸收前驅(qū)層的材料。將上述漿料以非真空涂布法，如電沈積法、刮刀涂布法、狹縫涂布法、網(wǎng)印法或超 音波涂布法等涂布在含鉬電極的基板上，并軟烤去除溶劑以形成前驅(qū)層。再將前驅(qū)層以RTA爐400-800°C高溫長晶使形成光吸收層，另高溫RTA過程中，硒 成份可能會(huì)減少，可在RTA過程中添加純VIA族元素粉末，可為硒粉、硫粉或混合硒粉和硫 粉，使粉末在高溫中揮發(fā)形成VIA族蒸氣，補(bǔ)充損失的硒成份，使前驅(qū)層中含IB、IIIA及VIA 族元素的比例仍維持在IB IIIA VI的莫耳比例=0.9-1.0 1. 0 2的最佳比例。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對 以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，用以在非真空下一鉬層上形成均勻光吸收層，其特征在于其包括以下步驟首先，依據(jù)配方比例，調(diào)配球狀和非球狀含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中粉末顆粒平均粒徑小于500納米；其次在含銅銦鎵硒(硫)混合粉末加入溶劑、NaI和界面活性劑攪拌形成含銅銦鎵硒(硫)漿料；接著將含銅銦鎵硒(硫)漿料以非真空涂布法涂布在含鉬電極的基板上；再經(jīng)過軟烤去除溶劑以形成含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層；最后將含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層，置于含VIA族元素粉末的高溫RTA爐中長晶，完成銅銦鎵硒(硫)光吸收層的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的配方比例指IB IIIA VI元素的莫耳比例=0.9-1.0 1. 0 2. 0。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的IB族元素包括銅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的IIIA族元素包括銦或鎵或銦鎵混合材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的VIA族元素可為硒或硫或硒硫混合材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的球狀顆粒粉末占總粉末的70%以上，非球狀顆粒粉末占總粉末的30%以 下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的非球狀顆粒粉末可為薄片、不規(guī)則碎片或圓盤狀顆粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的溶劑包括醇類、醚類、酮類或混合所述二種以上溶劑的至少其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的VIA族元素粉末可為硒粉、硫粉或硒硫混合粉末其中之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其特征 在于其中所述的高溫RTA爐內(nèi)溫度介于400-800°C之間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種以非真空工藝制作銅銦鎵硒(硫)光吸收層的方法，其包括以下步驟首先依據(jù)配方比例，調(diào)配球狀和非球狀含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含銅銦鎵硒(硫)混合粉末，其中粉末顆粒平均粒徑小于500納米；其次在含銅銦鎵硒(硫)混合粉末加入溶劑、NaI和界面活性劑攪拌形成含銅銦鎵硒(硫)漿料，接著將該漿料以非真空涂布法涂布在含鉬電極的基板上，再經(jīng)過軟烤以形成含銅銦鎵硒(硫)的光吸收前驅(qū)層，最后將其置于含VIA族元素粉末的高溫RTA爐中長晶，完成銅銦鎵硒(硫)光吸收層的制作。本發(fā)明混合包含球狀納米顆粒和至少一種非球狀納米顆粒，以降低在成膜時(shí)的孔隙問題，且不使用硒化法，避免使用危險(xiǎn)的硒化氫。
文檔編號(hào)C30B28/02GK101818375SQ201010111509
公開日2010年9月1日 申請日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者楊益郎, 林群福, 陳文仁 申請人:昆山正富機(jī)械工業(yè)有限公司