專利名稱：：用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于撓性板上貼裝芯片(chiponfilm)的覆銅箔層壓板，具體而言，涉及一種包含銅箔與至少一層層壓于銅箔上的聚酰亞胺層的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述與銅箔接觸的聚酰亞胺層包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑。本發(fā)明要求了于2006年2月6日向韓國知識產(chǎn)一又局提出的韓國專利申請10-2006-0011327號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此引入作為參考。
背景技術(shù)：
：在常規(guī)印刷電路板中用于大型顯示板的用于撓性板上貼裝芯片(COF)的覆銅箔層壓板(CCL),其通過在帶上銅引線的鍍錫(Sn)與IC芯片上的金凸瘤(bump)并且通過加熱粘附而制造，從而將IC芯片(集成電路片)粘附到片裝配機構(gòu)上。通過噴鍍型或澆鑄型制造該覆銅箔層壓板。在噴鍍型的情況下，問題在于熱粘附所施加的高溫度(高于400°C)和壓力會引起銅箔與聚酰亞胺層之間分層，使得電鍍液滲透進去并且劣化其外觀。此外，在澆鑄型的情況下，為了防止高溫下IL(內(nèi)部引線)在IC芯片接合上下陷，具有極好的熱塑性的聚酰亞胺層用作與銅箔接觸的聚酰亞胺層。該熱塑性的聚酰亞胺為撓性的以顯著改善其粘合性。然而，這樣會產(chǎn)生聚酰亞胺層下壓印刷電路上的銅箔圖形(見圖l)的問題。因此，為了解決此問題，用熱固性聚酰亞胺替代熱塑性聚酰亞胺。熱固性聚酰亞胺為硬的并且不會下壓印刷電路上的銅箔圖形。然而，會出現(xiàn)粘合性嚴重惡化的問題。在IC芯片接合上，通常施加的壓力為每秒1015Kg。由于上述問題，用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的粘合性會在高溫下(高于400。C)惡化。
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)方案本發(fā)明人研究出了一種在高溫下具有極好的粘合性的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板。發(fā)明人證實了包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑的聚酰亞胺層層壓于銅箔上作為基層，其防止銅箔與聚酰亞胺層之間分層并且改善高溫下鍍錫銅箔的粘合性。并且最終，他們完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種在高溫下具有極好的粘合性的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板。更進一步地，本發(fā)明提供了一種制造用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的方法。此外，本發(fā)明提供了一種包括用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的印刷電路板。有益效果在根據(jù)本發(fā)明的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板中，用包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磚酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑的聚酰亞胺作為基層層壓于銅箔上。從而，由于鍍錫在銅箔和粘合的IC芯片以及與銅箔上鍍的錫，因此能夠防止銅箔與聚酰亞胺層之間分層并且改善高溫下的粘合性。圖1顯示了IC芯片中的常規(guī)覆銅箔層壓板的接合過程。圖2為顯示根據(jù)本發(fā)明的覆銅箔層壓板的剖面圖。圖3描述了根據(jù)本發(fā)明的覆銅箔層壓板的粘合性。具體實施例方式本發(fā)明提供了一種包含銅箔與至少一層層壓于銅箔上的聚酰亞胺層的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述與銅箔接觸的聚酰亞胺層包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑。更進一步地，本發(fā)明提供了一種制造用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的方法。