專(zhuān)利名稱(chēng)：配線(xiàn)電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各種電子設(shè)備使用的配線(xiàn)電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
配線(xiàn)電路基板一般利用半加成法(Semi-additive method)或減數(shù)法(Subtractive method)等制造。
通過(guò)上述各種方法制造的配線(xiàn)電路基板一般包括由聚酰亞胺薄膜等構(gòu)成的基體絕緣層、在該基體絕緣膜上形成的導(dǎo)體圖案、和覆蓋該導(dǎo)體圖案的覆蓋絕緣層。
在現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高導(dǎo)體圖案和覆蓋絕緣層的粘結(jié)性能，對(duì)該導(dǎo)體圖案的表面實(shí)施粗化處理(例如參照日本專(zhuān)利特開(kāi)2001-36219號(hào)公報(bào)和日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-209351號(hào)公報(bào))。
通過(guò)對(duì)導(dǎo)體圖案的表面實(shí)施粗化處理，導(dǎo)體圖案的表面變成凹凸形狀。這樣就產(chǎn)生固著效果，可以提高導(dǎo)體圖案和覆蓋絕緣層的粘結(jié)性能。
但是，在上述日本專(zhuān)利特開(kāi)2001-36219號(hào)公報(bào)和日本專(zhuān)利特開(kāi)2003-209351號(hào)公報(bào)的電路基板(印刷基板)中，信號(hào)配線(xiàn)的導(dǎo)體圖案表面幾乎所有的區(qū)域被粗化。其結(jié)果是，在上述電路基板的導(dǎo)體圖案中傳送高頻信號(hào)(例如100MHz或300MHz以上)的情況下，因趨膚效應(yīng)造成電流沿導(dǎo)體圖案表面的凹凸流動(dòng)。這樣實(shí)際的傳送路徑的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，使高頻信號(hào)的傳送特性惡化。
例如，在具有1GHz頻率的高頻信號(hào)的情況下，電流集中在從導(dǎo)體圖案的表面到深度2μm左右的區(qū)域。這種情況下，若實(shí)施粗化處理的導(dǎo)體圖案表面的凹凸大，則實(shí)際的傳送路徑的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，傳送特性明顯惡化。
此外，如上所述，在不進(jìn)行導(dǎo)體圖案的粗化處理而形成覆蓋絕緣層的情況下，沒(méi)有提高導(dǎo)體圖案和覆蓋絕緣層的粘結(jié)性能。其結(jié)果是，在電路基板反復(fù)彎曲的彎曲部上，有時(shí)在導(dǎo)體圖案與覆蓋絕緣層之間產(chǎn)生剝離。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種不使傳送特性惡化，可以提高導(dǎo)體圖案和覆蓋絕緣層的粘結(jié)性能的配線(xiàn)電路基板及其制造方法。
(1)本發(fā)明一種方式的配線(xiàn)電路基板，具有在使用時(shí)彎曲的彎曲部和在使用時(shí)不彎曲的非彎曲部，包括跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層；在絕緣層上形成的配線(xiàn)層；和覆蓋配線(xiàn)層而在絕緣層上形成的保護(hù)層，其中，彎曲部中的配線(xiàn)層的表面區(qū)域被粗化。
在該配線(xiàn)電路基板中，跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置絕緣層。在絕緣層上形成配線(xiàn)層。在絕緣層上形成的覆蓋配線(xiàn)層的保護(hù)層。此外，對(duì)彎曲部中的配線(xiàn)層表面區(qū)域進(jìn)行粗化。
這樣，由于不是使彎曲部和非彎曲部中的配線(xiàn)層表面的整個(gè)區(qū)域粗化，所以可以防止高頻信號(hào)傳送特性的惡化。
也就是，由于僅使彎曲部中的配線(xiàn)層表面的區(qū)域進(jìn)行粗化，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，不使高頻信號(hào)的傳送特性惡化。
此外，由于使彎曲部中的配線(xiàn)層表面的區(qū)域粗化，所以提高了配線(xiàn)層與保護(hù)層的粘結(jié)特性。這樣，可以防止因反復(fù)彎曲造成的配線(xiàn)層與保護(hù)層的剝離。
(2)被粗化的區(qū)域可以包括與配線(xiàn)層和保護(hù)層的界面相反一側(cè)的面的區(qū)域。在這種情況下，可以充分提高配線(xiàn)層與保護(hù)層的粘結(jié)特性。
(3)被粗化的區(qū)域的高度算術(shù)平均高度可以比未粗化的其他區(qū)域的算術(shù)平均高度大。
在這種情況下，因被粗化可以確保配線(xiàn)層與保護(hù)層的足夠的粘結(jié)性，而且通過(guò)沒(méi)有被粗化的區(qū)域能防止高頻信號(hào)傳送特性的惡化。
(4)被粗化區(qū)域的算術(shù)平均高度可以是1μm以上、3μm以下。
在這種情況下，可以抑制高頻信號(hào)被粗化區(qū)域中的傳送特性的惡化，并且可以充分提高配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能。
(5)配線(xiàn)層在彎曲部中具有相互并排延伸的多個(gè)配線(xiàn)層，多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面也可以不粗化。
在這種情況下，因鄰近效應(yīng)，電流沿多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面流動(dòng)的情況下，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，可以確保多個(gè)配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能，而且可以充分防止因傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)造成高頻信號(hào)的傳送特性惡化。
(6)多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面的算術(shù)平均高度可以比被粗化的區(qū)域的算術(shù)平均高度小。
