專利名稱：等離子體處理腔室的非平面面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例一般地涉及一種用于處理半導(dǎo)體基板的等離子體處理腔室。更 具體地，本發(fā)明的實施例涉及一種等離子體腔室，其包含具有非平面頂表面的電極。
背景技術(shù)：
當(dāng)在等離子體環(huán)境中處理基板時，等離子體強度的均勻性將會影響處理的 均勻性。舉例而言，在等離子體增強化學(xué)氣相沉積(Plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)處理以沉積先進圖膜(advanced patterning film，APF)(例如無定形
碳)期間，基板范圍內(nèi)的厚度主要由等離子體強度均勻性決定。在基板上高等離子體強 度處有較多材料沉積，而在基板上等離子體強度低處則沉積較少材料。類似地，在蝕刻 處理中，可能從基板對應(yīng)于高等離子體強度區(qū)域處移除或蝕刻較多材料。因此，等離子體處理中的非均勻性會顯著降低器件的性能并導(dǎo)致耗損，這是由 于等離子體強度的非均勻性造成在基板各處沉積層或蝕刻部分并非一致的緣故。隨著半導(dǎo)體器件持續(xù)變得更為復(fù)雜，良好的處理均勻性逐漸變得重要。均勻性 在特征尺度(< 1微米)以及晶片尺度(300mm)兩方面是重要的。種種因素造成非均勻 性，例如處理氣體(例如蝕刻與鈍化物種)不同成分的濃度變化、離子轟擊通量與能量以 及晶片各處與特征輪廓內(nèi)的溫度。所觀察到的非均勻性之一是PECVD腔室中的邊緣效應(yīng)。邊緣效應(yīng)與距離基板邊 緣約15公厘的區(qū)域處中較強的等離子體相關(guān)。在APF沉積之后，可于靠近基板邊緣的 隆起區(qū)域處觀察到邊緣效應(yīng)。圖IA示意地繪示出傳統(tǒng)易受邊緣效應(yīng)影響的等離子體反應(yīng)器100。等離子體反 應(yīng)器100包含設(shè)置于基板支撐件102上方的上電極101?；逯渭?02建構(gòu)成支撐其 上的基板105，使得在處理期間基板105面對上電極101。上電極101可為一噴氣頭，其 建構(gòu)成將處理氣體均勻地分布在基板支撐件102與上電極101間的工藝容積中。下電極 103設(shè)置在基板105下，通常嵌入在基板支撐件102中。RF功率源104可施加在上電極 101與下電極103間，以在上電極101與基板支撐件102之間產(chǎn)生電容性感應(yīng)等離子體。等離子體反應(yīng)器100中的等離子體強度一般與處理氣體濃度、上電極101與下電 極103間的電場106密度相關(guān)。上電極101與下電極103間尺寸的差異與尖角會造成邊 緣區(qū)域附近電場106的增加，因而增加邊緣附近的等離子體強度。圖IB示意地繪示具有膜107沉積于其上的基板105的部分剖面圖。由于邊緣效 應(yīng)的緣故，在基板邊緣105附近觀察到隆起108。由于腔室結(jié)構(gòu)及/或操作參數(shù)的緣故，其它非均勻性也存在于等離子體處理期間。因此，仍需要開發(fā)出以增加的均勻性處理半導(dǎo)體基板的設(shè)備與方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例一般地涉及在等離子體反應(yīng)器內(nèi)調(diào)整等離子體強度的設(shè)備與方法。具體而言，本發(fā)明之實施例系關(guān)于一種等離子體腔室，其具有一電極，該電極具有 一建構(gòu)成調(diào)整等離子體強度的非平面頂表面。本發(fā)明的一個實施例提供一種用以處理基板的電極組件。該電極組件包含一導(dǎo) 電面板，其具有一非平面表面，該非平面表面建構(gòu)成在處理期間面對該基板，其中該導(dǎo) 電面板經(jīng)設(shè)置，使得該非平面表面與一具有電極的基板支撐件相對，該導(dǎo)電面板與該基 板支撐件形成一等離子體容積，一 RF功率源施加于該導(dǎo)電面板與該電極間，且該非平 面表面建構(gòu)成通過改變該導(dǎo)電面板與該電極間的距離，調(diào)整該導(dǎo)電面板與該電極間的電 場。本發(fā)明的另一實施例提供一種用以處理一基板的設(shè)備。