專利名稱：一種智能超變頻磁流子加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種智能超變頻磁流子加熱裝置。
背景技術(shù)：
隨著世界氣候的逐漸變暖，中國明確表示“將繼續(xù)堅(jiān)定不移地為應(yīng)對(duì)氣候變化作 出切實(shí)努力”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)將進(jìn)一步采取四項(xiàng)強(qiáng)有力的措施應(yīng)對(duì)氣候變化，其中之一就是“積 極發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)”。我國是發(fā)展中大國，經(jīng)濟(jì)發(fā)展過分依賴化石能源資源的消耗，導(dǎo)致碳排放總量不 斷增加、環(huán)境污染日益加重等問題，已經(jīng)嚴(yán)重影響到經(jīng)濟(jì)增長的質(zhì)量效益和發(fā)展的可持續(xù) 性。低碳經(jīng)濟(jì)就是節(jié)能減排。目前我國在工業(yè)領(lǐng)域所用的電加熱設(shè)備和民用領(lǐng)域所使用的電加熱采暖設(shè)備大 都是使用電阻絲(片)或帶進(jìn)行加熱，使用這些電阻絲(片)或帶加熱主要弊病是電能的 轉(zhuǎn)換效率低，因?yàn)殡娮杞z(片)或帶在發(fā)熱的同時(shí)還發(fā)光(有的電阻絲被封裝在裝滿石英 砂的管內(nèi)發(fā)光外面看不到)，發(fā)光部分也是由電能裝換過來的，這部分在加熱領(lǐng)域是無法利 用的，再者電阻絲(片)或帶在加熱時(shí)是全身發(fā)熱，在給別的被加熱物體加熱時(shí)只有很少電 熱被利用，其它的都傳到了空氣里。也即本身發(fā)熱的部分也沒有全部利用了。因而效率低 下。近年來出現(xiàn)了用民用電磁灶改裝的適合以上領(lǐng)域使用的電磁感應(yīng)加熱設(shè)備，有些干脆 就用電磁爐板直接應(yīng)用了。電磁爐是民用產(chǎn)品，所套用的標(biāo)準(zhǔn)是民用品標(biāo)準(zhǔn)，從電路的設(shè)計(jì) 到元器件的選用都不能滿足工業(yè)的需求。這樣的應(yīng)用往往得不償失。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供了一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其可有 效的代替現(xiàn)有技術(shù)中落后的間接加熱方式，節(jié)約能源，改善生活質(zhì)量與生產(chǎn)環(huán)境。本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的—種智能超變頻磁流子加熱裝置，包括機(jī)殼及裝在其內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換電路，其中， 機(jī)殼外側(cè)面設(shè)有供輸入與輸出的接線端子、外部通訊接口和散熱風(fēng)扇，機(jī)殼正面設(shè)有指示 系統(tǒng)；所述電源轉(zhuǎn)換電路包括智能主控板、高壓主電路、散熱裝置，智能主控板與高壓主電 路由控制信號(hào)線連接，高壓主電路裝設(shè)在散熱裝置上。高壓主電路上設(shè)有接線端子可以通 過導(dǎo)線與外部的接線端子連接，智能主控板上設(shè)有與外部通訊的接口，可以通過信號(hào)導(dǎo)線 與外部通訊接口連接。所述智能主控板是由CPU單片機(jī)主控器、全橋(半橋)逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、過流負(fù) 載檢測系統(tǒng)、延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)、啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)組成的。這些都是由市售的電阻、 電容等元器件以及單片機(jī)廠家生產(chǎn)的適合本實(shí)用新型使用的MCU單片機(jī)，把他們焊接在一 塊PCB電路板上，組成有一定功能的電路。PCB板上有他們之間可以通訊的連接的導(dǎo)線。至 于線路連接原理圖屬于公知技術(shù)，不屬于本實(shí)用新型申請(qǐng)的范疇，故不再論述。所述高壓主電路是由高壓主電路板、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT)、整流濾波電容CA、半控整流橋系統(tǒng)以及與電源相匹配的一定電感的 螺旋繞制在鐵質(zhì)材料上的磁流子發(fā)生器組成的，其中，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ、絕緣 柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT)、整流濾波電容CA和半控整流橋系統(tǒng)均固定連接在高壓主電路 板上。所述補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14、整流濾 波電容CA15、半控整流橋系統(tǒng)16和磁流子發(fā)生器19的連接方式有以下四種(1)如圖2、圖3所示，諧振電容CQ的A端與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT)中的 Q3的E級(jí)、Q4的C級(jí)用絕緣導(dǎo)線相連，其B端用絕緣導(dǎo)線與輸出端子的內(nèi)端相連接。輸出 端子的外端再通過絕緣導(dǎo)線與磁流子發(fā)生器的A端連接，磁流子發(fā)生器的B端再通過絕緣 導(dǎo)線連接到輸出端子的外端，輸出端子的內(nèi)端與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的 E級(jí)、Q2的C級(jí)用絕緣導(dǎo)線相連。絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql、Q3的C級(jí)與半 控整流橋+A端及整流濾波電容CA的A端連接。絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT)中的Q2、 Q4的E級(jí)與半控整流橋-A端及整流濾波電容CA的B端連接。半控整流橋的A、B、C與通 過絕緣導(dǎo)線與輸入接線端子的內(nèi)部相連，輸入接線端子的外部接380V、50-60Hz的市電。即半控整流橋系統(tǒng)16的進(jìn)線端與輸入輸出接線端子10連接，出線端+A與整流 濾波電容CA15的一端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的C級(jí)連接，絕緣柵 雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的E級(jí)又分別與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q2、Q4的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)16的出線端-A與整流濾波電容CA15的另一端、絕 緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Ql、Q2的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的一端連接，絕緣柵雙 極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q3、Q4的連接點(diǎn)與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ 的一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的另一端通過輸入輸出接線端子10 與磁流子發(fā)生器19的另一端連接。(2)如圖2、圖4所示，諧振電容CQ的A端與補(bǔ)償電容C1-C4中的Cl的B端、C2 的A端連接，其B端用絕緣導(dǎo)線與輸出端子的內(nèi)端相連接。輸出端子的外端再通過絕緣導(dǎo) 線與磁流子發(fā)生器的A端連接，磁流子發(fā)生器的B端再通過絕緣導(dǎo)線連接到輸出端子的外 端，輸出端子的內(nèi)端與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E級(jí)、Q2的C級(jí)用絕緣導(dǎo) 線相連。即半控整流橋系統(tǒng)16的進(jìn)線端與輸入輸出接線端子10連接，出線端+A與整 流濾波電容CA15的一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14中的Ql的C級(jí)以及補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ13中的Cl的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql的 E級(jí)與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)16的出線 端-A與整流濾波電容CA15的另一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E級(jí) 以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的另一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容 CQ13中的Cl的另一端與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的一端相連接并連接到 補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的一端，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的 CQ的另一端通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的一端連接，絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的另一 端連接。[0015](3)如圖2、圖5所示，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)中的Q3的E級(jí)、Q4的C級(jí) 用絕緣導(dǎo)線與輸出端子的內(nèi)端相連接。輸出端子的外端再通過絕緣導(dǎo)線與磁流子發(fā)生器的 A端連接，磁流子發(fā)生器的B端再通過絕緣導(dǎo)線連接到輸出端子的外端，輸出端子的內(nèi)端與 絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E級(jí)、Q2的C級(jí)用絕緣導(dǎo)線相連。即半控整流橋系統(tǒng)16的進(jìn)線端與輸入輸出接線端子10連接，出線端+A與整流 濾波電容CA15的一端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的C級(jí)連接，絕緣柵 雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的E級(jí)又分別與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q2、Q4的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)16的出線端-A與整流濾波電容CA15的另一端、絕 緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q3、Q4的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的一端連接，補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的另一端通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的 另一端連接。