在這種情況下，因鄰近效應(yīng)，電流沿多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面流動(dòng)的情況下，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，可以確保多個(gè)配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能，而且可以充分防止因傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)造成高頻信號(hào)的傳送特性惡化。
(7)本發(fā)明的其他方式的配線(xiàn)電路基板的制造方法，該配線(xiàn)電路基板具有在使用時(shí)彎曲的彎曲部和在使用時(shí)不彎曲的非彎曲部，包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成在彎曲部中的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層的工序；和在絕緣層上形成保護(hù)層，以覆蓋彎曲部和非彎曲部中的配線(xiàn)層的工序。
根據(jù)該配線(xiàn)電路基板的制造方法，跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置絕緣層。在絕緣層上形成配線(xiàn)層。在絕緣層上形成保護(hù)層，以覆蓋配線(xiàn)層。此外，使彎曲部中的配線(xiàn)層的表面區(qū)域粗化。
這樣，由于不是彎曲部和非彎曲部的整個(gè)表面區(qū)域被粗化，所以可以防止高頻信號(hào)的傳送特性的惡化。
也就是，由于僅使彎曲部上的配線(xiàn)層的表面區(qū)域粗化，所以可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，高頻信號(hào)的傳送特性不惡化。
此外，由于彎曲部上的配線(xiàn)層的表面區(qū)域被粗化，所以提高了配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能。這樣，可以防止因反復(fù)彎曲造成配線(xiàn)層和保護(hù)層的剝離。
(8)形成配線(xiàn)層的工序也可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上形成1個(gè)或多個(gè)配線(xiàn)層的工序；在除彎曲部之外的配線(xiàn)層的表面區(qū)域，形成粗化用的抗蝕層的工序；對(duì)未形成粗化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域進(jìn)行粗化的工序；和去除粗化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，首先跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置絕緣層。然后在除彎曲部之外的配線(xiàn)層的表面區(qū)域形成粗化用的抗蝕層。然后對(duì)未形成粗化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域進(jìn)行粗化。此后去除粗化用的抗蝕層。
根據(jù)這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層。
(9)形成配線(xiàn)層的工序也可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上形成配線(xiàn)層的工序；對(duì)配線(xiàn)層的表面進(jìn)行粗化的工序；在除非彎曲部之外的配線(xiàn)層的表面區(qū)域，形成平滑化用的抗蝕層的工序；進(jìn)行使未形成平滑化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑化的工序；和去除平滑化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，首先在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上形成配線(xiàn)層。然后對(duì)配線(xiàn)層表面進(jìn)行粗化。然后在除非彎曲部之外的配線(xiàn)層的表面區(qū)域形成平滑化用的抗蝕層。再進(jìn)行使未形成平滑化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑。此后去除平滑化用的抗蝕層。
根據(jù)這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層。
(10)形成配線(xiàn)層的工序可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，使用與配線(xiàn)層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成配線(xiàn)層的工序；在非彎曲部中的配線(xiàn)層的表面區(qū)域和電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層的工序；對(duì)未形成粗化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域進(jìn)行粗化的工序；和去除電鍍用的抗蝕層和粗化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，使用與配線(xiàn)層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成配線(xiàn)層。然后在非彎曲部上的配線(xiàn)層的表面區(qū)域和電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層。然后使未形成粗化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域粗化。此后去除電鍍用的抗蝕層和粗化用的抗蝕層。
根據(jù)這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層。
配線(xiàn)層在彎曲部中具有相互并排延伸的多個(gè)配線(xiàn)層，多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面也可以不粗化。
特別是根據(jù)本制造方法，多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面不被粗化。因此，在因鄰近效應(yīng)使電流沿多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面流動(dòng)的情況下，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，確保了多個(gè)配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能，并可以充分防止因?qū)嶋H傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而造成的高頻信號(hào)傳送特性的惡化。