該設(shè)備包含一腔室主 體，其具有側(cè)壁；一基板支撐件，設(shè)置于該腔室主體中，并建構(gòu)成支撐該基板，其中該 基板支撐件包含一電極；一蓋組件，設(shè)置于該腔室主體的這些側(cè)壁上，其中該蓋組件與 該基板支撐件限定一等離子體容積，且該蓋組件包含一導(dǎo)電面板，該導(dǎo)電面板具有一面 對該基板支撐件的非平面表面，且該非平面表面建構(gòu)成通過改變該導(dǎo)電面板與該電極間 的距離，調(diào)整該導(dǎo)電面板與該電極間的電場；以及一 RF功率源，耦接至該導(dǎo)電面板或該 電極之一，并建構(gòu)成在該等離子體容積內(nèi)產(chǎn)生一等離子體。本發(fā)明的又一實施例提供一種處理基板的方法。該方法包含放置該基板于一基 板支撐件上，該基板支撐件設(shè)置于一處理腔室中，其中該基板支撐件具有一電極；提供 一處理氣體至該處理腔室；以及通過在該基板支撐件的該電極與一設(shè)置在該基板上方的 導(dǎo)電面板間施加一 RF功率，來產(chǎn)生該處理氣體的等離子體，其中該導(dǎo)電面板具有一非平 面表面，該非平面表面建構(gòu)成調(diào)整局部等離子體密度。


為了可以詳細理解本發(fā)明的以上所述特征，下面將參照附圖中示出的實施例， 對本發(fā)明的以上簡要敘述進行更具體的描述。然而，應(yīng)該注意，附圖中只示出了本發(fā)明 典型的實施例，因此不能認(rèn)為其是對本發(fā)明范圍的限定，本發(fā)明可以允許其它等同的有 效實施例。圖IA示意地繪示易受邊緣效應(yīng)影響的傳統(tǒng)等離子體反應(yīng)器。圖IB為具有在邊緣效應(yīng)下沉積的膜的基板示意部分剖面視圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一等離子體反應(yīng)器的示意部分側(cè)視圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一等離子體腔室的示意部分側(cè)視圖。圖4為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一電極的示意部分剖面?zhèn)纫晥D。圖5為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，顯示處理結(jié)果的概要圖。為了更容易理解，在任何可能的情況下，使用相同的附圖標(biāo)記來代表圖中相同 的組件?？深A(yù)期一個實施例中所公開的組件可利用于其它實施例中，而不需特別詳述。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例一般地涉及用來調(diào)整等離子體反應(yīng)器內(nèi)等離子體強度的設(shè)備與 方法。更具體地，本發(fā)明的實施例涉及一等離子體腔室，其包含一具有建構(gòu)來調(diào)整等離 子體強度的非平面頂表面的電極。
在一實施例中，電極的非平面頂表面被建構(gòu)成通過改變電極間的距離，來調(diào)整 電極與第二電極間的電場。在一個實施例中，凹槽形成在面板上對應(yīng)于基板的邊緣區(qū)， 以降低邊緣區(qū)附近的等離子體強度。圖2為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，等離子體反應(yīng)器200的示意部分側(cè)視圖。等 離子體反應(yīng)器200包含一電極組件201，其設(shè)置在基板支撐件202上方?；逯渭?02 與電極組件201 —般設(shè)置在真空腔室213中。基板支撐件202與電極組件201基本平行 并限定其間的等離子體容積206。基板支撐件202建構(gòu)成支撐基板205于其上，并放置基板205于等離子體容積 206內(nèi)。第二電極203設(shè)置在等離子體容積206下，且建構(gòu)成通過與電極組件201反應(yīng)， 于等離子體容積206內(nèi)施加電場。在一個實施例中，第二電極203嵌入在基板支撐件202中。等離子體反應(yīng)器200還包含RF功率源204，其建構(gòu)成于等離子體容積206內(nèi)產(chǎn)生 電容性感應(yīng)等離子體。在一個實施例中，RF功率源204、電極組件201與第二電極203 接地。