(4)如圖2、圖6所示，補(bǔ)償電容C1-C4中的Cl的B端、C2的A端用絕緣導(dǎo)線與輸 出端子的內(nèi)端相連接。輸出端子的外端再通過絕緣導(dǎo)線與磁流子發(fā)生器的A端連接，磁流 子發(fā)生器的B端再通過絕緣導(dǎo)線連接到輸出端子的外端，輸出端子的內(nèi)端與絕緣柵雙極晶 體管Q1-Q4 (IGBT)中的Ql的E級(jí)、Q2的C級(jí)用絕緣導(dǎo)線相連。即半控整流橋系統(tǒng)16的進(jìn)線端與輸入輸出接線端子10連接，出線端+A與整 流濾波電容CA15的一端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql的C級(jí)以及補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ13中的Cl的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql 的E級(jí)與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)16的出 線端-A與整流濾波電容CA15的另一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E級(jí) 以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的另一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容 CQ13中的Cl的另一端與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的一端相連接并直接通 過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14 中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的另一端連接。所述高壓主電路的絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT)、半控整流橋系統(tǒng)的散熱基板 與散熱裝置之間涂抹有一定量的導(dǎo)熱硅脂。是為了更有效的降低絕緣柵雙極晶體管與半控 整流橋系統(tǒng)的工作溫度。所述絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT)、半控整流橋系統(tǒng)的散熱基板下部通過螺絲 與散熱裝置固定連接。 所述散熱裝置可設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)，也可設(shè)置在機(jī)殼外。所述供輸入的接線端子可不分相序接380V，50_60Hz市電，零線接零線端子。供輸 出的接線端子接用戶的負(fù)載，負(fù)載是與電源相匹配的一定電感的螺旋繞制在鐵質(zhì)材料上的 磁流子發(fā)生器。所述外部通訊接口為用戶提供可供外部操作的開關(guān)接口，可與溫控、時(shí)控等控制 裝置銜接。本實(shí)用新型的智能超變頻磁流子加熱裝置是一種結(jié)構(gòu)合理，可以通過調(diào)整絕緣柵 雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT)為全橋或半橋，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ的容量的大小與磁 流子發(fā)生器的電感量的大小及匝數(shù)的多少來調(diào)整功率的電源。[0025]本實(shí)用新型利用最先進(jìn)的智能數(shù)字單片機(jī)CPU控制方式替代了原來的模擬控制 方式，使控制電路更簡單更人性化。能把現(xiàn)有生產(chǎn)與生活中的間接加熱傳導(dǎo)方式改為直 接加熱方式。如部分用煤、油、氣加熱的設(shè)備、用電阻片、電阻絲加熱的設(shè)備等，使用本技術(shù) 可有效提高熱能的利用率，如在塑料、電纜加工與管道加熱等領(lǐng)域，熱能的利用率可提高 30-75%，在民用的采暖、洗浴、飲水等生活中熱能的利用率可提高10-30%。本實(shí)用新型結(jié) 構(gòu)合理，新穎獨(dú)特，電能的轉(zhuǎn)換效率高，用戶使用加熱效果非常好。

圖1為本實(shí)用新型的外部結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的內(nèi)部剖視圖；圖3為本實(shí)用新型的高壓主電路圖與智能主控板結(jié)構(gòu)方塊圖(實(shí)施例1)；圖4為本實(shí)用新型的高壓主電路圖與智能主控板結(jié)構(gòu)方塊圖(實(shí)施例2)；圖5為本實(shí)用新型的高壓主電路圖與智能主控板結(jié)構(gòu)方塊圖(實(shí)施例3)；圖6為本實(shí)用新型的高壓主電路圖與智能主控板結(jié)構(gòu)方塊圖(實(shí)施例4)。其中，1、智能主控板；2、CPU單片機(jī)主控器；3、全橋(半橋)逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；4、 過流負(fù)載檢測系統(tǒng)；5、高壓主電路板；6、延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)；7、啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)；8、 機(jī)殼；9、外部通訊接口 ；10、輸入、輸出接線端子；11、散熱風(fēng)扇；12、指示系統(tǒng)；13、補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ ； 14、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) ； 15、高頻無極濾波電容CA ； 16、 半控整流橋系統(tǒng)；17、散熱裝置；18、絕緣支架；19、磁流子發(fā)生器。