(11)形成配線(xiàn)層的工序也可以包括使跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置、包括絕緣層和導(dǎo)體層的疊層板中的導(dǎo)體層的表面進(jìn)行粗化的工序；在導(dǎo)體層表面的規(guī)定區(qū)域形成蝕刻用的抗蝕層，除去規(guī)定的區(qū)域，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，在絕緣層上形成配線(xiàn)層的工序；去除蝕刻用的抗蝕層的工序；在彎曲部中的配線(xiàn)層的表面區(qū)域形成平滑化用的抗蝕層的工序；使未形成平滑化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑的工序；和去除平滑化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，使跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的包括絕緣層和導(dǎo)體層的疊層板上的導(dǎo)體層的表面粗化。然后在導(dǎo)體層表面的規(guī)定區(qū)域形成蝕刻用的抗蝕層，除規(guī)定的區(qū)域以外，通過(guò)對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，在絕緣層上形成配線(xiàn)層。然后去除蝕刻用的抗蝕層。再在彎曲部上的配線(xiàn)層的表面區(qū)域形成平滑化用的抗蝕層。此后使沒(méi)有形成平滑化用的抗蝕層的配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑，去除平滑化用的抗蝕層。
根據(jù)這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層。
特別是根據(jù)本制造方法，多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面不被粗化。因此，在因鄰近效應(yīng)使電流沿多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面流動(dòng)的情況下，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，確保了多個(gè)配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能，并可以充分防止因?qū)嶋H傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而造成的高頻信號(hào)傳送特性的惡化。
(12)配線(xiàn)層在彎曲部中具有相互并排延伸的多個(gè)配線(xiàn)層，形成配線(xiàn)層的工序包括除多個(gè)配線(xiàn)層相互面對(duì)的面之外，使彎曲部中的表面區(qū)域粗化。
在這種情況下，在因鄰近效應(yīng)使電流沿多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面流動(dòng)的情況下，可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，確保了多個(gè)配線(xiàn)層和保護(hù)層的粘結(jié)性能，并可以充分防止因?qū)嶋H傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)而造成的高頻信號(hào)傳送特性的惡化。


圖1是表示第一～第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板的整體構(gòu)成的立體圖。
圖2是表示用半加成法的配線(xiàn)電路基板的制造方法各工序的示意截面圖。
圖3是表示在基體絕緣層上形成導(dǎo)體圖案后，到制造配線(xiàn)電路基板的各工序的截面圖。
圖4是通過(guò)第一實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板的制造方法制造的配線(xiàn)電路基板的A-A線(xiàn)截面(圖1)的示意圖。
圖5是表示在基體絕緣層上形成導(dǎo)體圖案后，到制造配線(xiàn)電路基板的各工序的其他例子的截面圖。
圖6是表示在圖2(c)的工序后，到制造配線(xiàn)電路基板的各工序的另外的例子的截面圖。
圖7是表示到制造第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板的各工序的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板進(jìn)行說(shuō)明。其中，本發(fā)明的實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板是柔性配線(xiàn)基板。
(1)第一實(shí)施方式先對(duì)本實(shí)施方式和后面敘述的第二～第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板的整體構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示第一～第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板的整體構(gòu)成的立體圖。
如圖1所示，本實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100具有使用時(shí)彎曲的彎曲部100a和使用時(shí)不彎曲的非彎曲部100b。在本實(shí)施方式中，在大小不同的兩個(gè)非彎曲部100b之間設(shè)置有彎曲部100a。
彎曲部100a是彎曲的部位或反復(fù)彎曲的部位，非彎曲部100b搭載在半導(dǎo)體芯片等之上且不彎曲的部位。
從一個(gè)非彎曲部100b到另一個(gè)非彎曲部100b，沿大致與彎曲部100a的外形平行地形成有多個(gè)(本實(shí)施方式中為兩個(gè))導(dǎo)體圖案2。此外，形成有覆蓋絕緣層6，以覆蓋導(dǎo)體圖案2。分別設(shè)置端子用開(kāi)口部7，用于將半導(dǎo)體芯片搭載在各非彎曲部100b上的覆蓋絕緣層6上。
各導(dǎo)體圖案2的兩端部分別在各端子用開(kāi)口部7中露出。各導(dǎo)體圖案2在端子用開(kāi)口部7中露出的部分為端子部。半導(dǎo)體芯片等分別連接在端子用開(kāi)口部7中的導(dǎo)體圖案2的上述端子部。此外，如上所述，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)體圖案2的數(shù)量為兩個(gè)，但不限于此，例如也可以是三個(gè)以上。