在另一實施例中(未示)，RF功率源204可施加至第二電極203，同時電極組件 201接地。電極組件201可包含一導(dǎo)電面板212，導(dǎo)電面板212具有面對等離子體容積206 的頂表面208。在一個實施例中，頂表面208為非平面的，因而基板205與導(dǎo)電面板212 間的間距207橫越等離子體容積206變化。間距207的變化被建構(gòu)成調(diào)整等離子體容積 206內(nèi)的等離子體強度。在一個實施例中，頂表面208可包含一個或多個凹面部分，凹面部分被建構(gòu)成 降低凹面部分附近的局部等離子體強度。在另一實施例中，頂表面208可以包含一個或 多個凸起部分，凸起部分被建構(gòu)成增加凸起部分附近的局部等離子體強度。在另一實施 例中，頂表面208可以包含凹面與凸起部分，以實現(xiàn)橫越等離子體容積206所需的等離子 體強度輪廓。在一個實施例中，導(dǎo)電面板212的頂表面208為具有凹面、凸起及/或平面部分 平滑接合在一起的非平面。在一個實施例中，頂表面208可以包含對應(yīng)于等離子體容積206的中央部分的內(nèi) 平面部分210、自內(nèi)平面部分210向外形成的凹槽209、以及自凹槽209向外形成的外平 面部分211。在一個實施例中，凹槽209可形成于對應(yīng)基板205的邊緣區(qū)的區(qū)域中，以降 低邊緣效應(yīng)。內(nèi)平面部分210、凹槽209與外平面部分211可經(jīng)由圓角連接，以避免產(chǎn)生 火花。在一個實施例中，凹槽209可由外斜面209a與內(nèi)斜面209b形成。外斜面209a 自外平面部分211開始并向內(nèi)延伸。內(nèi)斜面209b自內(nèi)平面部分210開始并向外延伸。內(nèi) 斜面209b與外斜面209a平滑地接合在一起。凹槽209可為圓形或矩形，視基板206形狀而定。在一個實施例中，等離子體 反應(yīng)器200可被建構(gòu)成處理具有約150mm半徑的圓形基板。凹槽209具有約0.5mm至 約2mm的深度。凹槽209可為具有約130mm至約140mm半徑的圓形。內(nèi)斜面209b可 自與凹槽209同中心的圓開始，并具有約80mm至約IOOmm的半徑。外斜面209a可自 與凹槽209同中心的圓開始，并具有約140mm至約145mm的半徑。
在一個實施例中，導(dǎo)電面板212具有多個氣體分配孔形成于其中，且建構(gòu)成用 以將處理氣體分配至等離子體容積206。圖3為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，等離子體反應(yīng)器300的示意部分側(cè)視圖。等 離子體反應(yīng)器300包含建構(gòu)成用以處理在其中的基板304的處理腔室302。處理腔室302包含腔室側(cè)壁328、腔室底部327以及蓋組件329。在一個實施例 中，蓋組件329可借助柵欄連接至腔室側(cè)壁328。腔室側(cè)壁328、腔室底部327與蓋組件 329限定處理容積318?；逯渭?06設(shè)置于處理容積318中，其建構(gòu)成在處理期間用以支撐基板 304?；逯渭?06在處理期間可垂直移動并旋轉(zhuǎn)。在一個實施例中，基板支撐件306 可為在處理期間有效固定基板304的常用靜電吸盤?；逯渭?06具有支撐表面365，其建構(gòu)成支撐基板304于其上。在一個實 施例中，基板支撐件306也具有往支撐表面365外形成且建構(gòu)來固定邊緣環(huán)367的凹槽 373。邊緣環(huán)367建構(gòu)成覆蓋基板304的邊緣區(qū)域，并防止在基板邊緣304的斜邊上的任 何沉積。在一個實施例中，基板支撐件306包含設(shè)置在支撐表面365下的電極363。電極 363與基板304的大小與形狀基本相似。在一個實施例中，基板304經(jīng)由匹配電路364接 地。在一個實施例中，基板支撐件306的溫度可經(jīng)由適于冷卻與加熱基板支撐件306 至所需溫度的溫度控制器361來控制。溫度控制器361可使用公知裝置，例如嵌入式電 阻加熱組件360或耦接至熱交換器的流體冷卻通道。蓋組件329 —般包含蓋主體341，其密封地設(shè)置在腔室側(cè)壁329上。蓋組件329 還包含面板343，面板343耦接至相互密封耦接的氣體分配板344。面板343設(shè)置蓋主 體341的開口 341a內(nèi)。