此外，本發(fā)明提供了一種包括用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的印刷電贈4反。在下文，本發(fā)明將進行詳細描述。本發(fā)明中所述覆銅箔層壓板中，與銅箔接觸的聚酰亞胺層的特征在于包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種化合物。本發(fā)明中使用的聚酰亞胺能夠通過本領(lǐng)域已知方法用二胺和二酐制備，但不限制于此。本發(fā)明聚酰亞胺的制備中，二胺化合物的實例可包括選自由對苯二胺(p-PDA)、間苯二胺(m-PDA)、4，4'-二氨基二苯醚(4，4'-oxydianiline,4,4'-ODA)、3,4'-二氨基二苯醚(3，4'隱oxydianiline,3，4'-ODA)、2，2-雙(4-[4-氨基苯氧基]-苯基)丙烷(BAPP)、2,2'-二曱基-4,4'-二氨基聯(lián)苯(m-TB-HG)、1，3-雙(4-氨基苯氧基)苯(TPER)、4，4'-二氨基苯曱酰苯胺(DABA)和4,4'-雙(4-氨基苯氧基)聯(lián)苯(BAPB)組成的組中的至少一種化合物。本發(fā)明聚酰亞胺的制備中，二酐化合物的實例可包括選自由苯均四酸二酐(PMDA)、3，3',4,4'-聯(lián)苯四羧酸二酐(BPDA)、3，3'，4，4'-二苯曱酮四酸二酐(BTDA)和4,4'-二苯醚四酸二酐(4,4'-oxydiphthalicanhydride,ODPA)組成的組中的至少一種化合物。如需要，本發(fā)明中，可加入少量的其它二胺、其它二酐或除上述化合物外的其它化合物。在本發(fā)明作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸的制備中，優(yōu)選的有機溶劑的實例可包括選自由N-曱基-2-他咯烷酮(NMP)、N,N-二曱基乙酰胺(DMAc)、N,N-二曱基乙酰胺(DMA)、四氫呋喃(THF)、N,N-二曱基曱酰胺(DMF)、二曱基亞砜(DMSO)、環(huán)己烷、乙腈及其混合物組成的組中的至少一種化合物，但不限制于此。優(yōu)選所述聚酰胺酸為全部溶液的1030重量％。如果所述聚酰胺酸的含量小于10重量％，則不得不使用不必要的溶劑。如果所述聚酰胺酸的含量大于30重量％，則溶液粘度太高而不能均勻涂布。所述聚酰胺酸溶液能夠制備成為無規(guī)共聚物或嵌段共聚物。反應(yīng)溫度優(yōu)選在0100。C范圍內(nèi)。在制備覆銅箔層壓板的過程中，所述聚酰胺酸:容液粘度優(yōu)選為2，00050,000cps。作為添加劑的基于吡咯的化合物具有抗氧化劑功能，也可改善粘合性。其具體實例包括3，5-二氨基-l,2,4-三唑、3-氨基-l,2,4-三唑、5-氨基-l，2,4-三唑-5-羧酸、3-氨基-5-巰基-l,2,4-三唑、5-氨基-lH-四哇、3-巰基-l,2,4-三唑、5-苯基-lH-四唑和2-羥基-n-lH-l,2，4-三唑-3-基苯曱酰胺(ADK)。優(yōu)選所述具有胺基團的基于吡咯的化合物基于全部二胺和二酐具有1.55mol。/。的含量。優(yōu)選所述不具有胺基團的基于吡咯的化合物基于固體聚酰胺酸的總重具有0.5~5重量％的含量。在所述具有胺基團的基于吡咯的化合物具有小于1.5mol。/。的含量或所述不具有胺基團的基于吡咯的化合物具有小于0.5重量％的含量的情況下，很難在室溫和高溫下顯現(xiàn)粘合性。在所述具有胺基團的基于吡咯的化合物具有大于5mol。/。的含量或所述不具有胺基團的基于吡咯的化合物具有大于5重量％的含量的情況下，聚酰亞胺的基本性質(zhì)有可能會改變。所述作為添加劑的基于聚硅氧烷的化合物或基于多磷酸鹽的化合物具有極好的耐熱性。所述基于聚硅氧烷的化合物的實例包括羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量5003，000)和羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量3，000~10，000)。此外，所述基于多磷酸鹽的化合物的實例包括多磷酸(H3P(V,在磷酸中包含7071重量％或更多的P205)、多磷酸(H3P04;在磷酸中包含82.5~83.5重量％或更多的P205)。優(yōu)選所述基于聚硅氧烷的化合物或基于多磷酸鹽的化合物基于固體聚酰胺酸的總重各自具有0.55重量％的含量。在基于聚硅氧烷的化合物具有大于5重量％的含量的情況下，其粘合性沒有改變。