在導(dǎo)體圖案2的端子部上形成有未圖示的電解鍍金層。此外，上述電解鍍金層可以是含金的單一成分，也可以金為主要成分，含有選自銅(Cu)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銻(Sb)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鍺(Ge)、鎵(Ga)和磷(P)等之中的一種以上的元素。
下面參照表示各工序的示意圖，對(duì)本實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖2是表示半加成法的配線(xiàn)電路基板100的制造方法的各工序的示意截面圖。
如圖2(a)所示，例如準(zhǔn)備由聚酰亞胺薄膜構(gòu)成的厚度12μm的基體絕緣層1。
然后如圖2(b)所示，在基體絕緣層1上利用感光膠膜(Dry FilmResist)等，形成與在后續(xù)工序中形成的導(dǎo)體圖案2相反的圖案的電鍍抗蝕層3。
此后，如圖2(c)所示，在基體絕緣層1上未形成電鍍抗蝕層3的表面上，利用電解銅形成例如18μm厚度的導(dǎo)體圖案2。
然后如圖2(d)所示，利用剝離等方法去除電鍍抗蝕層3。此外，在擔(dān)心基體絕緣層1與導(dǎo)體圖案2的粘結(jié)性能的情況下，通過(guò)在基體絕緣層1與導(dǎo)體圖案2之間設(shè)置金屬薄膜，可以提高粘結(jié)性能。
然后，對(duì)在上述圖2(d)的工序后，到制造本實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的各工序進(jìn)行說(shuō)明。
圖3是表示在基體絕緣層1上形成導(dǎo)體圖案2后，到制造配線(xiàn)電路基板100的各工序的截面圖。在圖3中表示圖1的配線(xiàn)電路基板100的C-C線(xiàn)截面中的D區(qū)域。
如圖3(a)所示，在基體絕緣層1上，跨越彎曲部100a和兩個(gè)非彎曲部100b而形成規(guī)定的導(dǎo)體圖案2。
在兩個(gè)非彎曲部100b的導(dǎo)體圖案2上，分別利用感光樹(shù)脂形成粗化抗蝕層4。也就是如后所述，由于要對(duì)彎曲部100a中的導(dǎo)體圖案2實(shí)施粗化處理，所以在彎曲部100a中的導(dǎo)體圖案2上不形成粗化抗蝕層4。此外，關(guān)于粗化處理在后面敘述。
接著將圖3(a)中在兩個(gè)非彎曲部100b的導(dǎo)體圖案2上分別形成有粗化抗蝕層4的部件，浸漬到粗化處理用的處理液中。如圖3(b)所示，通過(guò)進(jìn)行這樣的處理，在沒(méi)有形成粗化抗蝕層4的彎曲部100a的導(dǎo)體圖案2的表面上，形成有例如具有凹凸形狀的粗化部5。
上述粗化處理用的處理液可以使用例如硫酸和過(guò)氧化氫的混合液、堿金屬-亞氯酸類(lèi)(Alkali Chlorous Acid-based)的處理液、或有機(jī)酸系的處理液。
硫酸和過(guò)氧化氫的混合液的具體的例子可以例舉的有MEC公司制的MECBRITE(CB-5004)和MEC V-Bond(B0-7770)、以及Macdermid公司制的ME-605和MultiBond(MB-100)等。
此外，堿金屬-亞氯酸類(lèi)的處理液的具體的例子可以例舉的有Macdermid公司制的Omnibond(omnibond 9251)和B0-2000等。此外，有機(jī)酸類(lèi)的處理液的具體的例子可以例舉的MEC公司制的MECetchBOND(CZ-8100)等。
此外，粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra優(yōu)選為1μm～3μm。在本實(shí)施方式中，可以使粗化部5的表面粗糙度Ra例如為2μm。此外，所謂的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra，是在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JISB 0601-1994)中規(guī)定的、表示表面粗糙度的參數(shù)，例如可以用觸針式表面粗糙度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。除粗化部5之外的導(dǎo)體圖案2的區(qū)域的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra比粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra小。
然后如圖3(c)所示，利用剝離等方法去除粗化抗蝕層4。然后，除了導(dǎo)體圖案2上的端子用的開(kāi)口部7(圖1)的區(qū)域以外，在基體絕緣層1和導(dǎo)體圖案2上，形成有例如由聚酰亞胺構(gòu)成的覆蓋絕緣層6。這樣，覆蓋絕緣層6的一部分粘結(jié)在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2的表面上形成的粗化部5上。此外，在圖3中，在基體絕緣層1上形成的覆蓋絕緣層6在截面線(xiàn)的位置關(guān)系上在圖中沒(méi)有表示。利用以上方法制造了在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6通過(guò)粗化部5粘結(jié)在一起的配線(xiàn)電路基板100。
在此對(duì)這樣制造的配線(xiàn)電路基板100的A-A線(xiàn)截面(圖1)的示意圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖4是通過(guò)第一實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的制造方法制造的配線(xiàn)電路基板100的A-A線(xiàn)截面(圖1)的示意圖。
如上所述，在本實(shí)施方式中，在彎曲部100a中的導(dǎo)體圖案2上不形成粗化抗蝕層4，將在基體絕緣層1上形成有導(dǎo)體圖案2的部件浸漬到粗化處理用的處理液中。
這樣如圖4所示，在彎曲部100a的導(dǎo)體圖案2上，除了與基體絕緣層1的粘結(jié)面(在圖4中的下面)以外的面(在圖4中的上面和兩個(gè)側(cè)面)上形成有粗化部5。
(2)第二實(shí)施方式下面對(duì)第二實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
在第二實(shí)施方式中，由于到通過(guò)半加成法在基體絕緣層1上形成規(guī)定的導(dǎo)體圖案2的工序與第一實(shí)施方式(與圖2(a)～(d)相當(dāng)?shù)墓ば?相同，省略其說(shuō)明。
圖5是表示在基體絕緣層1上形成導(dǎo)體圖案2后，到制造配線(xiàn)電路基板100的各工序的其他例子的截面圖。其中，在圖5中，表示圖1的配線(xiàn)電路基板100的C-C線(xiàn)截面中的D區(qū)域。