在一個實施例中，隔離器342可設(shè)置在面板343與蓋主體341之 間，以使面板343與蓋主體341和腔室側(cè)壁328電性隔離。在一個實施例中，面板343包含前板351、側(cè)壁352與凸緣353。凸緣353能 使面板343坐落在開口 341a內(nèi)。當(dāng)蓋組件329關(guān)閉時，前板351基本平行于基板支撐件 306的支撐表面365。面板343 —般由導(dǎo)電材料形成，而前板351被建構(gòu)成與電極363相對的電極。在 一個實施例中，面板343經(jīng)由匹配電路357連接至RF功率源358。當(dāng)RF功率施加至面 板343時，等離子體可在處理容積318內(nèi)于面板343與基板支撐件306間產(chǎn)生。在一個實施例中，面板341可具有非平面頂表面356，使得基板304與面板343 間的間距312橫跨基板304而變化。間距312的變化被建構(gòu)成用以調(diào)整處理容積318內(nèi) 的等離子體強度。在一個實施例中，頂表面356包含一個或多個凹面部分，其建構(gòu)成降低靠近凹 面部分的局部等離子體強度。在另一實施例中，頂表面356包含一個或多個凸起部分， 其建構(gòu)成增加靠近凸起部分的局部等離子體強度。在另一實施例中，頂表面356包含凹 面與凸起部分以達到橫越處理容積318所需的等離子體強度輪廓。在一個實施例中，頂表面356可與圖2的導(dǎo)電面板212的頂表面208相似。在 一頂表面實施例中，頂表面356包含部分凹面區(qū)域、部分凸起區(qū)域、平面部分區(qū)域或其組合平順地接合在一起。圖4為面板343的示意局部部分側(cè)視圖。在一個實施例中，如圖4中所示，頂 表面356包含對應(yīng)于基板304的中央部分的內(nèi)平面部分372、自內(nèi)平面部分372向外形成 的凹槽373、以及自凹槽373向外形成的外平面部分371。在一個實施例中，凹槽373可 形成于對應(yīng)基板304的邊緣區(qū)的區(qū)域中，以降低邊緣效應(yīng)。內(nèi)平面部分372、凹槽373與 外平面部分371通過圓角連接，以避免產(chǎn)生火花。在一個實施例中，凹槽373可通過外斜面374與內(nèi)斜面375形成。外斜面373 自外平面部分371開始并向內(nèi)延伸。內(nèi)斜面375自內(nèi)平面部分372開始并向外延伸。內(nèi) 斜面375與外斜面374平滑地接合在一起。在一個實施例中，等離子體反應(yīng)器300可以建構(gòu)成處理具有約150mm半徑的圓 形基板。凹槽373具有約0.5mm至約2mm的深度Dl。凹槽373可為具有約130mm至 約140mm半徑R2的圓形。內(nèi)斜面375可自與凹槽373同中心的圓開始，并具有約80mm 至約IOOmm的半徑R3。外斜面374可自與凹槽373同中心的圓開始，并具有約140mm 至約145mm的半徑R3。在一個實施例中，氣體分配板344耦接至面板343的背側(cè)。氣體分配板344、面 板343的側(cè)壁352與前板351限定氣體分配容積350。氣體分配板344可以密封地耦接 至面板343的凸緣353。在一個實施例中，氣體分配板344可由導(dǎo)電材料形成。RF功率 源358可直接連接至氣體分配板344，而來自RF功率源358的RF功率可經(jīng)由氣體分配板 344施加至面板343。在一個實施例中，氣體分配板344與面板343被建構(gòu)成將處理氣體自氣體分配 盤359均勻地分配至處理容積318。在一個實施例中，氣體分配板344包含氣體箱(gas box) 345與阻隔板346。氣體箱345與面板343的凸緣353接合。入口端347穿過氣體 箱345形成。入口端347建構(gòu)成接收一種或多種來自氣體分配盤359的處理氣體。阻隔板346與氣體箱345接合并面對面板343。阻隔板346通常覆蓋入口端347， 并使來自入口端347的處理氣體分配到氣體分配容積350的整個容積中。在一個實施例 中，阻隔板346可以圍住阻隔板346與氣體箱345間的狹窄內(nèi)部容積348。入口端347通 至狹窄內(nèi)部容積348。狹窄內(nèi)部容積348迫使處理氣體在下移至處理容積318前進行“擴 散”。阻隔板346具有多個貫穿形成的通孔349，以提供狹窄內(nèi)部容積348與氣體分配容 積350間的流體連通。