在基于多磷酸鹽的化合物具有大于5重量％的含量的情況下，所述基于多磷酸鹽的化合物因其腐蝕性可能會腐蝕銅箔。為了易于涂布或固化并改善其它性質(zhì)，本發(fā)明中所述的聚酰亞胺可進一步包含如消泡劑、防膠凝劑和固化促進劑的添加劑。此外，本發(fā)明提供了一種用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的制造方法，該方法包括以下步驟1)在銅箔的一面或兩面上涂布聚酰胺酸溶液，其中所述聚酰胺酸溶液包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑，并將其干燥，和2)在步驟l)中干燥的銅箔的一面或兩面上涂布聚酰胺酸溶液，其中所述聚酰胺酸溶液不包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的一種或多種添加劑，將其干燥，然后固化。在步驟l)中，在用聚酰胺酸溶液涂布銅箔時，可使用鑄模涂布機(diecoater)、刮刀式》余布才幾(commacoater)、反向刮刀式涂布沖幾(reversecommacoater)、凹版涂布機(gravurecoater)等。除上述涂布機外，可使用常規(guī)涂布機。涂布溫度依據(jù)干燥聚酰胺酸溶液時烘箱的結(jié)構(gòu)或條件。涂布溫度優(yōu)選為50~350°C,所述溫度比溶劑通常的沸點低，更優(yōu)選80250。C。在步驟2)中，用不包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的一種或多種添加劑的聚酰胺酸溶液涂布干燥的銅箔的一面或兩面，并且通過加熱至390°C干燥以固化。可在氮氣氣氛或真空下通過逐漸加熱或在氮氣氣氛下連續(xù)地引入高熱而進行固化。同樣地，通過本發(fā)明可制造具有聚酰亞胺層而無氣泡的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板。根據(jù)本發(fā)明所述用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板中，其特征在于聚酰亞胺層由基層與巻曲控制層(curlcontrollayer)組成，并且所述基層為與銅箔接觸的聚酰亞胺層(圖2)。根據(jù)本發(fā)明，所述用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板包括層壓于銅箔上作為基層的聚酰亞胺層，其中所述與銅箔接觸的聚酰亞胺層包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑。隨后，在高溫下鍍錫于銅箔上，能夠防止銅箔與聚酰亞胺層之間分層并且改善粘合性。不包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種化合物的聚酰亞胺層層壓于基層上以實現(xiàn)巻曲控制。根據(jù)本發(fā)明的覆銅箔層壓板中，所述由基層與巻曲控制層組成的聚酰亞胺層優(yōu)選具有3050口的厚度。其中，優(yōu)選所述基層具有基于聚酰亞胺層總厚度的80%或更大的厚度。此外，本發(fā)明提供了一種包括用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的印刷電路板。除包括根據(jù)本發(fā)明的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板外:具體實施例方式下文中，提供了優(yōu)選實施例以使本發(fā)明更易于理解。同樣地，提供的實施例僅為闡明，但是本發(fā)明的范圍不限制于此。<制備實施例1>在162口N-曱基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidinon)中溶解5.65g對苯二胺(p-PDA)與0.27g3，5-二氨基-1,2,4-三唑。向該溶液中加入8.09g3,3'，4,4'-聯(lián)苯四羧酸二酐(BPDA)與6.00g苯均四酸二酐(PMDA)并且攪拌聚合24小時。此時，該聚合溫度為5。C,并且制備作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸。<制備實施例216>以與制備實施例1中相同的方式、相同的成分和如表1所示比例，制備作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>※BPDA:3，3',4，4'-聯(lián)苯四羧酸二酐，PMDA:苯均四酸二酐，p-PDA:對苯二胺，4,4'-ODA:4，4'-二氨基二苯醚，三唑化合物3,5-二氨基-1,2，4-三唑，ADK:2-羥基-n-lH-l,2,4-三唑-3-基苯曱酰胺，A-型羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量500-3,000,Aldrich目錄號48,193-9),B-型多磷酸(H3P04;在磷酸中包含70~71重量％或更多的P205)，C-型羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量3，000~10，000，CASNo.156327-07-0),D-型多磷酸(H3P04;在磷酸中包含82.5~83.5重量％或更多的P205)。<實施例1>覆銅箔層壓板的構(gòu)造用制備實施例1中制備的聚酰胺酸溶液涂布銅箔，然后固化使其具有32口的厚度。其后，在140。C干燥生成物，并且用在制備實施例11中以相同方式制備的聚酰胺酸溶液涂布該銅箔以使銅箔接觸溶液，然后固化使其具有8口的厚度。加熱至350。C使銅箔固化。將該覆銅箔層壓板切割成25口x25口的尺寸，并且檢查在聚酰亞胺層表面上存在的氣泡。在聚酰亞胺層表面上的氣泡數(shù)量為0的情況下，可得出沒有產(chǎn)生氣泡的結(jié)論。在固化的聚酰亞胺層表面上沒有產(chǎn)生氣泡。<實施例27與比專交實施例1~8>以與實施例1中相同的方式，使用制備實施例216制備的聚酰胺酸制造覆銅箔層壓板。此外，檢查在聚酰亞胺層表面上存在的氣泡。在覆銅箔層壓板中，聚酰胺酸、聚酰亞胺層的厚度及聚酰亞胺層氣泡存在的狀況顯示于如下表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><實驗實施例>銅箔與聚酰亞胺層之間的粘合性的測量為測量根據(jù)本發(fā)明的覆銅箔層壓板中銅箔與聚酰亞胺層之間的粘合性，采用的方法如下。在實施例1~7與比較實施例17中制備的覆銅箔層壓板被切割成15口xl5口尺寸。將測試樣品放置于烘箱中并在420。C加熱10秒。然后，在室溫下測量它們的粘合性。即使設(shè)法測量在比較實施例8中制備的覆銅箔層壓板的粘合性，其在固化的表面上仍有許多氣泡存在。因此，其粘合性無法測量。通過4吏用長口電動測i式才幾(powerdriventestingmachine)(十字頭自動纟會圖型,等步丈定速馬區(qū)動才幾(equivalentconstantspeeddrivemachine))、ThwingAlbert樣品切割機(型號，JDC-50)、測試設(shè)備(無輪轉(zhuǎn)筒、滑板、參考配件為152.4nm(6in)干滾轉(zhuǎn)筒)及焊接爐(電加熱，其溫度可自動控制，容納2.25KgSN60焊料與測試樣品)的試驗儀器測量它們的粘合性。粘合性的測量結(jié)果顯示于如下表3和圖3。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如表3與圖3所示，在制備聚酰亞胺層時，根據(jù)本發(fā)明覆銅箔層壓板(實施例17)包含基于全部二胺或二酐的1.5mol。/?；蚋嗟木哂邪坊鶊F的基于吡咯的化合物或者基于固體聚酰胺酸總重的0.5重量％的不具有胺基團的基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物或基于多磷酸鹽的化合物。因此，在高溫下鍍錫于銅箔時，能夠防止銅箔與聚酰亞胺層之間分層并且改善粘合性至1，000~1，400g/口。另一方面，在制備聚酰亞胺層時，在覆銅箔層壓板上的聚酰亞胺層(比較實施例17)不包含基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物或基于多磷酸鹽的化合物或以低于特定比例的比例包含它們的情況下，其粘合性嚴重惡化至200400g/口。權(quán)利要求1、一種用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，所述覆銅箔層壓板包括銅箔與至少一層層壓于銅箔上的聚酰亞胺層，其中與銅箔接觸的聚酰亞胺層包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述聚酰亞胺層通過選自由對苯二胺(p-PDA)、間苯二胺(m-PDA)、4,4'-二氨基二苯醚(4,4'-ODA)、3，4'-二氨基二苯醚(3,4'-ODA)、2,2-雙(4-[4-氨基苯氧基]-苯基)丙烷(BAPP)、2,2'-二曱基-4，4'-二氨基聯(lián)苯(m-TB-HG)、1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯(TPER)、4，4'-二氨基苯曱酰苯胺(DABA)和4，4'-雙(4-氨基苯氧基)聯(lián)苯(BAPB)組成的組中的至少一種二胺與選自由苯均四酸二酐(PMDA)、3,3'，4，4'-聯(lián)苯四羧酸二酐(BPDA)、3，3',4，4'-二苯曱酮四酸二酐(BTDA)和4，4'-二苯醚四酸二肝(ODPA)組成的組中的至少一種二酐反應(yīng)而制備。