在基體絕緣層1上，跨越彎曲部100a和兩個(gè)非彎曲部100b而形成規(guī)定的導(dǎo)體圖案2。這樣將在基體絕緣層1上形成導(dǎo)體圖案2的部件，浸漬在與第一實(shí)施方式相同的粗化處理用的處理液中。
如圖5(a)所示，通過(guò)這樣的處理，在導(dǎo)體圖案2的表面上跨越彎曲部100a和兩個(gè)非彎曲部100b而形成粗化部5。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra例如可以為2μm。
然后如圖5(b)所示，在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成平滑化抗蝕層8。如后所述，這是為了保留在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成的粗化部5。
然后如圖5(c)所示，將在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成平滑化用抗蝕層8的部件，浸漬到平滑處理用的處理液中。這樣，分別在兩個(gè)非彎曲部100b上的導(dǎo)體圖案2上形成各粗化部5。
在本實(shí)施方式中，上述平滑化處理用的處理液例如可以使用過(guò)硫酸鈉水溶液、過(guò)硫酸銨水溶液或過(guò)硫酸鉀水溶液。
然后如圖5(d)所示，通過(guò)剝離等方法去除平滑化用抗蝕層8。然后，除了導(dǎo)體圖案2上的端子用的開(kāi)口部7的區(qū)域(圖1)以外，在基體絕緣層1和導(dǎo)體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。這樣，覆蓋絕緣層6的一部分粘結(jié)在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2的表面上形成的粗化部5上。此外在圖5中，在基體絕緣層1上形成的覆蓋絕緣層6在截面線(xiàn)的位置關(guān)系上未圖示。通過(guò)以上方法制造了在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6通過(guò)粗化部5粘結(jié)在一起的配線(xiàn)電路基板100。
此外，這樣制造的配線(xiàn)電路基板100的A-A線(xiàn)截面(圖1)的示意圖與上述圖4相同。
(3)第三實(shí)施方式下面對(duì)第三實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
在第三實(shí)施方式中，在基體絕緣層1上形成電鍍抗蝕層3后，到在該基體絕緣層1上沒(méi)有形成電鍍抗蝕層3的表面上形成導(dǎo)體圖案2的工序，由于與第一實(shí)施方式(與圖2(a)～(c)相當(dāng)?shù)墓ば?相同，省略其說(shuō)明。因此，在下面對(duì)上述圖2(c)的工序后，到制造本實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的各工序進(jìn)行說(shuō)明。
圖6A和圖6B是表示圖2(c)的工序后，到制造配線(xiàn)電路基板100的各工序另外的例子的截面圖。
其中在圖6A和圖6B中，(A1)和(B1)、(A2)和(B2)、(A3)和(B3)以及(A4)和(B4)分別表示在相同工序中不同區(qū)域的截面圖。
也就是，(A1)、(A2)、(A3)和(A4)表示圖1的配線(xiàn)電路基板100的彎曲部100a上的A-A線(xiàn)截面圖，(B1)、(B2)、(B3)以及(B4)表示配線(xiàn)電路基板100的一個(gè)非彎曲部100b上的B-B線(xiàn)截面圖。此外，下面用B-B線(xiàn)截面圖對(duì)一個(gè)非彎曲部100b上的截面構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于另一個(gè)非彎曲部100b上的截面構(gòu)成，由于與上述構(gòu)成相同，所以省略其說(shuō)明。
如圖6A(A1)所示，在彎曲部100a中，保持圖2(c)的工序中的處理后的狀態(tài)。
另一方面，如圖6A(B1)所示，在非彎曲部100b中，圖2(c)的工序中的處理后，在導(dǎo)體圖案2上和電鍍抗蝕層3上形成粗化抗蝕層4。
然后如圖6A(A2)所示，在彎曲部100a中，將在基體絕緣層1上形成有導(dǎo)體圖案2和電鍍抗蝕層3的部件，浸漬在與第一實(shí)施方式相同的粗化處理用的處理液中。這樣，在導(dǎo)體圖案2的表面上形成粗化部5。此外，導(dǎo)體圖案2的側(cè)面由于與電鍍抗蝕層3的側(cè)面相連，所以在該導(dǎo)體圖案2的側(cè)面不形成粗化部5。此外，粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra例如為2μm。
另一方面，如圖6A(B2)所示，在非彎曲部100b中，保持圖6A(B1)的工序中的處理后的狀態(tài)。
然后如圖6B(A3)所示，在彎曲部100a中，去除電鍍抗蝕層3。
另一方面，如圖6B(B3)所示，在非彎曲部100b中，同時(shí)去除電鍍抗蝕層3和粗化抗蝕層4。
然后如圖6B(A4)所示，在彎曲部100a中，在基體絕緣層1上和形成有粗化部5的導(dǎo)體圖案2上，形成覆蓋絕緣層6。
另一方面，如圖6B(B4)所示，在非彎曲部100b中，在基體絕緣層1上和沒(méi)有形成粗化部5的導(dǎo)體圖案2上，也形成覆蓋絕緣層6。
按照以上的方法，制造了在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6通過(guò)粗化部5粘結(jié)在一起的配線(xiàn)電路基板100。
(4)第四實(shí)施方式下面對(duì)第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖7A和圖7B是表示第四實(shí)施方式的到制造配線(xiàn)電路基板100的各工序的截面圖。
其中，在圖7B中(e1)和(e2)、(f1)和(f2)、(g1)和(g2)分別表示相同工序中的不同區(qū)域的截面圖。
也就是，(e1)、(f1)和(g1)表示圖1的配線(xiàn)電路基板100的彎曲部100a上的A-A線(xiàn)截面圖，(e2)、(f2)和(g2)表示配線(xiàn)電路基板100的一個(gè)非彎曲部100b上的B-B線(xiàn)截面圖。
此外，在圖7A(a)～(d)中，由于配線(xiàn)電路基板100的彎曲部100a上的A-A線(xiàn)截面圖和一個(gè)非彎曲部100b上的B-B線(xiàn)截面圖相同，所以?xún)H以一個(gè)截面圖來(lái)表示。此外，下面用B-B線(xiàn)截面圖對(duì)一個(gè)非彎曲部100b上的截面的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明，關(guān)于其他的非彎曲部100b上的截面的構(gòu)成由于與上述構(gòu)成相同，所以省略其說(shuō)明。