面板343還具有多個貫穿形成的氣體分配孔354，以提供氣體分配容積350與處 理容積318間的流體連通。多個氣體分配孔354的形狀及/或分布可被設(shè)置以調(diào)整處理 氣體的濃度。建構(gòu)用來提供處理氣體的出路的腔室襯里330，可設(shè)置在腔室側(cè)壁328內(nèi)側(cè)的處 理容積318周圍。腔室襯里330具有通道331形成于其中。通道331通常連接至真空裝 置366。多個穿孔332穿過腔室襯里330形成，以經(jīng)由腔室襯里330的通道331，提供處 理容積318與真空裝置366間的流體連通。箭頭313示意地繪示在處理期間，處理氣體 的大致路徑。圖5為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，顯示處理結(jié)果的概要圖。圖5的X軸代表離 基板中心的距離以公厘表示，Y軸代表沉積在基板上的膜的標(biāo)準(zhǔn)化厚度。曲線501示意地繪示使用具平面面板的傳統(tǒng)PECVD腔室所沉積的APF膜的厚度輪廓。如曲線501所 示，隆起處503是因邊緣效應(yīng)而產(chǎn)生。曲線502示意地繪示依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，利 用與曲線501的膜相同的工藝方式，但使用在邊緣區(qū)域附近處具有凹槽的PECVD腔室， 所沉積的APF膜的厚度輪廓。曲線502在邊緣區(qū)域附近沒有任何的隆起，且整個基板的 均勻性增加。盡管于本發(fā)明中描述了沉積處理的改善，但本發(fā)明的實施例可應(yīng)用于任何合適 的處理。舉例而言，本發(fā)明的實施例可用于調(diào)整蝕刻處理的等離子體強度，或調(diào)整等離 子體強度以實現(xiàn)除了均勻輪廓外的強度輪廓。盡管上文已公開本發(fā)明的實施例，在不脫離其基本范圍下，可設(shè)想出本發(fā)明其 它以及進一步的實施例，且其范圍權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種用以處理基板的電極組件，包含一導(dǎo)電面板，其具有一非平面表面，該非平面表面被建構(gòu)成在處理期間面對該基 板，其中該導(dǎo)電面板被設(shè)置使得該非平面表面與一具有電極的基板支撐件相對，該導(dǎo)電 面板與該基板支撐件形成一等離子體容積，一 RF功率源施加于該導(dǎo)電面板與該電極間， 且該非平面表面被建構(gòu)成通過改變該導(dǎo)電面板與該電極間的距離來調(diào)整該導(dǎo)電面板與該 電極間的電場。
2.如權(quán)利要求1所述的電極組件，其中該非平面表面被建構(gòu)成降低該基板的一邊緣區(qū) 域附近的電場密度，該導(dǎo)電面板的該非平面表面包含一內(nèi)平面部分，對應(yīng)于該基板的中央部分；一凹槽，在該內(nèi)平面部分外，且對應(yīng)于該基板的該邊緣部分；以及一外平面部分，在該凹槽外，其中該凹槽連接該內(nèi)平面部分與該外平面部分而無尖
3.如權(quán)利要求2所述的電極組件，其中該凹槽具有約0.5mm至約2mm間的深度。
4.如權(quán)利要求2所述的電極組件，其中該凹槽由一第一斜面與一第二斜面形成，該第 一斜面自該內(nèi)平面部分開始向外，該第二斜面自該外平面部分開始向內(nèi)，且該第一與第 二斜面于該凹槽的一底部相遇。
5.如權(quán)利要求1所述的電極組件，還包含一氣體分配板，其在該非平面表面的一相反 側(cè)上耦接至該導(dǎo)電面板，其中該氣體分配板與該導(dǎo)電面板于一邊緣區(qū)域處密封連接，一 內(nèi)部容積形成于該氣體分配板與該導(dǎo)電面板間，且該導(dǎo)電面板具有多個氣體分配孔與該 內(nèi)部容積流體連通。
6.如權(quán)利要求5所述的電極組件，其中該氣體分配板包含一氣體箱，其具有一入口端，該入口端被建構(gòu)成接收處理氣體；以及一阻隔板，接合至該氣體箱，并面對該導(dǎo)電面板，其中該阻隔板具有多個穿孔，這 些穿孔被建構(gòu)成提供該入口端與該內(nèi)部容積間的流體連通。
7.如權(quán)利要求1所述的電極組件，其中該非平面表面包含一凹面部分與一凸起部分的 至少一個，該凹面部分被建構(gòu)成降低一局部電場的密度，而該凸起部分被建構(gòu)成增加一 局部電場的密度。