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述基于吡咯的化合物選自由3,5-二氨基-1,2，4-三唑、3-氨基-1，2,4-三唑、5-氨基-l,2,4-三唑-5-羧酸、3-氨基-5-巰基-l,2,4-三唑、5-氨基-舊-四唑、3-巰基-l，2，4-三唑、5-苯基-lH-四唑和2-羥基-n-lH-l，2,4-三唑-3-基苯曱酰胺(ADK)組成的組中的至少一種化合物。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述具有胺基團的基于吡咯的化合物基于全部二胺和二酐具有1.5~5mol。/。的含量。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述不具有胺基團的基于吡咯的化合物基于固體聚酰胺酸的總重具有0.5~5重量％的含量。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述基于聚硅氧烷的化合物為羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量5003,000)或羥基端接的聚(二曱基硅氧烷)(分子量3,00010,000)。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述基于多磷酸鹽的化合物為多磷酸(H3P04;在磷酸中包含7071重量％或更多的P20s)或多磷酸(H3P04;在磷酸中包含82.583.5重量％或更多的P205)。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中基于固體聚酰胺酸的總重，所述基于聚硅氧烷的化合物或基于多磷酸鹽的化合物各自含量為0.55重量％。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述聚酰亞胺層由基層與巻曲控制層組成，并且所述基層為與銅箔接觸的聚酰亞胺層。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中所述聚酰亞胺層具有3050口的厚度。11、一種制造用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板的方法，該方法包括如下步驟1)在銅箔的一面或兩面上涂布聚酰胺酸溶液，其中所述聚酰胺酸溶液包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑，并將其干燥，和2)在步驟l)中干燥的銅箔的一面或兩面上涂布聚酰胺酸溶液，其中所述聚酰胺酸溶液不包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的一種或多種添加劑，將其干燥，然后固化。12、一種包括根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的覆銅箔層壓板的印刷電路板。全文摘要本發(fā)明涉及一種用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，具體而言，涉及一種包含銅箔與至少一層層壓于銅箔上的聚酰亞胺層的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板，其中與銅箔接觸的聚酰亞胺層包含選自由基于吡咯的化合物、基于聚硅氧烷的化合物和基于多磷酸鹽的化合物組成的組中的至少一種添加劑。在高溫下鍍錫于銅箔上時，根據(jù)本發(fā)明所述的用于撓性板上貼裝芯片的覆銅箔層壓板防止了銅箔與聚酰亞胺層之間的分層，并且在IC芯片結(jié)合的溫度和壓力下具有極好的粘合性。文檔編號H05K1/03GK101356864SQ200780001114公開日2009年1月28日申請日期2007年2月5日優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日發(fā)明者宋憲植,樸諄龍,沈正真,金炳男申請人:Lg化學(xué)株式會社