如圖7A(a)所示，例如準(zhǔn)備將具有厚度12μm的聚酰亞胺薄膜構(gòu)成的基體絕緣層1、以及在該基體絕緣層1上例如由銅箔構(gòu)成的導(dǎo)體層2a層疊在一起的雙層基體材料。
然后如圖7A(b)所示，將上述雙層基體材料浸漬在與第一實(shí)施方式相同的粗化處理用的處理液中(例如32℃)1分鐘。這樣，除了導(dǎo)體層2a上的與基體絕緣層1粘結(jié)面(圖7A中的下面)以外的面(上面和兩個(gè)側(cè)面)上，形成粗化部5。此外，粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra例如為2μm。
然后，為了通過(guò)對(duì)上述導(dǎo)體層2a進(jìn)行蝕刻，形成后面敘述的規(guī)定的導(dǎo)體圖案2，如圖7A(c)所示，在除了導(dǎo)體層2a上的蝕刻區(qū)域以外的區(qū)域上，形成蝕刻用抗蝕層30。
而在通過(guò)規(guī)定的蝕刻液進(jìn)行蝕刻處理后，如圖7A(d)所示，通過(guò)去除蝕刻用抗蝕層30，在基體絕緣層1上形成導(dǎo)體圖案2。此外，在形成的導(dǎo)體圖案2的表面上，形成有粗化部5。
然后如圖7B(e1)所示，在彎曲部100a中，在導(dǎo)體圖案2上用感光性樹(shù)脂形成平滑化用抗蝕層8。
另一方面如圖7B(e2)所示，在非彎曲部100b中，保持圖7A(d)的工序中的處理后的狀態(tài)。
在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成有平滑化抗蝕層8的部件，被浸漬到與第二實(shí)施方式相同的平滑處理用的處理液中。此后去除平滑化抗蝕層8。
這樣就如圖7B(f1)所示，在彎曲部100a上保持導(dǎo)體圖案2上的粗化部5。另一方面如圖7B(f2)所示，在非彎曲部100b上使導(dǎo)體圖案2上的粗化部5平滑化而去除。
然后如圖7B(g1)所示，在彎曲部100a上，在基體絕緣層1上和形成有粗化部5的導(dǎo)體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。
另一方面如圖7B(g2)所示，在非彎曲部100b上，也在基體絕緣層1上和沒(méi)有形成粗化部5的導(dǎo)體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。
按照以上的方法，制造了在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6通過(guò)粗化部5粘結(jié)在一起的配線(xiàn)電路基板100。
(5)其他實(shí)施方式在上述的實(shí)施方式中，配線(xiàn)電路基板100的制造方法使用了半加成法，但不限于此，也可以使用減數(shù)法或全加成法等其他的方法。
此外如上所述，在配線(xiàn)電路基板100的非彎曲部100b的端子用開(kāi)口部7中，可以連接半導(dǎo)體芯片，也可以連接其他的配線(xiàn)電路基板。
此外，基體絕緣層1的其他材料的例子有聚乙酰腮(PolyparabanicAcid)薄膜、聚酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate)薄膜、聚醚砜薄膜、聚醚亞胺薄膜、聚醚醚酮薄膜等的工程塑料薄膜。
此外，覆蓋絕緣層6的其他材料的例子有聚乙酰腮薄膜、聚酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚醚砜薄膜、聚醚亞胺薄膜、聚醚醚酮薄膜等的工程塑料薄膜。覆蓋絕緣層6的材料可以與基體絕緣層1的材料相同，也可以不同。
此外，導(dǎo)體圖案2的材料不限于銅，可以使用含銅的合金、鋁、銀等的其他金屬材料。
(6)各實(shí)施方式的效果在上述各實(shí)施方式中，通過(guò)粗化處理在配線(xiàn)電路基板100的彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成粗化部5。通過(guò)在導(dǎo)體圖案2上形成的粗化部5，粘結(jié)覆蓋絕緣層6。
按照這樣的構(gòu)成，可以防止因彎曲部100a和非彎曲部100b上的導(dǎo)體圖案2上的區(qū)域被粗化，而造成的高頻信號(hào)(例如100MHz以上或300MHz以上)傳送特性的惡化。
也就是，通過(guò)僅在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上的區(qū)域形成粗化部5，可以防止實(shí)際的傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，高頻信號(hào)的傳送特性不惡化。
此外，通過(guò)在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上的區(qū)域形成粗化部5，可以提高導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6的粘結(jié)性能。這樣，可以防止在導(dǎo)體圖案2與覆蓋絕緣層6之間因彎曲或反復(fù)彎曲而產(chǎn)生的剝離。
特別是在第一和第二實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100中，在除與在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2的絕緣層1粘結(jié)的面之外的面上，形成粗化部5。這樣，可以進(jìn)一步提高導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6的粘結(jié)性能。
此外，特別是在第三和第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100中，在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2的上面上形成粗化部5。這樣，還可以防止實(shí)際傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，還可以抑制或防止高頻信號(hào)的傳送特性的惡化。
在這樣的第三和第四實(shí)施方式的配線(xiàn)電路基板100中，還具有以下的效果。
也就是，在相互鄰接的導(dǎo)體圖案2中流過(guò)相互相反方向的電流的情況下，有時(shí)電流沿上述各導(dǎo)體圖案2的側(cè)面流動(dòng)(鄰近效應(yīng))。因此如上所述，通過(guò)在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2的上面上形成粗化部5，可以充分防止實(shí)際的傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)。這樣，可以抑制或防止高頻信號(hào)的傳送特性的惡化。