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明實(shí)施例1 一種智能超變頻磁流子加熱裝置一種智能超變頻磁流子加熱裝置包括機(jī)殼8及裝在其內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換電路，，如 圖1、圖2、圖3所示，其中，機(jī)殼8外側(cè)面有供輸入與輸出的接線端子10、外部通訊接口 9、 散熱風(fēng)扇11，機(jī)殼8正面有指示系統(tǒng)12。所述電源轉(zhuǎn)換電路包括智能主控板1、高壓主電路、散熱裝置17，其中，智能主控 板1與高壓主電路由控制信號(hào)線連接，高壓主電路裝設(shè)在散熱裝置17上，高壓主電路上設(shè) 有接線端子可以通過導(dǎo)線與外部的接線端子10連接，智能主控板上設(shè)有與外部通訊的接 口，可以通過信號(hào)導(dǎo)線與外部通訊接口 9連接。所述智能主控板1是由CPU單片機(jī)主控器2、全橋(半橋)逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)3、 過流負(fù)載檢測系統(tǒng)4、延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)6、啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)7組成的。所述高壓主電路是由高壓主電路板5、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13、絕緣柵雙 極晶體管Q1_Q4(IGBT)14、整流濾波電容CA15、半控整流橋系統(tǒng)16以及與電源相匹配的一 定電感的螺旋繞制在鐵質(zhì)材料上的感應(yīng)線圈19組成的，其中，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容 CQ13、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT) 14、整流濾波電容CA15和半控整流橋系統(tǒng)16均固定 連接在高壓主電路板5上。所述的半控整流橋系統(tǒng)16、整流濾波電容CA15、絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT)14、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13、磁流子發(fā)生器19，它們的連接方式是半控整流橋系統(tǒng)16的進(jìn)線端A、B、C分別于與輸入、輸出接線端子10相應(yīng)端子連接，出線端 +A與整流濾波電容CA15的A端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的C級(jí)相 連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Ql與Q3的E級(jí)又分別與絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q2、Q4的C級(jí)相連接，半控整流橋系統(tǒng)16的出線端-A與整流濾波電 容CA15的B端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q2、Q4的E級(jí)相連接，絕緣柵雙極 晶體管Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19 的B端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的Q3、Q4的連接點(diǎn)與補(bǔ)償電容C1-C2與 諧振電容CQ13中的CQ的A端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的B端通過輸 入、輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的A連接。在絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14、 半控整流橋系統(tǒng)16的散熱基板下部用螺絲與散熱裝置17固定。在絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT)14、半控整流橋系統(tǒng)16的散熱基板與散熱裝置17之間涂抹一定量的導(dǎo)熱硅 脂。所述智能主控板的工作控制方式是CPU單片機(jī)主控器2接收到由外部通訊端口 傳來的開機(jī)信號(hào)后，由啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)7檢測高壓主電路有無高壓電壓存在，如果有則 會(huì)打開啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)7內(nèi)部的放電電路進(jìn)行放電。如果無高壓存在則首先輸出試探性 的PWM到全橋(半橋)逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)3，使絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14試探性工 作，同時(shí)過流負(fù)載檢測系統(tǒng)4檢測反饋絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14是否有損壞，如有 則終止PWM輸出，指示系統(tǒng)12發(fā)出報(bào)警信號(hào)。如檢測一切正常，則首先正常輸出PWM使絕 緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT) 14正常工作，再啟動(dòng)延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)6使半控整流橋 系統(tǒng)16正常工作，至此完成了控制系統(tǒng)的開機(jī)與開機(jī)前的檢測保護(hù)程序。