8.—種用以處理基板的設(shè)備，包含一腔室主體，其具有多個側(cè)壁；一基板支撐件，設(shè)置于該腔室主體中，并建構(gòu)成支撐該基板，其中該基板支撐件包 含一電極；一蓋組件，設(shè)置于該腔室主體的這些側(cè)壁上，其中該蓋組件與該基板支撐件限定一 等離子體容積，且該蓋組件包含一導(dǎo)電面板，該導(dǎo)電面板具有一面對該基板支撐件的非 平面表面，且該非平面表面被建構(gòu)成通過改變該導(dǎo)電面板與該電極間的距離來調(diào)整該導(dǎo) 電面板與該電極間的電場；以及一 RF功率源，耦接至該導(dǎo)電面板或該電極之一，并建構(gòu)成在該等離子體容積內(nèi)產(chǎn)生 一等離子體。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中該非平面表面被建構(gòu)成降低該基板的一邊緣區(qū)域附 近的電場密度，該導(dǎo)電面板的該非平面表面包含一內(nèi)平面部分，對應(yīng)于該基板的中央部分；一凹槽，在該內(nèi)平面部分外，且對應(yīng)于該基板的該邊緣部分；以及一外平面部分，在該凹槽外，其中該凹槽連接該內(nèi)平面部分與該外平面部分而無尖
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中該凹槽由一第一斜面與一第二斜面形成，該第一 斜面自該內(nèi)平面部分開始向外，該第二斜面自該外平面部分開始向內(nèi)，且該第一與第二 斜面于該凹槽的一底部相遇。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中該凹槽為圓形，且該凹槽的半徑與該基板的半徑 之比為約13 15至約14 15之間。
12.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中該蓋組件還包含一氣體分配板，其在該非平面表面的一相反側(cè)上耦接至該導(dǎo)電面板，其中該氣體分 配板與該導(dǎo)電面板于一邊緣區(qū)域處密封連接，一內(nèi)部容積形成于該氣體分配板與該導(dǎo)電 面板間，且該內(nèi)部容積經(jīng)由該導(dǎo)電面板的這些氣體分配孔與該等離子體容積流體連通。
13.—種處理基板的方法，包含放置該基板于一基板支撐件上，該基板支撐件設(shè)置于一處理腔室中，其中該基板支 撐件具有一電極；提供一處理氣體至該處理腔室；以及通過在該基板支撐件的該電極與一設(shè)置在該基板上方的導(dǎo)電面板間施加一 RF功率， 來產(chǎn)生該處理氣體的等離子體，其中該導(dǎo)電面板具有一非平面表面，該非平面表面被建 構(gòu)成調(diào)整局部等離子體密度。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該非平面表面包含一凹槽，該凹槽對應(yīng)至該基板 的一邊緣部分。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中產(chǎn)生等離子體包含使用一導(dǎo)電面板上的一凹面部 分以降低局部等離子體密度、以及使用該導(dǎo)電面板上的一凸起部分以增加局部等離子體 密度的至少一個。
全文摘要
一種用以在等離子體處理期間調(diào)整局部等離子體密度的方法與設(shè)備。一個實施例提供一種電極組件，其包含一具有一非平面表面的導(dǎo)電面板。該非平面表面建構(gòu)成在處理期間面對該基板，且該導(dǎo)電面板經(jīng)設(shè)置，使得該非平面表面與一具有電極的基板支撐件相對。該導(dǎo)電面板與該基板支撐件形成一等離子體容積。該非平面表面建構(gòu)成通過改變該導(dǎo)電面板與該電極間的距離，調(diào)整該導(dǎo)電面板與該電極間的電場。
文檔編號H05H1/34GK102017813SQ200980115050
公開日2011年4月13日 申請日期2009年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月28日
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