(7)權(quán)利要求中的各構(gòu)成要素和實(shí)施方式的各部的對(duì)應(yīng)關(guān)系下面對(duì)權(quán)利要求中的各構(gòu)成要素和實(shí)施方式的各構(gòu)成部的對(duì)應(yīng)的例子進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不限于下述的例子。
在上述實(shí)施方式中，基體絕緣層1是絕緣層的例子，導(dǎo)體圖案2是配線(xiàn)層的例子，覆蓋絕緣層6是保護(hù)層的例子。粗化抗蝕層4是粗化用的抗蝕層的例子，平滑化抗蝕層8是平滑化用的抗蝕層的例子，電鍍抗蝕層3是電鍍用的抗蝕層的例子，蝕刻抗蝕層30是蝕刻用的抗蝕層的例子。
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例和對(duì)比例進(jìn)行說(shuō)明。
(1)實(shí)施例1按照上述第一實(shí)施方式制造了配線(xiàn)電路基板100。此外，下面除了具體的設(shè)計(jì)條件以外，對(duì)于與第一實(shí)施方式重復(fù)的部分省略其說(shuō)明。
具體設(shè)計(jì)條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導(dǎo)體圖案2的厚度為18μm。
此外，在粗化處理中，使用MacDermid公司制的MultiBond(MB-100)作為處理液，在32℃下浸漬1分鐘。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為2μm。
(b)實(shí)施例2按照上述第二實(shí)施方式制造了配線(xiàn)電路基板100。此外，下面除了具體的設(shè)計(jì)條件以外，對(duì)于與第二實(shí)施方式重復(fù)的部分省略其說(shuō)明。
具體設(shè)計(jì)條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導(dǎo)體圖案2的厚度為18μm。
此外，粗化處理使用與上述實(shí)施例1相同的處理液，采用同樣的方法進(jìn)行。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為2μm。
此外，在平滑處理中，使用過(guò)硫酸鈉水溶液作為處理液。
(c)實(shí)施例3按照上述第三實(shí)施方式制造了配線(xiàn)電路基板100。此外，下面除了具體的設(shè)計(jì)條件以外，對(duì)于與第三實(shí)施方式重復(fù)的部分省略其說(shuō)明。
具體設(shè)計(jì)條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導(dǎo)體圖案2的厚度為18μm。
此外，粗化處理使用與上述實(shí)施例1相同的處理液，采用同樣的方法進(jìn)行。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為2μm。
(d)實(shí)施例4按照上述第四實(shí)施方式制造了配線(xiàn)電路基板100。此外，下面除了具體的設(shè)計(jì)條件以外，對(duì)于與第四實(shí)施方式重復(fù)的部分省略其說(shuō)明。
具體設(shè)計(jì)條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導(dǎo)體圖案2a的厚度為20μm。
此外，粗化處理使用與上述實(shí)施例1相同的處理液，采用同樣的方法進(jìn)行。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為2μm。此外，在平滑處理中，使用與上述實(shí)施例2相同的處理液。
(e)對(duì)比例1除了不進(jìn)行粗化處理以外，與上述實(shí)施例1相同，制造了配線(xiàn)電路基板。
也就是在本對(duì)比例中，由于在基體絕緣層1上形成的導(dǎo)體圖案2的表面上，不形成粗化部5，所以彎曲部100a和非彎曲部100b中的導(dǎo)體圖案2的整個(gè)表面平滑。此外，導(dǎo)體圖案2的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為不到1.0μm。
(f)對(duì)比例2除了不進(jìn)行平滑處理以外，與上述的實(shí)施例2相同，制造了配線(xiàn)電路基板。
也就是，在本對(duì)比例中，在彎曲部100a和非彎曲部100b中的導(dǎo)體圖案2的整個(gè)表面上形成有粗化部5。粗化部5的表面粗糙度(算術(shù)平均高度)Ra為2μm。
(g)評(píng)價(jià)對(duì)在實(shí)施例1～4中制造的各配線(xiàn)電路基板100、以及在對(duì)比例1、2中制造的各配線(xiàn)電路基板進(jìn)行了彎曲可靠性試驗(yàn)。其中，所謂彎曲可靠性試驗(yàn)是對(duì)配線(xiàn)電路基板進(jìn)行反復(fù)彎曲(彎曲動(dòng)作)后，調(diào)查了導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6之間是否產(chǎn)生剝離的試驗(yàn)。
其結(jié)果是在實(shí)施例1～4的各配線(xiàn)電路基板100、以及對(duì)比例2的配線(xiàn)電路基板的彎曲部100a中，在導(dǎo)體圖案2和覆蓋絕緣層6之間沒(méi)有產(chǎn)生剝離，而在對(duì)比例1的配線(xiàn)電路基板的彎曲部100a中，在導(dǎo)體圖案2與覆蓋絕緣層6之間產(chǎn)生剝離。
此外，在實(shí)施例1～4的各配線(xiàn)電路基板100、以及對(duì)比例1的配線(xiàn)電路基板中，高頻特性中在頻率1GHz的傳送損失為0.1dB/cm，而在對(duì)比例2的配線(xiàn)電路基板中，高頻特性中在頻率1GHz的傳送損失為0.5dB/cm，明顯惡化。
從以上的結(jié)果可以確認(rèn)，通過(guò)僅在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上的區(qū)域形成粗化部5，可以防止實(shí)際的傳送通路的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，高頻信號(hào)的傳送特性不惡化。
此外可以確認(rèn)，通過(guò)在彎曲部100a上的導(dǎo)體圖案2上形成粗化部5，可以提高導(dǎo)體圖案2和保護(hù)絕緣膜6的粘結(jié)性能。
權(quán)利要求