在運(yùn)行中過流負(fù) 載檢測系統(tǒng)4與啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)7不斷檢測負(fù)載的運(yùn)行狀態(tài)并將數(shù)據(jù)傳回CPU單片機(jī)主 控器2中，CPU單片機(jī)主控器2將檢測的數(shù)據(jù)與自身內(nèi)部的最理想的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，然后輸 出與運(yùn)行負(fù)載相適宜的最優(yōu)化的PWM。如果檢測回來的數(shù)據(jù)與自身內(nèi)部的理想數(shù)據(jù)相差太 遠(yuǎn)則啟動(dòng)保護(hù)電路，切斷延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)6與全橋(半橋)逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)3并 在指示系統(tǒng)12輸出報(bào)警信號(hào)。所述高壓主電路組成工作方式是市電380V經(jīng)接線端子10過導(dǎo)線到半控整流 橋系統(tǒng)16，整流成脈動(dòng)的直流電經(jīng)過高頻無極濾波電容CA15濾波后到達(dá)絕緣柵雙極晶體 管Q1-Q4 (IGBT) 14，經(jīng)絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14逆變成頻率為超音頻范圍的電壓 與電流經(jīng)補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13后通過接線端子10連接到有一定電感的螺旋 繞制的磁流子發(fā)生器19上使其周圍生成磁流子，使至于其中的鐵質(zhì)材料自身產(chǎn)生熱量達(dá) 到加熱的目的。所說的半控整流橋系統(tǒng)16只起到開關(guān)作用而不進(jìn)行移向調(diào)功。調(diào)功部分 由絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13與磁流子發(fā)生器 19以及磁流子發(fā)生器19中的鐵質(zhì)材料決定。因此可方便的通過改變絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Q1-Q4的容量、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的容量與磁 流子發(fā)生器19的電感大小來調(diào)整本實(shí)用新型的工作頻率與功率。實(shí)施例2 —種智能超變頻磁流子加熱裝置如圖1、圖2、圖4所示，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的一致，唯一不同之處為半控整流 橋系統(tǒng)16的出線端+A與整流濾波電容CA15的A端、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中 的Ql的C級(jí)、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的Cl的A端連接。半控整流橋系統(tǒng)16的出線端-A與整流濾波電容CA15的B端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4(IGBT) 14中的Q2的E 級(jí)以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的B端連接。補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容 CQ13中的Cl的B端與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的A端相連接并連接到補(bǔ) 償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的CQ的A端。功率調(diào)整可以通過調(diào)整絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql、Q2的容量、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中Cl、C2、CQ的容量 更好的與磁流子發(fā)生器19相匹配，以期得到更好的加熱效果，滿足不同負(fù)載不同加熱的需 求。提高電能的轉(zhuǎn)換利用率。為低碳生活、生產(chǎn)創(chuàng)造條件。實(shí)施例3 —種智能超變頻磁流子加熱裝置如圖1、圖2、圖5所示，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的一致，唯一不同之處為絕緣柵雙極 晶體管Q1-Q4(IGBT) 14中的Q3、Q4的連接點(diǎn)直接通過導(dǎo)線、輸入輸出接線端子10與磁流 子發(fā)生器19的A端連接。功率調(diào)整可以通過調(diào)整絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4 (IGBT) 14中的 Q1-Q4的容量更好的與磁流子發(fā)生器19相匹配，以期得到更好的加熱效果，滿足不同負(fù)載 不同加熱的需求。提高電能的轉(zhuǎn)換利用率。為低碳生活、生產(chǎn)創(chuàng)造條件。實(shí)施例4 一種智能超變頻磁流子加熱裝置如圖1、圖2、圖6所示，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例2中的一致，唯一不同之處為補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ13中的Cl的B端與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ13中的C2的A端 相連接并直接通過導(dǎo)線、輸入、輸出接線端子10與磁流子發(fā)生器19的A端連接。功率調(diào)整 可以通過調(diào)整絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4(IGBT) 14中的Ql、Q2的容量、補(bǔ)償電容C1-C2與諧 振電容CQ13中的Cl、C2的容量更好的與磁流子發(fā)生器19相匹配，以期得到更好的加熱效 果，滿足不同負(fù)載不同加熱的需求。提高電能的轉(zhuǎn)換利用率。為低碳生活、生產(chǎn)創(chuàng)造條件。