1.一種配線(xiàn)電路基板，具有在使用時(shí)彎曲的彎曲部和在使用時(shí)不彎曲的非彎曲部，其特征在于，包括跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置的絕緣層；在所述絕緣層上形成的配線(xiàn)層；和覆蓋所述配線(xiàn)層而在所述絕緣層上形成的保護(hù)層，其中，所述彎曲部中的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域被粗化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)電路基板，其特征在于被粗化的所述區(qū)域包括所述配線(xiàn)層與所述絕緣層的界面和相反一側(cè)的面的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)電路基板，其特征在于被粗化的所述區(qū)域的算術(shù)平均高度比未粗化的其他區(qū)域的算術(shù)平均高度大。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線(xiàn)電路基板，其特征在于被粗化的所述區(qū)域的算術(shù)平均高度為1μm以上、3μm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線(xiàn)電路基板，其特征在于所述配線(xiàn)層具有在所述彎曲部中相互并列延伸的多個(gè)配線(xiàn)層，所述多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面未被粗化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的配線(xiàn)電路基板，其特征在于所述多個(gè)配線(xiàn)層相互相對(duì)的面的算術(shù)平均高度比被粗化的所述區(qū)域的算術(shù)平均高度小。
7.一種配線(xiàn)電路基板的制造方法，該配線(xiàn)電路基板具有在使用時(shí)彎曲的彎曲部和在使用時(shí)不彎曲的非彎曲部，其特征在于，包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，形成在所述彎曲部中的表面區(qū)域被粗化的配線(xiàn)層的工序；和在所述絕緣層上形成保護(hù)層，以覆蓋所述彎曲部和所述非彎曲部中的所述配線(xiàn)層的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)電路基板的制造方法，其特征在于形成所述配線(xiàn)層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上形成1個(gè)或多個(gè)配線(xiàn)層的工序；在除所述彎曲部之外的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域，形成粗化用的抗蝕層的工序；對(duì)未形成所述粗化用的抗蝕層的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域進(jìn)行粗化的工序；和去除所述粗化用的抗蝕層的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)電路基板的制造方法，其特征在于形成所述配線(xiàn)層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上形成配線(xiàn)層的工序；對(duì)所述配線(xiàn)層的表面進(jìn)行粗化的工序；在除所述非彎曲部之外的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域，形成平滑化用的抗蝕層的工序；進(jìn)行使未形成所述平滑化用的抗蝕層的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑化的工序；和去除所述平滑化用的抗蝕層的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)電路基板的制造方法，其特征在于形成所述配線(xiàn)層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置的絕緣層上，使用與所述配線(xiàn)層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成所述配線(xiàn)層的工序；在所述非彎曲部中的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域和所述電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層的工序；對(duì)未形成所述粗化用的抗蝕層的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域進(jìn)行粗化的工序；和去除所述電鍍用的抗蝕層和所述粗化用的抗蝕層的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)電路基板的制造方法，其特征在于形成所述配線(xiàn)層的工序包括使跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設(shè)置、包括絕緣層和導(dǎo)體層的疊層板中的所述導(dǎo)體層的表面進(jìn)行粗化的工序；在所述導(dǎo)體層表面的規(guī)定區(qū)域形成蝕刻用的抗蝕層，除去所述規(guī)定的區(qū)域，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，在所述絕緣層上形成配線(xiàn)層的工序；去除所述蝕刻用的抗蝕層的工序；在所述彎曲部中的配線(xiàn)層的表面區(qū)域形成平滑化用的抗蝕層的工序；使未形成所述平滑化用的抗蝕層的所述配線(xiàn)層的表面區(qū)域平滑的工序；和去除所述平滑化用的抗蝕層的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的配線(xiàn)電路基板的制造方法，其特征在于所述配線(xiàn)層在所述彎曲部中具有相互并排延伸的多個(gè)配線(xiàn)層，形成所述配線(xiàn)層的工序包括除所述多個(gè)配線(xiàn)層相互面對(duì)的面之外，使所述彎曲部中的表面區(qū)域粗化。
全文摘要
本發(fā)明的配線(xiàn)電路基板具有彎曲部和非彎曲部?？缭綇澢亢头菑澢慷O(shè)置基體絕緣層。在絕緣層上形成多個(gè)導(dǎo)體圖案。在絕緣層上形成覆蓋絕緣層，以覆蓋多個(gè)導(dǎo)體圖案。對(duì)彎曲部上的多個(gè)導(dǎo)體圖案的表面區(qū)域進(jìn)行粗化。
文檔編號(hào)H05K3/38GK101080136SQ20071010552
公開(kāi)日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2007年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者本上滿(mǎn), 花園博行 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社