權(quán)利要求一種智能超變頻磁流子加熱裝置，包括機(jī)殼(8)及裝在其內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換電路，其特征在于所述機(jī)殼外側(cè)面設(shè)有供輸入與輸出的接線端子(10)、外部通訊接口(9)和散熱風(fēng)扇(11)，機(jī)殼正面設(shè)有有指示系統(tǒng)(12)；所述電源轉(zhuǎn)換電路包括智能主控板(1)、高壓主電路、散熱裝置(17)，智能主控板(1)與高壓主電路由控制信號(hào)線連接，高壓主電路裝設(shè)在散熱裝置(17)上，高壓主電路通過導(dǎo)線與輸入輸出接線端子(10)連接，智能主控板(1)通過信號(hào)導(dǎo)線與外部通訊接口(9)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述智能主 控板(1)是由CPU單片機(jī)主控器(2)、全橋半橋逆變整形驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(3)、過流負(fù)載檢測系統(tǒng) (4)、延時(shí)啟動(dòng)半控整流系統(tǒng)(6)、啟動(dòng)電壓檢測系統(tǒng)(7)組成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述高壓 主電路是由高壓主電路板(5)、補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)、絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4IGBT(14)、整流濾波電容CA(15)、半控整流橋系統(tǒng)(16)以及磁流子發(fā)生器(19)組成 的，其中，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)、絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT(14)、整流濾波 電容CA(15)和半控整流橋系統(tǒng)(16)均固定連接在高壓主電路板(5)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述補(bǔ)償電 容C1-C2與諧振電容CQ (13)、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)、整流濾波電容CA (15)、半 控整流橋系統(tǒng)(16)和磁流子發(fā)生器(19)的連接方式是半控整流橋系統(tǒng)(16)的進(jìn)線端與 輸入輸出接線端子(10)連接，出線端+A與整流濾波電容CA(15)的一端、絕緣柵雙極晶體 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql與Q3的C級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT (14)中的Ql與 Q3的E級(jí)又分別與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT(14)中的Q2、Q4的C級(jí)連接，半控整流橋系 統(tǒng)(16)的出線端-A與整流濾波電容CA(15)的另一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2、Q4的E級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸入 輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q3、Q4的連接點(diǎn)與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的CQ的一端連接，補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ(13)中的CQ的另一端通過輸入輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器 (19)的另一端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述補(bǔ)償電 容C1-C2與諧振電容CQ(13)、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)、整流濾波電容CA(15)、 半控整流橋系統(tǒng)(16)和磁流子發(fā)生器(19)的連接方式是半控整流橋系統(tǒng)(16)的進(jìn) 線端與輸入輸出接線端子(10)連接，出線端+A與整流濾波電容CA(15)的一端、絕緣柵 雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的C級(jí)以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的 Cl的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的E級(jí)與絕緣柵雙極晶體管 Q1-Q4IGBT(14)中的Q2的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)(16)的出線端-A與整流濾波電容 CA(15)的另一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Q2的E級(jí)以及補(bǔ)償電容C1-C2 與諧振電容CQ(13)中的C2的另一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的Cl 的另一端與補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的C2的一端相連接并連接到補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ (13)中的CQ的一端，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ (13)中的CQ的 另一端通過輸入輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸入輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的另一端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述補(bǔ)償電 容C1-C2與諧振電容CQ (13)、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)、整流濾波電容CA (15)、半 控整流橋系統(tǒng)(16)和磁流子發(fā)生器(19)的連接方式是半控整流橋系統(tǒng)(16)的進(jìn)線端與 輸入輸出接線端子(10)連接，出線端+A與整流濾波電容CA(15)的一端、絕緣柵雙極晶體 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql與Q3的C級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT (14)中的Ql與 Q3的E級(jí)又分別與絕緣柵雙極晶體管Q1-Q4IGBT(14)中的Q2、Q4的C級(jí)連接，半控整流橋系 統(tǒng)(16)的出線端-A與整流濾波電容CA(15)的另一端、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2、Q4的E級(jí)連接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Q3、Q4的連接點(diǎn)通過輸入 輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13) 中的CQ的另一端通過輸入輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的另一端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述補(bǔ)償電 容C1-C2與諧振電容CQ (13)、絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)、整流濾波電容CA (15)、半 控整流橋系統(tǒng)(16)和磁流子發(fā)生器(19)的連接方式是半控整流橋系統(tǒng)(16)的進(jìn)線端與 輸入輸出接線端子(10)連接，出線端+A與整流濾波電容CA(15)的一端、絕緣柵雙極晶體 管Q1-Q4IGBT(14)中的Ql的C級(jí)以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的Cl的一端連 接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Ql的E級(jí)與絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14) 中的Q2的C級(jí)連接，半控整流橋系統(tǒng)(16)的出線端-A與整流濾波電容CA(15)的另一端、 絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Q2的E級(jí)以及補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13) 中的C2的另一端連接，補(bǔ)償電容C1-C2與諧振電容CQ(13)中的Cl的另一端與補(bǔ)償電容 C1-C2與諧振電容CQ(13)中的C2的一端相連接并直接通過輸入輸出接線端子(10)與磁流 子發(fā)生器(19)的一端連接，絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)中的Q1、Q2的連接點(diǎn)通過輸 入輸出接線端子(10)與磁流子發(fā)生器(19)的另一端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述高壓主 電路的絕緣柵雙極晶體管Q1_Q4IGBT(14)、半控整流橋系統(tǒng)(16)的散熱基板與散熱裝置 (17)之間涂抹有導(dǎo)熱硅脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述絕緣柵 雙極晶體管Q1-Q4IGBT(14)、半控整流橋系統(tǒng)(16)的散熱基板下部通過螺絲與散熱裝置 (17)固定連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能超變頻磁流子加熱裝置，其特征在于所述散熱裝 置(17)設(shè)在機(jī)殼內(nèi)或外。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種智能超變頻磁流子加熱裝置，包括機(jī)殼及裝在其內(nèi)部的電源轉(zhuǎn)換電路，其中，機(jī)殼外側(cè)面設(shè)有供輸入與輸出的接線端子、外部通訊接口和散熱風(fēng)扇，機(jī)殼正面設(shè)有指示系統(tǒng)；所述電源轉(zhuǎn)換電路包括智能主控板、高壓主電路、散熱裝置，智能主控板與高壓主電路由控制信號(hào)線連接，高壓主電路裝設(shè)在散熱裝置上。本實(shí)用新型利用最先進(jìn)的智能數(shù)字單片機(jī)CPU控制方式替代了原來的模擬控制方式，使控制電路更簡單更人性化。能把現(xiàn)有生產(chǎn)與生活中的間接加熱傳導(dǎo)方式改為直接加熱方式。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，新穎獨(dú)特，電能的轉(zhuǎn)換效率高，用戶使用加熱效果非常好。
文檔編號(hào)H05B6/04GK201682642SQ20092029099
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者俞正峰, 高寶愛 申請(qǐng)人:高寶愛;俞正峰